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    • 1. 发明申请
    • 反射型マスクブランク及び反射型マスク並びにそれらの製造方法
    • 反射型遮罩和反射型掩膜及其生产方法
    • WO2003085709A1
    • 2003-10-16
    • PCT/JP2003/004615
    • 2003-04-11
    • HOYA株式会社石橋 信一笑喜 勉細谷 守男塩田 勇樹暮石 光浩
    • 石橋 信一笑喜 勉細谷 守男塩田 勇樹暮石 光浩
    • H01L21/027
    • B82Y10/00B82Y40/00G03F1/24G03F1/58G03F1/74Y10T428/31616
    • 反射型マスクブランクは、基板(11)を有し、その上に、極端紫外線領域を含む短波長域の露光光を反射する反射層(12)及び露光光を吸収する吸収体層(16)が順に形成されている。吸収体層(16)が、極端紫外線領域を含む短波長域の露光光の吸収体で構成する露光光吸収層(14)を下層とし、マスクパターンの検査に使用する検査光の吸収体で構成する低反射率層(15)を上層とする少なくとも二層の構造をもつ。上層は、タンタル(Ta)とホウ素(B)と窒素(N)を含む材料からなり、Bの含有率が5at%~30at%であり、且つ、TaとNの組成比(Ta:N)が8:1~2:7の範囲である。あるいは、反射型マスクブランクは、基板を有し、その基板上に多層反射膜及び吸収体層が順に形成されているものであっても良い。この場合、吸収体層がタンタル(Ta)とホウ素(B)と窒素(N)を含む材料からなり、Bの含有率が5at%~25at%であり、且つ、TaとNの組成比(Ta:N)が8:1~2:7の範囲である。
    • 一种反射型掩模坯料,包括基板(11),并且依次形成有用于反射包括极紫外区域的短波区域中的曝光用光的反射层(12)和吸收层 曝光灯 吸收层(16)具有由下层组成的至少两层的结构,曝光光吸收层(14)由包括极紫外区域的短波区域中的曝光光的吸收体构成,并且 上层,由用于掩模图案检查的检查光的吸收体构成的低反射率层(15)。 上层由含钽(Ta),硼(B)和氮(N)的材料组成,B含量为5原子%-30原子%,Ta和N(Ta:N)的组成比为8:1 至2:7。 或者,反射型掩模坯料可以包括基底,并且依次形成多层反射膜和吸收层,其中吸收层由含有钽(Ta),硼(B)和氮( N),B含量为5原子%-25原子%,Ta与N(Ta:N)的组成比为8:1〜2:7。