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1. 发明申请

WO2003068645A1 VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR BELADUNG/ENTLADUNG EINES TROMMELBELICHTES 审中-公开
标题翻译：装置及方法TROMMELBELICHTES的加载/放电
公开(公告)号：WO2003068645A1
公开(公告)日：2003-08-21
申请号：PCT/CH2002/000124
申请日：2002-02-28
申请人： LÜSCHER, Ursula , LÜSCHER, Hans , GRAF, Michael , BERNER, Peter
发明人： GRAF, Michael , BERNER, Peter
IPC分类号： B65H3/08
CPC分类号： B41C1/1083 , B65H3/0816 , B65H2406/341 , B65H2701/11216 , B65H2701/1928 , G03F7/24
摘要： Vorrichtung zur Beladung und/oder Entladung eines Belichters, insbesondere eines Trommelbelichters (3), mit Druckplatten (7), mit einem, zumindest eine Saugerplatte (10) und zumin-dest zwei, an einem Vakuumsystem angeschlossene, Saugköpfe (11) umfassenden Saugmittel zum Aufnehmen von Druckplatten (7), insbesondere von Thermodruckplatten, und einer Schwenkeinrichtung (2) zum Schwenken des Saugmittels, wobei die Saugerplatte zylindersegmentförmig ausgebildet ist und das Saugmittel um eine Achse schwenkbar ist, die im Wesentli-chen parallel zur Achse des Zylindersegmentes angeordnet ist.
摘要翻译：装置用于装载和/或卸载的曝光，特别是Trommelbelichters（3）中，用印刷板（7）具有一个，至少一个吸盘板（10）和至少两个，连接到真空系统中，吸头（11），其包括吸力装置，用于用于枢转所述抽吸装置接收印刷印版（7），特别是热敏打印板和一枢转装置（2），所述抽吸板由圆筒段的形成，并且所述抽吸装置可绕其被布置在平行的Wesentli辰到气缸段的轴线的轴线。

2. 发明申请

WO2003069888A1 PLATTEN HANDLING SYSTEM 审中-公开
标题翻译：板装卸系统
公开(公告)号：WO2003069888A1
公开(公告)日：2003-08-21
申请号：PCT/EP2002/001671
申请日：2002-02-16
申请人： LÜSCHER, Ursula , LÜSCHER, Hans , GRAF, Michael , BERNER, Peter
发明人： GRAF, Michael , BERNER, Peter
IPC分类号： H04N1/00
CPC分类号： B65H3/0816 , B41C1/1083 , B65H2406/343 , B65H2701/1928 , G03F7/24 , H04N1/08 , H04N1/0856 , H04N1/0869
摘要： Um eine Vorrichtung zu Schaffen, die trotz eines konstruktiv möglichst geringen Aufwandes eine rationelle Bereitstellung von Druckplatten unterschiedlicher Art und Grösse für verschiedenste Arten von Druckplattenbelichtern ermöglicht, wird bei einer Vorrichtung zur Beladung und/oder Entladung eines Belichters, insbesondere eines Trommelbelichters, mit Druckplatten, mit einem, zumindest eine Saugergplatte und zumindest zwei, an einem Vakuumsystem angeschlossene, Saugköpfe umfassenden Saugmittel zum Aufnehmen von Druckplatten, insbesondere von Thermodruckplatten, vorgeschlagen, dass die Saugerplatte zylindersegmentförmig und zumindest in Bezug auf ihre Flächenform verformbar ausgebildet ist.
摘要翻译：为了提供一个装置，它允许不同类型的印刷版的理性供应和尽管一个建设性的最小可能的支出尺寸对不同类型的制版机的，在用于装载和/或卸载曝光器的装置，特别是Trommelbelichters，具有印刷板，用全面的，至少一个Saugergplatte和至少两个，连接到真空系统中，吸头吸入装置，用于拾取印刷板，特别是热印刷板，建议吸盘板是圆柱分段成形的和可变形的设计至少相对于其表面形状。

3. 发明申请

WO2009149482A1 HAFTUNGSVERMITTELNDER ZUSATZ FÜR EINE TINTE ZUM BEDRUCKEN VON GLAS 审中-公开
标题翻译： HAFTUNGSVERMITTELNDER附加，将油墨进行印刷玻璃
公开(公告)号：WO2009149482A1
公开(公告)日：2009-12-17
申请号：PCT/AT2009/000232
申请日：2009-06-10
申请人： DURST PHOTOTECHNIK DIGITAL TECHNOLOGY GMBH , KAPPAUN, Stefan , LIST, Emil J. W. , GRAF, Michael
发明人： KAPPAUN, Stefan , LIST, Emil J. W. , GRAF, Michael
IPC分类号： C09D11/10 , C09D11/00 , C09D11/02
CPC分类号： C09D11/101 , C08K5/54 , C08K2201/014 , C09D11/03 , C09D11/38
摘要： Die Erfindung betrifft eine haftungsvermittelnden Zusatz für eine Tinte zum Bedrucken von Glas umfassend zumindest ein Silan, und zumindest einen Netzwerkbildner auf Basis eines organischen Esters der o-Kieselsäure.
摘要翻译：本发明涉及一种用于印刷玻璃，其包括至少一种硅烷和基于所述邻硅酸的有机酯的至少一个网络形成剂的油墨的粘附促进添加剂。

4. 发明申请

WO2007058925A2 ION IMPLANTER WITH CONTAMINANT COLLECTING SURFACE 审中-公开
标题翻译：带有污染物收集表面的离子植绒
公开(公告)号：WO2007058925A2
公开(公告)日：2007-05-24
申请号：PCT/US2006/043743
申请日：2006-11-10
申请人： AXCELIS TECHNOLOGIES, INC. , RING, Philip , GRAF, Michael
发明人： RING, Philip , GRAF, Michael
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J2237/028 , H01J2237/31705
摘要： An ion implanter includes an ion source for generating an ion beam moving along a beam line and a vacuum or implantation chamber wherein a workpiece, such as a silicon wafer is positioned to intersect the ion beam for ion implantation of a surface of the workpiece by the ion beam. A liner has an interior facing surface that bounds at least a portion of the evacuated interior region and that comprises grooves spaced across the surface of the liner to capture contaminants generated within the interior region during operation of the ion implanter.
摘要翻译：离子注入机包括用于产生沿着束线移动的离子束的离子源和真空或注入室，其中诸如硅晶片的工件被定位成与离子束相交以便通过所述工件的表面离子注入离子束。衬里具有内表面，该内表面限定了抽空的内部区域的至少一部分，并且包括在衬垫的表面上间隔开的凹槽，以在离子注入机的操作期间捕获在内部区域内产生的杂质。

5. 发明申请

WO2011140200A1 GAS CLUSTER ION BEAM SYSTEM WITH RAPID GAS SWITCHING APPARATUS 审中-公开
标题翻译：具有快速气体切换装置的气体离子束系统
公开(公告)号：WO2011140200A1
公开(公告)日：2011-11-10
申请号：PCT/US2011/035158
申请日：2011-05-04
申请人： TEL EPION INC. , GRAF, Michael , BECKER, Robert, K. , REDDY, Christopher, T. , RUSSELL, Noel
发明人： GRAF, Michael , BECKER, Robert, K. , REDDY, Christopher, T. , RUSSELL, Noel
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/08 , H01J27/026 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01J2237/0812
摘要： A processing system (100, 1 00', 1 00") is provided for irradiating a substrate (1 52, 252) with a gas cluster ion beam (GCIB) (128, 1 28A, 1 28A'). The system (100, 100', 100") includes a nozzle (1 10, 1010) for forming and emitting gas cluster beams through a nozzle outlet (1 1 0b), and a stagnation chamber (1 1 6, 101 6) that is located upstream of and adjacent the nozzle (1 10, 101 0). The stagnation chamber (1 16, 1016) has an inlet (1 16a, 1016a), and the nozzle (1 1 0, 1010) is configured to direct a single gas cluster beam toward the substrate (152, 252). An ionizer (1 22) is positioned downstream of the outlet (1 10b) and is configured to ionize the gas cluster beam (1 18) to form the GCIB (128, 128A, 128A'). The system (1 00, 100', 100") also includes a gas supply (1 1 5, 101 5) that is in fluid communication with the inlet (1 1 6a, 1016a) of the stagnation chamber (1 16, 1016), and which includes a gas source (1 1 1, 101 1 ) and a valve (1 1 3, 101 3) located between the gas source (1 1 1, 1 01 1 ) and the nozzle (1 10, 101 0) for controlling flow of a gas between the gas source (1 1 1, 101 1 ) and the nozzle (1 1 0, 1 010).
摘要翻译：提供一种处理系统（100,100'，100“），用于用气体簇离子束（GCIB）（128,128A，182A'）照射衬底（152,252），系统（100 ，100'，100“）包括用于通过喷嘴出口（110b）形成和发射气体束束的喷嘴（110,1010）和位于上游的停滞室（1166,106）并且邻近喷嘴（110,101 0）。停滞室（116,1616）具有入口（16a，1016a），并且喷嘴（11010）构造成将单个气体束束引向衬底（152,252）。离子发生器（122）位于出口（10b）的下游，并被配置为离子化气体束束（118）以形成GCIB（128,128A，128A'）。系统（100,100'，100“）还包括与停滞室（116,1616）的入口（11 6a，1016a）流体连通的气体供应源（115 1，101 5），其包括位于气体源（111,111）和喷嘴（110,101）之间的气体源（111,111）和阀（113 3 101）用于控制气体源（111,111）和喷嘴（11010）之间的气体流。

6. 发明申请

WO2009079675A3 VERFAHREN ZUR ERMITTLUNG DER BEFÜLLZEIT 审中-公开
公开(公告)号：WO2009079675A3
公开(公告)日：2009-07-02
申请号：PCT/AT2008/000453
申请日：2008-12-16
申请人： WITTMANN KUNSTSTOFFGERÄTE GMBH , FUX, Erhard , GRAF, Michael
发明人： FUX, Erhard , GRAF, Michael
IPC分类号： G01F23/00
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Ermittlung der Befüllungszeit für die Befüllung mindestens eines, mit einem Füllstands- (12) und einem Bedarfssensor (11) versehenen, Materialabscheiders (1) in Förderanlagen aus mindestens einem Vorratsbehälter (4) mit Schüttgut. Am Beginn wird, bei leeren Leitungen (3, 6) und leerem Materialabscheider (1 ), das Schüttgut aus dem Vorratsbehälter (4) vom Ansprechen des Bedarfssensors (11) bis zum Ansprechen des Füllstandssensors (12) gefördert und diese Förderzeit (T REF1 ) wird gemessen und gespeichert. Beim erneuten Ansprechen des Bedarfssensors (11) wird wieder bis zum Ansprechen des Füllstandssensors (12) gefördert und diese Förderzeit (T REF2 ), die der Förderzeit für die Befüllung des Materialabscheiders (1 ) entspricht, gemessen und gespeichert, wobei sich in den Leitungen (3, 6) von der ersten Förderung Schüttgut befindet. Die Förderzeit (T REF2 ) wird von der Förderzeit (T REF1 ) subtrahiert um die Leersaugzeit (T LEER ), die gleich der Ansaugzeit ist, zu bestimmen. Die Leitungen (3, 6) werden mit der errechneten Leersaugzeit (T LEER ) leergesaugt. Beim erneuten Ansprechen des Bedarfssensors (11 ) wird die Befüllung des Materialabscheiders (1) mit der Förderzeit (T REF2 ) und einer Leersaugung mit der Leersaugzeit (T LEER ), die beide addiert die Befüllungszeit darstellen, durchgeführt.

7. 发明申请

WO2006055379A2 IMPROVED DOSE UNIFORMITY DURING SCANNED ION IMPLANTATION 审中-公开
标题翻译：在扫描离子植入期间改善剂量均匀度
公开(公告)号：WO2006055379A2
公开(公告)日：2006-05-26
申请号：PCT/US2005/040692
申请日：2005-11-08
申请人： AXCELIS TECHNOLOGIES, INC. , GRAF, Michael , RAY, Andy
发明人： GRAF, Michael , RAY, Andy
CPC分类号： H01J37/304 , H01J37/20 , H01J37/3171 , H01L21/68764
摘要： The present invention is directed to implanting ions in a workpiece in a serial implantation process in a manner that produces one or more scan patterns on the workpiece that resemble the size, shape and/or other dimensional aspects of the workpiece. Further, the scan patterns are interleaved with one another and can continue to be produced until the entirety of the workpiece is uniformly implanted with ions.
摘要翻译：本发明涉及在串联注入工艺中以在工件上产生类似于工件的尺寸，形状和/或其他尺寸方面的一个或多个扫描图案的方式将离子注入到工件中。此外，扫描图案彼此交错并且可以继续产生，直到整个工件被均匀地注入离子。

8. 发明申请

WO2005086204A2 MODULATING ION BEAM CURRENT 审中-公开
标题翻译：调节离子束电流
公开(公告)号：WO2005086204A2
公开(公告)日：2005-09-15
申请号：PCT/US2005/006141
申请日：2005-02-23
申请人： AXCELIS TECHNOLOGIES, INC. , RAY, Andy , GRAF, Michael
发明人： RAY, Andy , GRAF, Michael
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/30455 , H01J2237/30472 , H01J2237/31703
摘要： The present invention is directed to modulating ion beam current in an ion implantation system to mitigate non-uniform ion implantations, for example. Multiple arrangements are revealed for modulating the intensity of the ion beam. For example, the volume or number of ions within the beam can be altered by biasing one or more different elements downstream of the ion source. Similarly, the dosage of ions within the ion beam can also be manipulated by controlling elements more closely associated with the ion source. In this manner, the implantation process can be regulated so that the wafer can be implanted with a more uniform coating of ions.
摘要翻译：例如，本发明涉及在离子注入系统中调制离子束电流以减轻非均匀离子注入。揭示调制离子束强度的多种排列。例如，可以通过偏置离子源下游的一个或多个不同元件来改变束内离子的体积或数量。类似地，离子束内离子的剂量也可以通过控制与离子源更紧密相关的元素来操纵。以这种方式，可以调节注入工艺，使得可以用更均匀的离子涂层注入晶片。

9. 发明申请

WO2010090794A1 MULTIPLE NOZZLE GAS CLUSTER ION BEAM SYSTEM AND METHOD 审中-公开
标题翻译：多喷嘴气体离子束系统及方法
公开(公告)号：WO2010090794A1
公开(公告)日：2010-08-12
申请号：PCT/US2010/020612
申请日：2010-01-11
申请人： TEL EPION INC. , TABAT, Martin, D. , GWINN, Matthew, C. , BECKER, Robert, K. , FREYTSIS, Avrum , GRAF, Michael
发明人： TABAT, Martin, D. , GWINN, Matthew, C. , BECKER, Robert, K. , FREYTSIS, Avrum , GRAF, Michael
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/08 , H01J37/317 , H01J2237/061 , H01J2237/0812 , H01J2237/0825 , H01J2237/0827
摘要： Disclosed is a multi-nozzle and skimmer assembly for introducing a process gas mixture, or multiple process gases mixtures, in a gas cluster ion beam (GCIB) system (100, 100' 100"), and associated methods of operation to grow, modify, deposit, or dope a layer upon a substrate (152, 252). The multiple nozzle and skimmer assembly includes at least two nozzles (116, 1016, 2110, 2120, 4110, 4120, 7010, 7020) arranged in mutual close proximity to at least partially coalesce the gas cluster beams emitted therefrom into a single gas cluster beam (118) and / or angled to converge each beam toward a single intersecting point (420) to form a set of intersecting gas cluster beams, and to direct the single and / or intersecting gas cluster beam into a gas skimmer (120).
摘要翻译：公开了一种用于将气体混合物或多种工艺气体混合物引入气体簇离子束（GCB）系统（100,100'100“）中的多喷嘴和撇渣器组件，以及相关联的操作方法来生长，修改，多个喷嘴和撇渣器组件包括至少两个喷嘴（116,1016,2110,2120,4110,4120,7010,7020），其布置成彼此相邻地邻近至少部分地将从其发射的气体束束聚结成单个气体束束（118）和/或成角度以将每个射束朝向单个交叉点（420）收敛以形成一组相交的气体束束，并且将单个和/或相交的气体束束进入气体分离器（120）。

10. 发明申请

WO2007127086A3 METHODS AND SYSTEMS FOR TRAPPING ION BEAM PARTICLES AND FOCUSING AN ION BEAM 审中-公开
公开(公告)号：WO2007127086A3
公开(公告)日：2007-11-08
申请号：PCT/US2007/009272
申请日：2007-04-13
申请人： AXCELIS TECHNOLOGIES, INC. , KELLERMAN, Peter , BENEVENISTE, Victor , PEREL, Alexander , FREER, Brian , GRAF, Michael
发明人： KELLERMAN, Peter , BENEVENISTE, Victor , PEREL, Alexander , FREER, Brian , GRAF, Michael
IPC分类号： H01J37/12 , H01J37/317
摘要： A focusing particle trap system (200) for ion implantation removes unwanted particles (222) from an ion beam (202) prior to implantation. An entrance electrode (204) comprising an entrance aperture (206) and is biased to a first base voltage. A center electrode (208) is positioned a distance downstream from the entrance electrode and includes a center aperture (210). The center electrode is biased to a negative value, less than the first base voltage. An exit electrode (212) is positioned a distance downstream from the center electrode and includes an exit aperture (214). The exit electrode is biased to a second base voltage. A first electrostatic field is generated (218) from the entrance electrode toward the center electrode and a second electrostatic field (220) is generated from the exit electrode toward the center electrode in order to trap unwanted particles within an ion beam.

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