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1. 发明申请

WO2009044645A1 フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法审中-公开
标题翻译： PHOTOMASK BLANK及其制造方法
公开(公告)号：WO2009044645A1
公开(公告)日：2009-04-09
申请号：PCT/JP2008/067094
申请日：2008-09-22
申请人： HOYA株式会社 , 細谷守男 , 野澤順 , 鈴木寿幸 , 小湊淳志 , 大久保靖
发明人：細谷守男 , 野澤順 , 鈴木寿幸 , 小湊淳志 , 大久保靖
IPC分类号： G03F1/08 , G03F1/14 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/32
摘要：　パターン転写時の露光装置に高ＮＡの露光方法を利用した場合の焦点深度による影響に対応でき、デバイス上にハーフピッチ４５ｎｍ以下の高精度の微細パターンを形成するのに好適な遮光膜を備えたフォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法を提供する。　透光性基板１上に遮光膜２を有するフォトマスクブランク１０であって、前記遮光膜２は、金属と珪素（Ｓｉ）を含み、該金属の含有量が、金属と珪素（Ｓｉ）との合計に対し６原子％未満である。また、このフォトマスクブランク１０における上記遮光膜２をドライエッチング処理によりパターニングすることにより、フォトマスクを製造する。
摘要翻译：提供了一种光掩模坯料，其可以在用于图案转印的曝光装置中采用高NA曝光方法时可以应对焦点深度的影响，并且具有适合于以45nm的半间距形成高精度精细图案的遮光膜或更少。还提供了一种制造光掩模的方法。光掩模坯料（10）在透光基板（1）上设置有遮光膜（2）。遮光膜（2）包括金属和硅（Si），金属的含量相对于金属和硅（Si）的总量为6原子％以下。通过干法蚀刻在光掩模坯料（10）中图案化遮光膜（2）来制造光掩模。

2. 发明申请

WO2008139904A1 フォトマスクブランク及びフォトマスク审中-公开
标题翻译： PHOTOMASK BLANK和PHOTOMASK
公开(公告)号：WO2008139904A1
公开(公告)日：2008-11-20
申请号：PCT/JP2008/058129
申请日：2008-04-25
申请人： HOYA株式会社 , 鈴木寿幸 , 小湊淳志 , 大久保靖 , 野澤順 , 細谷守男
发明人：鈴木寿幸 , 小湊淳志 , 大久保靖 , 野澤順 , 細谷守男
IPC分类号： G03F1/08 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/46 , G03F1/32 , G03F1/38
摘要：［課題］ＡｒＦエキシマレーザを用いたの露光方法に適したフォトマスクブランク及びフォトマスクを提供する。［解決手段］２００ｎｍ以下の露光光波長に供されるフォトマスクの素材であり、透明基板上に遮光性膜を備えるフォトマスクブランクであって、　前記遮光性膜は、　珪素及び遷移金属を主成分として含み、膜の屈折率ｎ１が１．０～１．７、膜の消衰係数ｋ１が２．５～３．５、膜厚ｔ１が２０～５０ｎｍである遮光膜と、　前記遮光膜の上に接して形成された表面反射防止膜と、　前記遮光膜の下に接して形成され、珪素、遷移金属、酸素及び窒素を含み、膜の屈折率ｎ２が１．０～３．５、膜の消衰係数ｋ２が２．５以下、膜厚ｔ２が５～４０ｎｍである裏面反射防止膜とを備え、　ｎ１＜ｎ２又はｋ１＞ｋ２の関係、かつｔ１＞ｔ２の関係を満たし、　遮光性膜全体の膜厚が６２ｎｍ以下であることを特徴とする。
摘要翻译：公开了一种光掩模坯料和光掩模，其适用于使用ArF准分子激光的曝光方法。具体公开了一种光掩模坯料，其包括透明基板上的遮光膜，该透明基板是用于将光掩模暴露于200nm以下的曝光光的材料。该光掩模坯料的特征在于，遮光膜包括主要含有硅和过渡金属并且折射率n <1> 1.0-1.7的阻光膜，消光系数k _{1 <2.5> 2.5，厚度t <1> 20〜20nm; 形成在遮光膜的上表面上的前部防反射膜; 以及形成在遮光膜的下表面上的后部防反射膜，其具有含有硅，过渡金属，氧和氮的同时折射率n <2N> 1.0-3.5，消光系数k 2 2不大于2.5，厚度t 2 <2> 5〜5nm。该光掩模坯料的特征还在于，具有以下关系：n 1 2 N 2或k 1 k 2 2 / >和t 1＆gt; 2＆lt; 2＆lt; 2＆gt;均满足，遮光膜的总厚度不大于62nm。}

3. 发明申请

WO2009123172A1 フォトマスクブランク、フォトマスクおよびフォトマスクブランクの製造方法审中-公开
标题翻译： PHOTOMASK BLANK，PHOTOMASK，以及制造光电白皮书的方法
公开(公告)号：WO2009123172A1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：PCT/JP2009/056611
申请日：2009-03-31
申请人： HOYA株式会社 , 岩下浩之 , 宍戸博明 , 小湊淳志 , 橋本雅広 , 細谷守男
发明人：岩下浩之 , 宍戸博明 , 小湊淳志 , 橋本雅広 , 細谷守男
IPC分类号： G03F1/08 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/22 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80 , H01L21/0274
摘要：　ＡｒＦエキシマレーザ光が適用されるフォトマスクを作製するために用いられるフォトマスクブランクであって、　透光性基板上に、多層構造の薄膜を有し、　前記薄膜の最上層は、クロムと、窒素、酸素および炭素のうち少なくとも一つとを含む材料からなるアモルファス構造であるフォトマスクブランク。
摘要翻译：公开了一种光掩模坯料，用于制造施加ArF准分子激光的光掩模。光掩模坯料在半透明基材上具有非晶结构的薄多层膜。薄膜的最上层包括包含铬和以下至少一种的成分：氮，氧和碳。

4. 发明申请

WO2003085709A1 反射型マスクブランク及び反射型マスク並びにそれらの製造方法审中-公开
标题翻译：反射型遮罩和反射型掩膜及其生产方法
公开(公告)号：WO2003085709A1
公开(公告)日：2003-10-16
申请号：PCT/JP2003/004615
申请日：2003-04-11
申请人： HOYA株式会社 , 石橋信一 , 笑喜勉 , 細谷守男 , 塩田勇樹 , 暮石光浩
发明人：石橋信一 , 笑喜勉 , 細谷守男 , 塩田勇樹 , 暮石光浩
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24 , G03F1/58 , G03F1/74 , Y10T428/31616
摘要：反射型マスクブランクは、基板（１１）を有し、その上に、極端紫外線領域を含む短波長域の露光光を反射する反射層（１２）及び露光光を吸収する吸収体層（１６）が順に形成されている。吸収体層（１６）が、極端紫外線領域を含む短波長域の露光光の吸収体で構成する露光光吸収層（１４）を下層とし、マスクパターンの検査に使用する検査光の吸収体で構成する低反射率層（１５）を上層とする少なくとも二層の構造をもつ。上層は、タンタル（Ｔａ）とホウ素（Ｂ）と窒素（Ｎ）を含む材料からなり、Ｂの含有率が５ａｔ％～３０ａｔ％であり、且つ、ＴａとＮの組成比（Ｔａ：Ｎ）が８：１～２：７の範囲である。あるいは、反射型マスクブランクは、基板を有し、その基板上に多層反射膜及び吸収体層が順に形成されているものであっても良い。この場合、吸収体層がタンタル（Ｔａ）とホウ素（Ｂ）と窒素（Ｎ）を含む材料からなり、Ｂの含有率が５ａｔ％～２５ａｔ％であり、且つ、ＴａとＮの組成比（Ｔａ：Ｎ）が８：１～２：７の範囲である。
摘要翻译：一种反射型掩模坯料，包括基板（11），并且依次形成有用于反射包括极紫外区域的短波区域中的曝光用光的反射层（12）和吸收层曝光灯吸收层（16）具有由下层组成的至少两层的结构，曝光光吸收层（14）由包括极紫外区域的短波区域中的曝光光的吸收体构成，并且上层，由用于掩模图案检查的检查光的吸收体构成的低反射率层（15）。上层由含钽（Ta），硼（B）和氮（N）的材料组成，B含量为5原子％-30原子％，Ta和N（Ta：N）的组成比为8：1 至2：7。或者，反射型掩模坯料可以包括基底，并且依次形成多层反射膜和吸收层，其中吸收层由含有钽（Ta），硼（B）和氮（ N），B含量为5原子％-25原子％，Ta与N（Ta：N）的组成比为8：1〜2：7。

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