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1. 发明申请

WO2009123170A1 フォトマスクブランク、フォトマスクおよびフォトマスクブランクの製造方法审中-公开
标题翻译： PHOTOMASK BLANK，PHOTOMASK和制造光电隔离层的方法
公开(公告)号：WO2009123170A1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：PCT/JP2009/056608
申请日：2009-03-31
申请人： HOYA株式会社 , 岩下浩之 , 宍戸博明 , 小湊淳志 , 橋本雅広
发明人：岩下浩之 , 宍戸博明 , 小湊淳志 , 橋本雅広
IPC分类号： G03F1/08 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/22 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80 , H01L21/0274
摘要：　ＡｒＦエキシマレーザ光が適用されるフォトマスクを作製するために用いられるフォトマスクブランクであって、透光性基板上に遮光膜を有し、前記遮光膜は、透光性基板に近い側から裏面反射防止層、遮光層および表面反射防止層が順に積層された積層構造を有し、遮光膜全体の膜厚が６０ｎｍ以下であり、裏面反射防止層は、金属を含有する膜からなり、第１のエッチング速度を有し、表面反射防止層は、金属を含有する膜からなり、第３のエッチング速度を有し、遮光層は、裏面反射防止層または表面反射防止層に含まれる金属と同じ金属を含有する膜からなり、第１のエッチング速度および第３のエッチング速度よりも遅い第２のエッチング速度を有し、遮光層の膜厚は、遮光膜全体の膜厚の３０％以下であることを特徴とするフォトマスクブランク。
摘要翻译：提供了一种用于制造施加了ArF准分子激光束的光掩模的光掩模坯料。光掩模坯料的特征在于在透光基板上具有遮光膜，其中遮光膜具有层叠结构，其中后表面防反射层，遮光层和前表面抗反射层依次从靠近透光基板的一侧，整个遮光膜的厚度为60nm以下，后表面防反射层由含有金属的膜构成，具有第一蚀刻速度，前表面防反射层由膜并且具有第三蚀刻速率，遮光层由包含与后表面抗反射层或前表面抗反射层中所含的金属相同的金属的膜构成，并且具有比第一蚀刻速率慢的第二蚀刻速率，第三蚀刻范围，遮光层的厚度为整个Li的厚度的30％以下屏蔽膜。

2. 发明申请

WO2009123167A1 フォトマスクブランクおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：照相机空白及其制造方法
公开(公告)号：WO2009123167A1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：PCT/JP2009/056604
申请日：2009-03-31
申请人： HOYA株式会社 , 岩下浩之 , 宍戸博明 , 小湊淳志 , 橋本雅広
发明人：岩下浩之 , 宍戸博明 , 小湊淳志 , 橋本雅広
IPC分类号： G03F1/08 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/32
摘要：　透光性基板上に複数の層からなる遮光膜を有するフォトマスクブランクであって、その最も表面にある層がＣｒＯ、ＣｒＯＮ、ＣｒＮ、ＣｒＯＣまたはＣｒＯＣＮからなり、前記遮光膜の表面部の原子数密度が９～１４×１０２２ａｔｍｓ／ｃｍ３であるフォトマスクブランク
摘要翻译：公开了一种光掩模坯料，其具有位于半透明基板顶部的多层遮光膜，所述遮光膜的最表面层包括CrO，CrON，CrN，CrOC或CrOCN，并且所述遮光膜的表面具有原子密度为9×1022atms / cm3至14×1022atms / cm3。

3. 发明申请

WO2009044645A1 フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法审中-公开
标题翻译： PHOTOMASK BLANK及其制造方法
公开(公告)号：WO2009044645A1
公开(公告)日：2009-04-09
申请号：PCT/JP2008/067094
申请日：2008-09-22
申请人： HOYA株式会社 , 細谷守男 , 野澤順 , 鈴木寿幸 , 小湊淳志 , 大久保靖
发明人：細谷守男 , 野澤順 , 鈴木寿幸 , 小湊淳志 , 大久保靖
IPC分类号： G03F1/08 , G03F1/14 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/32
摘要：　パターン転写時の露光装置に高ＮＡの露光方法を利用した場合の焦点深度による影響に対応でき、デバイス上にハーフピッチ４５ｎｍ以下の高精度の微細パターンを形成するのに好適な遮光膜を備えたフォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法を提供する。　透光性基板１上に遮光膜２を有するフォトマスクブランク１０であって、前記遮光膜２は、金属と珪素（Ｓｉ）を含み、該金属の含有量が、金属と珪素（Ｓｉ）との合計に対し６原子％未満である。また、このフォトマスクブランク１０における上記遮光膜２をドライエッチング処理によりパターニングすることにより、フォトマスクを製造する。
摘要翻译：提供了一种光掩模坯料，其可以在用于图案转印的曝光装置中采用高NA曝光方法时可以应对焦点深度的影响，并且具有适合于以45nm的半间距形成高精度精细图案的遮光膜或更少。还提供了一种制造光掩模的方法。光掩模坯料（10）在透光基板（1）上设置有遮光膜（2）。遮光膜（2）包括金属和硅（Si），金属的含量相对于金属和硅（Si）的总量为6原子％以下。通过干法蚀刻在光掩模坯料（10）中图案化遮光膜（2）来制造光掩模。

4. 发明申请

WO2009123166A1 フォトマスクブランクおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：照相机空白及其制造方法
公开(公告)号：WO2009123166A1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：PCT/JP2009/056603
申请日：2009-03-31
申请人： HOYA株式会社 , 岩下浩之 , 宍戸博明 , 小湊淳志 , 橋本雅広
发明人：岩下浩之 , 宍戸博明 , 小湊淳志 , 橋本雅広
IPC分类号： G03F1/08 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/32 , G03F1/50
摘要：　透光性基板上に複数の層からなる遮光膜を有するフォトマスクブランクであって、その最も表面にある層がＣｒＯ、ＣｒＯＮ、ＣｒＮ、ＣｒＯＣまたはＣｒＯＣＮからなり、前記遮光膜の表面部の原子数密度が９～１４×１０２２ａｔｍｓ／ｃｍ３であるフォトマスクブランク
摘要翻译：公开了一种在半透明基板上具有多层遮光膜的光掩模坯料，所述遮光膜的最表面层包含CrO，CrON，CrN，CrOC或CrOCN，并且所述遮光膜的表面具有原子密度为9×1022atms / cm3至14×1022atms / cm3。

5. 发明申请

WO2010050447A1 フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法审中-公开
标题翻译： PHOTOMASK BLANK，PHOTOMASK和制造光电子的方法
公开(公告)号：WO2010050447A1
公开(公告)日：2010-05-06
申请号：PCT/JP2009/068359
申请日：2009-10-27
申请人： HOYA株式会社 , 岩下浩之 , 小湊淳志 , 橋本雅広 , 宍戸博明
发明人：岩下　浩之 , 小湊　淳志 , 橋本　雅広 , 宍戸　博明
IPC分类号： G03F1/14 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/50 , G03F1/46 , G03F1/54
摘要：　波長２００ｎｍ以下の露光光が適用されるフォトマスク（１００）を作製するために用いられるフォトマスクブランクである。フォトマスクブランクは、透光性基板（１）と、該透光性基板上に形成された遮光膜（１０）とを備える。遮光膜は、遷移金属及びシリコンを含む遮光層（１２）と、該遮光層の上に接して形成され、酸素及び窒素のうち少なくとも一方を含む材料からなる表面反射防止層（１３）とを有する。遮光膜は、露光光に対する表面反射率が所定値以下であり、かつ、表面反射防止層の膜厚が２ｎｍの範囲で変動した場合において、露光波長における表面反射率をその変動幅が２％以内となるように制御できる特性を有する。この特性が得られるような屈折率ｎ及び消衰係数ｋを有する表面反射防止層の材料を選定する。
摘要翻译：提供了一种用于制造要施加200nm或更小的波长的曝光光的光掩模（100）的光掩模坯料。光掩模坯料设置有透光基板（1）和形成在透光基板上的遮光膜（10）。遮光膜具有含有过渡金属和硅的遮光层（12）和形成在与遮光层接触的遮光层上的表面反射防止层（13），其由含有氧和/或氮的材料。在曝光光的表面反射率为规定值以下，表面反射防止层的膜厚在2nm的范围内发生波动的情况下，遮光膜具有控制表面反射率的特性，使得波动曝光波长范围在2％以内。选择具有赋予这种特性的折射率（n）和消光系数（k）的表面反射防止层材料。

6. 发明申请

WO2009157506A1 位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスク审中-公开
标题翻译：相移屏蔽层和相位移屏蔽
公开(公告)号：WO2009157506A1
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：PCT/JP2009/061574
申请日：2009-06-25
申请人： HOYA株式会社 , 岩下浩之 , 宍戸博明 , 小湊淳志 , 橋本雅広
发明人：岩下　浩之 , 宍戸　博明 , 小湊　淳志 , 橋本　雅広
IPC分类号： G03F1/08
CPC分类号： G03F1/58 , G03F1/32
摘要：　ＡｒＦエキシマレーザ光が適用されるフォトマスクを作製するために用いられるフォトマスクブランクであって、透光性基板（１０）上に遮光膜（１，２，３）を有し、前記遮光膜は、透光性基板に近い側から下層（３）、中間層（２）および上層（１）が順に積層された積層構造を有し、遮光膜全体の膜厚が６０ｎｍ以下であり、下層は、金属を含有する膜からなり、第１のエッチング速度を有し、上層は、金属を含有する膜からなり、第３のエッチング速度を有し、中間層は、下層または上層に含まれる金属と同じ金属を含有する膜からなり、第１のエッチング速度および第３のエッチング速度よりも遅い第２のエッチング速度を有し、中間層の膜厚は、遮光膜全体の膜厚の３０％以下であることを特徴とするフォトマスクブランク。
摘要翻译：公开了一种光掩模坯料，其用于制造施加了ArF准分子激光的光掩模。光掩模坯料的特征在于在透光性基板（10）上具有遮光膜（1,2,3）。光掩模坯料的特征还在于，遮光膜具有多层结构，其中下层（3），中间层（2）和上层（1）依次从光透射基板侧; 遮光膜整体的厚度不大于60nm; 下层由含有金属的膜构成，具有第一蚀刻速度; 上层由含有金属的膜构成，具有第三蚀刻速度; 中间层由含有与下层或上层中含有的金属相同的金属的膜构成，并且具有比第一蚀刻速率和第三蚀刻速率低的第二蚀刻速率; 并且中间层的膜厚度整体上不超过遮光膜的膜厚的30％。

7. 发明申请

WO2008139904A1 フォトマスクブランク及びフォトマスク审中-公开
标题翻译： PHOTOMASK BLANK和PHOTOMASK
公开(公告)号：WO2008139904A1
公开(公告)日：2008-11-20
申请号：PCT/JP2008/058129
申请日：2008-04-25
申请人： HOYA株式会社 , 鈴木寿幸 , 小湊淳志 , 大久保靖 , 野澤順 , 細谷守男
发明人：鈴木寿幸 , 小湊淳志 , 大久保靖 , 野澤順 , 細谷守男
IPC分类号： G03F1/08 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/46 , G03F1/32 , G03F1/38
摘要：［課題］ＡｒＦエキシマレーザを用いたの露光方法に適したフォトマスクブランク及びフォトマスクを提供する。［解決手段］２００ｎｍ以下の露光光波長に供されるフォトマスクの素材であり、透明基板上に遮光性膜を備えるフォトマスクブランクであって、　前記遮光性膜は、　珪素及び遷移金属を主成分として含み、膜の屈折率ｎ１が１．０～１．７、膜の消衰係数ｋ１が２．５～３．５、膜厚ｔ１が２０～５０ｎｍである遮光膜と、　前記遮光膜の上に接して形成された表面反射防止膜と、　前記遮光膜の下に接して形成され、珪素、遷移金属、酸素及び窒素を含み、膜の屈折率ｎ２が１．０～３．５、膜の消衰係数ｋ２が２．５以下、膜厚ｔ２が５～４０ｎｍである裏面反射防止膜とを備え、　ｎ１＜ｎ２又はｋ１＞ｋ２の関係、かつｔ１＞ｔ２の関係を満たし、　遮光性膜全体の膜厚が６２ｎｍ以下であることを特徴とする。
摘要翻译：公开了一种光掩模坯料和光掩模，其适用于使用ArF准分子激光的曝光方法。具体公开了一种光掩模坯料，其包括透明基板上的遮光膜，该透明基板是用于将光掩模暴露于200nm以下的曝光光的材料。该光掩模坯料的特征在于，遮光膜包括主要含有硅和过渡金属并且折射率n <1> 1.0-1.7的阻光膜，消光系数k _{1 <2.5> 2.5，厚度t <1> 20〜20nm; 形成在遮光膜的上表面上的前部防反射膜; 以及形成在遮光膜的下表面上的后部防反射膜，其具有含有硅，过渡金属，氧和氮的同时折射率n <2N> 1.0-3.5，消光系数k 2 2不大于2.5，厚度t 2 <2> 5〜5nm。该光掩模坯料的特征还在于，具有以下关系：n 1 2 N 2或k 1 k 2 2 / >和t 1＆gt; 2＆lt; 2＆lt; 2＆gt;均满足，遮光膜的总厚度不大于62nm。}

8. 发明申请

WO2011007800A1 マスクブランク及び転写用マスク审中-公开
标题翻译：遮罩和转印面罩
公开(公告)号：WO2011007800A1
公开(公告)日：2011-01-20
申请号：PCT/JP2010/061894
申请日：2010-07-14
申请人： HOYA株式会社 , 橋本雅広 , 小湊淳志 , 岩下浩之 , 野澤順
发明人：橋本　雅広 , 小湊　淳志 , 岩下　浩之 , 野澤　順
IPC分类号： G03F1/08 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/74 , G03F1/50 , G03F1/54 , G03F1/80
摘要：【課題】ＥＢ欠陥修正を好適に適用でき、なお且つ遮光膜の薄膜化を可能とするマスクブランクを提供する。【解決手段】ＡｒＦ露光光が適用される転写用マスクを作成するために用いられ、透光性基板１上に遮光膜２を有するマスクブランク１０であって、遮光膜２は、遷移金属及びケイ素に更に酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１つ以上の元素を含む材料を主成分とする。この遮光膜は、フッ素を含有する物質に対する荷電粒子の照射を受けない状態におけるエッチングレートが、フッ素を含有する物質に対する荷電粒子の照射を受けた状態におけるエッチングレートに対して少なくともエッチング選択性を確保できる遅さである。
摘要翻译：提供了可以适当地应用EB缺陷校正的掩模坯料，并且能够使遮光膜变薄。所提供的掩模坯料（10）在透光基板（1）的顶部上具有遮光膜（2），并用于产生施加ArF曝光光的转印掩模。遮光膜（2）主要由含有过渡金属，硅和氧和/或氮的材料组成。利用该遮光膜，当含氟物质不被带电粒子照射时的蚀刻速率至少足够慢以确保当含氟物质被带电粒子照射时相对于蚀刻速率的蚀刻选择性。

9. 发明申请

WO2010147172A1 マスクブランク及び転写用マスク、並びに転写用マスクの製造方法审中-公开
标题翻译：掩模空白，转印掩模和制造转印掩模的方法
公开(公告)号：WO2010147172A1
公开(公告)日：2010-12-23
申请号：PCT/JP2010/060269
申请日：2010-06-17
申请人： HOYA株式会社 , 野澤順 , 岩下浩之 , 橋本雅広 , 小湊淳志
发明人：野澤　順 , 岩下　浩之 , 橋本　雅広 , 小湊　淳志
IPC分类号： G03F1/08
CPC分类号： G03F1/50 , G03F1/58 , G03F1/80
摘要：【課題】ＥＢ欠陥修正を好適に適用でき、なお且つ遮光膜の薄膜化を可能とするマスクブランクを提供する。【解決手段】ＡｒＦ露光光が適用される転写用マスクを作成するために用いられ、透光性基板１上に遮光膜２を有するマスクブランク１０であって、遮光膜２は、遷移金属及びケイ素に更に酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１つ以上の元素を含む材料を主成分とする下層と、遷移金属及びケイ素に更に酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１つ以上の元素を含む材料を主成分とする上層の少なくとも二層構造からなる。対象部分に弗素を含有する物質を供給し、荷電粒子を照射して行うエッチングにおける上層のエッチングレートに対する下層のエッチングレートの比が１．０以上２０．０以下である。
摘要翻译：提供了适用于EB缺陷修复的掩模板，并且还可以使遮光膜变薄。所提供的掩模坯料（10）用于产生施加ArF曝光光的转印掩模，并且在透光性基板（1）上具有遮光膜（2）。遮光膜（2）包括至少两层的结构：主要由含有过渡金属，硅和至少一种选自氧和氮的元素的材料组成的底层; 以及主要由含有过渡金属，硅和至少一种选自氧和氮的元素的材料组成的顶层。对于其中将含氟物质供应到目标区域并且目标区域被带电粒子轰击的蚀刻，底层的蚀刻速率与顶层的蚀刻速率的比率为1.0至20.0（含）。

10. 发明申请

WO2009123172A1 フォトマスクブランク、フォトマスクおよびフォトマスクブランクの製造方法审中-公开
标题翻译： PHOTOMASK BLANK，PHOTOMASK，以及制造光电白皮书的方法
公开(公告)号：WO2009123172A1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：PCT/JP2009/056611
申请日：2009-03-31
申请人： HOYA株式会社 , 岩下浩之 , 宍戸博明 , 小湊淳志 , 橋本雅広 , 細谷守男
发明人：岩下浩之 , 宍戸博明 , 小湊淳志 , 橋本雅広 , 細谷守男
IPC分类号： G03F1/08 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/22 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80 , H01L21/0274
摘要：　ＡｒＦエキシマレーザ光が適用されるフォトマスクを作製するために用いられるフォトマスクブランクであって、　透光性基板上に、多層構造の薄膜を有し、　前記薄膜の最上層は、クロムと、窒素、酸素および炭素のうち少なくとも一つとを含む材料からなるアモルファス構造であるフォトマスクブランク。
摘要翻译：公开了一种光掩模坯料，用于制造施加ArF准分子激光的光掩模。光掩模坯料在半透明基材上具有非晶结构的薄多层膜。薄膜的最上层包括包含铬和以下至少一种的成分：氮，氧和碳。

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