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1. 发明申请

WO2003046988A2 ELEKTRONISCHE ANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：电子装置
公开(公告)号：WO2003046988A2
公开(公告)日：2003-06-05
申请号：PCT/DE2002/003883
申请日：2002-10-15
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , TOPP, Rainer , BALSZUNAT, Dirk , RUF, Christoph , FISCHER, Andreas
发明人： TOPP, Rainer , BALSZUNAT, Dirk , RUF, Christoph , FISCHER, Andreas
IPC分类号： H01L25/07
CPC分类号： H01L23/49572 , H01L25/072 , H01L2224/16 , H01L2224/32245 , H01L2224/73253 , H01L2924/01004 , H01L2924/0102 , H01L2924/01068 , H05K3/4092
摘要： Es wird eine elektronische Anordnung in Sandwich-Bauweise mit zwei Trägern (10, 11) vorgeschlagen, wobei jeder Träger eine Leiterbahnschicht (8, 13, 14) aufweist, wobei die obere Leiterbahnschicht (13, 14) in verschiedenen Ebenen verläuft.
摘要翻译：提出了一种具有两个载体（10,11）的夹层型电子器件，每个载体具有导体层（8,13,14），上导体层（ 13，14）在不同的水平。

2. 发明申请

WO1994010753A1 MONOLITHIC INTEGRATED MOS HIGH-LEVEL STAGE COMPONENT WITH AN OVERLOAD PROTECTION ARRANGEMENT 审中-公开
标题翻译：有过载保护装置单片集成MOS级功能
公开(公告)号：WO1994010753A1
公开(公告)日：1994-05-11
申请号：PCT/DE1993000949
申请日：1993-10-07
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , TOPP, Rainer , UEBELE, Manfred
发明人： ROBERT BOSCH GMBH
IPC分类号： H03K17/08
CPC分类号： H03K17/145 , H03K17/0822
摘要： A monolithic integrated MOS high-level stage component, in particular a DMOS high-level stage, has a high-level stage element (10) provided with a GATE, a SOURCE and a DRAIN connection, as well as an overload protection arrangement. An integrated GATE pre-resistance (11) connects an outer GATE connection (Ga) of the high-level stage component to the GATE-connection (Gi) of the high-level stage element (10). The overload protection arrangement is integrated in the high-level stage component and has a level adapter stage (30) which causes the transmission characteristic curve of the high-level stage element (10) to be displaced by a defined voltage offset value when the GATE pre-resistance (11) is crossed by a defined current. A limiting stage (34) limits the cumulative value of the DRAIN-SOURCE voltage and of a voltage proportional to the DRAIN current to a predetermined value. An overload protection arrangement in a monolithic integrated form having an improved protective function may thus be achieved at a reduced cost, as the physical limitations of the semiconductor can be better used.

3. 发明申请

WO1996023970A1 STARTING DEVICE FOR AN INTERNAL COMBUSTION ENGINE 审中-公开
标题翻译：起动机起动内燃机的发动机
公开(公告)号：WO1996023970A1
公开(公告)日：1996-08-08
申请号：PCT/DE1996000030
申请日：1996-01-09
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , BOEGNER, Karlheinz , RENNER, Stefan , MAYER, Martin , KRAMER, Claus , TOPP, Rainer , KOELSCH, Volker , STOECKLEIN, Henning , NEUMEISTER, Jochen , KURFISS, Frank
发明人： ROBERT BOSCH GMBH
IPC分类号： F02N11/08
CPC分类号： F02N11/087 , F02D2400/08 , F02N11/10 , F02N2011/0874 , F02N2200/06
摘要： The invention relates to a device for starting an internal combustion engine, especially of a motor vehicle, with a starter motor which can be connected via a starter relay to a voltage source and engaged with the engine to start it, and an electronic device for triggering the starter relay. The electronic device (30) takes the form of an electronic relay (32) fitted on or in the starting device (10) which can be triggered via a logic signal input (48) of an electronic engine control device (50) in the motor vehicle.
摘要翻译：本发明涉及一种起动装置起动内燃发动机，特别是机动车辆，其可与一个通过与一个电压源和用于起动接合起动电动机的内燃机，以及用于驱动所述起动器继电器的电子装置的起动继电器连接。可以预想到，所述电子装置（30）形成布置在上或在启动装置（10）电子继电器（32），其通过从所述机动车辆的发动机电子控制单元（50）的逻辑信号输入端（48）是可控制的，

4. 发明申请

WO1991003101A1 DARLINGTON TRANSISTOR CIRCUIT 审中-公开
标题翻译：达林顿晶体管电路
公开(公告)号：WO1991003101A1
公开(公告)日：1991-03-07
申请号：PCT/DE1990000575
申请日：1990-07-27
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , TOPP, Rainer
发明人： ROBERT BOSCH GMBH
IPC分类号： H03F01/52
CPC分类号： H03F3/3435 , H03F1/52
摘要： A Darlington transistor circuit comprises a power transistor T1 and a driver transistor T2 in a chip produced by planar technology. A metallized electrode coating (18) is provided on the space charge region formed in the region of the pn junction on the top surface of the chip between the base and the collector. A voltage distributor has a connection to the metallized electrode coating (18). The transistor turnover voltage UCE can be adjusted by means of the electric potential of the metallized electrode coating (18). This potential is governed by the setting of the voltage distributor. According to the invention, this adjustment potential, and hence the turnover voltage UCE, is controlled by an additional reference voltage. The turnover voltage is thereby stabilized and in particular essentially unaffected by temperature, long-term drift and assembly.

5. 发明申请

WO2003096415A1 HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：半导体部件
公开(公告)号：WO2003096415A1
公开(公告)日：2003-11-20
申请号：PCT/DE2003/000376
申请日：2003-02-10
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , HAUENSTEIN, Henning , TOPP, Rainer , SEIBOLD, Jochen , BALSZUNAT, Dirk , ERNST, Stephan , FEILER, Wolfgang , KOESTER, Thomas , HORNUNG, Stefan , STREB, Dieter
发明人： HAUENSTEIN, Henning , TOPP, Rainer , SEIBOLD, Jochen , BALSZUNAT, Dirk , ERNST, Stephan , FEILER, Wolfgang , KOESTER, Thomas , HORNUNG, Stefan , STREB, Dieter
IPC分类号： H01L23/373
CPC分类号： H01L23/488 , H01L23/3735 , H01L23/482 , H01L25/072 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung betrifft ein einfach, schnell und dennoch sicher herstellbares Halbleiterbauelement, das insbesondere für Leistungsanwendungen verwendbar ist und aufweist einen Halbleiter-Chip (2, 12), eine auf einer ersten Seite (2a) des Halbleiter-Chips (2, 12) ausgebildete untere erste auptelektrodenschicht (3, 13), eine auf der ersten Seite (2a) ausgebildete untere Steuerelektrodenschicht (4, 14), eine auf der ersten Seite (2a) zwischen der unteren ersten Hauptelektrodenschicht (3, 13) und der unteren Steuerelektrodenschicht (4, 14) ausgebildete Isolationsschicht (5, 15), die die untere erste Hauptelektrodenschicht-(3, 13) teilweise bedeckt, eine obere erste Hauptelektrodenschicht (6, 16), die auf der unteren ersten Hauptelektrodenschicht (3, 13) ausgebildet ist, eine obere Steuerelektrodenschicht (7, 17), die auf der unteren Steuerelektrodenschicht (4, 14) und der Isolationsschicht (5, 15) ausgebildet ist und sich auf der Isolationsschicht (5, 15) teilweise oberhalb der unteren ersteh Hauptelektrodenschicht (3, 13) erstreckt, und eine auf einer zweiten Seite (2b) des Halbleiter-Chips (2, 12) ausgebildete zweite Hauptelektrodenschicht (9, 19).
摘要翻译：本发明涉及一种简单，快速且还确保可生产半导体装置，其是用于功率应用中特别有用，并已形成在半导体芯片（2，12），在半导体芯片的第一侧面（2a）的（2，12）下第一auptelektrodenschicht（3，13），一个在所述第一侧（2a）的形状的下部控制电极层（4,14），一个位于下侧的第一主电极层（3，13）和下控制电极层之间的第一侧（2a）的（4，形成绝缘层（5,15）上14），所述下部第一Hauptelektrodenschicht-（3，13）部分地覆盖上部第一主电极层（6,16）（下侧的第一主电极层3，13）上形成，上下部控制电极层（4,14）和所述绝缘层（5，15）上的控制电极层（7，17）和延伸的所述绝缘层（5，15）上部分之上的UNT 年长ersteh主电极层（3，13），和半导体芯片（2,12）形成的第二主电极层（9,19）的在第二侧（2b）的。

6. 发明申请

WO1994011947A1 CIRCUIT FOR PROTECTING A MOSFET POWER TRANSISTOR 审中-公开
标题翻译：电路用于保护MOSFET功率管
公开(公告)号：WO1994011947A1
公开(公告)日：1994-05-26
申请号：PCT/DE1993001029
申请日：1993-10-28
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , TOPP, Rainer , SCHMID, Roland , OERTEL, Dagmar
发明人： ROBERT BOSCH GMBH
IPC分类号： H03K17/08
CPC分类号： H03K17/04123 , H01L2924/0002 , H03K17/0822 , Y10S323/908 , H01L2924/00
摘要： The invention relates to a circuit for protecting a MOSFET power transistor (T1) with a variable input impedance in the control circuit, in which the voltage slope is increased and thus the switching time is reduced. To this end, the bulk electrode of a second MOSFET auxiliary transistor (T3) is connected to the source electrode of the MOSFET power transistor (T1), the source electrode of the MOSFET auxiliary transistor (T3) is connected to the gate electrode of a third MOSFET auxiliary transistor (T4) and to the polysilicon gate of the MOSFET power transistor, the drain electrode of the second MOSFET auxiliary transistor (T3) is connected to the input terminal (G) of the MOSFET power transistor (T1) and the gate electrode of the second MOSFET auxiliary transistor is connected on the one hand to the drain electrode of the MOSFET auxiliary transistor (T3) and on the other to the source electrode of the MOSFET auxiliary transistor (T4), the drain electrode of the third MOSFET auxiliary transistor (T4) is connected to the polysilicon gate of the MOSFET power transistor (T1) and the bulk electrode of the MOSFET auxiliary transistor (T4) is connected to the source electrode of the MOSFET power transistor (T1).

7. 发明申请

WO03046988A3 ELECTRONIC ASSEMBLY 审中-公开
标题翻译：电子设备
公开(公告)号：WO03046988A3
公开(公告)日：2003-08-21
申请号：PCT/DE0203883
申请日：2002-10-15
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , TOPP RAINER , BALSZUNAT DIRK , RUF CHRISTOPH , FISCHER ANDREAS
发明人： TOPP RAINER , BALSZUNAT DIRK , RUF CHRISTOPH , FISCHER ANDREAS
IPC分类号： H01L23/495 , H01L25/07 , H01L25/18 , H05K3/40 , H01L23/13 , H01L23/498 , H01L25/065 , H01L25/16
CPC分类号： H01L23/49572 , H01L25/072 , H01L2224/16 , H01L2224/32245 , H01L2224/73253 , H01L2924/01004 , H01L2924/0102 , H01L2924/01068 , H05K3/4092
摘要： The invention relates to a sandwich-type electronic assembly which comprises two supports (10, 11) every support having one strip conductor layer (8, 13, 14), the top strip conductor layer (13, 14) extending in different planes.
摘要翻译：在夹层结构的两个支撑件（10，11）的电子组件被提出，其中，每个载波具有的布线层（8，13，14），其特征在于，在不同的平面延伸的上布线层（13，14）。

8. 发明申请

WO2003034590A1 HALBLEITER-SCHALTUNGSANORDNUNG, INSBESONDERE FÜR ZÜNDUNGSVERWENDUNGEN, UND VERWENDUNG 审中-公开
标题翻译：半导体电路，尤其是点火用途和使用
公开(公告)号：WO2003034590A1
公开(公告)日：2003-04-24
申请号：PCT/DE2002/003700
申请日：2002-09-30
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , TOPP, Rainer , MEINDERS, Horst , FEILER, Wolfgang
发明人： TOPP, Rainer , MEINDERS, Horst , FEILER, Wolfgang
IPC分类号： H03K17/082
CPC分类号： H01L29/402 , F02D2041/2065 , F02D2041/2075 , F02P3/051 , H01L29/7395 , H01L2924/0002 , H03K17/0828 , H03K2017/0806 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung schafft eine Halbleiter-Schaltungsanordnung, insbesondere für Zündungsverwendungen, mit einer Halbleiter-Leistungsschaltereinrichtung (100), welche einen ersten Hauptanschluss (102), einen zweiten Hauptanschluss (101) und einen Steueranschluss (103) aufweist; einer Klammerdiodeneinrichtung (205a, 205b), welche zwischen den ersten Hauptanschluss (102) und den Steueranschluss (103) geschaltet ist, zum Klammern einer am ersten Hauptanschluss (102) anliegenden externen Spannung (V A ); wobei die Klammerdiodeneinrichtung (205a, 205b) einen ersten Teil (205a) mit einer ersten Klammerspannung und einen zweiten Teil (205b) mit einer zweiten Klammerspannung aufweist, wobei der zweite Teil (205b) in Serie zum ersten Teil (205a) geschaltet ist; einer steuerbaren Halbleiter-Schaltereinrichtung (402), welche parallel zum ersten Teil (205a) geschaltet ist, zum steuerbaren Überbrücken des ersten Teils (205a), so dass entweder die Summenspannung der ersten und zweiten Klammerspannung oder die zweite Klammerspannung zum Klammern der am ersten Hauptanschluss (102) anliegenden externen Spannung (V A ) vorgesehen ist; und einer Steuerschaltung (403) zum Steuern der steuerbaren Halbleiter-Schaltereinrichtung (402) in Abhängigkeit von einem vorbestimmten Betriebszustand der Halbleiter-Leistungsschaltereinrichtung (100).
摘要翻译：本发明提供一种半导体电路装置，特别是用于点火使用的半导体功率开关器件100，其包括第一主端子102，第二主终端101和钳位二极管的控制端103是指205A，205B连接在第一主终端102和控制终端103之间被连接，用于夹紧施加到第一主终端102外部电压VA的电压，其中，所述钳位二极管装置205A，具有205B的第一部分205a，其具有第一钳位电压，和具有第二钳位电压，其中，在系列中的第二部分205B与第一部分205a的第二部分205b中被连接到一个可控半导体开关装置402，其并联连接到所述第一部分205a，用于可控地绕过所述第一部分205a，从而使所述第一和第二钳位电压的总和的电压或所述第二钳位电压至响应于所述半导体功率的预定运行状态设置中号施加到所述第一主端子102的外部电压VA和用于控制可控半导体开关的控制电路403中的括号装置402开关装置100次

9. 发明申请

WO02084840A2 DIODE ARRANGEMENT COMPRISING ZENER DIODES AND A GENERATOR 审中-公开
标题翻译：二极管，齐纳二极管和发电机装置
公开(公告)号：WO02084840A2
公开(公告)日：2002-10-24
申请号：PCT/DE0201387
申请日：2002-04-13
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , SPITZ RICHARD , TOPP RAINER , GOERLACH ALFRED , HAUSMANN HOLGER
发明人： SPITZ RICHARD , TOPP RAINER , GOERLACH ALFRED , HAUSMANN HOLGER
IPC分类号： H02M7/06 , H02J7/00
CPC分类号： H02M7/062
摘要： The invention relates to a diode arrangement (10) and a generator (20), using zener diodes (2-7). Said diode arrangement (10) comprises alternating voltage terminal connectors (U, V, W) and direct voltage terminal connectors (B+, B-). Said zener diodes (2-7) are used in the direction of transmission in order to rectify an alternating voltage applied to the alternating voltage terminals (U, V, W), a lower limit (8) being provided for the zener voltage of the zener diodes (2-7). Said lower limit (8) of the zener voltage is lower than a lower pre-defined direct voltage (11).
摘要翻译：它提出了一种二极管装置（10）和发电机（20），所述齐纳二极管（2-7）中使用，并且其中所述二极管装置（10）的交流电压连接（U，V，W）和直流端子（B +，B-），其中齐纳二极管（2-7），用于在交流电压的连接（U，V，W）整流施加的交流电压可以在向前的方向进行操作，对于齐纳二极管的齐纳电压（2-7）提供的下限（8），其中，所述下限（8）的齐纳电压小于下规定的直流电压（11）设置的。

10. 发明申请

WO2002084806A1 ELEKTRISCHER STECKVERBINDER 审中-公开
标题翻译：电连接器
公开(公告)号：WO2002084806A1
公开(公告)日：2002-10-24
申请号：PCT/DE2002/001135
申请日：2002-03-28
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , TOPP, Rainer , HENKEL, Achim , MILICH, Reinhard
发明人： TOPP, Rainer , HENKEL, Achim , MILICH, Reinhard
IPC分类号： H01R9/24
CPC分类号： H01R29/00 , H01R9/2458
摘要： Es wird ein Stecker, insbesondere für ein Steuergerät (100), vorgeschlagen, der einen Steckereingang mit mindestens zwei Eingangsanschlüssen (1, 2, 3), einen Steckerausgang mit mindestens zwei Ausgangsanschlüssen (4, 5, 6) und mindestens ein Verbindungsteil (10, 20), über das die jeweils zusammengehörigen Anschlüsse (1, 2, 3, 4, 5, 6) - Eingangsanschluss und Ausgangsanschluss - miteinander verbunden sind, umfasst. Um ausschliesslich einfache Verbindungsteile einsetzen zu können, die ausserdem auch für die Realisierung mehrerer Steckervarianten verwendet werden können, sind der Steckereingang und der Steckerausgang entkoppelt, indem mindestens ein erstes Verbindungsteil (10) vorgesehen ist, das ausschliesslich Eingangsanschlüsse (1, 2, 3) umfasst, und mindestens ein zweites Verbindungsteil (20), das ausschliesslich Ausgangsanschlüsse (4, 5, 6) umfasst. Die beiden Verbindungsteile (10, 20) sind so übereinander angeordnet, dass sich die jeweils zusammengehörigen Anschlüsse an mindestens einem Kreuzungspunkt überlagern. Durch Kontaktierung (7) am Kreuzungspunkt sind die jeweils zusammengehörigen Anschlüsse miteinander verbunden.
摘要翻译：它是一个插头，特别是用于控制设备（100），提出了一种具有至少两个输入端的一个连接器端口（1，2，3），其具有至少两个输出端的连接器输出（4，5，6）和至少一个连接部（10， 20），通过该相应的配合连接器（1，2，3，4，5，6） - 输入端子和输出端子 - 连接到每一个都包括。为了使用仅简单连接部分，其可同样用于实现几个的连接器类型的，连接器端口和插头输出由被提供的至少一个第一连接部分（10），其仅包括输入端子去耦合（1，2，3）和至少一个第二连接部分（20）包括专门输出端子（4，5，6）。两个连接部件（10，20）是如此叠置使得每个配合端子叠置的至少一个连接点。通过在每个配合连接器的的相交处接触（7）相互连接。

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