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热词
    • 1. 发明申请
    • THERMOLABILE VORLÄUFER-VERBINDUNGEN ZUR VERBESSERUNG DER INTERPARTIKULÄREN KONTAKTSTELLEN UND ZUM AUFFÜLLEN DER ZWISCHENRÄUME IN HALBLEITENDEN METALLOXIDPARTIKELSCHICHTEN
    • 不耐热的前体化合物用于改善间的联络点和填充房间之间的一半官员METALLOXIDPARTIKELSCHICHTEN
    • WO2010146053A1
    • 2010-12-23
    • PCT/EP2010/058391
    • 2010-06-15
    • BASF SEFLEISCHHAKER, FriederikeDOMKE, ImmeKARPOV, AndreyKASTLER, MarcelWLOKA, VeronikaWEBER, Lothar
    • FLEISCHHAKER, FriederikeDOMKE, ImmeKARPOV, AndreyKASTLER, MarcelWLOKA, VeronikaWEBER, Lothar
    • H01L21/02H01L21/368
    • H01L21/02422H01L21/02554H01L21/02565H01L21/02573H01L21/02601H01L21/02628
    • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Schicht enthaltend wenigstens ein halbleitendes Metalloxid auf einem Substrat, umfassend mindestens die Schritte: (A) Aufbringen einer porösen Schicht aus mindestens einem halbleitenden Metalloxid auf ein Substrat, (B) Behandeln der porösen Schicht aus Schritt (A) mit einer Lösung enthaltend wenigstens eine Vorläuferverbindung des halbleitenden Metalloxids, so dass die Poren der porösen Schicht zumindest teilweise mit dieser Lösung gefüllt werden und (C) thermisches Behandeln der in Schritt (B) erhaltenen Schicht, um die wenigstens eine Vorläuferverbindung des halbleitenden Metalloxids in das halbleitende Metalloxid zu überführen, wobei die mindestens eine Vorläuferverbindung des mindestens einen halbleitenden Metalloxids in Schritt (B) ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Carboxylaten von Mono-, Di- oder Polycarbonsäuren mit wenigstens drei Kohlenstoffatomen oder Derivaten von Mono-, Di-oder Polycarbonsäuren, Alkoholaten, Hydroxiden, Semicarbaziden, Carbaminaten, Hydroxamaten, Isocyanaten, Amidinen, Amidrazonen, Harnstoffderivaten, Hydroxylaminen, Oximen, Oximaten, Urethanen, Ammoniak, Aminen, Phosphinen, Ammonium-Verbindungen, Nitraten, Nitriten oder Aziden des entsprechenden Metalls und Mischungen davon.
    • 本发明涉及一种方法,用于生产包括在衬底上含有至少一个半导电金属氧化物的层的至少如下步骤:(A)在基材上沉积至少一种半导体金属氧化物的多孔层,(B)从步骤处理多孔层( a)用含有溶液中的半导体金属氧化物中的至少一种前体化合物,使得多孔层的孔至少部分地填充有该溶液和(C)热处理)到半导体金属氧化物中的至少一种前体化合物在步骤(B中获得的层 在半导体金属氧化物,其中,在步骤(B)至少一种半导体金属氧化物的至少一种前体化合物选自具有至少三个碳原子,或单 - ,二 - 的衍生物选自单 - ,二 - 或多元羧酸的羧酸盐组成的组中转移 或pol ycarbonsäuren,醇化物,氢氧化物,氨基脲,Carbaminaten,异羟肟酸盐,异氰酸酯,脒,氨基腙,脲衍生物,羟胺,肟,Oximaten,氨基甲酸乙酯,氨,胺,膦,铵化合物,硝酸盐,亚硝酸盐或相应的金属的叠氮化物和它们的混合物。
    • 3. 发明申请
    • PROCESS FOR PREPARING A ZINC COMPLEX IN SOLUTION
    • 在溶液中制备ZINC复合物的方法
    • WO2011135514A2
    • 2011-11-03
    • PCT/IB2011051816
    • 2011-04-27
    • BASF SEBASF CHINA CO LTDWLOKA VERONIKAFLEISCHHAKER FRIEDERIKE
    • WLOKA VERONIKAFLEISCHHAKER FRIEDERIKE
    • H01L21/02554H01L21/02422H01L21/02573H01L21/02628H01L29/7869
    • The present invention relates to a process for preparing a solution of electrically uncharged [(OH) x (NH 3 ) y Zn] z where x, y and zare each independently 0.01 to10, comprising at least the steps of (A) contacting ZnO and/or Zn(OH) 2 with ammonia in at least one solvent in order to obtain a solution of electrically uncharged [(OH) x (NH 3 ) y Zn] z wherex, y and zare each independently 0.01 to 10 with a concentration c1,(B) removing some solvent from the solution from step (A) in order to obtain a suspension comprising Zn(OH) 2,(C) removing solid Zn(OH) 2 from the suspension from step (B), and (D) contacting the Zn(OH) 2 from step (C)with ammonia in at least one solvent in order to obtain a solution ofelectrically uncharged[(OH) x (NH 3 ) y Zn] z wherex, y and z are each independently 0.01 to 10 with the concentration c2, and to highly concentrated solutions of electrically uncharged [(OH) x (NH 3 ) y Zn] z wherex, y and zare each independently 0.01 to 10, to a process for producing a layer comprising at least zinc oxide on a substrate, comprising at least the steps of (E) preparing a solution of electrically uncharged [(OH) x (NH 3 ) y Zn] z wherex, y and zare each independently 0.0 to 10bythe former process according to the invention, (F) applying the solution from step (E) to the substrateand(G) thermally treating the substrate from step (F) at a temperature of 20 to450°C in order to convertelectrically uncharged[(OH) x (NH 3 ) y Zn] z wherex, y and zare each independently 0.01 to 10 to zinc oxide.20
    • 本发明涉及一种制备不带电荷的[(OH)x(NH 3)y Zn] z的溶液的方法,其中x,y和z各自独立地为0.01至10,其至少包括以下步骤:(A)使ZnO和 /或Zn(OH)2与氨在至少一种溶剂中,以获得电荷不含电荷[(OH)x(NH 3)y Zn] z的溶液,其中x,y和z各自独立地为0.01至10,浓度为c1 (B)从步骤(A)的溶液中除去一些溶剂,以获得包含Zn(OH)2,(C)从步骤(B)的悬浮液中除去固体Zn(OH)2的悬浮液和(D )使得步骤(C)中的Zn(OH)2与氨在至少一种溶剂中接触,以获得电荷不含电荷[(OH)x(NH 3)y Zn] z的溶液,其中x,y和z各自独立地为0.01 至浓度为c2的10,并且将不带电荷的[(OH)x(NH 3)y Zn] z的高浓度溶液各自独立地为0.01至10,其中x,y和z各自独立地为0.01至10, 至少包括以下步骤:(E)制备不带电荷的[(OH)x(NH 3)y Zn] z的溶液,其中x,y和z各自独立地为0.0至10的前者 根据本发明的方法,(F)将步骤(E)的溶液施加到基材上,(G)在20至450℃的温度下对来自步骤(F)的基材进行热处理,以便收敛不带电的[(OH)x (NH 3)y Zn] z其中x,y和z各自独立地为0.01至10至氧化锌
    • 4. 发明申请
    • VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HALBLEITENDEN SCHICHTEN
    • 用于生产半导体层
    • WO2010125011A2
    • 2010-11-04
    • PCT/EP2010/055499
    • 2010-04-26
    • BASF SEKARPOV, AndreyFLEISCHHAKER, FriederikeDOMKE, ImmeKASTLER, MarcelWLOKA, VeronikaWEBER, Lothar
    • KARPOV, AndreyFLEISCHHAKER, FriederikeDOMKE, ImmeKASTLER, MarcelWLOKA, VeronikaWEBER, Lothar
    • C23C18/12
    • C23C18/1216C23C18/1245H01L21/02381H01L21/02488H01L21/02554H01L21/02565H01L21/02628H01L27/1292H01L29/66742H01L29/66969H01L29/7869
    • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Schicht enthaltend wenigstens ein halbleitendes Metalloxid auf einem Substrat, umfassend mindestens die Schritte: (A) Herstellen einer Lösung enthaltend wenigstens eine Vorläuferverbindung des wenigstens einen Metalloxids ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Carboxylaten von Mono-, Di- oder Polycarbonsäuren mit wenigstens drei Kohlenstoffatomen oder Derivaten von Mono-, Di- oder Polycarbonsäuren, Alkoholaten, Hydroxiden, Semicarbaziden, Carbaminaten, Hydroxamaten, Isocyanaten, Amidinen, Amidrazonen, Harnstoffderivaten, Hydroxylaminen, Oximen, Urethanen, Ammoniak, Aminen, Phosphinen, Ammonium-Verbindungen,, Aziden des entsprechenden Metalls und Mischungen davon, in wenigstens einem Lösungsmittel, (B) Aufbringen der Lösung aus Schritt (A) auf das Substrat und (C) thermisches Behandeln des Substrates aus Schritt (B) bei einer Temperatur von 20 bis 200°C, um die wenigstens eine Vorläuferverbindung in wenigstens ein halbleitendes Metalloxid zu überführen, wobei, falls in Schritt (A) elektrisch neutrales [(OH) x (NH 3 ) y Zn] z mit x, y und z unabhängig voneinander 0,01 bis 10, als Vorläuferverbindung eingesetzt wird, dieses durch Umsetzung von Zinkoxid oder Zinkhydroxid mit Ammoniak erhalten wird, ein Substrat, welches mit wenigstens einem halbleitenden Metalloxid beschichtet ist, erhältlich durch dieses Verfahren, die Verwendung dieses Substrates in elektronischen Bauteilen, sowie ein Verfahren zur Herstellung von elektrisch neutralem [(OH) x (NH 3 ) y Zn] z mit x, y und z unabhängig voneinander 0,01 bis 10, durch Umsetzung von Zinkoxid und/oder Zinkhydroxid mit Ammoniak.
    • 本发明涉及一种方法,用于制造至少包括以下步骤:在基材上含有至少一个半导电金属氧化物的层:(A)制备含有选自单 - 羧酸盐组成的组中的至少一种金属氧化物的至少一种前体化合物的溶液中,二 - 或者具有至少三个碳原子,或单 - ,二 - 或多元羧酸,醇化物,氢氧化物,氨基脲衍生物的多羧酸,Carbaminaten,异羟肟酸盐,异氰酸酯,脒,氨基腙,脲衍生物,羟胺,肟,氨基甲酸乙酯,氨,胺,膦,铵 化合物,,相应金属的叠氮化物和它们的混合物,在至少一种溶剂中,(B)将来自步骤溶液(a)以20〜200的温度的基板和(C)热处理步骤(B)的基板 ℃,在wenigst所述至少一种前体化合物 到ENS转换半导体金属氧化物,其中,如果在步骤(A)是电中性的[(OH)X(NH 3)YZN】Z,其中x,y和z,各自独立地选自0.01通过使用10作为前体化合物,即 涂有至少一个半导电金属氧化物的基板,获得通过该方法,使用该基板的电子部件,以及用于产生电中性的方法[(OH)由氧化锌或者与氨,X氢氧化锌得到的(NH 3) YZN】Z,其中x,y和z独立地是从0.01到10,由氧化锌和/或氢氧化锌与氨反应。
    • 7. 发明申请
    • PROCESS FOR PREPARING A ZINC COMPLEX IN SOLUTION
    • WO2011135514A3
    • 2011-11-03
    • PCT/IB2011/051816
    • 2011-04-27
    • BASF SEBASF (CHINA) COMPANY LIMITEDWLOKA, VeronikaFLEISCHHAKER, Friederike
    • WLOKA, VeronikaFLEISCHHAKER, Friederike
    • C01G9/02
    • The present invention provides a process for preparing a solution of electrically uncharged [(OH) x (NH 3 ) y Zn] z where x, y and z are each independently 0.01 to 10, comprising at least the steps of (A) contacting ZnO and/or Zn(OH) 2 with ammonia in at least one solvent in order to obtain a solution of electrically uncharged [(OH) x (NH 3 ) y Zn] z where x, y and z each independently 0.01 to 10 with a concentration c1, (B) removing some solvent from the solution from step (A) in order to obtain a suspension comprising Zn(OH) 2 , (C) removing solid Zn(OH) 2 from the suspension from step (B), and (D) contacting the Zn(OH) 2 from step (C) with ammonia in at least one solvent in order to obtain a solution of electrically uncharged [(OH) x (NH 3 ) y Zn] z where x, y and z are each independently 0.01 to 10 with the concentration c2, and to highly concentrated solutions of electrically uncharged [(OH) x (NH 3 ) y Zn] z where x, y and z are each independently 0.01 to 10, to a process for producing a layer comprising at least zinc oxide on a substrate, comprising at least the steps of (E) preparing a solution of electrically uncharged [(OH)x(NH3)yZn]z where x, y and z are each independently 0.01 to 10 by the former process according to the invention, (F) applying the solution from step (E) to the substrate and (G) thermally treating the substrate from step (F) at a temperature of 20 to 450 °C in order to convert electrically uncharged [(OH) x (NH 3 ) y Zn] z where x, y and z are each independently 0.01 to 10 to zinc oxide.