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1. 发明申请

WO2009116477A1 偏光素子审中-公开
标题翻译：极化元件
公开(公告)号：WO2009116477A1
公开(公告)日：2009-09-24
申请号：PCT/JP2009/054997
申请日：2009-03-16
申请人： HOYA株式会社 , 三浦義從 , 曽根原寿明 , 小林英雄 , 暮石光浩
发明人：三浦義從 , 曽根原寿明 , 小林英雄 , 暮石光浩
IPC分类号： G02B5/30
CPC分类号： G02B5/3058
摘要：　金属素片のプラズモン共鳴周波数が、該金属素片に照射される光の偏光方向により異なることを利用して、該金属素片の所定の方向におけるプラズモン共鳴周波数が、該偏光素子に照射される光の周波数と略同一であり、かつ該金属素片を構成する金属の該プラズモン共鳴周波数における誘電率の実部（ε’）、誘電率の虚部（ε”）、及び該誘電体層の屈折率（ｎａ）とが、｛（ε’－ｎａ２）２＋ε” ２｝≧８０・ｎａ・ε”となる関係を有する金属素片の集合体からなる偏光子とすることにより実現する。
摘要翻译：公开了一种偏振元件，其通过利用金属片的等离子体共振频率根据照射在金属片上的光的偏振方向而变化的事实由包括这种金属片状聚集体的偏振片构成，该等离子体激元金属片的预定方向的谐振频率基本上等于照射在偏振元件上的光的频率，并且金属的等离子体共振频率处的实部（e'）和虚部（e“）的介电常数构成金属片的材料和介电层的折射率（na）满足关系：{（e'-na2）2 + e“2} = 80？na？e”。

2. 发明申请

WO2011040477A1 インプリント用モールドの製造方法、残存ハードマスク層除去前モールドおよびその製造方法、ならびにマスクブランクス审中-公开
标题翻译：用于制造模具的方法，具有未修复的硬掩模层的模具，用于制造具有未修复的硬掩模层和掩模空白的模具的方法
公开(公告)号：WO2011040477A1
公开(公告)日：2011-04-07
申请号：PCT/JP2010/066966
申请日：2010-09-29
申请人： HOYA株式会社 , 暮石光浩 , 岸本秀司
发明人：暮石　光浩 , 岸本　秀司
IPC分类号： H01L21/027 , B29C33/38
CPC分类号： B29C33/3878 , B29C33/424
摘要：　Ｔａを主成分とする化合物またはＨｆとＺｒの少なくとも一方の元素もしくはその化合物を含む材料からなる導電層を含むハードマスク層が基板上に形成され、さらに前記ハードマスク層上にパターン形成用レジスト層が形成されたマスクブランクスからハードマスク層を除去する工程において、還元性ガスが導入されたドライエッチングにより前記ハードマスク層を除去する。
摘要翻译：公开了一种压印用模具的制造方法，其特征在于，在基板上形成由包含以Ta为主要成分或至少为元素的化合物构成的导电层的硬掩模层的工序中，即Hf或Zr或这些元素的化合物，并且从形成有图案形成用抗蚀剂层的掩模板除去硬掩模层，通过干法蚀刻除去导电的还原气体来除去硬掩模层。

3. 发明申请

WO2012137324A1 モールド製造用マスクブランクスおよびモールドの製造方法审中-公开
标题翻译：模具坯料模具和模具制造方法
公开(公告)号：WO2012137324A1
公开(公告)日：2012-10-11
申请号：PCT/JP2011/058716
申请日：2011-04-06
申请人： HOYA株式会社 , 暮石光浩 , 岸本秀司 , 佐藤孝
发明人：暮石　光浩 , 岸本　秀司 , 佐藤　孝
IPC分类号： H01L21/027 , B29C33/38 , G11B5/84
CPC分类号： B29C33/38 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , G11B5/855
摘要：高いパターン精度で微細パターンを形成し、モールドの作製時間を大幅に短縮化する。元型モールドの表面に設けられている微細パターンをインプリントにより転写してサブマスターモールドを製造する際に用いられるマスクブランクスであって、化学式ＣｒＯｘＮｙＣｚ（ただしｘ＞０）であるクロム化合物層を含むハードマスク層を基板上に有する。
摘要翻译：在本发明中，以高精度形成微小图案，大大降低了模具制造时间。提供了用于制造子母模的掩模坯料，其中通过压印转印设置在原始母模表面上的微小图案。掩模坯料在基材上具有包含铬化合物层的硬掩模层，其组成由化学式CrOxNyCz（其中x> 0）表示。

4. 发明申请

WO2009041551A1 マスクブランク、及びインプリント用モールドの製造方法审中-公开
标题翻译：掩模布，以及生产印花模的方法
公开(公告)号：WO2009041551A1
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：PCT/JP2008/067380
申请日：2008-09-26
申请人： HOYA株式会社 , 佐藤孝 , 暮石光浩
发明人：佐藤孝 , 暮石光浩
IPC分类号： G03F1/08 , B29C59/02 , B81C5/00 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0002 , B81C99/009 , B82Y10/00 , B82Y40/00
摘要：　マスクブランクを用いて高精度の微細パターンが形成されたインプリント用モールドの製造方法を提供する。　透光性基板上にパターンを形成するための薄膜を有するマスクブランクにおいて、薄膜は、Ｃｒと窒素を含む材料で形成されている上層と、Ｔａを主成分とする化合物を含み、且つ、塩素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工が可能な材料で形成されている下層とからなる。薄膜の上層及び下層を、酸素を実質的に含まない塩素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工し、続いて基板を、弗素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工することによりインプリント用モールドを得る。
摘要翻译：公开了一种通过使用掩模板在其上形成高精度精细图案的压印模具的制造方法。具体公开了一种掩模坯料，其包括透光性基板和用于形成在基板上形成的图案的薄膜。该薄膜包括：包含含有Cr和氮的材料的上层; 以及下层，其含有主要由Ta组成的化合物，并且包含可通过含有氯气的干蚀刻工艺进行蚀刻的材料。通过用基本上不含氧的含氯气体的干蚀刻工艺对薄膜的上层和下层进行蚀刻，然后通过用含氟气体的干法蚀刻工艺蚀刻该衬底，从而产生印记模具

5. 发明申请

WO2004070472A1 フォトマスクブランク及びフォトマスク、並びにフォトマスクを用いたパターン転写方法审中-公开
标题翻译： PHOTOMASK BLANK，PHOTOMASK和图案转移方法
公开(公告)号：WO2004070472A1
公开(公告)日：2004-08-19
申请号：PCT/JP2004/000992
申请日：2004-02-02
申请人： HOYA株式会社 , 暮石光浩 , 三ツ井英明
发明人：暮石光浩 , 三ツ井英明
IPC分类号： G03F1/14
CPC分类号： G03F1/46 , G03F1/50 , G03F1/54 , G03F1/58
摘要：露光波長の短波長化に適した低反射フォトマスクブランクを提供する。透光性基板2上に、金属を主成分とする一層又は多層の遮光膜3を有するフォトマスクブランクであって、前記遮光膜3上に、シリコンと、酸素及び/又は窒素を少なくとも含む反射防止膜6を有することを特徴とするフォトマスクブランク1。
摘要翻译：公开了适合于缩短曝光波长的低反射光掩模坯料。具有设置在半透明基板（2）上并主要包含金属的单层或多层遮光膜（3）的光掩模坯料（1）的特征在于包括至少含有硅的抗反射膜（6）氧和/或氮，在遮光膜（3）上。

6. 发明申请

WO2003085709A1 反射型マスクブランク及び反射型マスク並びにそれらの製造方法审中-公开
标题翻译：反射型遮罩和反射型掩膜及其生产方法
公开(公告)号：WO2003085709A1
公开(公告)日：2003-10-16
申请号：PCT/JP2003/004615
申请日：2003-04-11
申请人： HOYA株式会社 , 石橋信一 , 笑喜勉 , 細谷守男 , 塩田勇樹 , 暮石光浩
发明人：石橋信一 , 笑喜勉 , 細谷守男 , 塩田勇樹 , 暮石光浩
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24 , G03F1/58 , G03F1/74 , Y10T428/31616
摘要：反射型マスクブランクは、基板（１１）を有し、その上に、極端紫外線領域を含む短波長域の露光光を反射する反射層（１２）及び露光光を吸収する吸収体層（１６）が順に形成されている。吸収体層（１６）が、極端紫外線領域を含む短波長域の露光光の吸収体で構成する露光光吸収層（１４）を下層とし、マスクパターンの検査に使用する検査光の吸収体で構成する低反射率層（１５）を上層とする少なくとも二層の構造をもつ。上層は、タンタル（Ｔａ）とホウ素（Ｂ）と窒素（Ｎ）を含む材料からなり、Ｂの含有率が５ａｔ％～３０ａｔ％であり、且つ、ＴａとＮの組成比（Ｔａ：Ｎ）が８：１～２：７の範囲である。あるいは、反射型マスクブランクは、基板を有し、その基板上に多層反射膜及び吸収体層が順に形成されているものであっても良い。この場合、吸収体層がタンタル（Ｔａ）とホウ素（Ｂ）と窒素（Ｎ）を含む材料からなり、Ｂの含有率が５ａｔ％～２５ａｔ％であり、且つ、ＴａとＮの組成比（Ｔａ：Ｎ）が８：１～２：７の範囲である。
摘要翻译：一种反射型掩模坯料，包括基板（11），并且依次形成有用于反射包括极紫外区域的短波区域中的曝光用光的反射层（12）和吸收层曝光灯吸收层（16）具有由下层组成的至少两层的结构，曝光光吸收层（14）由包括极紫外区域的短波区域中的曝光光的吸收体构成，并且上层，由用于掩模图案检查的检查光的吸收体构成的低反射率层（15）。上层由含钽（Ta），硼（B）和氮（N）的材料组成，B含量为5原子％-30原子％，Ta和N（Ta：N）的组成比为8：1 至2：7。或者，反射型掩模坯料可以包括基底，并且依次形成多层反射膜和吸收层，其中吸收层由含有钽（Ta），硼（B）和氮（ N），B含量为5原子％-25原子％，Ta与N（Ta：N）的组成比为8：1〜2：7。

7. 发明申请

WO2011040476A1 インプリント用モールドの製造方法审中-公开
标题翻译：生产冲压模具的工艺
公开(公告)号：WO2011040476A1
公开(公告)日：2011-04-07
申请号：PCT/JP2010/066965
申请日：2010-09-29
申请人： HOYA株式会社 , 暮石光浩 , 岸本秀司
发明人：暮石　光浩 , 岸本　秀司
IPC分类号： B29C33/38 , B29C59/02 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y40/00
摘要：　溝により形成されるパターンを有する基板上の少なくとも一部に、Ｔａを主成分とする化合物またはＨｆとＺｒの少なくとも一方の元素もしくはその化合物を含む材料からなる導電層と、前記導電層上に設けられた導電層用の酸化防止層と、を含むハードマスク層が形成された残存ハードマスク層除去前モールドからインプリント用モールドを製造するために、還元性ガスを用いたドライエッチングにより前記ハードマスク層を除去する工程を有する。
摘要翻译：本发明公开了一种从硬质掩模层未被除去的模具制造压印模具的方法，所述掩模支承模具包括具有由凹槽形成的图案的基板和形成在所述硬掩模层的至少一些表面上的所述硬掩模层衬底，所述硬掩模层包括导电层和已经设置在导电层上的用于导电层的防氧化层，所述导电层包含含有以Ta为主要成分或含有Hf元素的化合物的材料和/或Zr元素或含有它们的化合物。该方法包括通过使用还原气体的干蚀刻去除硬掩模层的步骤。

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