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1. 发明申请

WO2015124432A1 SENSOREINHEIT MIT ENTKOPPLUNGSSTRUKTUR UND DESSEN HERSTELLUNGSVERFAHREN 审中-公开
标题翻译：去耦结构传感器单元及其制造方法
公开(公告)号：WO2015124432A1
公开(公告)日：2015-08-27
申请号：PCT/EP2015/052370
申请日：2015-02-05
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： CLASSEN, Johannes , KRAMER, Torsten , MEISEL, Daniel Christoph , BENZEL, Hubert , FREY, Jens , SCHELLING, Christoph
IPC分类号： B81B7/00 , B81C3/00
CPC分类号： B81B7/0048 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2207/017 , B81C3/001 , B81C2201/0132 , B81C2201/019 , H01L2224/16225 , H01L2924/15311
摘要： Es wird eine Sensoreinheit mit einem ersten Halbleiterbauelement und einem zweiten Halbleiterbauelement vorgeschlagen, wobei das erste Halbleiterbauelement ein erstes Substrat und eine Sensorstruktur aufweist, wobei das zweite Halbleiterbauelement ein zweites Substrat aufweist, wobei das erste und zweite Halbleiterbauelement über eine Waferverbindung miteinander verbunden sind, wobei die Sensoreinheit eine Entkopplungsstruktur aufweist, die derart konfiguriert ist, dass die Sensorstruktur thermisch und/oder mechanisch von dem zweiten Halbleiterbauelement entkoppelt ist.
摘要翻译：存在具有第一半导体器件和第二半导体器件提出，其中所述具有第一基板和传感器结构，其中所述第二半导体器件包括第二衬底上的第一半导体器件，第一和第二半导体器件通过晶片键合而彼此连接的传感器单元，其中，所述传感器单元包括被配置为使得所述传感器结构是从所述第二半导体器件的热和/或机械分离的去耦结构。

2. 发明申请

WO2009059857A2 MIKROMECHANISCHES BAUELEMENT MIT EINEM MEMBRANGITTER 审中-公开
标题翻译：与膜GRID微机械部件
公开(公告)号：WO2009059857A2
公开(公告)日：2009-05-14
申请号：PCT/EP2008/063306
申请日：2008-10-06
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , KRAMER, Torsten , BENZEL, Hubert , ILLING, Matthias , ARMBRUSTER, Simon , BRASAS, Joerg
发明人： KRAMER, Torsten , BENZEL, Hubert , ILLING, Matthias , ARMBRUSTER, Simon , BRASAS, Joerg
IPC分类号： B81B3/00
CPC分类号： B81B3/007 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81C1/00476
摘要： Die vorliegende Erfindung beschreibt ein mikromechanisches Bauelement mit einem Substrat, einem Stabilisierungselement mit Öffnungen und einer zwischen dem Stabilisierungselement und dem Substrat befindlichen Kaverne. Erfindungsgemäß lässt sich aus der Verteilung der Öffnungen in dem Stabilisierungselement auf eine Mindesttiefe der Kaverne schließen. Im wesentlichen ist vorgesehen, den Abstand der Öffnungen zueinander bei der Ermittlung der notwendigen Kavernentiefe zu berücksichtigen. Dies wird vorteilhafterweise durch eine Ermittlung der Abstände der Flächenmittelpunkte der einzelnen Öffnungen zueinander erreicht.
摘要翻译：本发明描述了一种具有基板，有开口的稳定元件和位于所述稳定元件和所述衬底之间的空腔中的微机械部件。根据本发明，它可以在从开口在稳定元件的分布的洞穴的最小深度结束。从本质上说，提供了一种确定必要的洞穴深度时要考虑到开口的距离彼此连接。这有利地通过确定所述各个开口彼此的质心的距离来实现的。

3. 发明申请

WO2021144236A1 HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR ZUMINDEST EIN MIKROMECHANISCHES BAUTEIL UND MIKROMECHANISCHES BAUTEIL FÜR EINE SENSOR- ODER MIKROFONVORRICHTUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2021144236A1
公开(公告)日：2021-07-22
申请号：PCT/EP2021/050426
申请日：2021-01-12
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： ARTMANN, Hans , KRAMER, Torsten , SCHILLER, Uwe , SCHEURLE, Andreas , SENZ, Volkmar , FRIEDRICH, Thomas , SCHMOLLNGRUBER, Peter , WEBER, Heribert
IPC分类号： B81B7/00 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/04 , B81B2207/012 , B81B7/0006 , B81C2201/0132 , B81C2201/0133 , B81C2201/014
摘要： Die Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für zumindest ein mikromechanisches Bauteil (75) für eine Sensor- oder Mikrofonvorrichtung mit zumindest den Schritten: Bilden jeweils einer Membran (10) des zumindest einen späteren mikromechanischen Bauteils (75) mit einer Membraninnenseite (10a) und einer Membranaußenseite (10b), wobei an der Membraninnenseite (10a) eine Elektrodenstruktur (28) angebunden wird, Bilden jeweils einer Kaverne (58) des zumindest einen späteren mikromechanischen Bauteils (75) derart, dass die Membraninnenseite (10a) der Membran (10) an die Kaverne (58) angrenzt, und Bilden jeweils mindestens einer Leiterbahn (70) und/oder mindestens eines elektrischen Kontakts (72) des zumindest einen späteren mikromechanischen Bauteils (75), wobei die mindestens eine Leiterbahn (70) und/oder der mindestens eine elektrische Kontakt (72) an einer ersten Außenseite (75a) des zumindest einen mikromechanischen Bauteils (75) ausgebildet werden, während die zumindest eine Membranaußenseite (10b) des zumindest einen mikromechanischen Bauteils (75) zu einer von der ersten Außenseite (75a) weg gerichteten zweiten Außenseite (75b) des zumindest einen mikromechanischen Bauteils (75) ausgerichtet wird.

4. 发明申请

WO2017042179A1 HALBLEITER-BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：半导体部件
公开(公告)号：WO2017042179A1
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：PCT/EP2016/071010
申请日：2016-09-07
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： KRAMER, Torsten , WISNIEWSKI, Marc , DOERING, Christian
IPC分类号： G01K7/00 , G01N27/12
CPC分类号： G01K7/00 , G01N27/4067 , G01N27/4072 , H01M8/0438 , H01M8/04701
摘要： Die Erfindung betrifft ein Halbleiter-Bauelement (100), insbesondere ein Sensorelement (900) zur Erfassung mindestens einer Eigenschaft eines Messgases in einem Messgasraum. Das Halbleiter-Bauelement (100) umfasst dabei eine Membranstruktur (200), wobei die Membranstruktur (200) insbesondere aus einer Mehrzahl von wabenförmig ausgebildeten Untermembranen (220) gebildet ist. Das Halbleiter-Bauelement (100) umfasst weiterhin eine Stützstruktur (250) zur mechanischen Stabilisierung der Membranstruktur (200), wobei die Untermembranen (200), insbesondere an Randbereichen (230) ihrer Unterseiten (224), mit der Stützstruktur (250) verbunden sind. Um die Membranstruktur (200) einfacher elektrisch kontaktieren zu können oder die Membranstruktur (200) gleichmäßiger beheizen zu können oder um die Temperatur der Membranstruktur (200) präziser erfassen zu können ist dabei vorgesehen, dass wenigstens eine Leiterbahn (300, 302, 304) auf einer Stirnseite (252) der Stützstruktur (250) angeordnet ist.
摘要翻译：本发明涉及一种半导体装置（100），尤其是传感器元件（900）用于在测量气体室中检测的测量气体的至少一个特性。在这种情况下的半导体装置（100）包括一膜结构体（200），形成所述膜结构（200），尤其是多个蜂窝状子膜（220）构成。的半导体器件（100）还包括支撑结构（250）的膜结构（200）的机械稳定，子膜（200），特别是在它们的下侧（224）的边缘部分（230），与所述支撑结构（250）被连接，为了能够接触所述膜结构（200）容易地电或能够加热该膜结构（200）均匀地或膜结构的温度附近（200）检测到它提供了更具体的是至少一个导体轨道（300，302，304）上所述支撑结构（250）的端面（252）被布置。

5. 发明申请

WO2018162188A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER MEMS-EINRICHTUNG FÜR EINEN MIKROMECHANISCHEN DRUCKSENSOR 审中-公开
公开(公告)号：WO2018162188A1
公开(公告)日：2018-09-13
申请号：PCT/EP2018/053556
申请日：2018-02-13
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： KRAMER, Torsten , FRIEDRICH, Thomas , DANNENBERG, Arne , FRITZ, Joachim
IPC分类号： B81B7/00 , G01L19/14
摘要： Verfahren zum Herstellen einer MEMS-Einrichtung (100) für einen mikromechanischen Drucksensor (200), aufweisend die Schritte: - Bereitstellen eines MEMS-Wafers (10) mit einem Siliziumsubstrat (11) und einer darin ausgebildeten ersten Kavität (13) unter einer Sensormembran (12); - Aufbringen eines schichtförmigen Schutzelements (20) auf dem MEMS-Wafer (10); und - Freistellen eines Sensorkerns (12, 13, 13a) von der Rückseite her, wobei eine zweite Kavität (18) zwischen dem Sensorkern (12, 13, 13a) und der Oberfläche des Siliziumsubstrats (11) ausgebildet wird, wobei die zweite Kavität (18) mittels eines Ätzprozesses, der mit definiert geänderten Ätzparametern durchgeführt wird, ausgebildet wird; und - Entfernen des schichtförmigen Schutzelements (20).

6. 发明申请

WO2009149980A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER MIKROMECHANISCHEN MEMBRANSTRUKTUR MIT ZUGANG VON DER SUBSTRATRÜCKSEITE 审中-公开
标题翻译：一种用于生产微机械膜片结构，访问从基底BACK
公开(公告)号：WO2009149980A2
公开(公告)日：2009-12-17
申请号：PCT/EP2009/054698
申请日：2009-04-21
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , KRAMER, Torsten , AHLES, Marcus , GRUNDMANN, Armin , KNESE, Kathrin , BENZEL, Hubert , SCHUERMANN, Gregor , ARMBRUSTER, Simon
发明人： KRAMER, Torsten , AHLES, Marcus , GRUNDMANN, Armin , KNESE, Kathrin , BENZEL, Hubert , SCHUERMANN, Gregor , ARMBRUSTER, Simon
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00158 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81C2201/0115 , B81C2201/0136 , G01L9/0042
摘要： Mit der vorliegenden Erfindung wird ein besonders einfaches und kostengünstiges Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Membranstruktur mit Zugang von der Substratrückseite vorgeschlagen. Dieses Verfahren geht von einem p-dotierten Si-Substrat (1) ausgeht und umfasst die folgenden Prozessschritte: n-Dotierung mindestens eines zusammenhängenden gitterförmigen Bereichs (2) der Substratoberfläche, porös Ätzen eines Substratbereichs (5) unterhalb der n-dotierten Gitterstruktur (2), Erzeugen einer Kaverne (7) in diesem Substratbereich (5) unterhalb der n-dotierten Gitterstruktur (2); Aufwachsen einer ersten monokristallinen Silizium-Epitaxieschicht (8) auf der n-dotierten Gitterstruktur (2). Es ist dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine Öffnung (6) der n-dotierten Gitterstruktur (2) so dimensioniert wird, dass sie durch die aufwachsende erste Epitaxieschicht (8) nicht verschlossen wird sondern eine Zugangsöffnung (9) zu der Kaverne (7) bildet; dass auf der Kavernenwandung eine Oxidschicht (10) erzeugt wird; dass ein Rückseitenzugang (13) zur Kaverne (7) erzeugt wird, wobei die Oxidschicht (10) auf der Kavernenwandung als Ätzstoppschicht dient; und dass die Oxidschicht (10) im Bereich der Kaverne (7) entfernt wird, so dass ein Rückseitenzugang (13) zu der über der Kaverne (7) ausgebildeten Membranstruktur (14) entsteht.
摘要翻译：本发明提供了，提出了一种特别简单和廉价的用于产生具有从所述基材的背面访问的微机械的膜结构的方法。该方法从p掺杂的Si基板（1）开始延伸，并且包括以下工艺步骤：至少一个连续的网格区域的n型掺杂（2）基片表面的，多孔刻蚀衬底部分（5）的n型掺杂的晶格结构的下面（2 ），在制造空腔（7）的所述衬底区（5）的n型掺杂的晶格结构下方（2）; 在n型掺杂的晶格结构生长第一单晶硅外延层（8）（2）。它的特征在于，至少一个开口（6）设置在所述n型掺杂的晶格结构的尺寸（2），以便它不被生长第一外延层（8）封闭，但进入开口（9）到所述腔（7）的形式 ; 即在Kavernenwandung产生的氧化物层（10）; 所产生的后入口（13）到所述腔（7），其中，所述氧化物层（10）作为在Kavernenwandung蚀刻停止; 并且，氧化物层（10）在所述腔（7）的区域中去除，使得形成在膜结构的背面访问（13）到所述洞穴上述（7）（14）形成。

7. 发明申请

WO2008086907A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUTEILS UND SENSORELEMENT 审中-公开
标题翻译：方法用于制造部件和传感器元件
公开(公告)号：WO2008086907A1
公开(公告)日：2008-07-24
申请号：PCT/EP2007/062452
申请日：2007-11-16
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , KRAMER, Torsten , KNESE, Kathrin , BENZEL, Hubert , SCHUERMANN, Gregor , ARMBRUSTER, Simon , SCHELLING, Christoph
发明人： KRAMER, Torsten , KNESE, Kathrin , BENZEL, Hubert , SCHUERMANN, Gregor , ARMBRUSTER, Simon , SCHELLING, Christoph
IPC分类号： G01L9/00 , B81C1/00
CPC分类号： G01L9/0042 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81B2203/0353 , B81C1/00801 , B81C2201/014
摘要： Mit der vorliegenden Erfindung werden einfache Maßnahmen vorgeschlagen, die eine nachträgliche Rückseitenprozessierung von Bauteilen mit einer Membranstruktur in der Bauteiloberfläche ermöglichen, um Zugangsöffnungen zu der Kaverne unterhalb der Membran zu erzeugen. Nachdem eine erste Membranschicht (111) und eine Kaverne (12) unter der ersten Membranschicht (111) von der Bauteiloberfläche ausgehend in einem Substratmaterial erzeugt worden sind, soll erfindungsgemäß über der ersten Membranschicht (111) zumindest im Bereich der mindestens einen zu erzeugenden Zugangsöffnung (13) eine Ätzstoppschicht (3) aufgebracht werden. Diese Zugangsöffnung (13) soll dann in einem Ätzschritt erzeugt werden, der von der Bauteilrückseite ausgeht und durch die Ätzstoppschicht (3) über der ersten Membranschicht (111) begrenzt wird.
摘要翻译：本发明提出了简单的措施其能够在部件表面具有膜结构的组件的后续Rückseitenprozessierung以形成进入开口至膜下方的空腔。一个第一薄膜层（111）和所述第一薄膜层的空腔（12）后（111）已经从部件表面产生，在衬底材料开始，应根据本发明在所述第一薄膜层（111）（在至少一个的区域中至少要生成的访问开口 13）的蚀刻停止层（3）被应用。此访问开口（13）是在蚀刻步骤中，从所述后侧部件和通过在所述第一薄膜层（111）的蚀刻停止层（3）开始被限制为产生。

8. 发明申请

WO2017215918A1 MIKROMECHANISCHES BAUTEIL UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES MIKROMECHANISCHEN BAUTEILS 审中-公开
标题翻译：微机械组件和生产微机械组件的方法
公开(公告)号：WO2017215918A1
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：PCT/EP2017/063172
申请日：2017-05-31
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： KRAMER, Torsten , SCHELLING, Christoph
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00325
摘要： Die Erfindung betrifft ein mikromechanisches Bauteil mit einem Substrat (10) mit zumindest einer funktionalisierten Substratoberfläche (12), wobei eine Teilfläche (14) der funktionalisierten Substratoberfläche (12) zumindest teilweise von mindestens einem zumindest teilweise durch das Substrat (10) strukturierten Trenngraben (16) umrahmt ist, und mindestens einer aus mindestens einem Halbleitermaterial und/oder mindestens einem Metall gebildeten Leitung (18) und/oder Feder, welche den mindestens einen Trenngraben überspannt, wobei das mikromechanische Bauteil auch eine elektrisch isolierende und den mindestens einen Trenngraben zumindest teilweise abdeckende Gitterschicht (20) mit einer Vielzahl von durch die Gitterschicht (20) strukturierten Ätzmediumzugangslöchern (22), welche in dem mindestens einen Trenngraben (18) münden, aufweist, wobei die mindestens eine Leitung (18) und/oder Feder über dem mindestens einen Trenngraben direkt oder indirekt an einer Außenseite der Gitterschicht (20) ausgebildet ist. Ebenso betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Bauteils.
摘要翻译：
本发明涉及一种具有官能Substratoberfl BEAR表面（12）的具有至少一个官能化Substratoberfl BEAR表面（12）的基板（10），其中，子区域具表面（14）的微机械部件至少部分地由结构的至少一个至少部分地通过所述衬底（10）中分离的沟槽（16）被成帧，以及至少一个半导体材料的至少一个和/或至少一种金属形成的导管（18）和/或弹簧，其中所述至少一个分离沟槽导航用途berspannt，其中，微机械部件，电绝缘和至少一个隔离沟槽是具有多个通过格栅层（20）BEAR tzmediumzugangsl＆oUML的构造至少部分地覆盖栅层（20）;在所述至少一个隔离沟槽陈（22）（18）米导航用途，其中所述至少一条线（18）和/或弹簧在所述至少一个分离沟槽方向上或者间接地形成在格栅层（20）的外侧上。同样地，本发明涉及一种用于制造微机械部件的方法。

9. 发明申请

WO2009138138A3 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON CHIPS 审中-公开
公开(公告)号：WO2009138138A3
公开(公告)日：2009-11-19
申请号：PCT/EP2008/066593
申请日：2008-12-02
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , KRAMER, Torsten , BOEHRINGER, Matthias , PINTER, Stefan , BENZEL, Hubert , ILLING, Matthias , HAAG, Frieder , ARMBRUSTER, Simon
发明人： KRAMER, Torsten , BOEHRINGER, Matthias , PINTER, Stefan , BENZEL, Hubert , ILLING, Matthias , HAAG, Frieder , ARMBRUSTER, Simon
IPC分类号： B81C1/00
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung von Chips (1, 2) vorgeschlagen, bei dem zunächst in der Oberflächenschicht eines Halbleitersubstrats (10) mindestens eine Membran (11, 12) erzeugt wird, die eine Kaverne (13) überspannt. Anschließend wird die Funktionalität des Chips (1, 2) in die Membran (11, 12) integriert. Um den Chip (1, 2) zu vereinzeln, wird die Membran (11, 12) aus dem Substratverbund gelöst. Erfindungsgemäß soll die Chiprückseite vor dem Herauslösen des Chips (1, 2) aus dem Substratverbund in einem Galvanikprozess metallisiert werden.

10. 发明申请

WO2009033871A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER VIELZAHL VON CHIPS UND ENTSPRECHEND HERGESTELLTER CHIP 审中-公开
标题翻译：用于生产芯片中的品种，相应地做出CHIP
公开(公告)号：WO2009033871A1
公开(公告)日：2009-03-19
申请号：PCT/EP2008/059688
申请日：2008-07-24
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , KRAMER, Torsten , BOEHRINGER, Matthias , PINTER, Stefan , BENZEL, Hubert , ILLING, Matthias , HAAG, Frieder , ARMBRUSTER, Simon
发明人： KRAMER, Torsten , BOEHRINGER, Matthias , PINTER, Stefan , BENZEL, Hubert , ILLING, Matthias , HAAG, Frieder , ARMBRUSTER, Simon
IPC分类号： H01L21/78 , B81C1/00
CPC分类号： H01L21/78 , B81C1/00896 , B81C2201/053
摘要： Mit der vorliegenden Erfindung wird ein Herstellungsverfahren für Chips vorgeschlagen, bei dem möglichst viele Verfahrensschritte im Waferverbund, also parallel für eine Vielzahl von auf einem Wafer angeordneten Chips, durchgeführt werden. Es handelt sich dabei um ein Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl von Chips, deren Funktionalität ausgehend von der Oberflächenschicht (2) eines Substrats (1) realisiert wird. Bei diesem Verfahren wird die Oberflächenschicht (2) strukturiert und mindestens ein Hohlraum (3) unter der Oberflächenschicht (2) erzeugt, so dass die einzelnen Chipbereiche (5) lediglich über Aufhängestege untereinander und/oder mit dem übrigen Substrat (1) verbunden sind, und/oder so dass die einzelnen Chipbereiche (5) über Stützelemente (7) im Bereich des Hohlraums (3) mit der Substratschicht (4) unterhalb des Hohlraums (3) verbunden sind. Beim Vereinzeln der Chips werden die Aufhängestege und/oder Stützelemente (7) aufgetrennt. Erfindungsgemäß wird die strukturierte und unterhöhlte Oberflächenschicht (2) des Substrats (1) vor dem Vereinzeln der Chips in eine Kunststoffmasse (10) eingebettet.
摘要翻译：与本发明的芯片的制造方法，提出了其中在晶片装配尽可能多的工艺步骤，所以并行设置，用于在晶片上的多个芯片中执行。这是一种用于制造多个芯片，其功能，从（1）实现的衬底的表面层（2）开始的方法。在该方法中，产生在表面层（2）的结构和至少一个腔（3）的表面层下面（2）中，以使得单独的芯片区域（5）仅经由悬架腹板之间彼此和/或与基板（1）的其余部分相连接，和/或使得各个芯片区域（5）的支承元件（7）在空腔（3）与腔下方的基板层（4）的区域（3）。在芯片的分离，悬浮液纤维网和/或支撑元件（7）是分离的。根据本发明，该芯片在一个塑料的质量（10）在分离前的基板（1）的图案化和底切表面层（2）被嵌入。

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