专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2013026710A1 VORRICHTUNG ZUR OBERFLÄCHENBEHANDLUNG VON SUBSTRATEN 审中-公开
标题翻译：装置用于基材的表面处理
公开(公告)号：WO2013026710A1
公开(公告)日：2013-02-28
申请号：PCT/EP2012/065602
申请日：2012-08-09
申请人： GEBR.SCHMID GMBH , JUNG, Woo-Hong , HAVERKAMP, Helge , WEISSER, Kai , NIETHAMMER, Michael
发明人： JUNG, Woo-Hong , HAVERKAMP, Helge , WEISSER, Kai , NIETHAMMER, Michael
IPC分类号： B05C1/02 , B05C1/08 , B05C13/02 , H01L21/67 , H05K3/00
CPC分类号： B05C1/025 , B05C1/0808 , B05C1/0813 , B05C13/02 , H01L21/67086 , H01L21/67706 , H01L21/6776
摘要： Eine Vorrichtung zur Behandlung von Waferunterseiten, weist Transportwalzen (16a, 16b) zum Transport der Wafer auf, die gleichzeitig als Fördermittel ausgebildet sind für eine Benetzung der Waferunterseiten mit flüssigem Prozessmedium (18). Die Transportwalzen sind zumindest teilweise in Prozessmedium getaucht zur Benetzung der Waferunterseiten beim Transport im Kontakt mit den Transportwalzen. Die Transportwalzen weisen eine rotationssymmetrische Außenseite auf mit mehreren Bereichen eines ersten größeren Durchmessers (21) und mehreren Bereichen eines zweiten kleineren Durchmessers (25) dazwischen, wobei in die Bereiche mit dem zweiten kleineren Durchmesser Rillen eingebracht sind.
摘要翻译：用于治疗晶片侧的装置，包括：输送辊（16A，16B）用于输送晶片，其被同时设计为输送装置，用于在晶片下侧的与液体处理介质（18）润湿。输送辊至少部分地浸没在处理介质为与输送辊接触在运输过程中润湿晶片侧。输送辊具有与多个第一较大直径（21）和多个第二较小直径（25）在其间的区域，其中，在具有较小直径的第二槽的区域并入的区域的旋转对称的外表面。

2. 发明申请

WO2013030109A1 VORRICHTUNG UND ANLAGE ZUM BEARBEITEN VON FLACHEN SUBSTRATEN 审中-公开
标题翻译：设备和系统进行处理平面基板的
公开(公告)号：WO2013030109A1
公开(公告)日：2013-03-07
申请号：PCT/EP2012/066501
申请日：2012-08-24
申请人： GEBR. SCHMID GMBH , LAMPPRECHT, Jörg , REISER, Matthias , WEISSER, Kai , HAVERKAMP, Helge , MICHAEL, Niethammer
发明人： LAMPPRECHT, Jörg , REISER, Matthias , WEISSER, Kai , HAVERKAMP, Helge , MICHAEL, Niethammer
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/67 , B05C1/08
CPC分类号： H01L21/6715 , B05C1/08 , B05C1/0813 , B05C1/0821 , B05C11/1039 , H01L21/6776
摘要： Eine Vorrichtung zum Benetzen von flachen Substraten an deren Unterseite mit einem Fluid beim Durchlauf der Substrate entlang einer Transportbahn weist eine Benetzungswalze auf quer zur Transportrichtung, wobei die Benetzungswalze von unten bis kurz vor die Transportebene reicht und in einen darunter befindlichen Vorrat an Fluid eingetaucht ist. Die Vorrichtung ist eine eigenständig handhabbare Baueinheit zusammen mit der Benetzungswalze und einem länglichen Behälter für den Fluidvorrat, der länglich ausgebildet ist nach Art einer geschlossenen Rinne mit einer länglichen Öffnung nach oben, die im Wesentlichen durch die Benetzungswalze ausgefüllt ist. Dabei verläuft die Benetzungswalze im Wesentlichen innerhalb des Behälters, wobei der Behälter in einem unteren Bereich Ablauföffnungen nach unten aufweist in eine unterhalb des Behälters angeordnete Ablaufrinne.
摘要翻译：为平面基底的润湿在其与流体的底部基板的沿着传送路径通过期间的装置包括：一个润湿辊横向于输送方向，所述刚传送平面之前从下方范围润湿辊和浸入流体的底层池。该设备是独立地处理的单元，与所述润湿辊和用于流体贮存器的细长容器，它是在一个封闭的通道的方式伸长与在该基本上被润湿辊填充顶部的细长开口在一起。润湿辊基本上在容器内延伸，其中，在下部区域流动开口的容器向下进入沟槽下方的容器设置。

3. 发明申请

WO2011051356A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR BEHANDLUNG EINER SUBSTRATOBERFLÄCHE EINES SUBSTRATS 审中-公开
标题翻译：方法和设备处理基材表面的基材
公开(公告)号：WO2011051356A1
公开(公告)日：2011-05-05
申请号：PCT/EP2010/066287
申请日：2010-10-27
申请人： GEBR. SCHMID GMBH & CO. , HAVERKAMP, Helge , REUTTER, Erich , KIENINGER, Kay , STEIN, Friedhelm
发明人： HAVERKAMP, Helge , REUTTER, Erich , KIENINGER, Kay , STEIN, Friedhelm
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/6776 , H01L21/6708 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Bei einem Verfahren zur Behandlung einer Substratoberseite eines flachen Substrats mit einer Ätzlösung, die HF enthält, werden die Substrate horizontal liegend von oben damit benetzt. Dies erfolgt derart, dass die nach oben weisende Substratoberseite nur einmal mit der Ätzlösung vollflächig benetzt bzw. bedeckt wird und diese dann dort verbleibt für die Dauer der Behandlung, wobei sie zum Abschluss entfernt wird. Das Aufbringen erfolgt vorteilhaft so, dass die Ätzlösung mit möglichst wenig Bewegung bzw. Strömung aufgebracht wird, beispielsweise mit Schwallrohren aus geringer Höhe, und dort ruhig verbleibt.
摘要翻译：在用于处理平坦基板的基板表面侧与含HF蚀刻溶液的方法，所述基片从顶部水平放置润湿与其。这样做是使得面向上的上基板侧仅被使用一次浸湿与蚀刻溶液的整个表面覆盖，它仍然然后有用于治疗的持续时间，被除去结束。该应用程序是有利地进行，以使蚀刻溶液以尽可能小的移动或流动施加，例如具有从高度低消力井，并保持安静。

4. 发明申请

WO2010136387A1 VERFAHREN ZUM TEXTURIEREN EINER OBERFLÄCHE EINES HALBLEITERSUBSTRATES SOWIE VORRICHTUNG ZUM DURCHFÜHREN DES VERFAHRENS 审中-公开
标题翻译：方法的纹理化半导体衬底和器件的表面实施过程
公开(公告)号：WO2010136387A1
公开(公告)日：2010-12-02
申请号：PCT/EP2010/056995
申请日：2010-05-20
申请人： UNIVERSITÄT KONSTANZ , HAHN, Giso , HAVERKAMP, Helge , XIMELLO-QUIEBRAS, Jose Nestor
发明人： HAHN, Giso , HAVERKAMP, Helge , XIMELLO-QUIEBRAS, Jose Nestor
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/67086 , H01L31/02363 , H01L31/18 , Y02E10/50
摘要： Es wird ein Verfahren zum Texturieren einer Oberfläche eines Halbleitersubstrates vorgeschlagen. Die Oberfläche wird dabei mit einer das Halbleitersubstratmaterial ätzenden Ätzlösung geätzt, wobei der Ätzlösung ein Benetzungsmittel beigefügt ist, welches wasserlösliche Polymere, insbesondere in Form von Polyvinylalkohol, enthält. Hierbei können die Prozesstemperaturen der Ätzlösung im Vergleich zu herkömmlichen Texturierungsverfahren erhöht werden, wodurch sich die Prozessdauer verkürzen lässt. Eine Prozessführung wird vereinfacht und eine Prozessstabilität erhöht. Eine geeignete Texturierungsvorrichtung zum Durchführen des Verfahrens kann zusätzlich zu einem Becken (6) zum Aufnehmen der Ätzlösung (7) und einer Heizung (9) zum Erhitzen der Ätzlösung (7) auf mindestens 85°C noch eine optional beheizbare Entleerungseinrichtung (12) zum Entleeren der Ätzlösung aus dem Becken (6), eine Entfernungseinrichtung (14, 15) zum Entfernen von kristallisierten wasserlöslichen Polymeren aus der Ätzlösung (7) sowie eine Umwälzeinrichtung (18) zum Umwälzen der Ätzlösung aufweisen.
摘要翻译：它提出了一种用于纹理化半导体衬底的表面的方法。该表面然后用苛性材料，半导体衬底蚀刻溶液，其中所述蚀刻溶液，润湿剂加入，其中含有水溶性聚合物，特别是在聚乙烯醇的形式蚀刻。这里，蚀刻溶液的处理温度可以相对于传统的纹理化，这可以缩短处理时间而增加。的方法管理被简化，并且过程稳定性增加。用于执行该方法中，除了一个罐（6），用于接收所述蚀刻溶液（7）和用于加热所述蚀刻溶液的加热器（9）一种合适的纹理化装置（7），以至少为85℃或用于排空任选可加热排气装置（12）从盆蚀刻溶液（6），去除装置（14，15）用于从所述蚀刻溶液（7）和用于循环所述蚀刻溶液具有循环装置（18）除去结晶的水溶性聚合物。

5. 发明申请

WO2011018507A3 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER EMITTER-ELEKTRODE FÜR EINE KRISTALLINE SILIZIUMSOLARZELLE UND ENTSPRECHENDE SILIZIUMSOLARZELLE 审中-公开
公开(公告)号：WO2011018507A3
公开(公告)日：2011-02-17
申请号：PCT/EP2010/061797
申请日：2010-08-12
申请人： GEBR. SCHMID GMBH & CO. , HAVERKAMP, Helge , MITZINNECK, Petra , KIENINGER, Kay , SOLLNER, Jürgen
发明人： HAVERKAMP, Helge , MITZINNECK, Petra , KIENINGER, Kay , SOLLNER, Jürgen
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： Bei einem Verfahren zur Herstellung einer frontseitigen Emitter-Elektrode als Frontkontakt für eine Siliziumsolarzelle an einem Siliziumwafer wird in dessen Frontseite eine Vertiefung erzeugt wird. Dann werden eine vorderseitige n-dotierte Siliziumschicht und eine Antireflexions-Schicht erzeugt. Dann wird mittels eines Inkjet-Druckers eine Paste in die Vertiefung eingebracht, die elektrisch leitfähige Metallpartikel und ätzende Glasfritte enthält, die sich durch kurzzeitiges Erhitzen durch die Antireflexions-Schicht zur n-dotierten Siliziumschicht durchätzt und diese elektrisch kontaktiert. Danach wird in der Vertiefung auf die getemperte Paste elektrisch leitfähiges Frontkontakt-Metall galvanisch angelagert als Frontkontakt.

6. 发明申请

WO2009013307A2 METHOD FOR PRODUCING A SILICON SOLAR CELL WITH A BACK-ETCHED EMITTER AS WELL AS A CORRESPONDING SOLAR CELL 审中-公开
标题翻译：用于生产具有背蚀刻发射体的硅太阳能电池的方法，作为相应的太阳能电池
公开(公告)号：WO2009013307A2
公开(公告)日：2009-01-29
申请号：PCT/EP2008/059647
申请日：2008-07-23
申请人： UNIVERSITÄT KONSTANZ , Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. , HAHN, Giso , HAVERKAMP, Helge , RAABE, Bernd , DASTGHEIB-SHIRAZI, Amir , BOOK, Felix
发明人： HAHN, Giso , HAVERKAMP, Helge , RAABE, Bernd , DASTGHEIB-SHIRAZI, Amir , BOOK, Felix
IPC分类号： H01L31/028
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/068 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： A method is presented for producing a silicon solar cell with a back-etched emitter preferably with a selective emitter and a corresponding solar cell. According to one aspect, the method comprises the following method steps: producing a two-dimensionally extending emitter (5) at an emitter surface of a solar cell substrate (21); applying an etching barrier (25) onto first partial zones (7) of the emitter surface; etching the emitter surface in second partial zones (9) of the emitter surface not covered by the etching barrier (25); removing the etching barrier (25); and producing metal contacts (17) at the first partial zones (7). During the method, especially during the etching of the emitter surface in the second partial zones, a porous silicon layer is advantageously produced, which is then oxidised. This oxidised porous silicon layer can subsequently be etched away together with any phosphorus glass (23) that may be present. The method makes use of conventional screen-printing and etching technologies and is thus compatible with current industrial production plants.
摘要翻译：提出了一种用于制造具有背蚀刻发射体的硅太阳能电池的方法，优选地具有选择性发射极和相应的太阳能电池。根据一个方面，该方法包括以下方法步骤：在太阳能电池基板（21）的发射极表面处产生二维延伸的发射极（5）; 在所述发射器表面的第一部分区域（7）上施加蚀刻阻挡层（25）; 在未被蚀刻阻挡层（25）覆盖的发射器表面的第二部分区域（9）中蚀刻发射极表面; 去除蚀刻阻挡层（25）; 以及在所述第一部分区域（7）处产生金属触点（17）。在该方法期间，特别是在蚀刻第二部分区域中的发射极表面期间，有利地产生多孔硅层，然后将其氧化。随后可以将氧化的多孔硅层与可能存在的任何磷玻璃（23）一起蚀刻掉。该方法利用传统的丝网印刷和蚀刻技术，因此与目前的工业生产工厂相兼容。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式