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1. 发明申请

WO2013024914A1 질화물 반도체 발광소자의 제조방법 및 이에 의해 제조된 질화물 반도체 발광소자 审中-公开
标题翻译：用于制造氮化物半导体发光器件和制造的氮化物半导体发光器件的方法
公开(公告)号：WO2013024914A1
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：PCT/KR2011/006013
申请日：2011-08-17
申请人： 삼성전자주식회사 , 황석민 , 이진복 , 장태성 , 우종균
发明人： 황석민 , 이진복 , 장태성 , 우종균
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/46
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2933/0016
摘要： 본 발명은 일 측면은, 기판 위에 제1 및 제2 도전형 질화물 반도체층과, 그 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 발광구조물을 형성하는 단계와, 기판 상에 제1 도전형 질화물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층과 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계와, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층 상에 상기 제2 도전형 질화물 반도체층의 일부 영역이 노출되는 포토레지스트막을 형성하는 단계 및 상기 포토레지스트막에 의하여 노출된 상기 제2 도전형 질화물 반도체층 위에 제2 전극 구조로서 반사 금속층 및 배리어 금속층을 연속으로 형성한 후 상기 포토레지스트막을 제거하는 단계를 포함하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법을 제공한다.
摘要翻译：根据本发明的一个方面，提供一种用于制造由此制造的氮化物半导体发光器件和氮化物半导体发光器件的方法。制造氮化物半导体发光器件的方法包括以下步骤：在衬底上形成第一和第二导电型氮化物半导体层，以在第一和第二导电型氮化物半导体层之间形成包括有源层的发光结构; 依次形成第一导电型氮化物半导体层，有源层和第二导电型氮化物半导体层; 形成连接到第一导电型氮化物半导体层的第一电极; 在所述第二导电型氮化物半导体层上形成光致抗蚀剂膜以暴露所述第二导电型氮化物半导体层的一部分; 并且在用作第二电极和阻挡层的反射金属层之后依次形成在由光致抗蚀剂膜暴露的第二导电型氮化物半导体层上，去除光致抗蚀剂膜。

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