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    • 5. 发明申请
      WO2014166706A1 VERFAHREN ZUM MASKIEREN EINER SILIZIUMOXID HALTIGEN OBERFLÄCHE 审中-公开
    • VERFAHREN ZUM MASKIEREN EINER SILIZIUMOXID HALTIGEN OBERFLÄCHE
    • 方法MASK含有硅表面
    • WO2014166706A1
    • 2014-10-16
    • PCT/EP2014/055361
    • 2014-03-18
    • ROBERT BOSCH GMBH
    • LAERMER, Franz
    • H01L21/033 , H01L21/308 , H01L21/3213
    • H01L21/0337 , H01L21/02164 , H01L21/0332 , H01L21/3081 , H01L21/31111 , H01L21/32139
    • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Maskieren einer Oberfläche, insbesondere einer Oberfläche aufweisend Siliziumoxid, Aluminium oder Silizium, aufweisend die Verfahrensschritte: a) Bereitstellen eines Substrats mit einer zu maskierenden Oberfläche, insbesondere mit einer Oberfläche aufweisend Siliziumoxid, Aluminium oder Silizium; und b) Erzeugen eines definierten Maskierungsmusters unter örtlich selektivem Ausbilden von kolloidalem Siliziumoxid auf der Oberfläche Das vorbeschriebene Verfahren erlaubt es, auf einfache und kostengünstige Weise eine gegenüber einer Vielzahl von Ätzmedien, wie insbesondere gegenüber Flusssäure, äußerst stabile Maskierung zu schaffen, um so höchst genaue und definierte Strukturen etwa durch einen Ätzvorgang zu schaffen. Die vorliegende Erfindung betrifft ferner ein elektronisches Bauteil sowie das Verwenden von kolloidalem Siliziumoxid zum örtlich selektiven Maskieren einer zu behandelnden Oberfläche.
    • 本发明涉及一种方法，用于掩蔽的表面，特别是表面，其包括氧化硅，铝或硅，包括如下步骤：a）提供具有表面的基片进行掩蔽，特别是具有包含氧化硅，铝或硅的表面上; 和b）产生由上述方法表面上局部地选择性形成胶体二氧化硅的限定掩模图案允许氢氟酸，极其稳定的掩蔽提供一种简单和廉价的方式，相对于多个蚀刻媒体，特别是，使高度精确的 创建和定义的结构，如通过蚀刻工艺。 本发明还涉及一种电子部件，以及掩蔽待处理的表面的使用胶态二氧化硅的用于局部选择。
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    • 6. 发明申请
      WO2010139498A1 BAUELEMENT MIT EINER MIKROMECHANISCHEN MIKROFONSTRUKTUR UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
    • BAUELEMENT MIT EINER MIKROMECHANISCHEN MIKROFONSTRUKTUR UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
    • 用微机械麦克风结构和方法为组件
    • WO2010139498A1
    • 2010-12-09
    • PCT/EP2010/054583
    • 2010-04-07
    • ROBERT BOSCH GMBH , REICHENBACH, Frank , BUCK, Thomas , ZOELLIN, Jochen , LAERMER, Franz , SCHOLZ, Ulrike , TEEFFELEN, Kathrin , LEINENBACH, Christina
    • REICHENBACH, Frank , BUCK, Thomas , ZOELLIN, Jochen , LAERMER, Franz , SCHOLZ, Ulrike , TEEFFELEN, Kathrin , LEINENBACH, Christina
    • H04R19/00 , B81C1/00
    • H04R19/005 , Y10T428/31663
    • Es werden ein Bauelement mit einer stabilen aber akustisch empfindlichen Mikrofonstruktur vorgeschlagen sowie und ein einfaches und kostengünstiges Verfahren zu dessen Herstellung. Dieses Mikrofonbauelement umfasst eine akustisch aktive Membran (11), die als auslenkbare Elektrode eines Mikrofonkondensators fungiert, ein feststehendes akustisch durchlässiges Gegenelement (12), das als Gegenelektrode des Mikrofonkondensators fungiert, und Mittel zum Erfassen und Auswerten der Kapazitätsänderungen des Mikrofonkondensators. Die Membran (11) ist in einer Membranschicht (3) über dem Halbleitersubstrat (1) des Bauelements realisiert und überspannt eine Schallöffnung (13) in der Substratrückseite. Das Gegenelement (12) ist in einer weiteren Schicht (5) über der Membran (11) ausgebildet. Erfindungsgemäß erstreckt sich diese weitere Schicht (5) im wesentlichen über die gesamte Bauelementfläche und gleicht Niveauunterschiede aus, so dass die gesamte Bauelementoberfläche entsprechend dieser weiteren Schicht (5) weitgehend eben ist. Dadurch kann eine Folie auf den Schichtaufbau der im Waferverbund freigelegten Mikrofonstrukturen aufgebracht werden, die die Vereinzelung der erfindungsgemäßen Bauelemente in einem Standard-Sägeprozess ermöglicht.
    • 它提出了一个稳定的，但声音敏感的麦克风的结构以及和用于生产其的简单且成本有效的方法的部件。 该话筒装置包括声学活性膜（11），其充当麦克风电容器的偏转电极，固定声透射反元件（12），其充当麦克风电容器的对电极的装置，以及用于检测和评估在麦克风电容器的电容的变化。 所述膜（11）在部件（1）在半导体衬底上的膜层（3）被实现，并跨越在基板后侧的声音开口（13）。 所述计数元件（12）形成在在所述膜（11）进一步的层（5）。 根据本发明，该另外的层（5）基本上在整个器件表面延伸，并且补偿在水平的差异，从而使整个装置的表面是根据该进一步的层（5）是基本平坦的。 从而可应用于在晶片复合麦克风结构露出的层结构，膜，其允许根据本发明在一个标准的锯切过程中各组分的分离。
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    • 9. 发明申请
      WO2009059868A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON MIKROMECHANISCHEN STRUKTUREN MIT RELIEFARTIGEM SEITENWANDVERLAUF ODER EINSTELLBAREM NEIGUNGSWINKEL 审中-公开
    • VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON MIKROMECHANISCHEN STRUKTUREN MIT RELIEFARTIGEM SEITENWANDVERLAUF ODER EINSTELLBAREM NEIGUNGSWINKEL
    • 用释放侧壁程序或可调倾斜角生产微机械结构的方法
    • WO2009059868A2
    • 2009-05-14
    • PCT/EP2008/063703
    • 2008-10-13
    • ROBERT BOSCH GMBH , LAERMER, Franz , FUCHS, Tino , LEINENBACH, Christina
    • LAERMER, Franz , FUCHS, Tino , LEINENBACH, Christina
    • B81C1/00
    • B81C1/00103 , B81B2203/0384 , B81C2201/0136
    • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von mikromechanischen Strukturen mit reliefartigem Seitenwandverlauf oder einstellbarem Neigungswinkel, wobei man die mikromechanischen Strukturen aus einer auf einem Silizium-Halbleitersubstrat (1, 10) vorhandenen oder abgeschiedenen SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) durch trockenchemisches Ätzen der SiGe-Mischhalbleiterschicht (3 a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) herausätzt, wobei man den Seitenwandverlauf der mikromechanischen Struktur durch Variieren des Germaniumanteils in der zu ätzenden SiGe-Mischhalbleiterschicht (3 a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) ausbildet, wobei in stärker zu ätzenden Bereichen ein höherer Germaniumanteil vorliegt, wobei man die Variation des Germaniumanteils in der SiGe- Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) durch ein Verfahren ausgewählt aus der Gruppe umfassend Abscheiden einer SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) mit variierendem Germaniumgehalt, Einbringen von Germanium in eine Silizium- Halbleiterschicht oder SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50), Einbringen von Silizium in eine Germaniumschicht oder SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) und/oder durch thermische Oxidation einer SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) einstellt.

    • 本发明涉及一种用于制造具有浮雕状侧壁轮廓或倾斜的角度可调，得到微机械结构由硅半导体基板（1，10）的微机械结构的现有或沉积SiGe混合半导体层（3A ，3B，30，30A，30B，50）通过干化学BEAR tzen SiGe混合半导体层（3A，3B，30，30A，30B，50）出来BEAR TZT通过改变锗比例，得到微机械结构的侧壁轮廓 的约AUML; tzenden SiGe混合半导体层（3A，3B，30，30A，30B，50）的形式，其中，ST＆AUML; rker承受tzenden一个H＆ouml的领域;本herer锗含量，这是在硅锗中的锗比例的变化 - 混合半导体层（3A，3B，30，30A，30B，50），通过这样的方法＆AUML选择;由包含SiGe混合半导体层（3A，3B，30，30A，30B，50），其具有变种的沉积组HLT iierendem锗含量，引入锗到硅半导体层或SiGe混合半导体层（3A，3B，30，30A，30B，50），硅的掺入锗层或SiGe混合半导体层（3A，3B，30，30A，30B， 50）和/或通过热氧化SiGe混合半导体层（3a，3b，30,30a，30b，50）

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