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1. 发明申请

WO2005034218A3 PROCEDE DE FABRICATION D’UNE STRUCTURE EN FORME DE PLAQUE, EN PARTICULIER EN SILICIUM, APPLICATION DE PROCEDE, ET STRUCTURE EN FORME DE PLAQUE, EN PARTICULIER EN SILICIUM 审中-公开
公开(公告)号：WO2005034218A3
公开(公告)日：2005-04-14
申请号：PCT/FR2004/002398
申请日：2004-09-23
申请人： TRACIT TECHNOLOGIES , BRUEL, Michel
发明人： BRUEL, Michel
IPC分类号： H01L21/20
摘要： Procédé de fabrication d'une structure en forme de plaque, et structure en forme de plaque, en particulier en silicium, comprenant au moins un substrat (2), un superstrat (3) et au moins une couche intermédiaire (4) interposée entre le substrat et le superstrat, dans lesquels la couche intermédiaire (4) comprend au moins un matériau de base dans lequel sont répartis des atomes ou molécules dits extrinsèques, différents des atomes ou molécules du matériau de base, et dans lesquels on applique un traitement thermique à ladite plaque tel que, dans la plage de température de ce traitement thermique, la couche intermédiaire (4) est plastiquement déformable et la présence des atomes ou molécules extrinsèques choisis dans le matériau de base choisi engendre de façon irréversible la formation de micro-bulles ou micro-cavités (7) dans la couche intermédiaire.

2. 发明申请

WO2007074242A1 PROCEDE DE FABRICATION D’UNE STRUCTURE DEMONTABLE EN FORME DE PLAQUE, EN PARTICULIER EN SILICIUM, ET APPLICATION DE CE PROCEDE 审中-公开
标题翻译：用于制造板状可拆卸结构，特别是硅的方法和使用方法
公开(公告)号：WO2007074242A1
公开(公告)日：2007-07-05
申请号：PCT/FR2006/002886
申请日：2006-12-27
申请人： TRACIT TECHNOLOGIES , ASPAR, Bernard , LAGAHE-BLANCHARD, Chrystelle
发明人： ASPAR, Bernard , LAGAHE-BLANCHARD, Chrystelle
IPC分类号： H01L21/762 , C30B33/02
CPC分类号： H01L21/76254 , C30B29/06 , C30B33/02 , Y10T156/1153
摘要： Procédé de fabrication d'une structure en forme de plaque comprenant au moins un substrat (3), un superstrat (5) et au moins une couche intermédiaire (4) interposée entre le substrat et le superstrat, consistant : à former sur un substrat, au moins une couche intermédiaire comprenant au moins un matériau de base dans lequel sont répartis des atomes ou molécules dits extrinsèques, différents des atomes ou molécules du matériau de base, de façon à constituer une sous-structure (2) ; à appliquer à cette sous-structure (2) un traitement thermique de base tel que, dans la plage de température de ce traitement thermique, la présence des atomes ou molécules extrinsèques choisis dans le matériau de base choisi engendre une transformation structurelle de ladite couche intermédiaire ; et à assembler un superstrat (5) sur ladite couche intermédiaire (4) traitée thermiquement, de façon à obtenir ladite structure (1) en forme de plaque. Application du procédé à la fabrication de structures semi-conductrices démontables.
摘要翻译：本发明涉及一种制造板状结构的方法，该板状结构包括至少一个衬底（3），一个覆层（5）和至少一个中间层（4），该中间层插入在衬底和衬底之间，其包括：底物，包含至少一种基材的至少一个中间层，其中分散了与基材的原子或分子不同的所谓的外在原子或分子，以构成亚结构（2）; 向所述子结构（2）施加基础热处理，使得在所述热处理的温度范围内，所选择的基材中选定的外在原子或分子的存在产生所述中间层的结构变换; 以及在所述经热处理的中间层（4）上组装上层（5），以获得所述板状结构（1）。该方法对于制造可分离的半导体结构是有用的。

3. 发明申请

WO2006070160A1 PROCEDE DE DETOURAGE D'UNE STRUCTURE OBTENUE PAR ASSEMBLAGE DE DEUX PLAQUES 审中-公开
标题翻译：用于调整由两板组装获得的结构的方法
公开(公告)号：WO2006070160A1
公开(公告)日：2006-07-06
申请号：PCT/FR2005/051128
申请日：2005-12-22
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , TRACIT TECHNOLOGIES , ZUSSY, Marc , ASPAR, Bernard , LAGAHE-BLANCHARD, Chrystelle , MORICEAU, Hubert
发明人： ZUSSY, Marc , ASPAR, Bernard , LAGAHE-BLANCHARD, Chrystelle , MORICEAU, Hubert
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/02008 , H01L21/76251 , H01L21/76254 , Y10T156/10
摘要： L'invention concerne un procédé de détourage d'une structure obtenue par fixation d'une première plaque sur une deuxième plaque selon des faces de contact et amincissement de la première plaque, au moins l'une d'entre la première plaque et la deuxième plaque étant chanfreinée et exposant ainsi le bord de la face de contact de la première plaque, le détourage concernant la première plaque. Le procédé comprend les étapes suivantes : a) sélection de la deuxième plaque parmi des plaques présentant une résistance à l'attaque chimique prévue à l'étape b) suffisante par rapport à la première plaque pour permettre la réalisation de l'étape b) ; b) après fixation de la première plaque sur la deuxième plaque, attaque chimique du bord de la première plaque de façon à former dans la première plaque un piédestal reposant entièrement sur la face de contact de la deuxième plaque et supportant le reste de la première plaque ; c) amincissement de la première plaque jusqu'à atteindre et entamer le piédestal pour fournir une partie amincie de la première plaque.
摘要翻译：本发明涉及一种用于修整通过将第一板固定在接触面上的第二板上并使第一板变薄而获得的结构的方法，所述第一板和第二板中的至少一个被倒角并因此使接触边缘暴露面对第一块板块，表示修剪关于第一块板。该方法包括以下步骤：a）从具有对步骤b）中计划的化学侵蚀的抗性的那些板中选择第二板，其足以与第一板相关以允许步骤b）进行，b）之后将第一板固定到第二板上，执行第一板的边缘的化学侵蚀，以便在第一板上形成基座，其完全搁置在第二板的接触面上并且支撑第一板的其余部分， c）第一板的变薄以便刚刚到达和分解成基座，以提供第一板的变薄的部分。

4. 发明申请

WO2005124826A1 PROCEDE DE TRANSFERT DE PLAQUES 审中-公开
标题翻译：传输板的方法
公开(公告)号：WO2005124826A1
公开(公告)日：2005-12-29
申请号：PCT/FR2005/050411
申请日：2005-06-02
申请人： TRACIT TECHNOLOGIES , ASPAR, Bernard , LAGAHE-BLANCHARD, Chrystelle
发明人： ASPAR, Bernard , LAGAHE-BLANCHARD, Chrystelle
IPC分类号： H01L1/20
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L2221/68359 , H01L2221/68368
摘要： L'invention concerne un procédé de préparation d'une couche mince (28) ou d'une puce à transférer sur un autre substrat, ce procédé comportant la réalisation, au-dessus de la surface de ladite couche mince ou de ladite puce, d'au moins une couche, dite couche d'adhérence (25), et d'au moins une couche, dite première couche d'arrêt (22), la couche d'adhérence étant en un matériau dont la gravure présente une sélectivité par rapport au matériau de la couche d'arrêt.
摘要翻译：本发明涉及一种制备薄层（28）或芯片以转移到另一基片的方法。根据所述方法，在薄层或芯片的表面上形成至少一层，即所谓的粘合层（25）和至少一层其它层，所谓的第一边界层（22），粘合层由相对于边界层的材料以选择性方式蚀刻的材料组成。

5. 发明申请

WO2005064320A1 DISPOSITIF ET PROCEDE D’OBSERVATION D’UNE INTERFACE DE COLLAGE 审中-公开
标题翻译：用于观察接合界面的装置和方法
公开(公告)号：WO2005064320A1
公开(公告)日：2005-07-14
申请号：PCT/FR2004/003361
申请日：2004-12-22
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , TRACIT TECHNOLOGIES Centr'alp , MORICEAU, Hubert , FOURNEL, Franck , FAURE, Bruce , LETERTRE, Fabrice , ASPAR, Bernard , LAGAHE-BLANCHARD, Chrystelle
发明人： MORICEAU, Hubert , FOURNEL, Franck , FAURE, Bruce , LETERTRE, Fabrice , ASPAR, Bernard , LAGAHE-BLANCHARD, Chrystelle
IPC分类号： G01N21/88
CPC分类号： G01N21/8806
摘要： L'invention concerne un procédé de caractérisation de l'interface entre un premier élément (2), tel qu'un substrat ou une couche mince, et un deuxième élément (4), tel qu'un substrat ou une couche mince, comportant : - éclairer le premier élément avec un rayonnement (10) pour lequel il est au moins partiellement transparent, - détecter le rayonnement réfléchi par l'interface.
摘要翻译：本发明涉及一种用于表征诸如衬底或薄层的第一元件（2）与诸如衬底或薄层的第二元件（4）之间的界面的方法。根据所述方法，第一元件由其至少部分透明的辐射（10）照射，然后检测由界面反射的辐射。

6. 发明申请

WO2006035031A1 NEW STRUCTURE FOR MICROELECTRONICS AND MICROSYSTEM AND MANUFACTURING PROCESS 审中-公开
标题翻译：微电子与微结构与制造工艺的新结构
公开(公告)号：WO2006035031A1
公开(公告)日：2006-04-06
申请号：PCT/EP2005/054854
申请日：2005-09-27
申请人： TRACIT TECHNOLOGIES , ASPAR, Bernard
发明人： ASPAR, Bernard
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/764
CPC分类号： H01L21/7624 , B81C1/00595 , H01L21/76256 , H01L21/764
摘要： The invention relates to a process for making a semiconducting structure composed of a surface layer (2), at least one buried layer (4) and a support, comprising: - a first step to make a first layer (44) made of a first material on a first support, and at least one area (26, 28) in this first layer made of a second material with an etching rate greater than the etching rate of the first material, - a second step for the formation of the surface layer (2), by assembly of the structure on a second support, and thinning of at least one of the two supports .
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造由表面层（2），至少一个掩埋层（4）和支撑体构成的半导体结构的方法，包括： - 第一步骤，以制造由第一层第一支撑体上的材料以及由第二材料制成的蚀刻速率大于第一材料的蚀刻速率的第一层中的至少一个区域（26,28）， - 用于形成表面层的第二步骤（2），通过在第二支撑件上组装所述结构，以及减少所述两个支撑件中的至少一个。

7. 发明申请

WO2005038903A1 METHOD FOR PREPARING AND ASSEMBLING SUBSTRATES 审中-公开
标题翻译：制备和组装基板的方法
公开(公告)号：WO2005038903A1
公开(公告)日：2005-04-28
申请号：PCT/EP2004/052548
申请日：2004-10-14
申请人： TRACIT TECHNOLOGIES , ASPAR, Bernard , LAGAHE-BLANCHARD, Chrystelle
发明人： ASPAR, Bernard , LAGAHE-BLANCHARD, Chrystelle
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/304 , H01L21/76251 , H01L21/76254 , H01L21/76256
摘要： The invention relates to a method for assembling a first and a second wafer (12 and 14) of material, comprising: - a routing stage of at least the first wafer (12); - an assembling stage of the first and the second wafer.
摘要翻译：本发明涉及一种用于组装材料的第一和第二晶片（12和14）的方法，包括： - 至少第一晶片（12）的布线阶段; - 第一和第二晶片的组装阶段。

8. 发明申请

WO2005034218A2 METHOD OF PRODUCING A PLATE-SHAPED STRUCTURE, IN PARTICULAR, FROM SILICON, USE OF SAID METHOD AND PLATE-SHAPED STRUCTURE THUS PRODUCED, IN PARTICULAR FROM SILICON 审中-公开
标题翻译：生产板状结构，特别是由硅生产板状结构的方法，使用由硅生成的所述方法和板状结构，特别是由硅
公开(公告)号：WO2005034218A2
公开(公告)日：2005-04-14
申请号：PCT/FR2004002398
申请日：2004-09-23
申请人： TRACIT TECHNOLOGIES , BRUEL MICHEL
发明人： BRUEL MICHEL
IPC分类号： C30B33/00 , C30B33/02 , H01L21/20 , H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , C30B29/06 , C30B33/02
摘要： The invention relates to a method of producing a plate-shaped structure and to the plate-shaped structure thus produced, in particular from silicon. The inventive structure comprises at least one substrate (2), a superstrate (3) and at least one intermediary layer (4) which is disposed between the substrate and the superstrate. The aforementioned intermediary layer (4) comprises at least one base material in which extrinsic molecules or atoms are distributed, which are different from the atoms or molecules of said base material. According to the invention, a heat treatment is applied to the plate such that, within the temperature range of said heat treatment, the intermediary layer (4) is plastically deformable and the presence of the selected extrinsic molecules or atoms in the selected base material causes the irreversible formation of micro-bubbles or micro-cavities (7) in said intermediary layer.
摘要翻译：本发明涉及一种制造板状结构的方法以及特别是由硅制造的如此制造的板状结构。本发明的结构包括至少一个衬底（2），覆板（3）和至少一个设置在衬底和覆板之间的中间层（4）。前述中间层（4）包含至少一种基材，其中分布有外来分子或原子，该基材不同于所述基材的原子或分子。根据本发明，对板施加热处理，使得在所述热处理的温度范围内，中间层（4）可塑性变形，并且所选择的基材中存在选定的非本征分子或原子在所述中间层中不可逆地形成微泡或微腔（7）。

9. 发明申请

WO2007096426A1 METHOD FOR PRODUCING PARTIAL SOI STRUCTURES COMPRISING ZONES CONNECTING A SUPERFICIAL LAYER AND A SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：用于生产包含连接超级层和基板的区域的部分SOI结构的方法
公开(公告)号：WO2007096426A1
公开(公告)日：2007-08-30
申请号：PCT/EP2007/051783
申请日：2007-02-26
申请人： TRACIT TECHNOLOGIES , ASPAR, Bernard , LAGAHE-BLANCHARD, Chrystelle
发明人： ASPAR, Bernard , LAGAHE-BLANCHARD, Chrystelle
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： B81C1/00357 , B81C1/0038 , B81C2201/019 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/76251 , H01L21/76254 , Y10T428/12674
摘要： The invention relates to a method for producing a semiconductor structure comprising a superficial layer (20'), at least one embedded layer (36, 46), and a support (30), which method comprises: a step of forming, on a first support, patterns (23) in a first material, a step of forming a semiconductor layer, between and on said patterns, a step of assembling said semiconductor layer with a second support (30).
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造包括表面层（20'），至少一个嵌入层（36,46）和支撑体（30）的半导体结构的方法，该方法包括：在第一在第一材料中的支撑，图案（23），在所述图案之间和之间形成半导体层的步骤，用第二支撑件（30）组装所述半导体层的步骤。

10. 发明申请

WO2006070167A1 PROCEDE DE REPORT D'UN CIRCUIT SUR UN PLAN DE MASSE 审中-公开
标题翻译：将电路传送到接地平面的方法
公开(公告)号：WO2006070167A1
公开(公告)日：2006-07-06
申请号：PCT/FR2005/051139
申请日：2005-12-22
申请人： TRACIT TECHNOLOGIES , ASPAR, Bernard
发明人： ASPAR, Bernard
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76256
摘要： L'invention concerne un procédé de réalisation d'une structure semi-conductrice, comportant : a) la réalisation d'au moins une partie d'un circuit, dans ou sur la couche superficielle (2) d'un substrat, comportant ladite couche superficielle (2), une couche enterrée (4) sous la couche superficielle, et une couche sous-jacente (6) servant de premier support, b) un transfert de ce substrat sur un substrat poignée (20) puis une élimination du premier support ( 6) , c) la formation d'une couche (14) électriquement conductrice ou formant plan de masse sur la couche enterrée (4), d) la formation, sur cette couche (14) électriquement conductrice ou formant plan de masse, d'une couche de collage (12), e) un report de l'ensemble sur un deuxième support (30) et une élimination du substrat poignée (20) .
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造半导体结构的方法，该半导体结构包括：a）在衬底的表面层（2）中或上方产生电路的至少一部分，其包括所述表面层（2），层 4）埋在所述表面层下方，下层（6）以第一支撑件的形式使用，b）将所述衬底转移到手柄衬底（20）并移除第一支撑件（6），c）形成接合所述导电层或接地平面形成层（14）上的层（12）和e）将组件传送到第二支撑件（30）并移除手柄衬底（20）。

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