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1. 发明申请

WO2011065762A2 큐엠에스를 이용한 가스 성분별 절대량 측정시스템 审中-公开
标题翻译：采用QMS的气体成分绝对量测量系统
公开(公告)号：WO2011065762A2
公开(公告)日：2011-06-03
申请号：PCT/KR2010/008388
申请日：2010-11-25
申请人： 주식회사 이엘 , 한국표준과학연구원 , 윤석래 , 조성권 , 박원영 , 이규찬 , 김진석 , 이진복 , 문동민 , 김광섭
发明人： 윤석래 , 조성권 , 박원영 , 이규찬 , 김진석 , 이진복 , 문동민 , 김광섭
IPC分类号： G01N33/00 , G01N1/22
CPC分类号： G01N7/00 , H01J49/00
摘要： 본 발명은 큐엠에스를 이용한 가스 성분별 절대량 측정시스템에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 핀홀을 통해 유입되는 미량 가스만으로도 정확한 정성 분석 뿐만 아니라, 정량 분석까지 가능한 큐엠에스를 이용한 가스 성분별 절대량 측정시스템에 관한 것이다. 본 발명에 의하면 제품의 생산성을 향상시키고 생산관리를 효율적으로 할 수 있도록 하여 산업경쟁력을 높이는 효과를 제공하게 된다.
摘要翻译：
本发明涉及一种气体组分特异性绝对量测量系统使用队列LMS，并且更具体地说，涉及一种可用队列LMS，以及精确的定性分析，定量分析与流过销孔气体的仅微量并为每种气体成分提供绝对量测量系统。根据本发明，可以提高产品的生产率，并可以有效地进行生产管理，从而提高产业竞争力。

2. 发明申请

WO2010071348A3 발포체 내부의 가스 시료 포집 장치 및 이를 이용한 분석 방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2010071348A3
公开(公告)日：2010-06-24
申请号：PCT/KR2009/007509
申请日：2009-12-15
申请人： 한국표준과학연구원 , 이진복 , 김진석 , 문동민 , 김광섭 , 이정순
发明人： 이진복 , 김진석 , 문동민 , 김광섭 , 이정순
IPC分类号： G01N1/22 , G01L7/00
摘要： 본 발명은 발포체 내부의 가스 시료 포집 장치 및 이를 이용한 분석 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게, 발포체를 분쇄함으로써 발포체 내부의 가스 시료를 효과적으로 포집할 수 있으며, 가스 포집 전ㆍ후의 압력을 측정 가능하여 가스 분석의 정확도를 높임으로써 발포체 특성을 보다 정확하게 평가할 수 있는 발포체 내부의 가스 시료 포집 장치 및 이를 이용한 분석 방법에 관한 것이다.

3. 发明申请

WO2010056083A2 반도체 발광소자 审中-公开
标题翻译：用于半导体的垂直/水平发光二极管
公开(公告)号：WO2010056083A2
公开(公告)日：2010-05-20
申请号：PCT/KR2009/006731
申请日：2009-11-16
申请人： 삼성엘이디 주식회사 , 최번재 , 이상범 , 이진복 , 김유승 , 송상엽
发明人： 최번재 , 이상범 , 이진복 , 김유승 , 송상엽
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/22
CPC分类号： H01L25/13 , H01L25/0753 , H01L33/002 , H01L33/0025 , H01L33/0029 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L33/504 , H01L33/507 , H01L33/508 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/49175 , H01L2224/8592 , H01L2924/0002 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2933/0041 , H05B33/0803 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 본 발명은 수직수평구조 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시 형태는, 도전성 기판과, 상기 도전성 기판 상에 순차적으로 형성된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 구비하는 발광구조물과, 상기 제1 도전형 반도체층 및 활성층을 관통하여 상기 제2 도전형 반도체층과 그 내부에서 접속된 도전성 비아 및 상기 도전성 비아로부터 연장되어 상기 발광구조물의 외부로 노출된 전기 연결부를 구비하는 제2 도전형 전극과, 상기 제2 도전형 전극을 상기 도전성 기판, 제1 도전형 반도체층 및 활성층과 전기적으로 분리시키기 위한 절연체 및 적어도 상기 발광구조물 중 상기 활성층의 측면을 덮도록 형성된 패시베이션층과, 상기 활성층에서 방출된 빛의 경로 상에 형성된 요철 구조를 구비하는 반도체 발광소자를 제공한다. 본 발명에 따르면, 외부 광 추출효율, 특히, 소자의 측 방향 광 추출효율이 향상될 수 있는 반도체 발광소자를 얻을 수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于半导体的垂直/水平发光二极管。本发明的示例性实施例提供了一种半导体发光二极管，包括：导电衬底; 包括依次形成在所述导电基板上的第一导电半导体层，有源层和第二导电半导体层的发光结构; 第二导电电极，包括通过第一导电半导体的导电通孔和与第二导电半导体层连接的有源层，以及从导电通孔延伸并暴露在发光结构外部的电连接器; 用于覆盖电介质和至少所述发光结构的有源层的侧表面的钝化层，所述电介质用于将所述第二导电电极与所述导电基板，所述第一导电半导体层和所述有源层电隔离; 以及形成在从有源层发射的光的路径上的表面起伏结构。根据本发明，可以获得具有增强的外部光提取效率，特别是二极管侧光提取效率的半导体发光二极管。

4. 发明申请

WO2013018941A1 반도체 발광소자 审中-公开
标题翻译：半导体发光元件
公开(公告)号：WO2013018941A1
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：PCT/KR2011/005655
申请日：2011-08-01
申请人： 삼성전자주식회사 , 김재윤 , 황석민 , 이수열 , 채승완 , 한재호 , 이진복
发明人： 김재윤 , 황석민 , 이수열 , 채승완 , 한재호 , 이진복
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/38
CPC分类号： H01L33/387 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
摘要： 본 발명의 일 측면에 따른 반도체 발광 소자는, n형 반도체층 및 p형 반도체층과 이들 사이에 개재된 활성층을 구비한 발광 구조물; 상기 n형 및 p형 반도체층 중 어느 하나에 접속된 제1 전극; 및 상기 n형 및 p형 반도체층 중 다른 하나에 접속된 제2 전극을 포함한다. 상기 제1 전극은 발광 구조물 상면의 일 변 중앙에 배치된 제1 전극 패드와 이에 연결된 제1 내지 제3 가지전극을 구비하여 포크 형상을 갖는다. 상기 제2 전극은 상기 일 변에 대향하는 타 변의 양쪽 코어에 서로 분리되도록 배치된 제2 및 제3 전극 패드와 이에 연결된 제4 내지 제7 가지전극을 구비하며, 상기 제4 내지 제7 가지전극은 상기 제1 내지 제3 가지전극들 사이에 깍지긴 형태로 연장된다.
摘要翻译：根据本发明的一个方面的半导体发光元件包括：设置有n型半导体层，p型半导体和设置在其间的激活层的发光结构; 连接到n型或p型半导体层的第一电极; 以及与第一电极未连接的n型或p型半导体层连接的第二电极。第一电极设置有设置在发光结构的顶表面的一侧的中心的第一电极焊盘，并且第一至第三分支电极连接到第一电极焊盘，因此具有叉形形状。第二电极设置有在与一侧相反的另一侧的两个角上彼此分离的第二和第三电极焊盘，并且第四至第七分支电极连接到第二和第三电极焊盘，其中第四至第七电极焊盘第七分支电极延伸设置在第一至第三分支电极之间。

5. 发明申请

WO2012030185A2 반도체 발광다이오드 칩, 발광장치 및 그 제조방법 审中-公开
标题翻译：半导体发光二极管芯片，发光装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2012030185A2
公开(公告)日：2012-03-08
申请号：PCT/KR2011/006505
申请日：2011-09-01
申请人： 삼성엘이디 주식회사 , 채승완 , 김태훈 , 이수열 , 이진복 , 김진환 , 이승재 , 김보경 , 이종호
发明人： 채승완 , 김태훈 , 이수열 , 이진복 , 김진환 , 이승재 , 김보경 , 이종호
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/46
CPC分类号： H01L33/46 , H01L24/29 , H01L33/44 , H01L33/641 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/12041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 본 발명의 일 측면은, 광투과성 기판과, 상기 광투과성 기판 상면에 순차적으로 형성된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함한 반도체 발광 다이오드와, 상기 광투과성 기판의 하면에 형성되며 소정의 굴절률을 갖는 물질로 이루어진 광학 보조층과 상기 광학 보조층의 하면에 형성된 금속 반사막을 갖는 배면 반사용 적층체와, 상기 배면 반사 적층체의 하면에 제공되며, 공융금속물질로 이루어진 접합 금속층과 상기 접합 금속층과 상기 금속 반사막 사이에서 원소간의 확산을 방지하기 위해 형성된 확산 방지막을 갖는 접합용 적층체를 포함하는 반도체 발광소자를 제공한다.
摘要翻译：
所述的半导体发光二极管，包括本发明的一个方面，所述透光性基板和第一导电型半导体层，形成在光透射性基板的上表面和有源层和第二导电型半导体层顺序地，它形成在设置具有金属反射膜的背面反射层叠体的下表面上的透光性基板的底表面上的光的辅助层，并具有预定折射率的材料制成的光学辅助层，在后反射层叠体的下表面上形成并且，共晶提供了一种半导体发光器件，包括用于具有防止膜，用于防止键合金属层和接合金属层和由金属材料制成的金属反射膜之间的所有元素之间的扩散形成的扩散粘结层压体。

6. 发明申请

WO2013024914A1 질화물 반도체 발광소자의 제조방법 및 이에 의해 제조된 질화물 반도체 발광소자 审中-公开
标题翻译：用于制造氮化物半导体发光器件和制造的氮化物半导体发光器件的方法
公开(公告)号：WO2013024914A1
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：PCT/KR2011/006013
申请日：2011-08-17
申请人： 삼성전자주식회사 , 황석민 , 이진복 , 장태성 , 우종균
发明人： 황석민 , 이진복 , 장태성 , 우종균
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/46
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2933/0016
摘要： 본 발명은 일 측면은, 기판 위에 제1 및 제2 도전형 질화물 반도체층과, 그 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 발광구조물을 형성하는 단계와, 기판 상에 제1 도전형 질화물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층과 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계와, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층 상에 상기 제2 도전형 질화물 반도체층의 일부 영역이 노출되는 포토레지스트막을 형성하는 단계 및 상기 포토레지스트막에 의하여 노출된 상기 제2 도전형 질화물 반도체층 위에 제2 전극 구조로서 반사 금속층 및 배리어 금속층을 연속으로 형성한 후 상기 포토레지스트막을 제거하는 단계를 포함하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법을 제공한다.
摘要翻译：根据本发明的一个方面，提供一种用于制造由此制造的氮化物半导体发光器件和氮化物半导体发光器件的方法。制造氮化物半导体发光器件的方法包括以下步骤：在衬底上形成第一和第二导电型氮化物半导体层，以在第一和第二导电型氮化物半导体层之间形成包括有源层的发光结构; 依次形成第一导电型氮化物半导体层，有源层和第二导电型氮化物半导体层; 形成连接到第一导电型氮化物半导体层的第一电极; 在所述第二导电型氮化物半导体层上形成光致抗蚀剂膜以暴露所述第二导电型氮化物半导体层的一部分; 并且在用作第二电极和阻挡层的反射金属层之后依次形成在由光致抗蚀剂膜暴露的第二导电型氮化物半导体层上，去除光致抗蚀剂膜。

7. 发明申请

WO2013018938A1 반도체 발광소자 审中-公开
标题翻译：半导体发光元件
公开(公告)号：WO2013018938A1
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：PCT/KR2011/005589
申请日：2011-07-29
申请人： 삼성전자주식회사 , 김재윤 , 김제원 , 이진복 , 황석민 , 하해수 , 이수열
发明人： 김재윤 , 김제원 , 이진복 , 황석민 , 하해수 , 이수열
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/38
CPC分类号： H01L33/387 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L2933/0016
摘要： 본 발명은 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시 형태는 n형 반도체층과, 상기 n형 반도체층 상면 중 일부 영역에 해당하는 제1 영역 위에 형성된 활성층 및 p형 반도체층과, 상기 n형 반도체층 상면 중 상기 제1 영역과 다른 제2 영역 위에 형성되어 상기 n형 반도체층과 전기적으로 연결되며, n형 패드와 제1 및 제2 n형 핑거를 구비하는 n형 전극 및 상기 p형 반도체층 상에 형성되어 상기 p형 반도체층과 전기적으로 연결되며, p형 패드 및 p형 핑거를 구비하는 p형 전극을 포함하며, 상기 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층은 발광구조물을 이루고, 상기 발광구조물의 상부에서 보았을 때, 상기 n형 및 p형 핑거는 서로 교차하도록 서로 중첩되는 영역이 존재하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제공한다.
摘要翻译：本发明涉及半导体发光元件，本发明的一个实施例提供一种半导体发光元件，包括：n型半导体层; 形成在对应于n型半导体层的上表面的一部分的第一区域上的活化层和p型半导体层; n型电极，其形成在n型半导体层的顶表面的与第一区不同的第二区上并与n型半导体层电连接，并且具有n型垫和第一和第二n型手指; 以及p型电极，其形成在p型半导体层上并与p型半导体层电连接并且设置有p型焊盘和p型指状物。 n型半导体层，活化层和p型半导体层形成发光结构，当从发光结构的上部观察时，半导体发光元件具有以下区域： n型和p型手指重叠以便彼此相交。

8. 发明申请

WO2010047553A2 반도체 발광 소자 审中-公开
标题翻译：半导体发光器件
公开(公告)号：WO2010047553A2
公开(公告)日：2010-04-29
申请号：PCT/KR2009/006144
申请日：2009-10-22
申请人： 삼성엘이디 주식회사 , 최번재 , 김유승 , 이진복
发明人： 최번재 , 김유승 , 이진복
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/22
CPC分类号： H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/40 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014 , H01L2933/0016
摘要： 본 발명은 도전성 기판, 제1전극층, 절연층, 제2전극층, 제2반도체층, 활성층 및 제1반도체층이 순차적으로 적층된 반도체 발광소자를 제공하되, 상기 제1전극층과 제1반도체층이 접촉하는 면적이 상기 반도체 발광 소자의 면적의 3 내지 13%이 되도록 하여 발광 효율이 높은 반도체 발광소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
摘要翻译：本发明提供了一种半导体发光器件，其中依次堆叠导电衬底，第一电极层，绝缘层，第二电极层，第二半导体层，有源层和第一半导体层。第一电极层和第一半导体层之间的接触面积为半导体发光器件面积的3〜13％，从而提高发光效率。

9. 发明申请

WO2018139845A2 셀타입 가스인증표준물질 제조방법, 제조장치 및 용기 审中-公开
公开(公告)号：WO2018139845A2
公开(公告)日：2018-08-02
申请号：PCT/KR2018/001045
申请日：2018-01-24
申请人： 한국표준과학연구원
发明人： 이정순 , 임정식 , 이진복
IPC分类号： G01N1/28 , G01N33/00 , G02B27/14 , G01N21/31
CPC分类号： G01N1/28 , G01N21/31 , G01N33/00 , G02B27/14
摘要： 본 발명의 목적은, 밀폐용기 형태로 된 셀타입으로 되며 중량법을 이용하여 정확하게 미리 결정된 농도의 가스를 주입하여 제작함으로써, 미리 결정된 농도 및 길이 값이 알려진 셀타입 가스인증표준물질을 제조할 수 있게 하는, 셀타입 가스인증표준물질 제조방법, 제조장치 및 용기를 제공함에 있다. 본 발명의 다른 목적은, 이와 같은 방식으로 제조됨에 따라 분석 시의 불확도를 최소화하고 분석결과의 신뢰도를 극대화할 수 있는, 셀타입 가스인증표준물질 제조방법, 제조장치 및 용기를 제공함에 있다. 본 발명의 또다른 목적은, 상술한 바와 같은 형태로 이루어짐으로써 소량으로도 분석이 가능하고, 또한 유효기한 내에서 무제한 반복 사용이 가능하며, 흡착성, 독성, 반응성을 가지는 가스라도 인체 또는 장비에 위험을 주지 않고 안정적인 분석이 가능하도록 하는, 셀타입 가스인증표준물질 제조방법, 제조장치 및 용기를 제공함에 있다.

10. 发明申请

WO2018139845A3 셀타입 가스인증표준물질 제조방법, 제조장치 및 용기 审中-公开
公开(公告)号：WO2018139845A3
公开(公告)日：2018-08-02
申请号：PCT/KR2018/001045
申请日：2018-01-24
申请人： 한국표준과학연구원
发明人： 이정순 , 임정식 , 이진복
IPC分类号： G01N1/28 , G01N33/00 , G02B27/14 , G01N21/31
摘要： 본 발명의 목적은, 밀폐용기 형태로 된 셀타입으로 되며 중량법을 이용하여 정확하게 미리 결정된 농도의 가스를 주입하여 제작함으로써, 미리 결정된 농도 및 길이 값이 알려진 셀타입 가스인증표준물질을 제조할 수 있게 하는, 셀타입 가스인증표준물질 제조방법, 제조장치 및 용기를 제공함에 있다. 본 발명의 다른 목적은, 이와 같은 방식으로 제조됨에 따라 분석 시의 불확도를 최소화하고 분석결과의 신뢰도를 극대화할 수 있는, 셀타입 가스인증표준물질 제조방법, 제조장치 및 용기를 제공함에 있다. 본 발명의 또다른 목적은, 상술한 바와 같은 형태로 이루어짐으로써 소량으로도 분석이 가능하고, 또한 유효기한 내에서 무제한 반복 사용이 가능하며, 흡착성, 독성, 반응성을 가지는 가스라도 인체 또는 장비에 위험을 주지 않고 안정적인 분석이 가능하도록 하는, 셀타입 가스인증표준물질 제조방법, 제조장치 및 용기를 제공함에 있다.

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