专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2021020657A1 슁글드 태양전지 패널 및 그 제조방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2021020657A1
公开(公告)日：2021-02-04
申请号：PCT/KR2019/015749
申请日：2019-11-18
申请人： 한국생산기술연구원
发明人： 정채환 , 지홍섭
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/02 , H01L31/0216 , H01L31/05 , H01L31/048 , H01L21/78
摘要： 복수개의 스트립이 서로 부분적으로 중첩된 스트링을 제작하고, 스트링과 스트링을 전기적으로 연결하는 슁글드 태양전지 패널 및 그 제조방법에 관한 것으로, 상부 및 하부에 각각 다수의 전도층이 형성된 HIT로 이루어진 웨이퍼를 마련하는 단계, 상부 전도층 상에 전도성 접착제를 도포하여 접착층을 형성하는 단계, 상기 접착층이 형성된 웨이퍼를 다수의 스트립으로 분할하는 단계, 상기 분할된 스트립 중 접착층이 마련된 영역에 다른 스트립의 하부 전도층을 중첩하여 스트링을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 다수의 스트립의 각각의 상부 전도층 및 하부 전도층은 상기 접착층만을 경유하여 전기적으로 접합되는 구성을 마련하여 저렴하게 슁글드 태양전지 패널을 마련할 수 있다.

2. 发明申请

WO2011162571A2 고체산화물 연료전지 단위셀의 제조방법 审中-公开
标题翻译：制备固体氧化物燃料电池单元的方法
公开(公告)号：WO2011162571A2
公开(公告)日：2011-12-29
申请号：PCT/KR2011/004632
申请日：2011-06-24
申请人： 한국생산기술연구원 , 김호성 , 김영미 , 강주희 , 장덕례 , 이종호 , 강창석 , 정채환 , 장재혁
发明人： 김호성 , 김영미 , 강주희 , 장덕례 , 이종호 , 강창석 , 정채환 , 장재혁
IPC分类号： H01M8/12 , H01M8/02 , H01M4/86 , B05D1/12
CPC分类号： H01M8/00 , H01M4/8857 , H01M4/8885 , H01M4/8889 , H01M4/9033 , H01M4/905 , H01M8/1213 , H01M8/1246 , H01M8/1253 , H01M2008/1293 , H01M2300/0074 , Y02E60/525 , Y02P70/56
摘要： 본 발명은 고체산화물 연료전지 단위셀의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 고체산화물 연료전지 단위셀의 제조방법은 Ni-CeScSZ 연료극층을 제조하는 단계; CeScSZ 전해질층을 제조하는 단계; GDC 버퍼층을 제조하는 단계; 및 LSCF 공기극층을 제조하는 단계; 를 포함한다. 따라서, 본 발명에 의하면 전해질의 음 저항 및 분극저항이 감소하고, 중저온에서도 고출력을 얻을 수 있는 장점이 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种固体氧化物燃料电池单元的制造方法。根据本发明，制造固体氧化物型燃料电池单电池的方法包括以下步骤：制造Ni-CeScSZ阳极层; 制造CeScSZ电解质层; 制造GDC缓冲层; 并制造LSCF阴极层。因此，根据本发明，电解质的负电阻和极化电阻降低，即使在中低温也获得高功率。

3. 发明申请

WO2014065465A1 실리콘 기판의 나노 및 마이크로 복합 구조체를 갖는 태양 전지의 제조 방법 및 이에 따른 태양 전지 审中-公开
标题翻译：制造具有纳米微复合结构的太阳能电池的方法在硅基板和太阳能电池上制造
公开(公告)号：WO2014065465A1
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：PCT/KR2012/011085
申请日：2012-12-18
申请人： 한국생산기술연구원
发明人： 정채환 , 이종환 , 김창헌 , 김호성
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/035227 , H01L31/022425 , H01L31/02363 , H01L31/035281 , H01L31/03529 , H01L31/068 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/50 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 본 발명의 일 실시예는 실리콘 기판의 나노 및 마이크로 복합 구조체를 갖는 태양 전지의 제조 방법 및 이에 따른 태양 전지에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 포토 레지스트의 리소그래피 디자인에 따라 다양한 크기의 마이크로 와이어를 형성하고, 또한 습식 식각 용액의 농도와 침지 시간의 조절에 의해 다양한 크기 및 종횡비의 나노 와이어를 형성할 수 있는 태양 전지의 제조 방법 및 이에 따른 태양 전지를 제공한다. 이를 위해 본 발명은 태양 전지의 제조 방법에 있어서, 제 1 면과 제 2 면을 갖는 제 1 도전형 반도체 기판을 준비하는 단계, 제 1 도전형 반도체 기판의 제 2 면에 평면 형태가 다수의 가로 방향 라인과 다수의 세로 방향 라인이 상호 교차하는 형태로 포토레지스트를 패터닝하는 단계, 포토레지스트와 대응하는 영역에는 폭이 1 내지 3㎛이고 높이가 3 내지 5㎛인 마이크로 와이어가 형성되도록 하고, 포토레지스트와 대응하지 않는 영역에는 폭이 1 내지 100㎚이고 높이가 1 내지 3㎛인 다수의 나노 와이어가 형성되도록, 반도체 기판을 무전해 식각하는 단계, 마이크로 와이어 및 나노 와이어에 POCl3를 이용하여 제 2 도전형 불순물을 도핑하는 단계, 반도체 기판의 제 1 면에 제 1 전극을 형성하는 단계 및, 마이크로 와이어에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 단위 면적당 입사하는 빛 에너지와 출력의 비율인 태양 전지의 효율은 10 내지 13%인 태양 전지의 제조 방법 및 이에 따른 태양 전지를 제공한다.
摘要翻译：本发明的一个实施例涉及一种在硅衬底上制造具有纳米微复合结构的太阳能电池的制造方法以及由此制造的太阳能电池。要解决的技术问题是提供一种制造太阳能电池和太阳能电池的方法，所述方法能够根据光致抗蚀剂的平版印刷设计形成各种尺寸的微细线，并形成具有各种尺寸和尺寸的纳米线通过调整湿蚀刻溶液的浓度和浸渍时间来确定长宽比。为此，本发明提供一种制造太阳能电池和太阳能电池的方法，所述方法包括以下步骤：制备具有第一表面和第二表面的第一导电半导体衬底; 在第一导电半导体衬底的第二表面上图案化光致抗蚀剂，使得光致抗蚀剂的平面形式成为多个水平线和多个垂直线彼此相交的形式; 无电蚀刻半导体衬底，以在与光致抗蚀剂相对应的区域中形成宽度为1-3μm，高度为3-5μm的微细线，并形成宽度为1-100μm的多根纳米线，在不对应于光致抗蚀剂的区域中的高度为1-3;; 通过使用POCl3，用第二导电杂质掺杂微丝和纳米线; 在所述半导体衬底的第一表面上形成第一电极; 以及在所述微细线上形成第二电极，其中所述太阳能电池的效率为10-13％，所述效率是每单位面积的输出与入射光能的比率。

4. 发明申请

WO2016035985A1 이차전지용 양극소재 제조방법 审中-公开
标题翻译：二次电池正极电极材料的制备方法
公开(公告)号：WO2016035985A1
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：PCT/KR2015/006172
申请日：2015-06-18
申请人： 한국생산기술연구원
发明人： 김호성 , 강병수 , 양선우 , 김민영 , 정채환
IPC分类号： H01M4/58 , H01M4/505 , H01M4/1397 , H01M4/1391
CPC分类号： H01M4/1397 , B01J2/22 , C01B25/45 , C01B25/451 , H01M4/0433 , H01M4/0471 , H01M4/1391 , H01M4/505 , H01M4/58 , H01M4/5825 , H01M4/62 , H01M10/052 , H01M2004/028 , H01M2220/30
摘要： 본 발명은 이차전지용 양극소재 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 구성으로는 공침법을 이용하여 인산-망간 수화물 전구체를 제조하는 수화물 전구체 제조단계; 상기 인산-망간 전구체 분말에 인산리튬 및 탄소를 혼합하여 합성분말을 제조하는 합성분말 제조단계; 상기 합성분말을 분쇄 및 어닐링하여 리튬인산망간 산화물 소재 분말을 제조하는 산화물 소재 분말 제조단계; 상기 리튬인산망간 산화물 소재 분말에 Li 2 MnO 3 계 양극소재를 혼합하여 복합체 분말을 제조하는 복합체 분말 제조단계; 및 상기 복합체 분말에 도전제 및 바인더를 혼합하여 슬러리를 제조하는 슬러리 제조단계를 포함한다.
摘要翻译：本发明涉及二次电池正极材料的制备方法。本发明包括：通过共沉淀制备磷酸锰水合物前体的水合物前体制备步骤; 合成粉末制备步骤，通过将磷酸锂和碳混合到磷酸锰前体粉末中制备合成粉末; 氧化物粉末制备步骤，通过研磨和退火合成粉末制备磷酸锰锂材料粉末; 一种复合粉末制备步骤，用于通过将Li 2 MnO 3基正极材料混合到磷酸锂锂材料粉末中来制备复合粉末; 以及浆料制备步骤，用于通过将导电剂和粘合剂混合到复合粉末中来制备浆料。

5. 发明申请

WO2014065464A1 대면적 비정질 실리콘 박막의 선형 전자빔을 이용한 결정화방법에 의한 다결정 실리콘 박막 태양전지의 제조방법 审中-公开
标题翻译：使用线性电子束结晶大面积无定形硅薄膜的方法制造多晶硅薄膜太阳能电池的方法
公开(公告)号：WO2014065464A1
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：PCT/KR2012/011060
申请日：2012-12-18
申请人： 한국생산기술연구원
发明人： 정채환 , 이선화 , 류상 , 김호성 , 부성재
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/182 , C23C14/5806 , H01L31/028 , H01L31/068 , H01L31/1872 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 본 발명의 일 실시예는 대면적 비정질 실리콘 박막의 선형 전자빔을 이용한 결정화방법에 의한 다결정 실리콘 박막 태양전지의 제조방법에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 저가형 기판에 형성한 비정질 실리콘 박막을 전자빔을 통하여 결정화함으로써, 결정화 분율이 높아 고품질화가 용이하고 저온 공정이 가능하게 하는데 있다. 이를 위해 본 발명의 일 실시예는 기판을 준비하는 기판 준비 단계; 상기 기판 상에 제1+형 비정질 실리콘층을 형성하는 제1+형 비정질 실리콘층 증착단계; 상기 제1+형 비정질 실리콘층 상에 제1형 비정질 실리콘층을 형성하는 제1형 비정질 실리콘층 증착단계; 상기 제1형 비정질 실리콘층에 선형 전자빔을 조사하여 상기 제1형 비정질 실리콘층과 제1+형 비정질 실리콘층을 결정화하여 흡수층을 형성하는 흡수층 형성단계; 상기 흡수층 상에 제2형 비정질 실리콘층을 형성하는 제2형 비정질 실리콘층 증착단계; 및 상기 제2형 비정질 실리콘층에 선형 전자빔을 조사하여 상기 제2형 비정질 실리콘층을 결정화하여 에미터층을 형성하는 에미터층 형성단계를 포함하고, 상기 선형 전자빔은 상기 제1형 및 제2형 비정질 실리콘층 위에서 일정 구간 왕복운동하는 리니어 스캔 방식으로 조사되는 대면적 비정질 실리콘 박막의 선형 전자빔을 이용한 결정화방법에 의한 다결정 실리콘 박막 태양전지의 제조방법을 개시한다.
摘要翻译：本发明的一个实施例涉及一种通过使用线性电子束使大面积非晶硅薄膜结晶的方法制造多晶硅薄膜太阳能电池的方法，解决的技术问题是结晶通过电子束形成在低价基板上的非晶硅薄膜，以便通过具有高结晶收率并在低温下进行加工而容易地获得高质量。为此，本发明的一个实施例提供了一种利用线性电子束使大面积非晶硅薄膜结晶的方法制造多晶硅薄膜太阳能电池的方法，该方法包括：制备底物的步骤; 1类非晶硅层沉积步骤，用于在衬底上形成1型非晶硅层; 1型非晶硅层沉积步骤，用于在1 +非晶硅层上形成1型非晶硅层; 吸收层形成步骤，用于通过向1型非晶硅层照射线性电子束，从而使1型非晶硅层和1型非晶硅层结晶而形成吸收层; 用于在吸收层上形成2型非晶硅层的2型非晶硅层沉积步骤; 以及发射极层形成步骤，用于通过将线性电子束照射到2型非晶硅层并因此使2型非晶硅层结晶而形成发射极层，其中线性电子束从1型和2型以上的非晶态辐射硅层以线性扫描方式在预定区域中往复运动。

6. 发明申请

WO2011132915A3 태양 전지 제조 방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2011132915A3
公开(公告)日：2011-10-27
申请号：PCT/KR2011/002797
申请日：2011-04-19
申请人： 한국생산기술연구원 , 정채환 , 이종호 , 김호성 , 김진혁 , 이석호
发明人： 정채환 , 이종호 , 김호성 , 김진혁 , 이석호
IPC分类号： H01L31/042
摘要： 본 발명은 제조 과정에서 기판의 변형 및 셀레늄의 휘발을 억제할 수 있는 태양 전지 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따른 태양 전지 제조 방법은 기판을 제공하는 단계; 기판 상에 배면 전극을 형성하는 단계; 배면 전극 상에 광흡수막용 전구체막을 형성하는 단계; 광흡수막용 전구체막에 대한 결정화 공정을 진행하여 광흡수막을 형성하는 단계; 광흡수막 상에 버퍼막을 형성하는 단계; 버퍼막 상에 윈도우막을 형성하고 윈도우막 상에 반사 방지막을 형성하는 단계; 및 반사 방지막을 일부 패터닝하고 패터닝된 영역에 그리드 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 광흡수막용 전구체막은 Cu-Zn-Sn-S (Cu 2 ZnSnS 4 ), CuInSe 2 , CuInS 2 , Cu(InGa)Se 2 , 또는 Cu(InGa)S 2 로 이루어지며, Cu-Zn-Sn-S (Cu 2 ZnSnS 4 ) 전구체막, CuInSe 2 전구체막, CuInS 2 전구체막, Cu(InGa)Se 2 전구체막 또는 Cu(InGa)S 2 전구체막은 각 구성 성분의 다층 구조 또는 구성 요소의 화합물로 이루어진 단일층 구조를 가질 수 있다. 전구체막에 대한 결정화 단계는 전자-빔 조사 공정을 통하여 진행된다.

7. 发明申请

WO2020091193A1 전하선택접촉접합 실리콘 태양전지 및 그 제조 방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2020091193A1
公开(公告)日：2020-05-07
申请号：PCT/KR2019/009026
申请日：2019-07-22
申请人： 한국생산기술연구원
发明人： 정채환 , 전기석
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/0224 , H01L31/0376 , H01L31/18 , H01L31/0445
摘要： 본 발명은 전하 선택 접촉층으로 아이오딘화 구리 박막을 이용하는 전하선택접촉접합 실리콘 태양전지 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 전하선택접촉접합 실리콘 태양전지는, 도전형 실리콘 기판, 상기 도전형 실리콘 기판의 상면과 하면에 각각 위치하는 제1 및 제2 패시베이션층, 상기 제1 패시베이션층 상면에 형성되는 정공 선택 접촉층, 상기 정공 선택 접촉층 상면에 형성되는 상부 투명 전극, 상기 상부 투명 전극 상부에 형성되는 상부 금속 전극, 상기 제2 패시베이션층 하면에 형성되는 전자 선택 접촉층, 상기 전자 선택 접촉층 하면에 형성되는 하부 금속 전극을 포함하되, 상기 정공 선택 접촉층은 정공의 선택적 이동을 위하여 아이오딘 박막의 상면과 하면에 아이오딘화 구리 박막이 겹쳐진 샌드위치 구조 다층막을 저온 열처리하여 단일막의 아이오딘화 구리 박막인 것을 특징으로 한다.

8. 发明申请

WO2015016480A1 태양전지용 실리콘 기판 및 이의 제조방법 审中-公开
标题翻译：太阳能电池用硅基板及其制造方法
公开(公告)号：WO2015016480A1
公开(公告)日：2015-02-05
申请号：PCT/KR2014/004920
申请日：2014-06-03
申请人： 한국생산기술연구원
发明人： 정채환 , 박성재 , 김호성
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02363 , H01L31/02168 , H01L31/022483 , H01L31/0284 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 본 발명은 태양전지용 실리콘 기판 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 에 관한 것으로, AZO 갭 충전을 통하여 태양광의 반사도를 낮추고, 전자빔 조사를 통해 전기적 특성인 비저항을 낮춰 효율을 극대화하고 실리콘 태양전지에 적용된 AZO의 전기적 특성을 향상할 수 있는 태양전지용 실리콘 기판 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于太阳能电池的硅衬底及其制造方法以及用于太阳能电池的硅衬底，其能够通过与AZO填充间隙来降低太阳光的反射率，通过降低电极的电阻率来最大化效率通过电子束照射的性质，以及改善施加到硅太阳能电池的AZO的电性能及其制造方法。

9. 发明申请

WO2013089305A1 전자빔 조사를 이용한 몰리브덴 박막의 전도도 향상 방법 审中-公开
标题翻译：使用电子束辐射增强薄膜薄膜电导率的方法
公开(公告)号：WO2013089305A1
公开(公告)日：2013-06-20
申请号：PCT/KR2011/010278
申请日：2011-12-29
申请人： 한국생산기술연구원 , 정채환 , 김재웅 , 김동진 , 정승철
发明人： 정채환 , 김재웅 , 김동진 , 정승철
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/022441 , H01L31/022425 , H01L31/0749 , H01L31/186 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： 본 발명은 배면 전극인 몰리브덴 박막의 비저항을 줄이고 두께를 줄일 수 있어 몰리브덴 박막의 전도도를 향상시킬 수 있는 태양 전지 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따른 태양 전지 제조 방법은 기판 상에 몰리브덴 박막을 형성하는 단계; 및 몰리브덴 박막에 대한 후처리 공정을 진행하여 후면 전극을 형성하는 단계를 포함하되, 몰리브덴 박막에 대한 후처리 공정은 몰리브덴 박막에 전자 빔을 조사하여 이루어진다.
摘要翻译：公开了一种太阳能电池的制造方法，其能够通过降低作为背面电极的钼薄膜的电阻率和厚度来提高钼薄膜的导电性。根据本发明的太阳能电池的制造方法包括：在基板上形成钼薄膜的工序; 以及对钼薄膜进行后处理工序以形成背面电极的步骤。这里，可以通过照射电子束来进行关于钼薄膜的后处理过程。

10. 发明申请

WO2021201342A1 디자이너블 슁글드 태양광 모듈 및 그 제조 방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2021201342A1
公开(公告)日：2021-10-07
申请号：PCT/KR2020/009313
申请日：2020-07-15
申请人： 한국생산기술연구원
发明人： 정채환 , 박민준 , 지홍섭 , 송진호
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： 개시된 발명은 태양전지의 전극 구조를 개선하여 슁글드 방식으로 단위 셀들을 접합한 스트링의 폭과 길이를 조절함으로써 다양한 형태의 태양광 모듈을 제공한다. 상기 태양광 모듈은, 태양전지 전면에 분할 셀의 개수에 대응하여 핑거 전극과 버스바 전극으로 구성된 전극부재를 포함하되, 핑거 전극은 분할된 단위 셀의 단변과 평행한 제1 방향을 따라 복수 개가 배치되고, 버스바 전극은 분할된 단위 셀의 장변과 평행한 제2 방향으로 연장되어 복수 개의 핑거 전극의 끝을 연결하는 수집 전극라인, 접합하는 다른 단위 셀과 전기적으로 접속하기 위하여 수집 전극라인의 끝에서 분기되어 제1 방향을 따라 연장되는 접속 전극라인을 구비한다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式