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    • 3. 发明申请
    • HALBLEITERBAUELEMENT
    • 半导体部件
    • WO2003096415A1
    • 2003-11-20
    • PCT/DE2003/000376
    • 2003-02-10
    • ROBERT BOSCH GMBHHAUENSTEIN, HenningTOPP, RainerSEIBOLD, JochenBALSZUNAT, DirkERNST, StephanFEILER, WolfgangKOESTER, ThomasHORNUNG, StefanSTREB, Dieter
    • HAUENSTEIN, HenningTOPP, RainerSEIBOLD, JochenBALSZUNAT, DirkERNST, StephanFEILER, WolfgangKOESTER, ThomasHORNUNG, StefanSTREB, Dieter
    • H01L23/373
    • H01L23/488H01L23/3735H01L23/482H01L25/072H01L2924/0002H01L2924/00
    • Die Erfindung betrifft ein einfach, schnell und dennoch sicher herstellbares Halbleiterbauelement, das insbesondere für Leistungsanwendungen verwend­bar ist und aufweist einen Halbleiter-Chip (2, 12), eine auf einer ersten Seite (2a) des Halbleiter-Chips (2, 12) ausgebildete unte­re erste auptelektrodenschicht (3, 13), eine auf der ersten Seite (2a) ausgebildete untere Steuerelektrodenschicht (4, 14), eine auf der ersten Seite (2a) zwischen der unteren ersten Hauptelektroden­schicht (3, 13) und der unteren Steuerelektrodenschicht (4, 14) ausgebildete Isolationsschicht (5, 15), die die untere erste Hauptelektrodenschicht-(3, 13) teilweise bedeckt, eine obere erste Hauptelektrodenschicht (6, 16), die auf der unteren ersten Hauptelektrodenschicht (3, 13) ausgebildet ist, eine obere Steuerelektrodenschicht (7, 17), die auf der unteren Steuerelektro­denschicht (4, 14) und der Isolationsschicht (5, 15) ausgebildet ist und sich auf der Isolationsschicht (5, 15) teilweise oberhalb der unteren ersteh Hauptelekt­rodenschicht (3, 13) erstreckt, und eine auf einer zweiten Seite (2b) des Halbleiter-Chips (2, 12) ausgebildete zweite Hauptelektrodenschicht (9, 19).
    • 本发明涉及一种简单,快速且还确保可生产半导体装置,其是用于功率应用中特别有用,并已形成在半导体芯片(2,12),在半导体芯片的第一侧面(2a)的(2,12)下 第一auptelektrodenschicht(3,13),一个在所述第一侧(2a)的形状的下部控制电极层(4,14),一个位于下侧的第一主电极层(3,13)和下控制电极层之间的第一侧(2a)的(4, 形成绝缘层(5,15)上14),所述下部第一Hauptelektrodenschicht-(3,13)部分地覆盖上部第一主电极层(6,16)(下侧的第一主电极层3,13)上形成,上 下部控制电极层(4,14)和所述绝缘层(5,15)上的控制电极层(7,17)和延伸的所述绝缘层(5,15)上部分之上的UNT 年长ersteh主电极层(3,13),和半导体芯片(2,12)形成的第二主电极层(9,19)的在第二侧(2b)的。
    • 8. 发明申请
    • GLÜHSTIFTKERZE
    • 电热塞
    • WO2007000369A1
    • 2007-01-04
    • PCT/EP2006/062146
    • 2006-05-09
    • ROBERT BOSCH GMBHERNST, Stephan
    • ERNST, Stephan
    • F23Q7/00H05B3/14
    • F23Q7/001H05B3/14
    • Eine Glühstiftkerze (1) dient zum Einbringen in eine Kammer einer luftverdichtenden, selbstzündenden Brennkraftmaschine. Dabei weist die Glühstiftkerze (1) ein durch ein Gehäuse (4) geführtes Anschlusselement (15) und einen mit dem Gehäuse (4) verbundenen Heizkörper (2) auf. Der Heizkörper (2) ist dabei einerseits mit dem Anschlusselement (15) und andererseits mit dem Gehäuse (4) elektrisch verbunden. Ferner ist ein innerhalb des Gehäuses (4) angeordneter Schaltungsträger (25) vorgesehen, der einerseits mit dem Anschlusselement (15) und andererseits mit dem Gehäuse (4) elektrisch verbunden ist. Auf dem Schaltungsträger (25) können Bauelemente angeordnet werden, die innerhalb des Gehäuses (4) gegenüber der Umgebung geschützt sind.
    • 电热塞(1)是用于插入到空气压缩,自燃式内燃机的一个腔室中。 在这种运行(15)(2),所述电热塞(1)由一个壳体(4)的连接元件和连接到所述外壳(4)上的散热器。 散热器(2)是在一方面与连接元件(15)和,另一方面对于所述壳体(4)电连接。 此外,提供在所述壳体(4)的内部布置的电路载体(25),其在一方面与连接元件(15)电连接,并且在另一方面对于所述壳体(4)。 在电路载体(25)的部件可以被布置,其中(4)从环境在壳体内的保护。