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    • 2. 发明申请
    • CONTROLLED RESISTIVITY BORON NITRIDE ELECTROSTATIC CHUCK APPARATUS FOR RETAINING A SEMICONDUCTOR WAFER AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
    • 用于保持半导体滤波器的控制电阻率硝酸盐静电电容器及其制造方法
    • WO2003001658A1
    • 2003-01-03
    • PCT/US2002/019342
    • 2002-06-18
    • APPLIED MATERIALS, INC.
    • PARKHE, Vijay, D.DESHPANDEY, Chandra, V.
    • H02N13/00
    • H02N13/00Y10T279/23
    • Apparatus (Figure 1) for retaining a workpiece in a semiconductor processing chamber (100) and method for fabricating the same. In one embodiment, a method for fabricating the apparatus includes providing a controlled resistivity boron nitride (CRBN) plate. A conductive layer is disposed on a portion of a lower surface of the CRBN plate to form at least one chucking electrode (116). A layer of boron nitride powder is disposed on the conductive layer and the lower surface of the CRBN plate. The CRBN plate, the conductive layer, and the boron nitride powder are hot pressed together to form the apparatus. In a second embodiment, a conductive electrode layer is deposited on a portion of a lower surface of the CRBN plate. A layer of pyrolytic boron nitride is deposited on the conductive layer and the lower surface of the CRBN plate to form the apparatus.
    • 用于将工件保持在半导体处理室(100)中的装置(图1)及其制造方法。 在一个实施例中,制造该装置的方法包括提供受控电阻率的氮化硼(CRBN)板。 导电层设置在CRBN板的下表面的一部分上以形成至少一个夹持电极(116)。 在导电层和CRBN板的下表面上设置一层氮化硼粉末。 将CRBN板,导电层和氮化硼粉末热压在一起以形成该装置。 在第二实施例中,导电电极层沉积在CRBN板的下表面的一部分上。 在导电层和CRBN板的下表面上沉积一层热解氮化硼以形成该装置。