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    • 5. 发明申请
    • MIRROR, PROJECTION OBJECTIVE COMPRISING SUCH A MIRROR, AND PROJECTION EXPOSURE APPARATUS FOR MICROLITHOGRAPHY COMPRISING SUCH A PROJECTION OBJECTIVE
    • 镜子,包括这种镜子的投影目标和投影曝光装置,用于包含这样的投影目标的微型计算机
    • WO2012041697A1
    • 2012-04-05
    • PCT/EP2011/065873
    • 2011-09-13
    • CARL ZEISS SMT GMBHFREIMANN, RolfBAER, NormanLIMBACH, GuidoBOEHM, ThureWITTICH, Gero
    • FREIMANN, RolfBAER, NormanLIMBACH, GuidoBOEHM, ThureWITTICH, Gero
    • G21K1/06
    • G02B5/0891B82Y10/00G03F7/70316G03F7/70958G21K1/062G21K2201/061
    • The invention relates to a mirror (la; la'; lb; lb'; lc; lc') comprising a substrate (S) and a layer arrangement, wherein the layer arrangement is designed in such a way that light (32) having a wavelength of less than 250 nm that is incident on the mirror (la; la'; lb; lb'; lc; lc') at at least an angle of incidence of between 0° and 30° is reflected with more than 20% of its intensity, and the layer arrangement comprises at least one surface layer system (Ρ"') consisting of a periodic sequence of at least two periods (P3) of individual layers, wherein the periods (P3) comprise two individual layers composed of different materials for a high refractive index layer (Η"') and a low refractive index layer (L'"), wherein the layer arrangement comprises at least one layer (G, SPL, B) composed of graphene. Furthermore, the invention relates to the use of graphene (G, SPL, B) on optical elements for reducing the surface roughness to less than 0.1 nm rms HSFR and/or for protecting the optical element in the EUV wavelength range against a radiation-induced irreversible change in volume of more than 1% and/or as a barrier layer for preventing interdiffusion between layers of so-called multilayer layer mirrors in the EUV wavelength range.
    • 本发明涉及一种包括衬底(S)和层布置的反射镜(1a; 1a'; 1b; 1b; 1c; 1c),其中所述层布置被设计成使得具有 入射在反射镜(1a; 1a'; lb; lb'; lc; lc')上的小于250nm的波长在0°至30°之间的入射角至少有20%以上 其强度和层布置包括由各层的至少两个周期(P3)的周期性序列组成的至少一个表层系统(“),其中周期(P3)包括由不同材料组成的两个单独层 对于高折射率层(α“')和低折射率层(L'”),其中层布置包括由石墨烯组成的至少一层(G,SPL,B),此外,本发明涉及 在光学元件上使用石墨烯(G,SPL,B)将表面粗糙度降低到小于0.1nm rms HSFR和/或用于保护光学元件 EUV波长范围内的α元素相对于辐射诱发的不可逆体积变化大于1%和/或作为阻挡层用于防止EUV波长范围内所谓的多层反射镜层之间的相互扩散。
    • 6. 发明申请
    • BELEUCHTUNGSOPTIK FÜR DIE EUV-MIKROLITHOGRAPHIE
    • 照明光学系统微EUV光刻
    • WO2010049020A1
    • 2010-05-06
    • PCT/EP2009/005113
    • 2009-07-14
    • CARL ZEISS SMT AGDENGEL, GuentherWITTICH, GeroDINGER, UdoSTUETZLE, RalfENDRES, MartinOSSMANN, JensWARM, Berndt
    • DENGEL, GuentherWITTICH, GeroDINGER, UdoSTUETZLE, RalfENDRES, MartinOSSMANN, JensWARM, Berndt
    • G03F7/20
    • G03F7/7085G03F7/70141G03F7/702G03F7/70558
    • Eine Beleuchtungsoptik (47) für die EUV-Mikrolithographie dient zur Ausleuchtung eines Objektfeldes (19) mit einem EUV-Nutzstrahlungsbündel (3). Zur Vorgabe von Beleuchtungsparametern dienen Vorgabeeinrichtungen (6, 10). Zur Korrektur der Intensitätsverteilung und/oder der Winkelverteilung der Objektfeldbeleuchtung dient eine Beleuchtungs-Korrektureinrichtung. Diese hat eine zumindest teilweise mit dem Nutzstrahlungsbündel (3) vor dem Objektfeld (19) beaufschlagte und gesteuert angetrieben verlagerbare optische Komponente (13). Ein Detektor (50, 53) dient zur Erfassung eines der Beleuchtungsparameter. Eine Auswerteeinrichtung (31) dient zur Auswertung der Detektordaten und zur Umsetzung von diesen in Steuersignale. Mindestens ein Aktor (61, 62) dient zur Verlagerung der optischen Komponente (13). Während Belichtungen werden die Stellelemente so mit den Detektorsignalen geregelt, dass während der Dauer einer Projektionsbelichtung eines maximale Verlagerung von Rändern des Objektfeldes (19) zu einem zu belichtenden Objekt (18) von unter 8 μm gewährleistet ist. Es resultiert eine Beleuchtungsoptik, mit der die Einhaltung vorgegebener Beleuchtungsparameter auch bei höchsten Präzisionsanforderungen gewährleistet
    • 用于EUV微光刻的照明光学部件(47)用于与EUVNutzstrahlungsbündel(3)照明物场(19)。 用于指定照明参数指示装置用作(6,10)。 照明校正装置用于校正的强度分布和/或物场照明的角度分布。 这已作用于至少部分与所述物场(19)和控制驱动可移动光学部件(13)的Nutzstrahlungsbündel(3)的上游。 的检测器(50,53)用于检测所述照明参数中的一个。 的评估装置(31),用于将检测器数据的评估并将其转换成控制信号。 至少一个致动器(61,62)用于将光学部件(13)的位移。 在曝光被控制以便与被保证在物场(19)的边缘的最大位移的投影曝光的持续时间的对象的检测器信号中的调节元件,以小于8微米(18)被暴露。 其结果是与即使在最高的精度要求具有特定照明参数确保符合的照明光学部件