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1. 发明申请

WO2011107161A1 RESISTANCE COMPONENT 审中-公开
标题翻译：电阻元件
公开(公告)号：WO2011107161A1
公开(公告)日：2011-09-09
申请号：PCT/EP2010/052857
申请日：2010-03-05
申请人： EPCOS AG , VAN DEN OEVER, Léon C. M. , BALM, Bart , BOUWMAN, Jeroen
发明人： VAN DEN OEVER, Léon C. M. , BALM, Bart , BOUWMAN, Jeroen
IPC分类号： H01L27/085 , G05F1/56
CPC分类号： H01L27/085 , H01L27/0802
摘要： A resistance component comprises a multitude of pHEMTs (10, 20, 30, 40, 50, 60, 70, 80) which are connected in series.
摘要翻译：电阻分量包括串联连接的大量pHEMT（10,20,30,40,50,60,70,80）。

2. 发明申请

WO2011066863A1 SEMICONDUCTOR CHIP WITH BACKSIDE METALLIZATION AND ARRANGEMENT OF SAID CHIP ON A CARRIER 审中-公开
标题翻译：具有背面金属化的半导体芯片和载体上的固定芯片布置
公开(公告)号：WO2011066863A1
公开(公告)日：2011-06-09
申请号：PCT/EP2009/066367
申请日：2009-12-03
申请人： EPCOS AG , FRIC, Tomas , BOUWMAN, Jeroen , VAN DEN OEVER, Léon C. M.
发明人： FRIC, Tomas , BOUWMAN, Jeroen , VAN DEN OEVER, Léon C. M.
IPC分类号： H01L23/66 , H01L23/48
CPC分类号： H01L23/481 , H01L23/5227 , H01L23/645 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L2223/6627 , H01L2223/6644 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/01055 , H01L2924/1423 , H01L2924/1903 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： An electronic device or circuit (4) at the front side (2) of a substrate (1) of semiconductor material with terminals (5) and a wiring electrically connected with the terminals is connected with a structured backside metallization (7) on the rear side. An interconnect (8) through the substrate is electrically connected with the backside metallization, and the interconnect and the backside metallization form part of the wiring. The chip (11) can be arranged on a carrier (10) comprising contact areas (15), which can be connected with the backside metallization or the terminals directly or via bond wires.
摘要翻译：在具有端子（5）的半导体材料的基板（1）的前侧（2）处的电子器件或电路（4）和与端子电连接的布线在后部与后面的结构化背面金属化（7）连接侧。通过衬底的互连（8）与背面金属化电连接，并且互连和背面金属化形成布线的一部分。芯片（11）可以布置在包括接触区域（15）的载体（10）上，该接触区域可以直接或通过接合线与后侧金属化或端子连接。

3. 发明申请

WO2011107160A1 BANDGAP REFERENCE CIRCUIT AND METHOD FOR PRODUCING THE CIRCUIT 审中-公开
标题翻译：带状参考电路和制造电路的方法
公开(公告)号：WO2011107160A1
公开(公告)日：2011-09-09
申请号：PCT/EP2010/052856
申请日：2010-03-05
申请人： EPCOS AG , BOUWMAN, Jeroen , VAN DEN OEVER, Léon C. M.
发明人： BOUWMAN, Jeroen , VAN DEN OEVER, Léon C. M.
IPC分类号： G05F3/30
CPC分类号： G05F3/30
摘要： Bandgap reference circuit, comprising a voltage generator (VG) designed to produce a voltage or a current proportional to absolute temperature, a supply circuit (SC), designed to produce a supply for operating the voltage generator (VG), comprising a bias element (BS) and a control element (CS), and a bias circuit (BC), designed to produce a bias for operating the voltage generator (VG), comprising a bias element (BB) and a control element (CB). At least one of the control element (CS) of the supply circuit (SC) and the control element (CB) of the bias circuit (BC) comprises a pseudomorphic high-electron-mobility transistor or a hetero-junction bipolar transistor and/or at least one of the bias element (BS) of the supply circuit (SC) and the bias element (BB) of the bias circuit (BC) comprises a long-gate pseudomorphic high-electron-mobility transistor or a resistor. Method for producing the circuit wherein the pseudomorphic high-electron-mobility transistors and the hetero-junction bipolar transistors are produced using a GaAs BiFET technology process.
摘要翻译：带隙参考电路，包括设计成产生与绝对温度成正比的电压或电流的电压发生器（VG），设计用于产生用于操作电压发生器（VG）的电源的电源电路（SC），包括偏置元件 BS）和控制元件（CS）以及设计成产生用于操作电压发生器（VG）的偏压的偏置电路（BC），包括偏置元件（BB）和控制元件（CB）。供电电路（SC）的控制元件（CS）和偏置电路（BC）的控制元件（CB）中的至少一个包括伪形高电子迁移率晶体管或异质结双极晶体管和/或供电电路（SC）的偏置元件（BS）和偏置电路（BC）的偏置元件（BB）中的至少一个包括长栅极伪晶体高电子迁移率晶体管或电阻器。用于制造电路的方法，其中使用GaAs BiFET技术工艺制造假晶高电子迁移率晶体管和异质结双极晶体管。

4. 发明申请

WO2011107158A1 pHEMT HAVING A CHANNEL LENGTH LARGER THAN THE CHANNEL WIDTH 审中-公开
标题翻译：具有通道长度超过通道宽度的pHEMT
公开(公告)号：WO2011107158A1
公开(公告)日：2011-09-09
申请号：PCT/EP2010/052853
申请日：2010-03-05
申请人： EPCOS AG , VAN DEN OEVER, Léon C. M. , BALM, Bart , BOUWMAN, Jeroen
发明人： VAN DEN OEVER, Léon C. M. , BALM, Bart , BOUWMAN, Jeroen
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/10 , H01L29/778
CPC分类号： H01L29/1029 , H01L29/66462 , H01L29/778
摘要： A semiconductor device comprises a pHEMT which comprises a source (30), a drain (10) and a channel region (40) running between the source (30) and the drain (10), the channel region (40) being located at least partly beneath a gate electrode (20), the channel region (40) having a channel length and a channel width, the channel length being the total length of the channel region (40) which is located beneath the gate electrode (20), the channel width being a width of the channel region (40) beneath the gate electrode (20), wherein the channel length is equal or larger than the channel width.
摘要翻译：半导体器件包括pHEMT，其包括源（30），漏极（10）和在源极（30）和漏极（10）之间延伸的沟道区（40），沟道区（40）至少位于部分地在栅电极（20）下方，沟道区域（40）具有沟道长度和沟道宽度，沟道长度是位于栅电极（20）下方的沟道区域（40）的总长度，沟道宽度是栅电极（20）下方的沟道区域（40）的宽度，其中沟道长度等于或大于沟道宽度。

5. 发明申请

WO2012003871A1 VOLTAGE REGULATOR AND A METHOD FOR REDUCING AN INFLUENCE OF A THRESHOLD VOLTAGE VARIATION 审中-公开
标题翻译：电压调节器和降低阈值电压变化影响的方法
公开(公告)号：WO2012003871A1
公开(公告)日：2012-01-12
申请号：PCT/EP2010/059743
申请日：2010-07-07
申请人： EPCOS AG , BOUWMAN, Jeroen , VAN DEN OEVER, Léon, C., M.
发明人： BOUWMAN, Jeroen , VAN DEN OEVER, Léon, C., M.
IPC分类号： G05F3/20
CPC分类号： G05F3/16 , G05F3/20
摘要： A voltage regulator (1) for providing a regulated output voltage (Vout), the voltage regulator (1) comprising a regulating module (7) comprising a resistor (R1) and a field effect transistor (QQ1) which has a threshold voltage (VT), the resistor (R1) being coupled to a gate terminal (113) and a source terminal (112) of the field effect transistor (QQ1), wherein the regulating module (7) provides the output voltage (Vout), a reference module (8) being suitable for detecting a variation of the output voltage (Vout), the reference module (8) being coupled with the regulating module (7), a current sink (6) being suitable for subtracting a compensation current (Icomp) from the current flowing from the regulating module (7) to the reference module (8), the compensation current (Icomp) being dependent on a variation of the threshold voltage (DVT).
摘要翻译：一种用于提供调节输出电压（Vout）的电压调节器（1），所述电压调节器（1）包括调节模块（7），所述调节模块（7）包括具有阈值电压（VT）的电阻器（R1）和场效应晶体管（QQ1）），电阻器（R1）耦合到场效应晶体管（QQ1）的栅极端子（113）和源极端子（112），其中调节模块（7）提供输出电压（Vout），参考模块（8）适于检测输出电压（Vout）的变化，参考模块（8）与调节模块（7）耦合，电流吸收器（6）适于从从调节模块（7）流向参考模块（8）的电流，补偿电流（Icomp）取决于阈值电压（DVT）的变化。

6. 发明申请

WO2011107159A1 CIRCUIT UNIT, BIAS CIRCUIT WITH CIRCUIT UNIT AND DIFFERENTIAL AMPLIFIER CIRCUIT WITH FIRST AND SECOND CIRCUIT UNIT 审中-公开
标题翻译：电路单元，具有电路单元的偏置电路和与第一和第二电路单元的差分放大器电路
公开(公告)号：WO2011107159A1
公开(公告)日：2011-09-09
申请号：PCT/EP2010/052855
申请日：2010-03-05
申请人： EPCOS AG , BALM, Bart , BOUWMAN, Jeroen , VAN DEN OEVER, Léon, C., M.
发明人： BALM, Bart , BOUWMAN, Jeroen , VAN DEN OEVER, Léon, C., M.
IPC分类号： H03F3/193
CPC分类号： H03F3/193
摘要： Circuit unit (CU) comprising a heterojunction bipolar transistor and a long-gate pseudomorphic high-electron-mobility transistor. Either a source (S) or a drain (D) of the long-gate pseudomorphic high-electron-mobility transistor is electrically coupled with either a collector (C) or an emitter (E) of the heterojunction bipolar transistor.
摘要翻译：包括异质结双极晶体管和长栅极假晶高电子迁移率晶体管的电路单元（CU）。长栅极伪电子高电子迁移率晶体管的源极（S）或漏极（D）与异质结双极晶体管的集电极（C）或发射极（E）电耦合。

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