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1. 发明申请

WO2022078771A1 HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EIN MIKROMECHANISCHES BAUTEIL FÜR EINE SENSOR- ODER MIKROFONVORRICHTUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2022078771A1
公开(公告)日：2022-04-21
申请号：PCT/EP2021/076983
申请日：2021-09-30
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： SCHILLER, Uwe , SCHMOLLNGRUBER, Peter , FRIEDRICH, Thomas , WEBER, Heribert , SCHEURLE, Andreas , ARTMANN, Hans
IPC分类号： B81C1/00
摘要： Die Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauteil für eine Sensor- oder Mikrofonvorrichtung mit den Schritten: Bilden einer Stützstruktur (10) aus einem ersten Opfermaterial an einer Substratoberfläche (12a) eines Substrats (12) mit einer ersten Opfermaterialschicht (14), einer Vielzahl von durch die erste Opfermaterialschicht (14) strukturierten Ätzlöcher (16) und einer Vielzahl von in das Substrat (12) hineinragenden Stützpfosten (18), Ätzen mindestens einer von der Stützstruktur (10) überspannten Kavität (22) in die Substratoberfläche (12a), Bilden einer Membran (30) aus zumindest einem Halbleitermaterial auf oder über der ersten Opfermaterialschicht (14) der Stützstruktur (10), Abscheiden eines Schichtstapels (34) umfassend mindestens eine Opferschicht (36a, 36b) und mindestens eine Gegenelektrode (38), und Freistellen der Membran (30) durch zumindest teilweises Entfernen zumindest der Stützstruktur (10) und der mindestens einen Opferschicht (36a, 36b).

2. 发明申请

WO2020127474A1 SENSOREINRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER SENSOREINRICHTUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2020127474A1
公开(公告)日：2020-06-25
申请号：PCT/EP2019/085940
申请日：2019-12-18
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： ARTMANN, Hans , REINMUTH, Jochen
IPC分类号： B81C1/00 , B81B3/00
摘要： Die vorliegende Erfindung schafft eine Sensoreinrichtung (1) umfassend, zumindest ein Substrat (2); einen Randbereich (RB, RS), welcher auf dem Substrat (2) angeordnet ist und einen Innenbereich (IB) über dem Substrat (2) lateral eingrenzt; eine Membran (7), welche an der Randstruktur (RS) verankert ist und den Innenbereich (IB) zumindest teilweise überspannt, wobei die Membran (7) im Innenbereich (IB) zumindest einen durch einen Druck (p) beweglichen Bereich (BB) umfasst, welcher eine Kaverne (K) zwischen der Membran (7) und dem Substrat (2) einschließt;einen ersten Zwischenträger (ZT1), welcher sich im beweglichen Bereich (BB) unterhalb der Membran (7) erstreckt und mit der Membran (7) verbunden ist und zumindest einen Graben (G) aufweist.

3. 发明申请

WO2015185354A2 HALBLEITER-BAUELEMENT MIT MINDESTENS EINEM DURCHKONTAKT IM TRÄGERSUBSTRAT UND VERFAHREN ZUM ERZEUGEN EINES SOLCHEN DURCHKONTAKTS 审中-公开
标题翻译：与至少一个通过以下方式联系生产这种BY接触载体衬底和方法半导体部件
公开(公告)号：WO2015185354A2
公开(公告)日：2015-12-10
申请号：PCT/EP2015/060970
申请日：2015-05-19
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： BERGMANN, Yvonne , ARTMANN, Hans
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es werden Maßnahmen vorgeschlagen, die die Realisierung von Durchkontakten mit definierten elektrischen Eigenschaften und hoher mechanischer Stabilität auch in dickeren Trägersubstraten ermöglichen. Dazu wird mindestens eine Durchkontaktöffnung (11) mit einem definierten Aspektverhältnis in der Vorderseite des Trägersubstrats (10) erzeugt. Dann wird mindestens eine erste Schicht (12) aus dielektrischem Material auf der strukturierten Vorderseite des Trägersubstrats (10) und insbesondere auf der Wandung der Durchkontaktöffnung (11) erzeugt. Erfindungsgemäß wird die Durchkontaktöffnung (11) vollständig verfüllt, wobei das Verfüllen iterativ erfolgt durch Aufbringen einer Folge von mindestens vier Schichten (12-16) aus dielektrischen und elektrisch leitfähigen Materialien. Die Anzahl, die Materialien, die Dicken und die Abfolge der Schichten (12-16) werden in Abhängigkeit vom angestrebten elektrischen Widerstand des Durchkontakts (110) und in Abhängigkeit von den angestrebten mechanischen Eigenschaften des Durchkontakts (110) gewählt.
摘要翻译：它提出了措施，使通孔的实现具有限定的电性能和高的机械稳定性，即使在厚的载体衬底。为了这个目的，一个通孔（11），其具有在所述载体基片（10）的前侧限定的纵横比至少形成。然后，产生至少在载体基材（10）的图案化的前侧的介电材料的第一层（12），特别是在通孔（11）的壁上。根据本发明，所述通孔（11）被完全填满，其中所述填充是通过施加由电介质和导电材料中的至少四个层（12-16）的序列反复进行。数量，材料，厚度和层的顺序（12-16）的选择依赖于通孔（110）的所希望的电阻率和在所述通孔（110）的期望的机械性能的依赖性。

4. 发明申请

WO2020126922A1 VERFAHREN ZUM VERSCHLIEßEN VON ZUGÄNGEN IN EINEM MEMS-ELEMENT 审中-公开
公开(公告)号：WO2020126922A1
公开(公告)日：2020-06-25
申请号：PCT/EP2019/085117
申请日：2019-12-13
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： ARTMANN, Hans , FRIEDRICH, Thomas , AMETOWOBLA, Mawuli , WEBER, Heribert , SCHMOLLNGRUBER, Peter , HERMES, Christoph , MENOLD, Tobias Joachim
IPC分类号： B81C1/00
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Verschließen von Zugängen in einem MEMS- Element bereit, umfassend die Schritte - Bereitstellen einer Funktionsschicht mit einem Funktionsbereich, - Herstellen einer Kaverne unterhalb des Funktionsbereichs der Funktionsschicht mittels eines ersten Zugangs außerhalb des Funktionsbereichs der Funktionsschicht, - Verschließendes ersten Zugangs, - Herstellen eines zweiten Zugangs zur Kaverne außerhalb des Funktionsbereichs der Funktionsschicht, - Aufschmelzen von Verschlussmaterial im Bereich des zweiten Zugangs, und - Abkühlen des aufgeschmolzenen Verschlussmaterials zum Verschließen des zweiten Zugangs.

5. 发明申请

WO2020126911A1 MIKROMECHANISCHES BAUTEIL UND HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EIN MIKROMECHANISCHES BAUTEIL 审中-公开
公开(公告)号：WO2020126911A1
公开(公告)日：2020-06-25
申请号：PCT/EP2019/085101
申请日：2019-12-13
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： ARTMANN, Hans , FRIEDRICH, Thomas , HERMES, Christoph , SCHMOLLNGRUBER, Peter , WEBER, Heribert , REINMUTH, Jochen
IPC分类号： B81B3/00 , B81C1/00
摘要： Die Erfindung betrifft ein mikromechanisches Bauteil, dessen Membran (12) beabstandet von einer Bodenseite einer Kavität gehalten ist und Stützstrukturen (20a) an ihrer Membraninnenseite (12a) aufweist, wobei jede der Stützstrukturen (20a) je eine erste Randelementstruktur (32), je eine zweite Randelementstruktur (34) und je mindestens eine zwischen der zugeordneten ersten Randelementstruktur (32) und der zugeordneten zweiten Randelementstruktur (34) angeordnete Zwischenelementstruktur (36) aufweist, wobei für jede der Stützstrukturen (20a) jeweils eine Symmetrieebene (38) definierbar ist, bezüglich welcher zumindest die erste Randelementstruktur (32) der jeweiligen Stützstruktur (20a) und die zweite Randelementstruktur (34) der jeweiligen Stützstruktur (20a) spiegelsymmetrisch sind, und wobei bei jeder der Stützstrukturen (20a) eine erste maximale Ausdehnung (a1) ihrer ersten Randelementstruktur (32) senkrecht zu ihrer Symmetrieebene (38) und eine zweite maximale Ausdehnung (a2) ihrer zweiten Randelementstruktur(34) senkrecht zu ihrer Symmetrieebene (38) größer als die mindestens eine jeweilige maximale Ausdehnung (a3) ihrer mindestens einen Zwischenelementstruktur (36) senkrecht zu ihrer Symmetrieebene (38) sind.

6. 发明申请

WO2003012420A1 MIKROMECHANISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：微机械部件
公开(公告)号：WO2003012420A1
公开(公告)日：2003-02-13
申请号：PCT/DE2002/002480
申请日：2002-07-06
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , BENZEL, Hubert , WEBER, Heribert , BAUER, Michael , ARTMANN, Hans , PANNEK, Thorsten , SCHAEFER, Frank , KRUMMEL, Christian
发明人： BENZEL, Hubert , WEBER, Heribert , BAUER, Michael , ARTMANN, Hans , PANNEK, Thorsten , SCHAEFER, Frank , KRUMMEL, Christian
IPC分类号： G01N27/18
CPC分类号： B81B3/0081 , B81B2203/0127 , B81C2201/0115 , G01N27/227
摘要： Die Erfindung schafft ein mikromechanisches Bauelement mit einem Substrat (10) und einer auf dem Substrat (10) aufgebrachten Deckschicht (40), wobei unterhalb der Deckschicht (40) ein die Deckschicht (40) mechanisch unterstützender und thermisch isolierender Bereich (30; 30') aus porösem Material vorgesehen ist. Auf der Deckschicht (40) ist eine Heizeinrichtung (70) zum Heizen der Deckschicht (40) oberhalb des Bereichs (30; 30') vorgesehen, und oberhalb des Bereichs (30; 30') ist eine Erfassungseinrichtung (200, 200') zum Erfassen einer elektrischen Eigenschaft eines oberhalb des Bereichs (30; 30') auf der Deckschicht (40) vorgesehenen geheizten Mediums (150) vorgesehen.
摘要翻译：本发明提供了一种具有衬底（10）和一个在基板上的微机械部件（10）涂覆的覆盖层（40），其中所述覆盖层（40）下面具有覆盖层（40）机械地支撑和热绝缘区域（30; 30' ）由多孔材料制成。上的顶层（40）是该区域以上加热所述外层（40）的加热装置（70）（30; 30“）被提供，并且该区域的上方（30; 30”），为检测装置（200，200“）检测的区域上方的电特性（30; 30“），提供了一种用于被加热介质（150）所述覆盖层（40）上被提供。

7. 发明申请

WO2017121535A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES MEHRSCHICHTIGEN MEMS-BAUELEMENTS UND ENTSPRECHENDES MEHRSCHICHTIGES MEMS-BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：制造多层MEMS元件的方法和相应的多层MEMS元件
公开(公告)号：WO2017121535A1
公开(公告)日：2017-07-20
申请号：PCT/EP2016/079252
申请日：2016-11-30
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： BREITSCHAEDEL, Oliver , KAELBERER, Arnd , ZIELKE, Christian , STAFFELD, Peter Borwin , ARTMANN, Hans
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/0069 , B81C2201/0191 , B81C2201/0195
摘要： Die Erfindung schafft ein Verfahren zum Herstellen eines mehrschichtigen MEMS- Bauelements und ein entsprechendes mehrschichtiges MEMS-Bauelement. Das Verfahren umfasst die Schritte: Bereitstellen eines mehrschichtigen Substrats (1, 2, 3; 1a, 2, 3), welches eine monokristalline Trägerschicht (1; 1a), eine monokristalline Funktionsschicht (3) mit einer Vorderseite (V) und einer Rückseite (R) und eine zwischen der Rückseite (R) und der Trägerschicht (1) liegende Bondschicht (2) aufweist; Aufwachsen einer ersten polykristallinen Schicht (4; 4a; 4b) über der Vorderseite (V) der monokristallinen Funktionsschicht (3); Entfernen der monokristallinen Trägerschicht (1; 1a); und Aufwachsen einer zweiten polykristallinen Schicht (40; 40a; 40b) über der Rückseite (R) der monokristallinen Funktionsschicht (3).
摘要翻译：本发明提供了一种制造多层MEMS器件的方法和相应的多层MEMS器件。该方法包括以下步骤：提供多层基片（1，2，3; 1A，2，3），其包括单晶Tr的AUML;载体层（1; 1A），单晶功能层（3），其具有前侧（V）和一个背侧（R）和位于背侧（R）和背衬层（1）之间的粘合层（2）; 在单晶功能层（3）的正面（V）上生长第一多晶层（4; 4a; 4b）; 去除单晶载体层（1; 1a）; 和在单晶功能层（3）的背面（R）上生长第二多晶层（40; 40a; 40b）

8. 发明申请

WO2003016203A3 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS SOWIE HALBLEITERBAUELEMENT, INSBESONDERE MEMBRANSENSOR 审中-公开
公开(公告)号：WO2003016203A3
公开(公告)日：2003-02-27
申请号：PCT/DE2002/002731
申请日：2002-07-25
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , BENZEL, Hubert , WEBER, Heribert , ARTMANN, Hans , PANNEK, Thorsten , SCHAFER, Frank
发明人： BENZEL, Hubert , WEBER, Heribert , ARTMANN, Hans , PANNEK, Thorsten , SCHAFER, Frank
IPC分类号： B81B3/00
摘要： s wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einem Halbleitertrager (1) vorgeschlagen, bei welchem fur die Ausbildung von frei tragenden Strukturen (3) fur ein Bauelementeine flächige poröse Membranschicht (3) und eine Kavität (2) unter der porösen Membranschicht (3) erzeugt wird. Die Erfindung hat die Aufgabe, eine Membranbeschädigung bei der Herstellung oder bei regelmässig auftrenden Anwendungsfällen zu vermeiden. Diese Aufgabe kann durch unterschiedliche Vorgehensweisen gelöst werden. Bei einer ersten Lösung erhält der Halbleiterträger (1) im Membranbereich im Vergleich zur Kavität eine unterschiedliche Dotierung, womit sich unterschiedliche Porengrössen und/oder Porositäten herstellen lassen, was bei der Kavitätserzeugung fur einen verbesserten Ätzgastransport genutzt werden kann. Die Aufgabe kann jedoch auch dadurch gelöst werden, dass im Membranbereich Mesoporen und im späteren Kavitätsbereich Nanporen als Hilfsstruktur erzeugt werden. Im Weiteren wird unter anderem ein Halbleiterbauelement vorgeschlagen, das auf einem oder mehreren dieser Verfahren basiert.

9. 发明申请

WO2002084748A3 VERFAHREN ZUM ERZEUGEN VON OPTISCH TRANSPARENTEN BEREICHEN IN EINEM SILIZIUMSUBSTRAT 审中-公开
公开(公告)号：WO2002084748A3
公开(公告)日：2002-10-24
申请号：PCT/DE2002/000798
申请日：2002-03-05
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , BENZEL, Hubert , WEBER, Heribert , ARTMANN, Hans , SCHAEFER, Frank
发明人： BENZEL, Hubert , WEBER, Heribert , ARTMANN, Hans , SCHAEFER, Frank
IPC分类号： H01L31/18
摘要： Es wird eine einfache und kostengünstige Möglichkeit zur Erzeugung optisch transparenter Bereiche (5, 6) in einem Siliziumsubstrat (1) vorgeschlagen, mit dem sich sowohl optisch transparente Bereiche beliebiger Dicke als auch optisch transparente Bereiche über einem Hohlraum im Siliziumsubstrat realisieren lassen. Dazu wird zunächst mindestens ein definierter Bereich (5, 6) des Siliziumsubstrats (1) porös geätzt. Danach wird der definierte poröse Bereich (5, 6) des Siliziumsubstrats (1) oxidiert.

10. 发明申请

WO2002076880A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON MIKROMECHANISCHEN SENSOREN UND DAMIT HERGESTELLTE SENSOREN 审中-公开
标题翻译：用于生产微机械传感器，因此生产的传感器
公开(公告)号：WO2002076880A2
公开(公告)日：2002-10-03
申请号：PCT/DE2002/000883
申请日：2002-03-13
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , BENZEL, Hubert , WEBER, Heribert , ARTMANN, Hans , SCHAEFER, Frank
发明人： BENZEL, Hubert , WEBER, Heribert , ARTMANN, Hans , SCHAEFER, Frank
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： G01L9/0055 , B81B2203/033 , B81C1/00047 , B81C1/00246 , B81C2201/0116 , B81C2203/0742 , G01L9/0042 , G01L9/0045
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung von mikromechanischen Sensoren und damit hergestellte Sensoren vorgeschlagen, bei denen in ein Halbleitersubstrat (1) Öffnungen (2) eingebracht werden. Nach dem Einbringen der Öffnungen (2) in das Halbleitersubstrat (1) erfolgt eine Temperaturnachbehandlung, bei der die öffnungen (2) zu Hohlräumen in der Tiefe des Substrats (1) umgewandelt werden.
摘要翻译：还提出了生产由与其微机械传感器和传感器的方法，可以被并入，其中在半导体衬底（1）的孔（2）。在半导体衬底中引入开口（2）的（1）之后的热后处理，其中，被转化成孔隙在所述衬底（1）的深度，开口（2）。

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