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1. 发明申请

WO2019023281A1 DEEP PHOTOENHANCED WET MATERIAL ETCHING USING HIGH-POWER ULTRAVIOLET LIGHT EMITTING DIODES 审中-公开
公开(公告)号：WO2019023281A1
公开(公告)日：2019-01-31
申请号：PCT/US2018/043564
申请日：2018-07-24
申请人： MICROLINK DEVICES, INC.
发明人： YOUTSEY, Christopher , MCCARTHY, Robert
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/3063 , H01L21/78 , H01L31/0236 , H01L33/00 , H01L33/22
CPC分类号： H01L21/30612 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02664 , H01L21/30635 , H01L21/67075 , H01L21/67086 , H01L21/78 , H01L21/7813 , H01L29/2003 , H01L31/02363 , H01L33/0075 , H01L33/22
摘要： Methods and systems for etching a substrate using photoenhanced wet etching techniques are described. At least one light emitting diode source is used to create a high intensity of ultraviolet light at the surface of the substrate or at one or more layers formed on the substrate. Etching rates in GaN substrates and GaN layers are improved by an order of magnitude over conventional systems. Systems and methods for forming a device structure free of a substrate are described. The device structure is grown or applied over a release layer on a substrate. The device structure is exposed to photoenhanced wet etch environments to vertically and laterally etch the release layer to separate the device structure from the substrate.

2. 发明申请

WO2016204143A1 基板処理システム及び基板処理方法审中-公开
标题翻译：基板加工系统和基板加工方法
公开(公告)号：WO2016204143A1
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：PCT/JP2016/067666
申请日：2016-06-14
申请人：株式会社ジェイ・イー・ティ
发明人：庄盛　博文 , 木村　敦夫
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/304 , H01L21/308
CPC分类号： H01L21/67086 , H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/308 , H01L21/31111 , H01L21/67253 , H01L22/26
摘要：　所期のエッチングレートや選択比が得られ、安定した処理を行うことができる基板処理システム及び基板処理方法を提供する。処理槽（１４）に貯留された処理液（１２）に基板（１１）を浸漬する。処理槽（１４）は、カバー部材（２１ａ、２１ｂ）によって密閉され、加熱した処理液（１２）からの水蒸気で内部が加圧される。処理液（１２）には、純水が連続的に加水される。処理槽（１４）の内部圧力を測定し、その内部圧力（Ｐａ）に基づき排気弁（４１）の開度を増減し、内部圧力を一定に保つとともに、内部圧力（Ｐａ）に基づき純水の加水量を増減し、一定の濃度、一定の温度の処理液（１２）で基板（１１）を処理する。
摘要翻译：提供能够实现预期的蚀刻等级，选择比等并且执行稳定处理的基板处理系统和基板处理方法。根据本发明，将基板（11）浸渍在贮存在处理槽（14）中的处理液（12）中。处理罐（14）由盖部件（21a，21b）密封，其内部由加热处理液体（12）的蒸汽加压。将净化水连续地加入到处理液体（12）中。测量处理罐（14）的内部压力，并且基于所述内部压力（Pa）使排气门（41）的开度增加/减少，使得内部压力保持恒定。基于内压（Pa），添加的净化水的量增加/减少，并且用具有恒定浓度并且处于恒定温度的处理液（12）处理基板（11）。

3. 发明申请

WO2015103441A1 SEMICONDUCTOR WAFER CLEANING SYSTEM 审中-公开
标题翻译：半导体清洗系统
公开(公告)号：WO2015103441A1
公开(公告)日：2015-07-09
申请号：PCT/US2014/073091
申请日：2014-12-31
申请人： WEN, Sophia
发明人： WEN, Sophia
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6719 , H01L21/67051 , H01L21/67057 , H01L21/6708 , H01L21/67086 , H01L21/67126 , H01L21/67253
摘要： Embodiments of a semiconductor wafer cleaning apparatus are provided. In one aspect, a semiconductor wafer cleaning apparatus may include a first supporting unit, a movable unit having a first chamber, a second supporting unit having a second chamber, and a third supporting unit. A micro processing chamber in which the semiconductor wafer is being processed is formed when the first chamber is brought in contact with the second chamber. Each of the supporting units is supported by a corresponding supporting plate, and each supporting plate is positioned and strengthened by a plurality of supporting bars on its peripheral. Such design will prevent the deformation of the supporting plates, reduce the particles generated by the friction of parts resulted from the opening or closure of the micro processing chamber, and allow the easy alignment of these units.
摘要翻译：提供半导体晶片清洁装置的实施例。一方面，半导体晶片清洁装置可以包括第一支撑单元，具有第一室的可移动单元，具有第二室的第二支撑单元和第三支撑单元。当第一室与第二室接触时，形成处理半导体晶片的微处理室。每个支撑单元由相应的支撑板支撑，并且每个支撑板由其周边上的多个支撑杆定位和加强。这种设计将防止支撑板的变形，减少由微处理室的打开或闭合导致的部件的摩擦产生的颗粒，并且允许这些单元的容易对准。

4. 发明申请

WO2014011657A3 METHOD OF STRIPPING PHOTORESIST ON A SINGLE SUBSTRATE SYSTEM 审中-公开
标题翻译：在单基板系统上剥离光刻胶的方法
公开(公告)号：WO2014011657A3
公开(公告)日：2014-11-27
申请号：PCT/US2013049760
申请日：2013-07-09
申请人： TOKYO ELECTRON LTD , TOKYO ELECTRON US HOLDINGS INC
发明人： BROWN IAN J
IPC分类号： H01L21/308 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67057 , G03F7/42 , H01L21/02076 , H01L21/31133 , H01L21/67051 , H01L21/67086 , H01L21/67115 , H01L21/6715
摘要： Provided is a method and system for stripping an ion implanted resist or performing a post-ash clean using a single substrate tool. Cleaning objectives and cleaning operating variables are selected for optimization. The first step immerses the substrate in a first treatment chemical while concurrently irradiating the substrate with UV light, the process completed in a first process time, a first flow rate, and a first rotation speed of the substrate. The second step dispenses onto the substrate a second treatment chemical at a second temperature and a second composition, the second treatment chemical dispensed at a dispense temperature, and completed in a second process time and a second rotation speed. The two or more selected cleaning operating variables comprise UV wavelength, UV power, first concentration, first rotation speed, first flow rate, second process time, second rotation speed, percentage of residue removal and dispense temperature.
摘要翻译：提供了一种用于剥离离子注入的抗蚀剂或使用单个衬底工具执行灰化后清洁的方法和系统。选择清洁目标和清洁操作变量进行优化。第一步将衬底浸入第一处理化学品中，同时用紫外光照射衬底，该工艺以第一处理时间，第一流速和衬底的第一旋转速度完成。第二步骤将第二温度和第二组合物的第二处理化学品分配到基底上，第二处理化学品在分配温度下分配，并且在第二处理时间和第二旋转速度下完成。两个或更多个选定的清洁操作变量包括UV波长，UV功率，第一浓度，第一旋转速度，第一流速，第二处理时间，第二旋转速度，残留物去除百分比和分配温度。

5. 发明申请

WO2014020693A1 太陽電池の製造方法审中-公开
标题翻译：生产太阳能电池的方法
公开(公告)号：WO2014020693A1
公开(公告)日：2014-02-06
申请号：PCT/JP2012/069436
申请日：2012-07-31
申请人：三洋電機株式会社 , 島正樹 , 小林伸二
发明人：島　正樹 , 小林　伸二
IPC分类号： H01L31/04 , B08B3/10 , H01L21/304 , H01L21/306
CPC分类号： H01L31/1876 , H01L21/67057 , H01L21/67086 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：　改善された良品率で太陽電池を製造し得る方法を提供する。　処理工程では、一の方向に沿って配した複数の基板１１を、薬液槽１２に溜められた薬液１３に浸漬すると共に、薬液槽１２において複数の基板１１の下方に配された気泡発生部１５ａ～１５ｄの複数の気泡発生口１６から薬液１３中の複数の基板１１に向けて気泡１４を供給して複数の基板１１を処理する。平面視において、気泡発生口１６が一の方向において隣り合う基板１１の間に位置するように複数の基板１１を配した状態で処理工程を行う。
摘要翻译：提供了能够以提高的产率生产太阳能电池的方法。在处理步骤中，将多个基板（11）浸渍在保持在化学罐（12）中的化学品（13）中，沿着第一方向设置多个基板（11），并且供给气泡 14）从位于化学罐中的多个基板（11）下方的气泡产生单元（15a-15d）的多个气泡产生开口（16）朝向化学品（13）中的多个基板（11）（12）。在平面图中，处理步骤以多个基板（11）的状态进行，使得气泡产生开口（16）在第一方向上位于相邻的基板（11）之间。

6. 发明申请

WO2014013536A1 太陽電池の製造方法审中-公开
标题翻译：太阳能电池制造方法
公开(公告)号：WO2014013536A1
公开(公告)日：2014-01-23
申请号：PCT/JP2012/068069
申请日：2012-07-17
申请人：三洋電機株式会社 , 豊場弘臣 , 小林伸二 , 岡本真吾
发明人：豊場　弘臣 , 小林　伸二 , 岡本　真吾
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/02363 , H01L21/67086 , H01L21/67326 , Y02E10/50
摘要：　改善された良品率で太陽電池を製造し得る方法を提供する。　一方向に沿って配した複数の基板１１を薬液１３に浸漬することにより処理する処理工程を行う。複数の基板１１の下方に気体供給部１５を配置すると共に、薬液中において、気体供給部１５と複数の基板１１との間に複数の貫通孔を有するシート１６を配置し、気体供給部１５から供給した気体で泡を発生させながら処理工程を行う。
摘要翻译：提供可以以提高的成品率制造太阳能电池的方法。一种处理步骤，其中通过将基板浸入化学品（13）中来处理沿一个方向排列的多个基板（11）。气体供给部（15）设置在基板（11）的下方，在气体供给部（15）与化学品的基板（11）之间配置具有多个贯通孔的片材（16），处理在从气体供给部（15）供给的气体生成气泡的同时进行步骤。

7. 发明申请

WO2013166481A1 METHOD FOR CONSISTENTLY TEXTURIZING SILICON WAFERS DURING SOLAR CELL WET CHEMICAL PROCESSING 审中-公开
标题翻译：在太阳能电池湿法化学加工过程中一致地形成硅氧烷的方法
公开(公告)号：WO2013166481A1
公开(公告)日：2013-11-07
申请号：PCT/US2013/039660
申请日：2013-05-06
申请人： AKRION SYSTEMS LLC
发明人： KASHKOUSH, Ismail , RIEKER, Jennifer , CHEN, Gim-Syang , NEMETH, Dennis
IPC分类号： C03C15/00
CPC分类号： H01L31/18 , H01L21/67086 , H01L31/02363 , Y02E10/50
摘要： A method for consistently texturizing silicon wafers dating solar cell wet chemical processing. In one aspect, the invention includes submerging a batch of silicon wafers within a process chamber having an alkaline solution mixture therein. The invention utilizes a feed and bleed technique to bleed chemicals from the process chamber and introduce fresh chemicals into the process chamber to maintain chemical concentrations within a desired range and to maintain etch by-products below a threshold. The alkaline solution etches the silicon wafers to texturize the surfaces of the silicon wafers to form a pattern of pyramids ( i.e., texturization pattern) on the surface of the silicon wafers. The feed and bleed technique enables the textorization pattern on the surfaces of the processed wafers and the reflectance of the processed wafers to be consistent among different batches of silicon wafers that are submerged into the alkaline mixture in the process chamber.
摘要翻译：一种使太阳能电池湿化学处理硅晶片持续组织化的方法。一方面，本发明包括将一批硅晶片浸没在其中具有碱性溶液混合物的处理室内。本发明利用进料和放液技术从处理室排出化学物质，并将新鲜的化学品引入处理室，以将化学浓度保持在所需范围内，并将蚀刻副产物保持在阈值以下。碱性溶液蚀刻硅晶片以使硅晶片的表面纹理化以在硅晶片的表面上形成锥体图案（即，纹理化图案）。进料和渗色技术使得经处理的晶片的表面上的变形图案和经处理的晶片的反射率在浸没在处理室中的碱性混合物中的不同批次的硅晶片之间是一致的。

8. 发明申请

WO2013056186A1 SEMICONDUCTOR PROCESSING BY MAGNETIC FIELD GUIDED ETCHING 审中-公开
标题翻译：通过磁场引导蚀刻的半导体处理
公开(公告)号：WO2013056186A1
公开(公告)日：2013-04-18
申请号：PCT/US2012/060143
申请日：2012-10-12
申请人： THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA , JIN, Sungho , OH, Young , CHOI, Chulmin , HONG, Dae-Hoon , KIM, Tae, Kyoung
发明人： JIN, Sungho , OH, Young , CHOI, Chulmin , HONG, Dae-Hoon , KIM, Tae, Kyoung
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L21/30608 , A61M2037/0046 , A61M2037/0053 , B28D5/00 , B81B2201/055 , B81C1/00111 , B81C1/00515 , B82Y30/00 , H01L21/30604 , H01L21/67086 , H01L31/02366 , H01L31/035209 , H01L31/035281 , H01L31/03529 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Methods, systems, and devices are described for slicing and shaping materials using magnetically guided chemical etching. In one aspect, a method includes forming a pattern on a substrate by a mask, depositing a catalytic etcher layer on the patterned substrate, a magnetic guide layer on the etcher layer, and a protection layer on the guide layer, etching the substrate by applying an etching solution to the substrate that chemically reacts with the etcher layer and etches material from the substrate at exposed regions not covered by the mask, steering the composite etching structure into the substrate during the etching by an applied magnetic field that creates a force on the guide layer to direct the etching, in which the steering defines the shape of the sliced regions of the etched substrate, and removing the etched material, the mask, and the composite etching structure to produce a sliced material structure.
摘要翻译：描述了使用磁导向化学蚀刻来切割和成形材料的方法，系统和装置。在一个方面，一种方法包括通过掩模在衬底上形成图案，在图案化衬底上沉积催化蚀刻剂层，在蚀刻层上沉积导磁层，在引导层上形成保护层，通过施加蚀刻衬底对衬底的蚀刻溶液，其与蚀刻剂层发生化学反应并在未被掩模覆盖的暴露区域蚀刻来自衬底的材料，在蚀刻期间通过施加的磁场将复合蚀刻结构转向衬底中，所述磁场在引导层以引导蚀刻，其中转向限定蚀刻的衬底的切片区域的形状，以及去除蚀刻的材料，掩模和复合蚀刻结构以产生切片材料结构。

9. 发明申请

WO2012165853A3 ETCHING TREATMENT APPARATUS 审中-公开
标题翻译：蚀刻治疗装置
公开(公告)号：WO2012165853A3
公开(公告)日：2013-03-28
申请号：PCT/KR2012004256
申请日：2012-05-30
申请人： LG INNOTEK CO LTD , KIM JI HYE
发明人： KIM JI HYE
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67086 , H01L21/67757
摘要： Disclosed is an etching treatment apparatus. The etching treatment apparatus includes a crucible to receive a wafer, a wafer jig part having a groove into which the wafer is seated, and a size adjusting part inserted into the groove while making contact with the edge of the wafer.
摘要翻译：公开了一种蚀刻处理装置。蚀刻处理装置包括用于接收晶片的坩埚，具有晶片所在的槽的晶片夹具部件，以及与晶片的边缘接触地插入槽中的尺寸调整部件。

10. 发明申请

WO2013026710A1 VORRICHTUNG ZUR OBERFLÄCHENBEHANDLUNG VON SUBSTRATEN 审中-公开
标题翻译：装置用于基材的表面处理
公开(公告)号：WO2013026710A1
公开(公告)日：2013-02-28
申请号：PCT/EP2012/065602
申请日：2012-08-09
申请人： GEBR.SCHMID GMBH , JUNG, Woo-Hong , HAVERKAMP, Helge , WEISSER, Kai , NIETHAMMER, Michael
发明人： JUNG, Woo-Hong , HAVERKAMP, Helge , WEISSER, Kai , NIETHAMMER, Michael
IPC分类号： B05C1/02 , B05C1/08 , B05C13/02 , H01L21/67 , H05K3/00
CPC分类号： B05C1/025 , B05C1/0808 , B05C1/0813 , B05C13/02 , H01L21/67086 , H01L21/67706 , H01L21/6776
摘要： Eine Vorrichtung zur Behandlung von Waferunterseiten, weist Transportwalzen (16a, 16b) zum Transport der Wafer auf, die gleichzeitig als Fördermittel ausgebildet sind für eine Benetzung der Waferunterseiten mit flüssigem Prozessmedium (18). Die Transportwalzen sind zumindest teilweise in Prozessmedium getaucht zur Benetzung der Waferunterseiten beim Transport im Kontakt mit den Transportwalzen. Die Transportwalzen weisen eine rotationssymmetrische Außenseite auf mit mehreren Bereichen eines ersten größeren Durchmessers (21) und mehreren Bereichen eines zweiten kleineren Durchmessers (25) dazwischen, wobei in die Bereiche mit dem zweiten kleineren Durchmesser Rillen eingebracht sind.
摘要翻译：用于治疗晶片侧的装置，包括：输送辊（16A，16B）用于输送晶片，其被同时设计为输送装置，用于在晶片下侧的与液体处理介质（18）润湿。输送辊至少部分地浸没在处理介质为与输送辊接触在运输过程中润湿晶片侧。输送辊具有与多个第一较大直径（21）和多个第二较小直径（25）在其间的区域，其中，在具有较小直径的第二槽的区域并入的区域的旋转对称的外表面。

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