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1. 发明申请

WO2004020363A2 HOCHDICHTE KERAMIKEN SOWIE VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DERSELBEN 审中-公开
标题翻译：高密度陶瓷及其制造方法
公开(公告)号：WO2004020363A2
公开(公告)日：2004-03-11
申请号：PCT/DE2003/002748
申请日：2003-08-14
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH , PITHAN, Christian , WASER, Rainer , HAEGEL, Franz-Hubert
发明人： PITHAN, Christian , WASER, Rainer , HAEGEL, Franz-Hubert
IPC分类号： C04B35/632
CPC分类号： C04B35/6455 , B82Y30/00 , C01B13/328 , C01B13/363 , C01G23/006 , C01P2002/72 , C01P2004/04 , C01P2004/64 , C01P2006/10 , C04B35/4682 , C04B35/495 , C04B35/6264 , C04B35/632 , C04B35/645 , C04B2235/3201 , C04B2235/3215 , C04B2235/3236 , C04B2235/3251 , C04B2235/3255 , C04B2235/441 , C04B2235/5454 , C04B2235/5481 , C04B2235/549 , C04B2235/77 , C04B2235/781 , C04B2235/784
摘要： Bei dem erfindungsgemässen Verfahren zur Herstellung hochdichter Keramiken werden zunächst oxidische Nanopartikel über die Hydrolyse wasserempfindlicher Verbindungen mit Mikroemulsionen hergestellt. Die dabei er zeugten Partikel der gewünschten stöchiometrischen Zusammensetzung werden mit Hilfe druckunterstützter Verfahren bereits bei sehr niedrigen Temperaturen zu hochdichten Keramiken verarbeitet. Auf Grund der engen Partikelgrössenverteilung entstehen dabei aus den über Mikroemulsionen hergestellten Ausgangspulvern Keramiken mit einer engen Korngrössenverteilung. Wegen der Einheitlichkeit der Primärpartikel, ist die Wachstumsgeschwindigkeit der Körner während des Sinterprozesses gleichmässig. Keramiken die entsprechend des erfindungsgemässen Verfahrens hergestellt werden, weisen über eine durch die Korngrösse gesteuerte Temperaturcharakteristik der dielektrischen Materialeigenschaften zusätzlich kleinere Leckströme auf, da die Korngrogen beim Sinterprozess nur wenig wachsen und somit der Anteil der elektrisch blockierenden Korngrenzen hoch bleibt.
摘要翻译：
在本发明AUML＆KISSING用于生产高密度的陶瓷是第一BEAR上蜡氧化物纳米颗粒OVER的具有微乳液水敏感的化合物水解。由此产生的所需化学计量组合物的颗粒已经在非常低的温度下处理，借助于压力辅助工艺形成高密度陶瓷。由于粒度分布窄，具有窄粒度分布的陶瓷由微乳液产生的起始粉末形成。由于初级颗粒的均匀性，在烧结过程中晶粒的生长速率是均匀的。陶瓷，根据本发明＆KISSING方法的AUML是通过粒子＆OUML准备导航用途有，通过一个;所述电介质材料的性能的控制SSE温度特性另外BEAR突然较小Leckstr＆OUML;我因为Korngrogen在烧结过程中的小成长并且因此电阻断的比例晶界仍然很高。

2. 发明申请

WO2007138088A2 HERSTELLUNG VON BESCHICHTUNGSLÖSUNGEN NEBST HERGESTELLTEN PRODUKTEN 审中-公开
标题翻译： MAKING涂层解决方案连同生产的产品
公开(公告)号：WO2007138088A2
公开(公告)日：2007-12-06
申请号：PCT/EP2007/055277
申请日：2007-05-31
申请人： RWTH AACHEN , PITHAN, Christian , HAEGEL, Franz-Hubert , DORNSEIFFER, Jürgen , SCHNELLER, Theodor , WASER, Rainer
发明人： PITHAN, Christian , HAEGEL, Franz-Hubert , DORNSEIFFER, Jürgen , SCHNELLER, Theodor , WASER, Rainer
IPC分类号： C04B35/468 , C04B35/47 , C04B35/486 , C04B35/49 , C04B35/622 , C01G23/00
CPC分类号： C04B35/4682 , B82Y30/00 , C01G23/006 , C01P2004/64 , C04B35/47 , C04B35/486 , C04B35/49 , C04B35/62227 , C04B35/6264 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/401 , C04B2235/441 , C04B2235/5454 , C09C1/36 , C09C1/3669 , C23C18/1216 , C23C18/1266 , C23C18/1275 , C23C24/08 , C23C26/00 , C23C30/00
摘要： Beschichtunglösungen zur Herstellung von dichten mesoskopischen keramischen Schichten, bestehend aus konzentrierten oxidischen Nanopartikel-Dispersionen, die über eine Hydrolysereaktion aus feuchtigkeitsempfindlichen Präkursor-Lösungen mittels Mikro-emulsionen mit kationischen Tensiden hergestellt und gegebenenfalls mit Beimengungen von metallo-organischen CSD-Lösungen in einem Anteil kleiner als 50 %, bezogen auf das Metalloxid versehen sind. Aufgabe der beigemischten CSD-Lösung ist es, sowohl die hierfür erforderlichen Sintertemperaturen zu senken, als auch durch Verwendung anderer Metallkombinationen keramische Komposit-Schichten mit nanoskaliger Heterogenität oder Dotierungen zu erzeugen, als auch die Erhöhung der Dichte.
摘要翻译：的比例作为用于生产由通过从潮湿敏感的前体溶液进行水解反应通过微乳液与阳离子表面活性剂的方法制备浓缩的氧化物纳米颗粒分散体的致密介观陶瓷层，并用的金属 - 有机CSD溶液外加剂任选较少的涂布溶液提供50％，基于所述金属氧化物。该CSD混合溶液的目的是减少所需的烧结温度，以产生具有纳米级异质或掺杂剂以及通过使用其它金属组合，以及密度的增加陶瓷复合层。

3. 发明申请

WO2012155900A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERKERAMIKMATERIALS, HALBLEITERKERAMIKMATERIAL UND EIN HALBLEITER-BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：一种用于生产半导体陶瓷材料，半导体陶瓷材料和半导体元件
公开(公告)号：WO2012155900A2
公开(公告)日：2012-11-22
申请号：PCT/DE2012/100143
申请日：2012-05-16
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH , CHEMICAL CONSULTING DORNSEIFFER CCD GBR , PITHAN, Christian , KATSU, Hayoto , WASER, Rainer , DORNSEIFFER, Jürgen
发明人： PITHAN, Christian , KATSU, Hayoto , WASER, Rainer , DORNSEIFFER, Jürgen
IPC分类号： H01C7/02
CPC分类号： H01C7/025 , B82Y30/00 , C01G23/006 , C01P2002/54 , C01P2004/04 , C04B35/465 , C04B35/4682 , C04B35/47 , C04B35/49 , C04B35/491 , C04B35/62222 , C04B35/624 , C04B35/62615 , C04B2235/3213 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3294 , C04B2235/401 , C04B2235/441 , C04B2235/5454 , C04B2235/663 , C04B2235/666 , C04B2235/768 , C04B2235/782 , C04B2235/785
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkeramikmaterials mit einem nichtlinearen elektrischen Widerstand mit positivem Temperaturkoeffizienten vorgestellt, bei dem eine ein donatordotiertes ferroelektrisches Material mit Perowskit-Struktur und der allgemeinen Formel A x B y O 3 aufweisende Vorläufermasse in reduzierender Atmosphäre bei Temperaturen von höchstens 1200 °C gesintert wird, wobei das gesinterte Material eine mittlere Körnergröße im Submikrometerbereich aufweist. Das gesinterte Material wird anschließend an seinen Korngrenzen bei Temperaturen von höchstens 600 °C reoxidiert. Die Körnung der Vorläufermasse weist eine mittlere Primärkörnergröße im Submikrometerbereich, bevorzugt eine mittlere Primärkörnergröße von höchstens 50 nm, weiter bevorzugt von höchstens 20 nm und weiter bevorzugt von höchstens 10 nm auf. Das mit dem Verfahren hergestellte Halbleiterkeramikmaterial weist ebenfalls eine mittlere Körnergröße im Submikrometerbereich auf, bevorzugt derart, dass 80 % der Körner kleiner als 800 nm, weiter bevorzugt kleiner als 300 nm, weiter bevorzugt kleiner als 200 nm ist.
摘要翻译：公开了一种用于与具有正温度系数，其中一个donatordotiertes具有钙钛矿结构并在还原气氛中的含通式AxByO3前体材料的铁电材料在至多1200℃的温度下进行烧结，其特征在于，非线性电阻的制造半导体陶瓷材料的方法烧结材料具有在亚微米范围内的平均晶粒尺寸。的烧结材料，然后在其晶界再氧化在至多600℃的温度下所述前体材料的颗粒尺寸在亚微米范围内的平均一次粒径，为50nm以下的优选平均一次粒径，更优选为20nm以下，更优选至多为10nm。由该方法制得的半导体陶瓷材料还具有在亚微米范围内的平均晶粒尺寸，晶粒小于800纳米，更优选小于300nm，更优选小于200纳米的优选使得80％。

4. 发明申请

WO2010136007A2 SPEICHERELEMENT, STAPELUNG, SPEICHERMATRIX UND VERFAHREN ZUM BETREIBEN 审中-公开
标题翻译：存储元件中，堆放，存储矩阵及其操作方法
公开(公告)号：WO2010136007A2
公开(公告)日：2010-12-02
申请号：PCT/DE2010/000514
申请日：2010-05-08
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH , RHEINISCH-WESTFÄLISCHE TECHNISCHE HOCHSCHULE AACHEN (RWTH) , LINN, Eike , KÜGELER, Carsten , ROSEZIN, Roland Daniel , WASER, Rainer
发明人： LINN, Eike , KÜGELER, Carsten , ROSEZIN, Roland Daniel , WASER, Rainer
IPC分类号： G11C13/02
CPC分类号： G11C13/0002 , G11C13/00 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C13/02 , G11C2013/0073 , G11C2213/15 , G11C2213/71 , G11C2213/77 , H03K19/177
摘要： Die Erfindung betrifft ein Speicherelement, eine Stapelung und eine Speichermatrix, in denen dieses Speicherelement einsetzbar ist, Verfahren zum Betreiben der Speichermatrix sowie Verfahren zur Bestimmung des Wahrheitswerts einer logischen Verknüpfung in einer Anordnung aus den Speicherelementen. Das Speicherelement weist mindestens einen ersten stabilen Zustand 0 und einen zweiten stabilen Zustand 1 auf. Durch Anlegen einer ersten Schreibspannung V 0 lässt sich dieses Speicherelement in den hochohmigen Zustand 0 und durch Anlegen einer zweiten Schreibspannung V 1 in den ebenfalls hochohmigen Zustand 1 überführen. Bei Anlegen einer Auslesespannung V R , welche betragsmäßig kleiner ist als die Schreibspannungen V 0 und V 1 , zeigt das Speicherelement unterschiedliche elektrische Widerstandswerte. Das Speicherelement fungiert in den in einer Speichermatrix auftretenden parasitären Strompfaden als hochohmiger Widerstand, ohne dabei prinzipiell auf unipolares Schalten eingeschränkt zu sein. Es wurde ein Verfahren entwickelt, mit dem eine Anordnung aus den erfindungsgemäßen Speicherelementen zu einem Gatter für beliebige logische Verknüpfungen gemacht werden kann.
摘要翻译：本发明涉及一种存储元件，堆叠和存储器阵列，其中使用这种存储元件，用于操作所述存储器阵列和确定在所述存储器元件的阵列的逻辑运算的真值的方法的方法。该存储元件具有至少一个第一稳定状态0和第二稳定1个状态。通过在该存储元件施加第一写入电压V0可以在高阻抗状态0和通过将第二写入电压被转换成高阻抗状态也1 V1。当一个读出电压VR，其在量值小于写入电压V0和V1的应用，所述存储器元件具有不同的电阻值。存储元件作用于在存储器阵列中存在的寄生电流路径为高值电阻器而不限于单极切换原理之中。我们已经开发出由根据本发明的存储元件的配置可以用于随机逻辑的操作的栅极进行的方法。

5. 发明申请

WO2012113365A1 VERFAHREN ZUM NICHTDESTRUKTIVEN AUSLESEN RESISTIVER SPEICHERELEMENTE 审中-公开
标题翻译：法非破坏性读取电阻式存储器元件
公开(公告)号：WO2012113365A1
公开(公告)日：2012-08-30
申请号：PCT/DE2012/000096
申请日：2012-02-03
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH , RHEINISCH-WESTFÄLISCHE TECHNISCHE HOCHSCHULE AACHEN (RWTH) , ROSEZIN, Roland, Daniel , LENTZ, Florian , BRUCHHAUS, Rainer , LINN, Eike , VALOV, Ilia , WASER, Rainer , TAPPERTZHOFEN, Stefan , NIELEN, Lutz
发明人： ROSEZIN, Roland, Daniel , LENTZ, Florian , BRUCHHAUS, Rainer , LINN, Eike , VALOV, Ilia , WASER, Rainer , TAPPERTZHOFEN, Stefan , NIELEN, Lutz
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C13/004 , G11C13/0007 , G11C13/0061 , G11C2013/0073 , G11C2213/73 , G11C2213/76
摘要： Im Rahmen der Erfindung wurde ein Verfahren zum Auslesen eines Speicherelements, welches eine Serienschaltung von mindestens zwei Speicherzellen A und B aufweist, entwickelt. Dabei haben die Speicherzellen A und B jeweils einen stabilen Zustand A0 bzw. B0 mit höherem Widerstand und einen stabilen Zustand A1 bzw. B1 mit geringerem elektrischem Widerstand. Bei dem Verfahren wird eine elektrische Größe der Reihenschaltung gemessen. Erfindungsgemäß wird für diese Messung eine elektrische Größe gewählt, zu der die Speicherzelle A im Zustand A0 einen anderen Beitrag leistet als die Speicherzelle B im Zustand B0 und/oder zu der die Speicherzelle A im Zustand A1 einen anderen Beitrag leistet als die Speicherzelle B im Zustand B1. Es wurde erkannt, dass die beiden Zustandskombinationen A1 und B0 bzw. A0 und B1 dann zu unterschiedlichen Werten für die über die Reihenschaltung gemessene elektrische Größe führen. Somit können diese Zustandskombinationen voneinander unterschieden werden, ohne dass der logische Zustand des Speicherelementes beim Lesen verändert werden muss.
摘要翻译：在本发明的读取存储元件，其包括至少两个存储单元A和B的串联电路的方法已被开发出来。的存储单元A和B各自有一个稳定状态A0和B0具有较高电阻并以稳定的状态A1或者具有较低电阻B1。在该方法中，所述串联电路的电量被测量。根据本发明，被选择用于该测量到的电尺寸存储单元中的状态A0确实另一篇文章时的状态B0的存储单元B和/或该存储器单元A使在状态到状态A1的另一个贡献和存储单元乙 B1。它已认识到状态A1和B0和A0和B1的两个组合然后导致对经由串联电路的电学量所测量的不同的值。需要读取时将被改变。因此，这些状态组合可以彼此区分开，而不存储元件的逻辑状态。

6. 发明申请

WO2017190719A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON SCHICHTEN VON ReRAM-SPEICHERN UND VERWENDUNG EINES IMPLANTERS 审中-公开
标题翻译：生产重复存储层的方法和使用移植物的方法
公开(公告)号：WO2017190719A1
公开(公告)日：2017-11-09
申请号：PCT/DE2017/000080
申请日：2017-03-31
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH
发明人： BOROWSKI, René , KIM, Won Joo , RANA, Vikas , WASER, Rainer
IPC分类号： H01L45/00 , H01J37/317
CPC分类号： H01L45/165 , H01L45/04 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Schichten von ReRAM-Speichern sowie die Verwendung eines Implanters. Erfindungsgemäß werden für die Herstellung von ReRAM-Speichern TMO-Schichten in einer gewünschten Reihenfolge auf eine Elektrode aufgebracht und dabei mindestens eine TMO-Schicht mittels eines lonenimplanters mit Ionen, beispielsweise Sauerstoffionen beschossen, so dass eine Importation von Ionen in diese TMO-Schicht bewirkt wird.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造ReRAM存储器层的方法以及一种注入器的使用。发明＆AUML;大街 ˚F导航用途的R的ReRAM存储器的制备TMO层在重量导航用途上的电极施加nschten顺序，而至少一个TMO层通过用离子如氧离子的lonenimplanters的装置发射，使得在这些TMO离子的输入图层生效。

7. 发明申请

WO2015085977A8 VERFAHREN ZUM AUSLESEN EINER RESISTIVEN SPEICHERZELLE UND EINE SPEICHERZELLE ZUR DURCHFÜHRUNG 审中-公开
标题翻译：用于读取电阻性存储器单元和存储器单元的实现方法
公开(公告)号：WO2015085977A8
公开(公告)日：2015-06-18
申请号：PCT/DE2014/000551
申请日：2014-10-29
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH , RHEINISCH-WESTFÄLISCHE TECHNISCHE HOCHSCHULE
发明人： VAN DEN HURK, Jan , LINN, Eike , WASER, Rainer , VALOV, Ilia
IPC分类号： F16H48/40
摘要： Im Rahmen der Erfindung wurde ein Verfahren zum Auslesen einer resistiven Speicherzelle mit zwei voneinander durch ein ionenleitendes resistives Material beabstandeten Elektroden, die sich durch Anlegen einer Schreibspannung von einem stabilen Zustand mit höherem Widerstandswert (high resistive state, HRS) in einen stabilen Zustand mit niedrigerem Widerstandswert (low resistance state, LRS) überführen lässt, entwickelt. Erfindungsgemäß wird zum Auslesen eine Lesespannung als Lesepuls angelegt, wobei die Anzahl der während des Pulses durch das ionenleitende resistive Material getriebenen Ionen über die Höhe und Dauer des Pulses so eingestellt wird, dass sie ausgehend vom Zustand zur Bildung eines elektrisch leitenden Pfades durch das ionenleitende resistive Material mindestens bis zum Einsetzen eines Stromflusses durch diesen Pfad und damit für den Übergang in einen metastabilen Zustand VRS (volatile resistance state) mit vermindertem Widerstandswert und einer vorgegebenen Relaxationszeit für die Rückkehr in den Zustand HRS ausreichen, nicht jedoch für den Übergang in den Zustand LRS. Auf diese Weise ist sichergestellt, dass sich die Speicherzelle nach dem Auslesen auf jeden Fall wieder im gleichen Zustand befindet wie vor dem Auslesen. Dies macht insbesondere Speicherelemente, die aus einer antiseriellen Schaltung zweier Speicherzellen bestehen, nichtdestruktiv auslesbar, ohne dass dies die Möglichkeit schmälert, große Arrays aus diesen Speicherelementen zu realisieren.
摘要翻译：的高电阻状态
在本发明中，用于读出具有两个由一个离子导电电阻材料的电极，其特征在于通过施加稳定状态的写入电压用H＆OUML隔开的电阻式存储器单元的方法是（Herem电阻，HRS）至较低电阻状态（LRS）稳定状态。发明＆AUML;大街读电压被施加作为读脉冲用于读出，其中的W＆AUML数目;通过驱动所述离子导电电阻材料在脉冲期间离子OVER H＆ouml; HE和脉冲的持续时间被调节成导电的基础上从状态以形成通过离子导电电阻材料的路径至少直到电流开始流过该路径，从而转变成具有降低的电阻值和预定的弛豫时间的亚稳态VRS状态，以返回说明HRS足够了，但不适用于过渡到国家LRS。以这种方式确保了读取之后的存储器单元在任何情况下再次处于与读取之前相同的状态。这使得特定存储器元件，其包括两个存储单元没有这种非破坏性读出的M＆ouml的反串联连接的;可能性SCHM＆AUML; lert，BIG为了实现这些存储元件电子阵列

8. 发明申请

WO2018178135A1 CHEMISCH BESTÄNDIGER, OXIDISCHER ELEKTROKATALYSATOR FÜR DIE SAUERSTOFFENTWICKLUNG WÄHREND DER ALKALISCHEN WASSERELEKTROLYSE BASIEREND AUF BACOOJ_5, VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG UND IHN UMFASSENDE ANODE SOWIE KATALYTISCH AKTIVES UND CHEMISCH STABILES REAKTIONSPRODUKT DAVON 审中-公开
公开(公告)号：WO2018178135A1
公开(公告)日：2018-10-04
申请号：PCT/EP2018/057880
申请日：2018-03-28
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH , RWTH AACHEN
发明人： BICK, Daniel , VALOV, Ilia , SCHNELLER, Theodor , WASER, Rainer
IPC分类号： C25B1/04 , C25B11/04 , H01M4/90 , H01M12/06 , B01J23/00 , B01J23/78 , B01J35/00 , B01J21/06
摘要： Offenbart wird ein zweiphasiges elektrisch leitfähiges Mischoxid auf Perovskitbasis der Struktur AB0 3 mit A = Ba, und B = Co, umfassend zusätzlich 5-45 at%, bevorzugt 15 bis 30 at%, besonders bevorzugt 25 at% Co 3 O 4 (at % Co bezogen auf Gesamtzahl der Co-Atome im Perovskit ABO 3 und 0,5 bis 3 at%, bevorzugt 1 bis 2,5 at%, besonders bevorzugt 2 at% (wobei die at% bezogen sind auf die Gesamtzahl der B-Kationen im Perovskit ABO 3 ) Ti als Dotierstoff. Bevorzugt hat das Mischoxid die stöchiometrische Formel BaCo 1-X Ti XO3-δ ,>:Co 3 O 4 mit x=0,005 bis 0,03, bevorzugt x = 0,01 bis 0,025, besonders bevorzugt x = 0,02, wobei δ die Leerstellen in der Perovskit-Struktur definiert und im Bereich von im Bereich von ca. ca. 0,1 bis 0,8, bevorzugt 0,3 bis 0,7, besonders bevorzugt ca. 0,5 bis 0,6 liegt. Offenbart werden ferner ein Katalysator und eine Anode, die das Mischoxid umfassen, die Verwendung des Katalysators bei der alkalischen Wasserelektrolyse oder in Metall-Luft-Batterien, die Verwendung des Mischoxids zur Herstellung einer Anode für die alkalische Wasserelektrolyse oder Metall-Luft-Batterien. Weiter werden Herstellungsverfahren für eine Präkursorlösung für das Mischoxid und für die erfindungsgemäße Anode offenbart, sowie ein amorphes Mischoxid mit einem Verhältnis Co:Ba von ca. 2:1 und einer TTB (Tetragonal Tungsten-Bronze)-ähnlichen Nahstruktur, erhältlich durch Einsatz des erfindungsgemäßen Mischoxids als Katalysator bei der Sauerstoffentwicklungsreaktion der alkalischen Wasserelektrolyse, wobei durch Auslaugen von Ba das besagte amorphe Produkt entsteht.

9. 发明申请

WO2014202038A1 VERFAHREN ZUM KAPAZITIVEN AUSLESEN RESISTIVER SPEICHERELEMENTE SOWIE NICHTFLÜCHTIGE, KAPAZITIV AUSLESBARE SPEICHERELEMENTE ZUR DURCHFÜHRUNG DES VERFAHRENS 审中-公开
标题翻译： METHOD FOR用于执行该方法READING电容电阻存储器元件，而VOLATILE，CAPACITIVE可读存储器元件
公开(公告)号：WO2014202038A1
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：PCT/DE2014/000257
申请日：2014-05-17
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH , RHEINISCH-WESTFÄLISCHE TECHNISCHE HOCHSCHULE (RWTH) AACHEN
发明人： TAPPERTZHOFEN, Stefan , LINN, Eike , NIELEN, Lutz , WASER, Rainer , VALOV, Ilia
IPC分类号： G11C13/00 , G11C14/00
CPC分类号： G11C14/0045 , G11C11/16 , G11C11/5685 , G11C13/003 , G11C13/004 , G11C2213/53 , G11C2213/74 , G11C2213/76 , G11C2213/79
摘要： Im Rahmen der Erfindung wurde ein Verfahren zum Auslesen eines nichtflüchtigen Speicherelements mit mindestens zwei stabilen Zuständen 0 und 1 entwickelt. Dieses umfasst mindestens eine resistive Speicherzelle, die die beiden Zustände 0 und 1 in einen Zustand HRS mit höherem elektrischem Widerstand und einen Zustand LRS mit niedrigerem elektrischem Widerstand kodiert. Das Speicherelement weist in den beiden Zuständen 0 und 1 unterschiedliche Kapazitäten C 0,1 auf; über diesen Unterschied wird bestimmt, welcher Zustand vorliegt. Erfindungsgemäß wird ein Speicherelement gewählt, in dem eine vom Zustand der Speicherzelle unabhängige Festkapazität mit der Speicherzelle in Reihe geschaltet ist. Es wurde erkannt, dass eine Reihenschaltung einer resistiven Speicherzelle mit einer Festkapazität statt mit einer zweiten resistiven Speicherzelle die Signalstärke beim kapazitiven Auslesen verbessert. Es wurde außerdem erkannt, dass die zweite Speicherzelle für die Speicherfunktion entbehrlich wird, wenn das Speicherelement kapazitiv ausgelesen wird. Im Rahmen der Erfindung wurden zudem Speicherelemente entwickelt, die einen Feldeffekttransistor bzw. eine DRAM-Struktur mit einer resistiven Speicherzelle oder einer antiseriellen Reihenschaltung derartiger Speicherzellen kombinieren. Derartige Speicherelemente sind besonders zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens geeignet.
摘要翻译：在本发明，用于读取具有至少两个稳定状态0和1的非易失性存储器元件的方法已被开发出来。这包括至少一个电阻性存储器单元，在一个状态HRS较高的电阻和较低的电阻的状态LRS编码两种状态0和1。所述存储器元件包括在两个状态0和1 C0.1不同的容量; 有关此差确定哪个条件存在。根据本发明，存储元件被选择时，其中一个独立的存储器单元固定电容的状态被串联连接到该存储单元。它已认识到具有固定电容，而不是使用第二电阻性存储器单元的电阻式存储器单元的串联电路改善了电容读出的信号强度。还已经认识到，当被读出的存储器元件电容性第二存储单元是不必要的记忆功能。在本发明中，还存储元件已经开发出结合一个场效应晶体管或具有电阻式存储器单元的DRAM结构，或这样的存储单元的逆串联连接。这种存储元件特别适合于实施本发明的方法。

10. 发明申请

WO2005096348A2 KRAFTSENSOR MIT ORGANISCHEN FELDEFFEKTTRANSISTOREN, DARAUF BERUHENDER DRUCKSENSOR, POSITIONSSENSOR UND FINGERABDRUCKSENSOR 审中-公开
标题翻译： WITH有机场效应晶体管的力传感器，其上压力传感器，位置传感器和指纹传感器基于
公开(公告)号：WO2005096348A2
公开(公告)日：2005-10-13
申请号：PCT/DE2005/000559
申请日：2005-03-30
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , KLAUK, Hagen , HALIK, Marcus , ZSCHIESCHANG, Ute , SCHMID, Günter , DARLINSKI, Grzegorz , WASER, Rainer , BREDERLOW, Ralf
发明人： KLAUK, Hagen , HALIK, Marcus , ZSCHIESCHANG, Ute , SCHMID, Günter , DARLINSKI, Grzegorz , WASER, Rainer , BREDERLOW, Ralf
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： G06K9/00053
摘要： Die Erfindung betrifft einen Kraftsensor auf der Basis eines auf einem Substrat (1; 11) aufgebrachten organischen Feldeffekttransistors (10), bei dem eine auf den Transistor einwirkende mechanische Kraft eine dieser Kraft entsprechende Änderung seiner Source-Drain-Spannung oder seines Source-Drain-Stroms (I D ) verursacht, die jeweils als Messgröße (V mess , I mess ) für die einwirkende Kraft erfassbar sind, einen einen derartigen Kraftsensor verwendenden membranbasierten Drucksensor, einen eine Vielzahl derartiger Kraftsensoren verwendenden ein- oder zweidimensionalen Positionssensor und einen eine Vielzahl solcher Kraftsensoren verwendenden Fingerabdrucksensor.
摘要翻译：本发明涉及一种基于一个力传感器的基板上（1; 11）施加的有机场效应晶体管（10），其特征在于，作用在所述晶体管的机械力相应改变其源 - 漏电压或它的源极 - 漏极这些力中的一个的力电流（ID）给出，其中各测量变量（VMEAS，Imess）是可检测的对所施加的力，一个这样的力传感器中使用基于膜的压力传感器，多个这样的力传感器的使用的一个或二维位置传感器和多个使用指纹传感器这样的力传感器。

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