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1. 发明申请

WO2003005613A1 OPTO-ELEKTRONISCHES TRANSCEIVERMODUL UND VERFAHREN ZUM EMPFANG OPTISCHER SIGNALE 审中-公开
标题翻译：通光电收发模块方法用于接收光信号
公开(公告)号：WO2003005613A1
公开(公告)日：2003-01-16
申请号：PCT/DE2001/002466
申请日：2001-07-03
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , BAUR, Elmar , HURT, Hans , WITTL, Josef
发明人： BAUR, Elmar , HURT, Hans , WITTL, Josef
IPC分类号： H04B10/08
CPC分类号： H04B10/40
摘要： Es wird ein Transceivermodul mit einer Koppeleinrichtung (3') zum Ankoppeln eines Lichtwellenleiters (4) eines optischen Netzwerkes, wobei die Koppeleinrichtung und das angekoppelte optische Netzwerk eine spezifische Reflexions-Impulsantwort aufweisen, mit einer opto-elektronischen Sendevorrichtung (5), und mit einer opto-elektronischen Empfangsvorrichtung (6), bereitgestellt. Erfindungsgemäss ist vorgesehen, dass das opto-elektronische Transceivermodul (1) eine elektronische Kompensationsvorrichtung (7) umfasst, die mittels charakteristischer Parameter der Reflexions-Impulsantwort der Koppeleinrichtung (3') und/oder des optischen Netzwerkes und elektrischen Datensignalen der Sendevorrichtung (5) ein elektrisches Korrektursignal generiert und mit diesem Korrektursignal die von der Empfangsvorrichtung empfangenen elektrischen Datensignale korrigiert. Weiterhin wird ein Verfahren zum Empfang optischer Signale eines zweiten Transceivermoduls an einem ersten Transceivermodul offenbart. Erfindungsgemäss werden charakteristische Parameter der Reflexionseigenschaften eines an die Empfangsvorrichtung des ersten Transceivermoduls angekoppelten optischen Systems bestimmt und anhand dieser Parameter wird aus den vom ersten Transceivermodul zu sendenden Datensignal ein Korrektursignal generiert und ein elektrisches Empfangssignal des ersten Transceivermoduls mit diesem Korrektursignal korrigiert.
摘要翻译：它是用于连接光网络，其中所述耦合装置和耦合后的光网络具有特定的反射脉冲响应的光波导路（4）中，用一个光电发送装置（5）的收发器模块与一个耦合装置（3“），并用光电接收器装置（6）被提供。根据本发明，它提供的是，光电收发器模块（1）包括由所述耦合装置（3“）的反射脉冲响应的特征参数和/或光学网络和发送装置的电数据信号的装置的电子补偿装置（7）（5）电修正信号生成并与由接收设备的电数据信号中接收该修正信号进行校正。此外，公开了一种用于在第一收发器模块从第二收发器模块接收光信号的方法。耦合到根据本发明的第一收发信机模块的光学系统的接收装置的反射特性的特性参数被确定，并且基于该参数，产生一个校正信号，从将被从所述第一收发器模块的数据信号发送和校正从与此校正信号的第一收发器模块的电接收信号。

2. 发明申请

WO2012107291A1 LED-BELEUCHTUNGSVORRICHTUNG MIT EINEM ERSTEN LED-CHIP UND EINEM ZWEITEN LED-CHIP UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：与第一LED芯片和第二LED芯片LED照明设备和方法及其
公开(公告)号：WO2012107291A1
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：PCT/EP2012/051156
申请日：2012-01-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BEHRINGER, Martin, Rudolf , BAUR, Elmar
发明人： BEHRINGER, Martin, Rudolf , BAUR, Elmar
IPC分类号： F21K99/00
CPC分类号： H01L33/005 , F21K9/00 , F21Y2113/13 , F21Y2115/10 , H01L27/15 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es ist eine LED-Beleuchtungsvorrichtung (10) mit einem ersten LED-Chip (1) und einem zweiten LED-Chip (2) angegeben, wobei der erste LED-Chip (1) geeignet ist, Strahlung mit einer ersten Abstrahlcharakteristik (A1) zu emittieren und der zweiten LED-Chip (2) geeignet ist, Strahlung mit einer zweiten Abstrahlcharakteristik (A2) zu emittieren. Die erste Abstrahlcharakteristik (A1) und die zweite Abstrahlcharakteristik (A2) weisen temperaturabhängige Änderungen (ΔA 1T , ΔA 1T ) auf, wobei sich die temperaturabhängige Änderung (ΔA 1T ) der ersten Abstrahlcharakteristik (A1) und die temperaturabhängige Änderung (ΔΑ 2T ) der zweiten Abstrahlcharakteristik (A2) im Betrieb zumindest teilweise kompensieren oder so aufeinander synchronisiert sind, dass der Farbort stabil bleibt. Weiter ist ein Verfahren zum Herstellen einer derartigen Beleuchtungsvorrichtung (10) angegeben.
摘要翻译：这是一个LED照明装置（10），具有第一LED芯片（1）和第二LED芯片（2），其特征在于，（1）第一发光二极管芯片能够吸收具有第一辐射图案（A1）对辐射的发射和第二LED芯片（2）适合于在第二辐射图（A2）发射辐射。第一辐射（A1）和第二辐射（A2）具有依赖于温度的变化（？A1T？A1T），具有的依赖于温度的变化，第一辐射（？A1T）（A1）和依赖于温度的变化（?? 2T）第二辐射图（A2）在操作期间或在至少部分地补偿是如此彼此同步，该色坐标保持稳定。此外，被指定的制造这样的照明装置（10）的方法。

3. 发明申请

WO2011110273A1 SICHERHEITSGURTSYSTEM IN EINEM FAHRZEUG 审中-公开
标题翻译：在车辆安全系统
公开(公告)号：WO2011110273A1
公开(公告)日：2011-09-15
申请号：PCT/EP2011/000693
申请日：2011-02-15
申请人： VOLKSWAGEN AKTIENGESELLSCHAFT , BAUR, Elmar , WALTER, Helmut
发明人： BAUR, Elmar , WALTER, Helmut
IPC分类号： B60R22/02 , B60R22/18 , B60N2/68
CPC分类号： B60R22/023 , B60N2/688 , B60R22/18 , B60R2022/028 , B60R2022/1818
摘要： Die Erfindung betrifft ein Fahrzeug mit zumindest einem frontseitigen Fahrzeugsitz (1) und einem dahinter angeordneten fondseitigen Fahrzeugsitz (5) mit zugehörigem Sicherheitsgurt (15), der in einer fondseitigen Anlegeposition (I) von einem Sitzbenutzer des fondseitigen Fahrzeugsitzes (5) anlegbar ist. Erfindungsgemäß dass das Fahrzeug zumindest ein Gurtführungselement (21; 29) aufweist, mit dem der fondseitige Sicherheitsgurt (15) in eine frontseitige Anlegeposition (II) bringbar ist, in der insbesondere der fondseitige Sicherheitsgurt (15) von einem Sitzbenutzer des frontseitigen Fahrzeugsitzes (1) anlegbar ist.
摘要翻译：本发明涉及一种车辆用至少一个前面的车辆座椅（1）和，配置在后侧的车辆座椅（5）相关联的座（15），其可以被放置在后侧由后侧车辆用座椅的座椅乘员位置（I）接触（5）后面。根据本发明的车辆是所述至少一个带引导元件（21; 29）与在其前侧的后部侧座椅（15）应用位置（II），可以带来的，特别是后侧带（15）由所述前车辆座椅的乘坐者（1）可以应用。

4. 发明申请

WO2009039841A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP, OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片光电子器件及其制造方法的光电子器件
公开(公告)号：WO2009039841A1
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：PCT/DE2008/001579
申请日：2008-09-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BAUR, Elmar , WEGLEITER, Walter
发明人： BAUR, Elmar , WEGLEITER, Walter
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L24/82 , H01L24/24 , H01L33/385 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2224/24051 , H01L2224/24998 , H01L2224/82007 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01025 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/01049 , H01L2924/01051 , H01L2924/01058 , H01L2924/01068 , H01L2924/01082 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/351 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Halbleiterchip angegeben, der eine Kontaktschicht (6) aufweist, die für viele gängige Anwendungen nicht optimal ist. Beispielsweise ist die Kontaktschicht zu dünn, um einen für den Halbleiterchip vorgesehenen Betriebsstrom ohne wesentliche Degradierung zu vertragen. Zudem wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben, in dem der Halbleiterchip derart integriert werden kann, dass die suboptimale Beschaffenheit der Kontaktschicht kompensiert wird. Bei dem Bauelement ist der Halbleiterchip derart auf einem Trägerkörper (10) aufgebracht, dass die Kontaktschicht auf einer vom Trägerkörper abgewandten Seite des Halbleiterkörpers angeordnet ist. Der Halbleiterchip und der Trägerkörper sind zumindest teilweise mit einer elektrischen Isolierschicht (3) bedeckt und ein auf der Isolierschicht aufgebrachter elektrischer Leiter (14) erstreckt sich lateral vom Halbleiterkörper weg und berührt zumindest eine Teilfläche der Kontaktschicht. Weiterhin wird ein vorteilhaftes Verfahren zur Herstellung des Bauelements angegeben.
摘要翻译：本发明公开了具有接触层（6），这不是最佳的许多常见的应用的半导体芯片。例如，接触层太薄容忍一个提供用于半导体芯片的工作电流不显著降解。另外，光电子器件中指定，其中，所述半导体芯片可被集成，使得接触层的次优性质进行补偿。在该装置中，以这样的方式在半导体芯片上的承载体（10）被施加，使得接触层被布置在从所述半导体本体的支承体侧背向的侧面。在半导体芯片和支撑体被至少部分地覆盖有电绝缘层（3），并且在绝缘层施加的电导体（14）横向地从半导体本体离开和接触至少延伸的接触层的部分区域。此外，被指定用于制造所述部件的有利方法。

5. 发明申请

WO2011128277A1 LEUCHTDIODENCHIP MIT STROMAUFWEITUNGSSCHICHT 审中-公开
标题翻译：随着芯片电流扩展层LEDS
公开(公告)号：WO2011128277A1
公开(公告)日：2011-10-20
申请号：PCT/EP2011/055566
申请日：2011-04-08
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SUNDGREN, Petrus , BAUR, Elmar , HOHENADLER, Martin , HOFMANN, Clemens
发明人： SUNDGREN, Petrus , BAUR, Elmar , HOHENADLER, Martin , HOFMANN, Clemens
IPC分类号： H01L33/14 , H01L33/40
CPC分类号： H01L33/14 , H01L31/112 , H01L33/02 , H01L33/30 , H01L33/305 , H01L33/382 , H01L33/40 , H01L33/486 , H01L33/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Leuchtdiodenchip mit einer Halbleiterschichtenfolge (5) angegeben, die ein Phosphid-Verbindungshalbleitermaterial aufweist, wobei die Halbleiterschichtenfolge (5) einen p-Typ Halbleiterbereich (2), einen n-Typ Halbleiterbereich (4) und eine zwischen dem p-Typ Halbleiterbereich (2) und dem n-Typ Halbleiterbereich (4) angeordnete aktive Schicht (3) zur Emission elektromagnetischer Strahlung enthält. Der n-Typ Halbleiterbereich (4) ist einer Strahlungsaustrittsfläche (6) des Leuchtdiodenchips zugewandt, und der p-Typ Halbleiterbereich (2) ist einem Träger (7) des Leuchtdiodenchips zugewandt. Zwischen dem Träger (7) und dem p-Typ Halbleiterbereich (2) ist eine weniger als 500 nm dicke Stromaufweitungsschicht (1) angeordnet, die eine oder mehrere p-dotierte Al x Ga 1-x As-Schichten mit 0,5
摘要翻译：公开的是具有半导体层序列的发光二极管芯片（5），包括磷化合物半导体材料，该半导体层序列（5）具有p型半导体区域（2），n型半导体区域（4）之间的p型半导体区域（2）和布置在所述n型半导体区域（4）活性层（3）包括电磁辐射的发射。 n型半导体区域（4）是在LED芯片的面的辐射出射表面（6），和p型半导体区域（2）是发光二极管芯片的面的载体（7）。所述支撑件（7）和（2）位于所述p型半导体区域之间小于500纳米厚的电流扩散层（1），包括用0.5 <一个或多个p型AlxGa1-XAS层X = 1。

6. 发明申请

WO2010136304A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS 审中-公开
标题翻译：方法用于制造光电半导体元件
公开(公告)号：WO2010136304A1
公开(公告)日：2010-12-02
申请号：PCT/EP2010/055986
申请日：2010-05-03
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BAUR, Elmar , HEINDL, Alexander , BOEHM, Bernd , RODE, Patrick , ZULL, Heribert
发明人： BAUR, Elmar , HEINDL, Alexander , BOEHM, Bernd , RODE, Patrick , ZULL, Heribert
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/22 , G03F7/00
CPC分类号： H01L33/22 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01L33/005 , H01L33/20
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils angegeben, mit den folgenden Schritten: - Bereitstellen eines ersten Wafers (1), welcher eine strukturierte Oberfläche (11) aufweist, wobei die strukturierte Oberfläche (11) zumindest stellenweise durch Erhebungen (E1, E2) erster (H1) und zweiter Höhe (H2) gebildet ist, wobei die erste Höhe (H1) größer ist als die zweite Höhe (H2); - Bereitstellen eines zweiten Wafers (3); - Aufbringen eines Fotolacks (2) auf die Außenflächen des zweiten Wafers (3); - Strukturieren der dem zweiten Wafer (3) abgewandten Oberfläche des Fotolacks (2) durch Abdrucken der strukturierten Oberfläche (11) des ersten Wafers (1) in den Fotolack (2), wobei die Erhebungen (E1, E2) als Gräben (G1, G2) erster und zweiter Tiefe in den Fotolack (2) abgedruckt werden; - Anwendung eines Strukturierungsverf ahrens (6) auf die strukturierte Oberfläche (21) des Fotolacks (2), wobei - die auf dem Fotolack (2) aufgebrachte Struktur zumindest stellenweise auf die Außenfläche (30) des zweiten Wafers (3) übertragen wird.
摘要翻译：公开的是用于制造光电子半导体器件，其包括以下步骤的方法： - 提供（1）具有结构化表面（11），第一晶片，其中所述结构化表面（11）至少局部地通过凸起（E1，E2）首先（H1）形成，并且第二高度（H2），其中，所述第一高度（H1）比所述第二高度（H2）更大; - 提供第二晶片（3）; - 施加抗蚀剂（2）所述第二晶片的外表面（3）上; - 通过在光致抗蚀剂（2）压印在第一晶片（1）的图案化表面（11），图案化（3）的面向远离所述光致抗蚀剂（2）的表面的第二晶片，其中所述凸起（E1，E2）（如沟槽G1， G2）的第一和第二深度（在光致抗蚀剂2）将被打印; - 一个Strukturierungsverf Ahrens的（6）到所述光致抗蚀剂（2），其中，所述结构化表面（21）的应用 - 的光致抗蚀剂（2）施加的结构被至少局部地转移到第二晶片（3）的外表面（30）。

7. 发明申请

WO2011110274A1 FAHRZEUG MIT EINEM SICHERHEITSGURTSYSTEM 审中-公开
标题翻译：具有安全系统车辆
公开(公告)号：WO2011110274A1
公开(公告)日：2011-09-15
申请号：PCT/EP2011/000694
申请日：2011-02-15
申请人： VOLKSWAGEN AKTIENGESELLSCHAFT , BAUR, Elmar
发明人： BAUR, Elmar
IPC分类号： B60R22/02 , B60R22/48 , B60N2/68
CPC分类号： B60R22/023 , B60N2/688 , B60R22/48 , B60R2022/028 , B60R2022/485
摘要： Die Erfindung betrifft ein Fahrzeug mit zumindest einem Fahrzeugsitz (1) mit einer neigungsverstellbaren Rückenlehne (27) und einer Steuereinrichtung (45), mit der auf eine Vorgabe eines Sitzbenutzers die Rückenlehne (27) in eine Liegeposition mit größerem Neigungswinkel ansteuerbar ist. Erfindungsgemäß ist die Steuereinrichtung (45) mit einer Überwachungseinrichtung (51) in Signalverbindung, die zumindest einen Gurtparameter erfasst, mit dem ermittelbar ist, ob in der Liegeposition ein einwandfreier Gurtverlauf eines am Sitzbenutzer angelegten Sicherheitsgurts (13, 15) gewährleistet ist.
摘要翻译：本发明涉及一种车辆用至少一种车辆座椅（1）的倾斜可调节靠背（27）和控制装置（45），与该座椅靠背向座椅乘员的默认值（27）与倾斜一个更大的角度的躺卧位置控制。根据本发明，具有一个监视设备（51）的控制装置（45）是在信号连接至少检测一个Gurtparameter，可以与是否在倾斜位置的施加于座椅的乘员的安全带（13,15）保证了完善的带定位来确定。

8. 发明申请

WO2010091936A1 VERFAHREN ZUR STRUKTURIERUNG EINER HALBLEITEROBERFLÄCHE UND HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：方法构建半导体表面及半导体晶片
公开(公告)号：WO2010091936A1
公开(公告)日：2010-08-19
申请号：PCT/EP2010/050742
申请日：2010-01-22
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH , BAUR, Elmar , BÖHM, Bernd , HEINDL, Alexander , RODE, Patrick , SABATHIL, Matthias
发明人： BAUR, Elmar , BÖHM, Bernd , HEINDL, Alexander , RODE, Patrick , SABATHIL, Matthias
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/22
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/0062
摘要： Es wird ein Verfahren zur Strukturierung einer Halbleiteroberfläche angegeben, mit den folgenden Schritten: Bereitstellen eines ersten Wafers (1), welcher eine strukturierte Oberfläche (11) aufweist; Bereitstellen eines zweiten Halbleiterwafers (3); Aufbringen eines Fotolacks (2) auf die Außenflächen des zweiten Halbleiterwafers (3); Strukturieren der dem zweiten Halbleiterwafer (3) abgewandten Oberfläche des Fotolacks (2) durch Abdrucken der strukturierten Oberfläche (11) des ersten Wafers (1) in den Fotolack (2); Anwendung eines Strukturierungsverfahrens (6) auf die strukturierte Oberfläche (21) des Fotolacks (2), wobei die auf dem Fotolack (2) aufgebrachte Struktur zumindest stellenweise auf die Außenfläche (31) des zweiten Halbleiterwafers (3) übertragen wird.
摘要翻译：提供了一种用于图案化的半导体表面，其包括以下步骤提供了一种方法：提供（1）具有结构化表面（11）的第一晶片; 提供第二半导体晶片（3）; 施加光刻胶（2）到所述第二半导体晶片（3）的外表面; 光致抗蚀剂（2）的表面形成图案，以在第二半导体晶片（3）的面向远离通过在光致抗蚀剂（2）压印在第一晶片（1）的图案化表面（11）; 光致抗蚀剂的结构化表面（21）上施加图案化工艺（6）（2），其中，所述光致抗蚀剂（2）（3）发送的第二半导体晶片的外表面（31）上至少局部地施加结构。

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