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1. 发明申请

WO2009123172A1 フォトマスクブランク、フォトマスクおよびフォトマスクブランクの製造方法审中-公开
标题翻译： PHOTOMASK BLANK，PHOTOMASK，以及制造光电白皮书的方法
公开(公告)号：WO2009123172A1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：PCT/JP2009/056611
申请日：2009-03-31
申请人： HOYA株式会社 , 岩下浩之 , 宍戸博明 , 小湊淳志 , 橋本雅広 , 細谷守男
发明人：岩下浩之 , 宍戸博明 , 小湊淳志 , 橋本雅広 , 細谷守男
IPC分类号： G03F1/08 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/22 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80 , H01L21/0274
摘要：　ＡｒＦエキシマレーザ光が適用されるフォトマスクを作製するために用いられるフォトマスクブランクであって、　透光性基板上に、多層構造の薄膜を有し、　前記薄膜の最上層は、クロムと、窒素、酸素および炭素のうち少なくとも一つとを含む材料からなるアモルファス構造であるフォトマスクブランク。
摘要翻译：公开了一种光掩模坯料，用于制造施加ArF准分子激光的光掩模。光掩模坯料在半透明基材上具有非晶结构的薄多层膜。薄膜的最上层包括包含铬和以下至少一种的成分：氮，氧和碳。

2. 发明申请

WO2009123170A1 フォトマスクブランク、フォトマスクおよびフォトマスクブランクの製造方法审中-公开
标题翻译： PHOTOMASK BLANK，PHOTOMASK和制造光电隔离层的方法
公开(公告)号：WO2009123170A1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：PCT/JP2009/056608
申请日：2009-03-31
申请人： HOYA株式会社 , 岩下浩之 , 宍戸博明 , 小湊淳志 , 橋本雅広
发明人：岩下浩之 , 宍戸博明 , 小湊淳志 , 橋本雅広
IPC分类号： G03F1/08 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/22 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80 , H01L21/0274
摘要：　ＡｒＦエキシマレーザ光が適用されるフォトマスクを作製するために用いられるフォトマスクブランクであって、透光性基板上に遮光膜を有し、前記遮光膜は、透光性基板に近い側から裏面反射防止層、遮光層および表面反射防止層が順に積層された積層構造を有し、遮光膜全体の膜厚が６０ｎｍ以下であり、裏面反射防止層は、金属を含有する膜からなり、第１のエッチング速度を有し、表面反射防止層は、金属を含有する膜からなり、第３のエッチング速度を有し、遮光層は、裏面反射防止層または表面反射防止層に含まれる金属と同じ金属を含有する膜からなり、第１のエッチング速度および第３のエッチング速度よりも遅い第２のエッチング速度を有し、遮光層の膜厚は、遮光膜全体の膜厚の３０％以下であることを特徴とするフォトマスクブランク。
摘要翻译：提供了一种用于制造施加了ArF准分子激光束的光掩模的光掩模坯料。光掩模坯料的特征在于在透光基板上具有遮光膜，其中遮光膜具有层叠结构，其中后表面防反射层，遮光层和前表面抗反射层依次从靠近透光基板的一侧，整个遮光膜的厚度为60nm以下，后表面防反射层由含有金属的膜构成，具有第一蚀刻速度，前表面防反射层由膜并且具有第三蚀刻速率，遮光层由包含与后表面抗反射层或前表面抗反射层中所含的金属相同的金属的膜构成，并且具有比第一蚀刻速率慢的第二蚀刻速率，第三蚀刻范围，遮光层的厚度为整个Li的厚度的30％以下屏蔽膜。

3. 发明申请

WO2009123167A1 フォトマスクブランクおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：照相机空白及其制造方法
公开(公告)号：WO2009123167A1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：PCT/JP2009/056604
申请日：2009-03-31
申请人： HOYA株式会社 , 岩下浩之 , 宍戸博明 , 小湊淳志 , 橋本雅広
发明人：岩下浩之 , 宍戸博明 , 小湊淳志 , 橋本雅広
IPC分类号： G03F1/08 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/32
摘要：　透光性基板上に複数の層からなる遮光膜を有するフォトマスクブランクであって、その最も表面にある層がＣｒＯ、ＣｒＯＮ、ＣｒＮ、ＣｒＯＣまたはＣｒＯＣＮからなり、前記遮光膜の表面部の原子数密度が９～１４×１０２２ａｔｍｓ／ｃｍ３であるフォトマスクブランク
摘要翻译：公开了一种光掩模坯料，其具有位于半透明基板顶部的多层遮光膜，所述遮光膜的最表面层包括CrO，CrON，CrN，CrOC或CrOCN，并且所述遮光膜的表面具有原子密度为9×1022atms / cm3至14×1022atms / cm3。

4. 发明申请

WO2009123166A1 フォトマスクブランクおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：照相机空白及其制造方法
公开(公告)号：WO2009123166A1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：PCT/JP2009/056603
申请日：2009-03-31
申请人： HOYA株式会社 , 岩下浩之 , 宍戸博明 , 小湊淳志 , 橋本雅広
发明人：岩下浩之 , 宍戸博明 , 小湊淳志 , 橋本雅広
IPC分类号： G03F1/08 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/32 , G03F1/50
摘要：　透光性基板上に複数の層からなる遮光膜を有するフォトマスクブランクであって、その最も表面にある層がＣｒＯ、ＣｒＯＮ、ＣｒＮ、ＣｒＯＣまたはＣｒＯＣＮからなり、前記遮光膜の表面部の原子数密度が９～１４×１０２２ａｔｍｓ／ｃｍ３であるフォトマスクブランク
摘要翻译：公开了一种在半透明基板上具有多层遮光膜的光掩模坯料，所述遮光膜的最表面层包含CrO，CrON，CrN，CrOC或CrOCN，并且所述遮光膜的表面具有原子密度为9×1022atms / cm3至14×1022atms / cm3。

5. 发明申请

WO2009123171A1 フォトマスクブランク、フォトマスクおよびフォトマスクブランクの製造方法审中-公开
标题翻译： PHOTOMASK BLANK，PHOTOMASK和制造光电隔离层的方法
公开(公告)号：WO2009123171A1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：PCT/JP2009/056610
申请日：2009-03-31
申请人： HOYA株式会社 , 岩下浩之 , 宍戸博明 , 小湊淳志 , 橋本雅広
发明人：岩下浩之 , 宍戸博明 , 小湊淳志 , 橋本雅広
IPC分类号： G03F1/08 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80
摘要：　ＡｒＦエキシマレーザ光が適用されるフォトマスクを作製するために用いられるフォトマスクブランクであって；透光性基板上に遮光膜を有し；前記遮光膜は、透光性基板に近い側から裏面反射防止層、遮光層および表面反射防止層が順に積層された積層構造を有し；遮光膜全体の膜厚が７０ｎｍ以下であり；裏面反射防止層は、金属を含有する膜からなり、第１のエッチング速度を有し；表面反射防止層は、金属を含有する膜からなり、第３のエッチング速度を有し；遮光層は、裏面反射防止層または表面反射防止層に含まれる金属と同じ金属を含有する膜からなり、第１のエッチング速度および第３のエッチング速度よりも遅い第２のエッチング速度を有し；遮光層の膜厚は、遮光膜全体の膜厚の４５％以下であることを特徴とするフォトマスクブランク。
摘要翻译：提供了一种用于制造施加了ArF准分子激光束的光掩模的光掩模坯料。光掩模坯料的特征在于在透光基板上具有遮光膜，其中遮光膜具有层叠结构，其中后表面防反射层，遮光层和前表面抗反射层依次从靠近透光基板的一侧，整个遮光膜的厚度为70nm以下，背面防反射层由含有金属的膜构成，具有第一蚀刻速度，前表面防反射层由膜并且具有第三蚀刻速率，遮光层由包含与后表面抗反射层或前表面抗反射层中所含的金属相同的金属的膜构成，并且具有比第一蚀刻速率慢的第二蚀刻速率，第三蚀刻范围，遮光层的厚度为整个Li的厚度的45％以下屏蔽膜。

6. 发明申请

WO2007029826A1 フォトマスクブランクとその製造方法、及びフォトマスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：光电隔离膜及其制造方法，以及光电子产生方法和半导体器件生产方法
公开(公告)号：WO2007029826A1
公开(公告)日：2007-03-15
申请号：PCT/JP2006/317893
申请日：2006-09-08
申请人： HOYA株式会社 , 山田剛之 , 小湊淳志 , 岩下浩之 , 橋本雅広 , 大久保靖
发明人：山田剛之 , 小湊淳志 , 岩下浩之 , 橋本雅広 , 大久保靖
IPC分类号： G03F1/08 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/32 , G03F1/50 , G03F1/54 , G03F1/80
摘要：　レジストパターンを形成するための電子線描画によるチャージアップを抑制できるフォトマスクブランク、遮光膜の深さ方向でのドライエッチング速度を最適化させ良好なパターン精度が得られるフォトマスクブランク、遮光膜のドライエッチング速度を高めることでドライエッチング時間が短縮できるフォトマスクブランクを提供する。　本発明のフォトマスクブランクは、透光性基板上に主にクロムを含む材料からなる遮光膜を有するフォトマスクブランクにおいて、上記遮光膜は、水素を含む材料からなる。また、上記遮光膜は、透光性基板側に形成する層の成膜速度よりも遮光膜の表面側に形成する層の成膜速度を遅くして形成する。また、上記遮光膜の透光性基板側におけるドライエッチング速度を、遮光膜の表面側におけるドライエッチング速度よりも遅くさせるようにした。
摘要翻译：一种能够通过用于形成抗蚀剂图案的电子束拉伸来限制充电的光掩模坯料，用于优化屏蔽膜深度方向的干蚀刻速度的令人满意的光掩模坯料，能够缩短干蚀刻时间的光掩模坯料提高屏蔽膜的干蚀刻速度。所述光掩模坯料在半透明基板上具有由主要含铬的材料构成的屏蔽膜，其中所述屏蔽膜由含氢的材料构成。形成屏蔽膜，使得形成在透光性基板侧的层的成膜速度高于形成在屏蔽膜的表面侧的层的成膜速度。屏蔽膜的透光性基板侧的干蚀刻速度被设定为低于屏蔽膜的表面侧的蚀刻速度。

7. 发明申请

WO2007074806A1 フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译： PHOTOMASK BLANK，光电制造方法和半导体器件制造方法
公开(公告)号：WO2007074806A1
公开(公告)日：2007-07-05
申请号：PCT/JP2006/325863
申请日：2006-12-26
申请人： HOYA株式会社 , 山田剛之 , 岩下浩之 , 牛田正男
发明人：山田剛之 , 岩下浩之 , 牛田正男
IPC分类号： G03F1/08
CPC分类号： G03F1/32 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80
摘要：　遮光膜のドライエッチング速度を高めることで、ドライエッチング時間が短縮でき、レジスト膜の膜減りを低減することができ、レジスト膜を薄膜化して解像性、パターン精度（ＣＤ精度）を向上でき、ドライエッチング時間の短縮化による断面形状の良好な遮光膜のパターンが形成することができるフォトマスクブランクを提供する。　本発明は、透光性基板上に遮光膜を有するフォトマスクブランクにおいて、該フォトマスクブランクは、遮光膜上に形成されるマスクパターンをマスクにしてドライエッチング処理により、遮光膜をパターニングするフォトマスクの作製方法に対応するドライエッチング処理用のフォトマスクブランクであって、前記遮光膜は、主にクロム（Ｃｒ）と窒素（Ｎ）とを含む材料からなり、かつ、Ｘ線回折による回折ピークが実質的にＣｒＮ（２００）である。また、前記遮光膜は、クロム（Ｃｒ）を基準としたときに窒素（Ｎ）が深さ方向に略均一に含まれている。
摘要翻译：提供一种光掩模坯料，通过增加遮光膜的干蚀刻速度来缩短干蚀刻时间，通过使抗蚀剂膜变薄来提高抗蚀剂膜的还原性，分辨率和图案精度（CD精度）得到改善通过缩短的干蚀刻时间形成具有优异横截面形状的屏蔽膜图案。光掩模坯料在透光基板上具有遮光膜。提供了用于干蚀刻的光掩模坯料，其适用于通过使用形成在遮光膜上的掩模图案作为掩模通过干法蚀刻来对遮光膜进行图案化的光掩模制造方法。遮光膜由主要包含铬（Cr）和氮（N）的材料构成，并且在X射线衍射中基本上具有CrN（200）的衍射峰。此外，通过使铬（Cr）作为基准，遮光膜包括在深度方向上基本均匀的氮（N）。

8. 发明申请

WO2007037383A1 フォトマスクブランク及びその製造方法、フォトマスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：光电隔离膜及其制造方法，用于生产光聚合物的方法以及生产半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2007037383A1
公开(公告)日：2007-04-05
申请号：PCT/JP2006/319491
申请日：2006-09-29
申请人： HOYA株式会社 , 山田剛之 , 大久保靖 , 牛田正男 , 岩下浩之
发明人：山田剛之 , 大久保靖 , 牛田正男 , 岩下浩之
IPC分类号： G03F1/08
CPC分类号： G03F1/54 , G03F1/32
摘要：　遮光膜のパターニング時に良好な平坦度を有することで、良好なマスクパターン精度及びパターン転写精度が得られるフォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法を提供する。　本発明では、透光性基板上に少なくともクロムを含む遮光膜を有するフォトマスクブランクであって、前記遮光膜上に形成されるレジスト膜に応じた加熱処理による遮光膜の膜応力変化を見込んで、この膜応力変化とは反対方向の所望の膜応力を生じる遮光膜を形成する。このフォトマスクブランクにおける上記遮光膜をドライエッチング処理によりパターニングすることにより、フォトマスクを製造する。
摘要翻译：本发明提供一种光掩模坯料，其在遮光膜的图案化中具有良好的平坦度，因此可以提供良好的掩模图案精度和图案转印精度，以及制造光掩模的工艺。在包含在透光性基板上至少含有铬的遮光膜的光掩模坯料中，通过根据形成在遮光膜上的抗蚀剂膜进行热处理而允许遮光膜的膜应力变化，形成与膜应力变化相反的方向产生期望的膜应力的屏蔽膜。通过干蚀刻处理对光掩模坯料中的遮光膜进行图案化来制造光掩模。

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