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1. 发明申请

WO2020254695A1 PROCÉDÉ DE RÉALISATION DE VIGNETTES DE NITRURE DESTINÉES CHACUNE À FORMER UN DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE OU OPTOÉLECTRONIQUE 审中-公开
公开(公告)号：WO2020254695A1
公开(公告)日：2020-12-24
申请号：PCT/EP2020/067382
申请日：2020-06-22
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
发明人： FEUILLET, Guy , ALLOING, Blandine , BONO, Hubert , DAGHER, Roy , ZUNIGA PEREZ, Jesus , CHARLES, Matthew , BUCKLEY, Julien , ESCOFFIER, René
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/00 , C30B25/18
摘要： L'invention concerne notamment un procédé d'obtention de vignettes (550A, 550B) faites au moins en partie d'un nitrure (N), le procédé comprend les étapes successives suivantes: - fournir un empilement comprenant un substrat (100) et au moins les couches suivantes successivement disposées depuis le substrat (100):  une première couche, dite couche de fluage (200),  une deuxième couche, cristalline, dite couche cristalline (300), - former des plots (1000A1-1000B4) par gravure de la couche cristalline (300) et d'au moins une portion (220) de la couche de fluage (200) de manière à ce que : o chaque plot (1000A1-1000B4) comporte au moins :  un premier tronçon, dit tronçon de fluage (200A1- 200B4), formé par une portion au moins de la couche de fluage (200),  un deuxième tronçon, cristallin, dit tronçon cristallin (300A1, 300B4), formé par la couche cristalline (300) et surmontant le tronçon de fluage (200A1- 200B4), o les plots (1000A1-1000B4) soient répartis sur le substrat (100) de manière à former une pluralité d'ensembles (1000A, 1000B) de plots (1000A1-1000B4), - faire croitre par épitaxie une cristallite (510A1-510B4) sur certains au moins desdits plots (1000A1-1000B4) et poursuivre la croissance épitaxiale des cristallites (510A1-510B4) jusqu'à coalescence des cristallites (510A1-510B4) portées par les plots (1000A1-1000B4) adjacents d'un même ensemble (1000A, 1000B).

2. 发明申请

WO2014044871A2 CELLULE PHOTOVOLTAIQUE A HETEROJONCTION ET PROCEDE DE FABRICATION D'UNE TELLE CELLULE 审中-公开
标题翻译：光伏异质结电池和制造这种电池的方法
公开(公告)号：WO2014044871A2
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：PCT/EP2013/069880
申请日：2013-09-24
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： BUCKLEY, Julien , MUR, Pierre
IPC分类号： H01L31/072 , H01L31/0747 , H01L31/042
CPC分类号： H01L31/02167 , H01L31/072 , H01L31/074 , H01L31/0747 , H01L31/1868 , Y02E10/50
摘要： L'invention concerne une cellule photovoltaïque à hétérojonction comprenant un substrat (1) dopé, dans laquelle : - une première face principale (1A) dudit substrat est recouverte d'une couche de passivation (2A), d'une couche (3A) dopée du type opposé à celui du substrat, formant l'émetteur de ladite cellule, - la seconde face principale (1B) dudit substrat est recouverte d'une couche de passivation (2B), d'une couche (3B) dopée du même type que le substrat, formant un champ répulsif pour les porteurs minoritaires du substrat, caractérisée en ce que : - le matériau de la couche de passivation (2A) côté émetteur (E) est choisi pour présenter une barrière de potentiel plus basse pour les porteurs minoritaires photogénérés que pour les porteurs majoritaires du substrat, et - le matériau de la couche de passivation (2B) côté champ répulsif (BSF) est choisi pour présenter une barrière de potentiel plus basse pour les porteurs majoritaires photogénérés que pour les porteurs minoritaires du substrat.
摘要翻译：本发明涉及适用于光伏电池的光伏电池。 ħéT E rojonction包括衬底（1）掺杂é;，其中： - 第一和egrave;重主面（1A）的所述衬底上覆盖有钝化层（2A），一个层（3A）DOPDé 相反类型的e; ＆Agrave; 所述基板的，形成所述单元的电导演， - 所述衬底覆盖有钝化层（2B），层（3B）DOPéê米＆ecirc的第二主面（图1B）;我所述衬底形成用于所述衬底的少数载流子的排斥场，其特征在于： - 所述钝化层（2A）的材料是 É导演（E）被选择为PRé信通的阻挡＆egrave;再最低电位的对少数载流子Photogé否E [R（E S）为基材的多数载流子，并且 - 所述钝化层的垫é廖内（2B）c＆ocirc; t＆oacute; 选择脉冲场（BSF）为相对多数载流子提供比基底的少数载流子更低的势垒。

3. 发明申请

WO2021255039A1 DISPOSITIF MICRO-ÉLECTRONIQUE À SUBSTRAT ISOLÉ, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ 审中-公开
公开(公告)号：WO2021255039A1
公开(公告)日：2021-12-23
申请号：PCT/EP2021/066138
申请日：2021-06-15
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： BUCKLEY, Julien , ESCOFFIER, René , GILLOT, Charlotte
IPC分类号： H01L21/8252 , H01L27/06 , H01L27/085 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/417 , H01L29/778 , H01L29/66 , H01L29/207 , H01L29/861 , H01L27/0605 , H01L29/1066 , H01L29/1075 , H01L29/41766 , H01L29/66462 , H01L29/7786
摘要： L'invention concerne un dispositif (1) micro-électronique comprenant un premier (10) et un deuxième (20)composants électroniques, et un substrat (2), formé d'un premier matériau semi-conducteur, servant de support auxdits composants. Les premier et deuxième composants comprennent chacun une couche active (14, 24)formée au moins en partie d'un deuxième matériau semi-conducteur différent du premier matériau semi-conducteur. Le dispositif comprend en outre, pour chacun desdits composants, un empilement (100, 200) de maintien de tension électrique, qui est situé entre le substrat et la couche active du composant électronique considéré et qui comprend deux couches formant un jonction P-N, formée à partir du même matériau semi-conducteur que le substrat et qui isole la couche active en question d'avec le substrat. Les ensembles comprenant respectivement le premier et le deuxième composant et son empilement respectif de maintien de tension électrique sont séparés l'un de l'autre par une barrière (4) en matériau électriquement isolant (5). L'invention concerne aussi un procédé de fabrication associé.

4. 发明申请

WO2020030757A1 TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ 审中-公开
公开(公告)号：WO2020030757A1
公开(公告)日：2020-02-13
申请号：PCT/EP2019/071361
申请日：2019-08-08
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： BUCKLEY, Julien , ESCOFFIER, René
IPC分类号： H01L23/525 , H01L29/417 , H01L23/62 , H01L29/778
摘要： La présente invention se rapporte à un transistor à effet de champ (100) comportant : − un substrat (1); − une structure semi-conductrice (2) formée sur une face principale du substrat (1), la structure semi-conductrice (2) comprenant une zone de canal (7); − une première électrode (3) et une deuxième électrode (4) entre lesquelles s'étend la zone de canal (7), la première électrode (3) comportant une pluralité de portions (30) espacées les unes des autres, chaque portion (30) de la première électrode (3) contribuant à former un transistor élémentaire appelé « îlot »; − des pistes de connexion (36) pour connecter électriquement les portions (30) de la première électrode (3) entre elles; et dans lequel chaque portion (30) de la première électrode (3) est connectée à une piste de connexion (36) par l'intermédiaire d'une zone fusible (9), chaque zone fusible (9) associée à la portion (30) de la première électrode (3) d'un îlot étant apte à être rompue de manière à isoler électriquement ledit îlot s'il est défectueux.

5. 发明申请

WO2015071285A1 CELLULE PHOTOVOLTAIQUE A HEREOJONCTION DE SILICIUM 审中-公开
标题翻译：具有硅杂质的光电池
公开(公告)号：WO2015071285A1
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：PCT/EP2014/074325
申请日：2014-11-12
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： BUCKLEY, Julien , CHARLES, Matthew
IPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/078
CPC分类号： H01L31/074 , H01L31/022466 , H01L31/02366 , H01L31/0747 , H01L31/078 , H01L31/1804 , H01L31/1856 , H01L31/1884 , Y02E10/50
摘要： L'invention concerne une cellule photovoltaïque à hétérojonction de silicium comprenant un substrat (1) de silicium cristallin dopé, dans laquelle : - une première face du substrat (1) est recouverte successivement d'une couche de passivation (2), d'une couche (3) de silicium amorphe ou microcristallin dopé p ou p+ et d'une couche (6) d'un matériau transparent conducteur, - la seconde face du substrat est recouverte successivement d'une couche (5) de silicium amorphe ou microcristallin dopé n ou n+ et d'une couche (7) d'un matériau transparent conducteur. La cellule comprend, entre le substrat (1) et la couche (5) de silicium amorphe ou microcristallin dopé n ou n+, une couche (10) d'un matériau semi-conducteur cristallin choisi parmi du nitrure de gallium ou du nitrure de gallium et d'indium et présentant une bande de conduction sensiblement alignée avec la bande de conduction du silicium et une bande interdite supérieure à celle du silicium, de sorte à favoriser un courant d'électrons tout en limitant un courant de trous du substrat (1) vers la couche (5) de silicium amorphe ou microcristallin dopé n ou n+.
摘要翻译：本发明涉及一种具有硅异质结的光伏电池，包括掺杂的晶体硅衬底（1），其中： - 衬底（1）的第一面被钝化层（2）连续地覆盖，无定形或p或p + 掺杂的微晶硅层（3）和透明导电材料的层（6）， - 衬底的第二面被无定形或n或n +掺杂的微晶硅层（5）和层（7）依次覆盖透明导电材料。在基板（1）和非晶或n或n +掺杂的微晶硅层（5）之间，电池包括选自氮化镓或氮化铟镓的结晶半导体材料的层（10），并且具有导带与硅的导带敏感地对准，并且带隙大于硅的带隙，以促进电子电流，同时将衬底（1）中的空穴电流限制为非晶或n或n +掺杂的微晶硅层（5）。

6. 发明申请

WO2010066812A1 COMPOSÉS ACTIFS RÉDOX ORGANIQUES À STOCKAGE DE CHARGES RÉVERSIBLE ET SUBSTRATS ET DISPOSITIFS DE MÉMOIRE MOLÉCULAIRE LES COMPRENANT. 审中-公开
标题翻译：具有可逆充电储存的活性有机还原剂化合物，以及包括其的底物和分子存储装置
公开(公告)号：WO2010066812A1
公开(公告)日：2010-06-17
申请号：PCT/EP2009/066770
申请日：2009-12-09
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , BUCKLEY, Julien , DEMADRILLE, Renaud , HUANG, Kai , KERVELLA, Yann
发明人： BUCKLEY, Julien , DEMADRILLE, Renaud , HUANG, Kai , KERVELLA, Yann
IPC分类号： G11C13/02 , H01L51/00
CPC分类号： G11C13/0014 , G11C13/0009 , H01L51/0053 , H01L51/0595
摘要： Composé actif rédox organique à stockage de charges réversible, de formule (I) : R-M-Y-T (I) dans laquelle :R représente un groupe déconjuguant; - M représente un fragment actif rédox organique, ne comprenant pas d'ion métallique ou de métal, apte au stockage réversible d'au moins une charge;T représente un groupement tripode comprenant trois groupes F, aptes à se greffer chimiquement à une surface d'un substrat solide; Y représente un groupe espaceur séparant M de T. Substrat sur lequel sont greffés lesdits composés. Dispositif de mémoire moléculaire comprenant un tel composé ou un tel substrat. Appareil électronique comprenant un tel dispositif de mémoire moléculaire.
摘要翻译：本发明涉及具有式（I）R-M-Y-T（I）的可逆电荷储存的活性有机氧化还原化合物，其中：R是脱缀基团; M是不含金属离子和金属的活性有机氧化还原片段，能够可逆地存储至少一种电荷; T是包括能够被化学接枝到固体基材表面上的三个F基团的三脚架分组; Y是将M与T分离的间隔基。本发明还涉及将所述化合物接枝到其上的底物，包括这种化合物或基底的分子存储装置，以及包括这种分子存储装置的电子装置。

7. 发明申请

WO2021044017A1 ASSOCIATION DE TRANSISTORS 审中-公开
公开(公告)号：WO2021044017A1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：PCT/EP2020/074832
申请日：2020-09-04
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： ESCOFFIER, René , BUCKLEY, Julien
IPC分类号： H03K17/12 , H03K17/0812
摘要： La présente description concerne un circuit (1), destiné à être associé en série avec une charge à alimenter (3), comportant : un premier transistor à effet de champ (100); au moins un deuxième transistor à effet de champ (102), associé en parallèle du premier transistor; et au moins un capteur (130) d'une information représentative d'un courant transmis à ladite charge, la grille du deuxième transistor étant reliée à une sortie (150) dudit capteur.

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