会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 4. 发明申请
    • THERMOLABILE VORLÄUFER-VERBINDUNGEN ZUR VERBESSERUNG DER INTERPARTIKULÄREN KONTAKTSTELLEN UND ZUM AUFFÜLLEN DER ZWISCHENRÄUME IN HALBLEITENDEN METALLOXIDPARTIKELSCHICHTEN
    • 不耐热的前体化合物用于改善间的联络点和填充房间之间的一半官员METALLOXIDPARTIKELSCHICHTEN
    • WO2010146053A1
    • 2010-12-23
    • PCT/EP2010/058391
    • 2010-06-15
    • BASF SEFLEISCHHAKER, FriederikeDOMKE, ImmeKARPOV, AndreyKASTLER, MarcelWLOKA, VeronikaWEBER, Lothar
    • FLEISCHHAKER, FriederikeDOMKE, ImmeKARPOV, AndreyKASTLER, MarcelWLOKA, VeronikaWEBER, Lothar
    • H01L21/02H01L21/368
    • H01L21/02422H01L21/02554H01L21/02565H01L21/02573H01L21/02601H01L21/02628
    • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Schicht enthaltend wenigstens ein halbleitendes Metalloxid auf einem Substrat, umfassend mindestens die Schritte: (A) Aufbringen einer porösen Schicht aus mindestens einem halbleitenden Metalloxid auf ein Substrat, (B) Behandeln der porösen Schicht aus Schritt (A) mit einer Lösung enthaltend wenigstens eine Vorläuferverbindung des halbleitenden Metalloxids, so dass die Poren der porösen Schicht zumindest teilweise mit dieser Lösung gefüllt werden und (C) thermisches Behandeln der in Schritt (B) erhaltenen Schicht, um die wenigstens eine Vorläuferverbindung des halbleitenden Metalloxids in das halbleitende Metalloxid zu überführen, wobei die mindestens eine Vorläuferverbindung des mindestens einen halbleitenden Metalloxids in Schritt (B) ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Carboxylaten von Mono-, Di- oder Polycarbonsäuren mit wenigstens drei Kohlenstoffatomen oder Derivaten von Mono-, Di-oder Polycarbonsäuren, Alkoholaten, Hydroxiden, Semicarbaziden, Carbaminaten, Hydroxamaten, Isocyanaten, Amidinen, Amidrazonen, Harnstoffderivaten, Hydroxylaminen, Oximen, Oximaten, Urethanen, Ammoniak, Aminen, Phosphinen, Ammonium-Verbindungen, Nitraten, Nitriten oder Aziden des entsprechenden Metalls und Mischungen davon.
    • 本发明涉及一种方法,用于生产包括在衬底上含有至少一个半导电金属氧化物的层的至少如下步骤:(A)在基材上沉积至少一种半导体金属氧化物的多孔层,(B)从步骤处理多孔层( a)用含有溶液中的半导体金属氧化物中的至少一种前体化合物,使得多孔层的孔至少部分地填充有该溶液和(C)热处理)到半导体金属氧化物中的至少一种前体化合物在步骤(B中获得的层 在半导体金属氧化物,其中,在步骤(B)至少一种半导体金属氧化物的至少一种前体化合物选自具有至少三个碳原子,或单 - ,二 - 的衍生物选自单 - ,二 - 或多元羧酸的羧酸盐组成的组中转移 或pol ycarbonsäuren,醇化物,氢氧化物,氨基脲,Carbaminaten,异羟肟酸盐,异氰酸酯,脒,氨基腙,脲衍生物,羟胺,肟,Oximaten,氨基甲酸乙酯,氨,胺,膦,铵化合物,硝酸盐,亚硝酸盐或相应的金属的叠氮化物和它们的混合物。
    • 9. 发明申请
    • PROCESS FOR PREPARING A ZINC COMPLEX IN SOLUTION
    • WO2011135514A3
    • 2011-11-03
    • PCT/IB2011/051816
    • 2011-04-27
    • BASF SEBASF (CHINA) COMPANY LIMITEDWLOKA, VeronikaFLEISCHHAKER, Friederike
    • WLOKA, VeronikaFLEISCHHAKER, Friederike
    • C01G9/02
    • The present invention provides a process for preparing a solution of electrically uncharged [(OH) x (NH 3 ) y Zn] z where x, y and z are each independently 0.01 to 10, comprising at least the steps of (A) contacting ZnO and/or Zn(OH) 2 with ammonia in at least one solvent in order to obtain a solution of electrically uncharged [(OH) x (NH 3 ) y Zn] z where x, y and z each independently 0.01 to 10 with a concentration c1, (B) removing some solvent from the solution from step (A) in order to obtain a suspension comprising Zn(OH) 2 , (C) removing solid Zn(OH) 2 from the suspension from step (B), and (D) contacting the Zn(OH) 2 from step (C) with ammonia in at least one solvent in order to obtain a solution of electrically uncharged [(OH) x (NH 3 ) y Zn] z where x, y and z are each independently 0.01 to 10 with the concentration c2, and to highly concentrated solutions of electrically uncharged [(OH) x (NH 3 ) y Zn] z where x, y and z are each independently 0.01 to 10, to a process for producing a layer comprising at least zinc oxide on a substrate, comprising at least the steps of (E) preparing a solution of electrically uncharged [(OH)x(NH3)yZn]z where x, y and z are each independently 0.01 to 10 by the former process according to the invention, (F) applying the solution from step (E) to the substrate and (G) thermally treating the substrate from step (F) at a temperature of 20 to 450 °C in order to convert electrically uncharged [(OH) x (NH 3 ) y Zn] z where x, y and z are each independently 0.01 to 10 to zinc oxide.