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1. 发明申请

WO2005004232A1 PROCEDE D'OBTENTION CONCOMITANTE D'UNE PAIRE DE SUBSTRATS RECOUVERTS D'UNE COUCHE UTILE 审中-公开
标题翻译：同时获得有用层覆盖的基板对的方法
公开(公告)号：WO2005004232A1
公开(公告)日：2005-01-13
申请号：PCT/FR2004/001368
申请日：2004-06-03
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , GHYSELEN, Bruno , AULNETTE, Cécile , BATAILLOU, Benoït , MAZURE, Carlos , MORICEAU, Hubert
发明人： GHYSELEN, Bruno , AULNETTE, Cécile , BATAILLOU, Benoït , MAZURE, Carlos , MORICEAU, Hubert
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , Y10S438/977
摘要： L'invention concerne un procédé d'obtention concomitante d'au moins une paire de structures (51,52) comprenant chacune une couche utile (110,120) reportée sur un substrat (71,2). Ce procédé est remarquable en ce qu'il comprend les étapes consistant à : a) préparer une structure de rang 1 comprenant une couche utile reportée sur un substrat support (2), b) former une zone de fragilisation à l'intérieur de ladite couche utile, de façon à y définir une couche utile avant (110) et une couche utile arrière (120), c) faire adhérer un substrat raidisseur (71) sur la ladite couche utile avant (110), d) procéder au détachement de l'empilement de couches le long de la zone de fragilisation, pour obtenir deux structures de rang 2, la première (51) comprenant ledit substrat support (2) et ladite couche utile arrière (120) et la seconde (52) comprenant ledit substrat raidisseur (71) et ladite couche utile avant (110). Applications dans les domaines de l'électronique, l'optoélectronique ou l'optique.
摘要翻译：本发明涉及一种用于同时获得至少一对结构（51,52）的方法，每个结构（51,52）具有放置在基底（71,2）上的有用层（110,120）。该方法的特征在于包括以下步骤：a）制备具有放置在支撑衬底（2）上的有用层的行结构（1）; b）在所述有用层内形成脆性区域，由此限定前部有用层（110）和后部有用层（120）; c）将加强基底（71）粘附到所述前部有用层（110）上; d）沿着脆化区域去除层叠层，以便获得两个行结构（2），第一（51）包含支撑基底（2）和后部有用区域（120），第二（52）包含加强基板（71）和前部有用层（110）。本发明用于电子学，光电子学或光学领域。

2. 发明申请

WO2005004233A1 PROCEDE D'OBTENTION D'UNE STRUCTURE COMPRENANT UN SUBSTRAT SUPPORT ET UNE COUCHE ULTRAMINCE 审中-公开
标题翻译：获得支撑衬底和超薄层的结构的方法
公开(公告)号：WO2005004233A1
公开(公告)日：2005-01-13
申请号：PCT/FR2004/001369
申请日：2004-06-03
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , AULNETTE, Cécile , BATAILLOU, Benoît , GHYSELEN, Bruno , MORICEAU, Hubert
发明人： AULNETTE, Cécile , BATAILLOU, Benoît , GHYSELEN, Bruno , MORICEAU, Hubert
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/76259
摘要： L'invention concerne un procédé d'obtention d'une structure comprenant au moins un substrat support (3), une couche ultramince issue d'un substrat source (1) notamment en matériau semi-conducteur et éventuellement une couche intercalaire et comprenant les étapes consistant à : a) coller par adhésion moléculaire un substrat support (3) sur la face avant (10) d'un substrat source (1) qui présente une zone de fragilisation (12) délimitant une couche utile (13) à transférer dont l'épaisseur est notablement plus grande que celle de ladite couche ultramince (130), b) détacher ledit substrat support (3) du reste (14) du substrat source (1), le long de ladite zone de fragilisation (12), de façon à obtenir une structure intermédiaire comprenant au moins ladite couche utile (13) transférée et ledit substrat support (3), c) procéder à l'amincissement de ladite couche utile (13) transférée jusqu'à obtenir ladite couche ultra mince.Application à la fabrication de substrats dans les domaines de l'électronique, l'optoélectronique ou l'optique.
摘要翻译：本发明涉及一种用于获得具有至少一个支撑衬底（3）的结构的方法，由源衬底（1）制成的超薄层，特别是由半导体材料制成并且可选地具有插入层。本发明的方法包括以下步骤：a）通过分子粘合将支撑衬底（3）粘附到具有限定有用层的脆性区域（12）的源衬底（1）的正面（10） 13），其宽度明显大于所述超薄层（130）的宽度; b）沿着所述脆化区域（12）将所述支撑衬底（3）从所述源衬底（1）的其余部分（14）移除，由此获得至少具有所述转移的有用层（13）和所述支撑衬底（3）的中间结构）; c）使该转移的有用层（13）变薄直到获得超薄层。本发明用于制造电子学，光电子学或光学领域的衬底。

3. 发明申请

WO2008148882A3 METHOD FOR PRODUCING HYBRID COMPONENTS 审中-公开
公开(公告)号：WO2008148882A3
公开(公告)日：2008-12-11
申请号：PCT/EP2008/057110
申请日：2008-06-06
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , SIGNAMARCHEIX, Thomas , FOURNEL, Franck , MORICEAU, Hubert
发明人： SIGNAMARCHEIX, Thomas , FOURNEL, Franck , MORICEAU, Hubert
IPC分类号： H01L21/762 , H01L27/12
摘要： The invention concerns a method for producing a hybrid substrate, comprising a support substrate (40), a continuous buried insulator layer (42) and, on this layer, a hybrid layer (26) comprising alternating zones of a first material (26) and at least one second material (32), wherein these two materials are different by their nature and/or their crystallographic characteristics, said method comprising: the formation of a hybrid layer (26), comprising alternating zones of first and second materials, on a homogeneous substrate (22), an intermediate step of assembly of the free surface of the hybrid layer, or of a dielectric fromed on this surface, with a buffer substrate, the assembly of this hybrid layer, the continuous insulator layer (42) and the support substrate (40), the elimination of a part at least of the homogeneous substrate (40), before or after the assembly step.

4. 发明申请

WO2005096369A1 PREPARING A SURFACE OF A SEMICONDUCTOR WAFER FOR BONDING WITH ANOTHER WAFER 审中-公开
标题翻译：制备用于与另一个波形结合的半导体波导的表面
公开(公告)号：WO2005096369A1
公开(公告)日：2005-10-13
申请号：PCT/IB2005/001064
申请日：2005-03-30
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , MAUNAND TUSSOT, Corinne , MALEVILLE, Christophe , MORICEAU, Hubert , SOUBIE, Alain
发明人： MAUNAND TUSSOT, Corinne , MALEVILLE, Christophe , MORICEAU, Hubert , SOUBIE, Alain
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： The invention relates to a method for preparing an oxidised surface of a wafer for bonding with another wafer, the oxidised surface having been subject to an implantation of atomic species, the method including a first step of cleaning the oxidised surface by employing NH 4 OH and H 2 O 2 , and a second step of cleaning by employing hydrochloric species (HCI), wherein the first step is implemented so as to etch from about 10 Å to about 120 Å, and wherein the second step is implemented at a selected temperature below around 50°C during about 10 minutes or less.
摘要翻译：本发明涉及一种制备用于与另一晶片接合的晶片的氧化表面的方法，所述氧化表面已经经受原子物质的注入，所述方法包括通过使用NH 4 OH和H 2 O 2清洁氧化表面的第一步骤，以及通过使用盐酸物质（HCl）进行清洁的第二步骤，其中第一步骤被实施为蚀刻从大约至大约为120埃，并且其中第二步骤在低于约50℃的选定温度下实施约10分钟或更短。

5. 发明申请

WO2003092041A2 METHOD FOR FABRICATING A SUBSTRATE WITH USEFUL LAYER ON HIGH RESISTIVITY SUPPORT 审中-公开
标题翻译：在高电阻率支持下制造具有有用层的衬底的方法
公开(公告)号：WO2003092041A2
公开(公告)日：2003-11-06
申请号：PCT/IB2003/002237
申请日：2003-04-23
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , GHYSELEN, Bruno , MORICEAU, Hubert
发明人： GHYSELEN, Bruno , MORICEAU, Hubert
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/3225 , H01L21/3226 , H01L21/76254 , H01L29/32
摘要： A method for fabricating a substrate containing a useful semiconductor layer on a support having high resistivity comprises the following successive steps: (a) preparing a base substrate in semiconductor material containing a controlled quantity of interstitial oxygen, (b) conducting determined a heat treatment so as to achieve at least partial precipitation of the interstitial oxygen of the base substrate, (c) on one surface of the base substrate intended to receive a useful layer, removing a superficial layer over a controlled depth, (d) forming said useful layer on said surface of the base substrate, the latter forming the support. Application in particular to SOI substrates with high resistivity for high frequency electronic circuits.
摘要翻译：在具有高电阻率的载体上制造包含有用半导体层的衬底的方法包括以下连续步骤：（a）在含有控制量的间隙氧的半导体材料中制备衬底衬底，（ b）进行确定的热处理以实现基础衬底的间隙氧的至少部分沉淀，（c）在旨在接收有用层的基础衬底的一个表面上，在受控深度上去除表面层，（d）在基础衬底的所述表面上形成所述有用层，后者形成支撑。特别适用于具有高电阻率的SOI衬底用于高频电子电路。

6. 发明申请

WO2003092041A3 METHOD FOR FABRICATING A SOI SUBSTRATE A HIGH RESISTIVITY SUPPORT SUBSTRATE 审中-公开
公开(公告)号：WO2003092041A3
公开(公告)日：2003-11-06
申请号：PCT/IB2003/002237
申请日：2003-04-23
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , GHYSELEN, Bruno , MORICEAU, Hubert
发明人： GHYSELEN, Bruno , MORICEAU, Hubert
IPC分类号： H01L21/322
摘要： A method for fabricating a substrate containing a useful semiconductor layer on a support having high resistivity comprises the following successive steps: (a) preparing a base substrate in semiconductor material containing a controlled quantity of interstitial oxygen, (b) conducting determined a heat treatment so as to achieve at least partial precipitation of the interstitial oxygen of the base substrate, (c) on one surface of the base substrate intended to receive a useful layer, removing a superficial layer over a controlled depth, (d) forming said useful layer on said surface of the base substrate, the latter forming the support. Application in particular to SOI substrates with high resistivity for high frequency electronic circuits.

7. 发明申请

WO2002084722A3 SUBSTRAT DEMONTABLE A TENUE MECANIQUE CONTROLEE ET PROCEDE DE REALISATION 审中-公开
公开(公告)号：WO2002084722A3
公开(公告)日：2002-10-24
申请号：PCT/FR2002/001268
申请日：2002-04-11
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , ASPAR, Bernard , MORICEAU, Hubert , RAYSSAC, Olivier , GHYSELEN, Bruno
发明人： ASPAR, Bernard , MORICEAU, Hubert , RAYSSAC, Olivier , GHYSELEN, Bruno
IPC分类号： H01L21/20
摘要： Procédé de préparation d'un substrat démontable, comportant une étape de réalisation d'une interface par collage par adhésion moléculaire d'une face d'une couche sur une face d'un substrat , dans lequel est prévu, avant collage, une étape de traitement de l'une au moins de ces faces propre à mettre la tenue mécanique de l'interface à un niveau contrôlé compatible avec un démontage ultérieur.

8. 发明申请

WO2002084722A2 SUBSTRAT DEMONTABLE A TENUE MECANIQUE CONTROLEE ET PROCEDE DE REALISATION 审中-公开
标题翻译：具有受控机械保持的可拆卸基板及其制造方法
公开(公告)号：WO2002084722A2
公开(公告)日：2002-10-24
申请号：PCT/FR2002/001268
申请日：2002-04-11
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , ASPAR, Bernard , MORICEAU, Hubert , RAYSSAC, Olivier , GHYSELEN, Bruno
发明人： ASPAR, Bernard , MORICEAU, Hubert , RAYSSAC, Olivier , GHYSELEN, Bruno
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： B81C99/008 , H01L21/76254 , Y10S438/958
摘要： Procédé de préparation d'un substrat démontable, comportant une étape de réalisation d'une interface par collage par adhésion moléculaire d'une face d'une couche sur une face d'un substrat , dans lequel est prévu, avant collage, une étape de traitement de l'une au moins de ces faces propre à mettre la tenue mécanique de l'interface à un niveau contrôlé compatible avec un démontage ultérieur.
摘要翻译：本发明涉及一种可拆卸基板的制造方法，其特征在于，包括：通过使用分子粘合固定在基板的一个面上的一个面固定界面的方法制造界面的方法，提供了用于至少一个所述面部的处理台，使得在该受控水平处的界面处的机械保持与随后的分离兼容。

9. 发明申请

WO2011092401A2 PROCEDE DE REALISATION D'UNE CELLULE PHOTOVOLTAIQUE AVEC PREPARATION DE SURFACE D'UN SUBSTRAT EN SILICIUM CRISTALLIN 审中-公开
标题翻译：生产光伏电池的方法，包括制备晶体硅衬底的表面
公开(公告)号：WO2011092401A2
公开(公告)日：2011-08-04
申请号：PCT/FR2011/000049
申请日：2011-01-26
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , MORICEAU, Hubert , MUR, Pierre , RIBEYRON, Pierre-Jean
发明人： MORICEAU, Hubert , MUR, Pierre , RIBEYRON, Pierre-Jean
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/0236
CPC分类号： H01L21/30604 , H01L31/02363 , H01L31/075 , H01L31/18 , H01L31/202 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： Un procédé de réalisation d'au moins une cellule photovoltaïque comprend successivement la gravure anisotrope d'une surface (1a) d'un substrat (1) en silicium cristallin et le traitement par gravure isotrope de ladite surface (1a). Le traitement par gravure isotrope comprend au moins deux opérations successives consistant respectivement à former un film mince (11) en oxyde de silicium d'une épaisseur moyenne contrôlée, comprise entre 10nm et 500nm et à retirer ledit film mince ainsi formé. L'opération consistant à former un film mince (11) en oxyde de silicium à la face (1a) du substrat (1) est réalisée par une oxydation par voie sèche activée thermiquement. Un tel procédé permet d'améliorer l'état de surface de la surface (1a) du substrat (1) une fois celle-ci gravée de manière anisotrope.
摘要翻译：本发明涉及一种用于产生至少一个光伏电池的方法，其连续地包括各向异性地蚀刻晶体硅衬底（1）的表面（1a）并通过各向同性蚀刻来处理所述表面（1a）。通过各向同性蚀刻进行的处理包括分别涉及形成氧化硅薄膜（11）的至少两个连续的操作，其具有调节的平均厚度在10nm和500nm之间，以及去除所述如此形成的薄膜。涉及在基板（1）的表面（1a）上形成氧化硅薄膜（11）的操作通过热活化干法氧化进行。这种方法使得可以改进基板（1）的表面（1a）的表面状态，一旦各向异性蚀刻。

10. 发明申请

WO2006070160A1 PROCEDE DE DETOURAGE D'UNE STRUCTURE OBTENUE PAR ASSEMBLAGE DE DEUX PLAQUES 审中-公开
标题翻译：用于调整由两板组装获得的结构的方法
公开(公告)号：WO2006070160A1
公开(公告)日：2006-07-06
申请号：PCT/FR2005/051128
申请日：2005-12-22
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , TRACIT TECHNOLOGIES , ZUSSY, Marc , ASPAR, Bernard , LAGAHE-BLANCHARD, Chrystelle , MORICEAU, Hubert
发明人： ZUSSY, Marc , ASPAR, Bernard , LAGAHE-BLANCHARD, Chrystelle , MORICEAU, Hubert
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/02008 , H01L21/76251 , H01L21/76254 , Y10T156/10
摘要： L'invention concerne un procédé de détourage d'une structure obtenue par fixation d'une première plaque sur une deuxième plaque selon des faces de contact et amincissement de la première plaque, au moins l'une d'entre la première plaque et la deuxième plaque étant chanfreinée et exposant ainsi le bord de la face de contact de la première plaque, le détourage concernant la première plaque. Le procédé comprend les étapes suivantes : a) sélection de la deuxième plaque parmi des plaques présentant une résistance à l'attaque chimique prévue à l'étape b) suffisante par rapport à la première plaque pour permettre la réalisation de l'étape b) ; b) après fixation de la première plaque sur la deuxième plaque, attaque chimique du bord de la première plaque de façon à former dans la première plaque un piédestal reposant entièrement sur la face de contact de la deuxième plaque et supportant le reste de la première plaque ; c) amincissement de la première plaque jusqu'à atteindre et entamer le piédestal pour fournir une partie amincie de la première plaque.
摘要翻译：本发明涉及一种用于修整通过将第一板固定在接触面上的第二板上并使第一板变薄而获得的结构的方法，所述第一板和第二板中的至少一个被倒角并因此使接触边缘暴露面对第一块板块，表示修剪关于第一块板。该方法包括以下步骤：a）从具有对步骤b）中计划的化学侵蚀的抗性的那些板中选择第二板，其足以与第一板相关以允许步骤b）进行，b）之后将第一板固定到第二板上，执行第一板的边缘的化学侵蚀，以便在第一板上形成基座，其完全搁置在第二板的接触面上并且支撑第一板的其余部分， c）第一板的变薄以便刚刚到达和分解成基座，以提供第一板的变薄的部分。

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