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    • 4. 发明申请
    • PROCEDE DE DÉPÔT DE COUCHE MINCE
    • 薄层沉积方法
    • WO2009136110A2
    • 2009-11-12
    • PCT/FR2009/050658
    • 2009-04-10
    • SAINT-GOBAIN GLASS FRANCEDURANDEAU, AnneKHARCHENKO, AndriyNADAUD, Nicolas
    • DURANDEAU, AnneKHARCHENKO, AndriyNADAUD, Nicolas
    • C03C17/34C03C17/36C03C17/245C03C17/40
    • C03C17/2456C03C17/3441C03C17/3482C03C17/36C03C17/3607C03C17/3649C03C17/3689C03C2217/71C03C2218/32C03C2218/322C03C2218/328
    • L'invention a pour objet un procédé d'obtention d'un matériau comprenant un substrat et au moins une couche mince à base d'oxyde de titane au moins partiellement cristallisé et déposée sur une première face dudit substrat, ledit procédé comprenant les étapes suivantes : on dépose ladite au moins une couche mince à base d'oxyde de titane; on soumet ladite au moins une couche mince à base d'oxyde de titane à un traitement de cristallisation en apportant une énergie susceptible de porter chaque point de ladite au moins une couche mince à base d'oxyde de titane à une température d'au moins 300°C tout en maintenant une température inférieure ou égale à 150°C en tout point de la face dudit substrat opposée à ladite première face; ledit traitement de cristallisation étant précédé d'une étape de dépôt, au-dessus et/ou en dessous de ladite couche mince à base d'oxyde de titane, d'une couche pourvoyeuse d'énergie, susceptible d'absorber l'énergie apportée lors dudit traitement de cristallisation plus efficacement que ladite au moins une couche d'oxyde de titane et/ou de créer une énergie supplémentaire lors dudit traitement de cristallisation, et de transmettre au moins une partie de ladite énergie à ladite au moins une couche mince à base d'oxyde de titane lors dudit traitement de cristallisation.
    • 本发明涉及一种用于获得材料的方法,所述材料包括基材和至少一个含有至少部分结晶的氧化钛并沉积在所述基材的第一表面上的薄层,其中所述方法包括以下步骤: 至少一层含有氧化钛的薄层; 通过提供能够将含有氧化钛的所述至少一个薄层的每个点加热到至少300℃的温度同时保持低于或等于的温度来对含有氧化钛的所述至少一个薄层进行结晶处理 在所述衬底的与所述第一表面相对的表面的任何点处的至少150℃,其中所述结晶过程之前是在所述含有氧化钛的所述薄层上沉积在所述薄层上和/或下面的步骤,所述薄层能够吸收 在所述结晶过程期间提供的能量比所述至少一个含有氧化钛的薄层更有效,和/或能够在所述结晶过程期间产生附加功率,并将所述能量的至少一部分传输到所述至少一个薄层 在所述结晶过程中含有氧化钛。
    • 5. 发明申请
    • INFRARED CURING PROCESS FOR TOUCH PANEL MANUFACTURING
    • 用于触控面板制造的红外线固化工艺
    • WO2009006512A1
    • 2009-01-08
    • PCT/US2008/068987
    • 2008-07-02
    • DONNELLY CORPORATIONGETZ, Catherine, A.
    • GETZ, Catherine, A.
    • B21K1/22F02N3/00
    • C03C17/36C03C17/3644C03C17/3655C03C17/3671C03C23/001C03C2217/948C03C2218/322
    • An infrared energy oxidizing and/or curing process (10) includes an infrared oxidation zone (12) having an infrared energy source operable to emit infrared energy that oxidizes a conductive thin film deposited or established on a glass substrate to establish a light transmissive or transparent conductive thin film for manufacturing of a touch panel. Optionally, the infrared energy curing process (10) provides an in-line infrared energy curing process that oxidizes the conductive thin film on the glass substrate as the glass substrate is moved past the infrared energy source. Optionally, the infrared energy curing process bonds a thick film silver frit electrode pattern to the conductively coated glass substrate. Optionally, the infrared energy curing process reduces the transparent conductive thin film.
    • 红外能量氧化和/或固化过程(10)包括具有红外能量源的红外氧化区(12),其可操作以发射红外能量,其氧化沉积或建立在玻璃基板上的导电薄膜,以建立透光或透明 用于制造触摸面板的导电薄膜。 可选地,红外能量固化方法(10)提供在玻璃基板移动通过红外能量源时氧化玻璃基板上的导电薄膜的在线红外能量固化过程。 可选地,红外能量固化过程将厚膜银玻璃料电极图案粘合到导电涂覆的玻璃基板上。 可选地,红外能量固化工艺减少了透明导电薄膜。