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    • 5. 发明申请
    • 수용성 코팅막용 조성물
    • 用于水溶性涂膜的组合物
    • WO2010151041A2
    • 2010-12-29
    • PCT/KR2010/004069
    • 2010-06-23
    • 주식회사 동진쎄미켐이정열장유진이재우김재현
    • 이정열장유진이재우김재현
    • G03F7/26
    • G03F7/40
    • 포토레지스트막 및 패턴의 두께 감소(top-loss) 조절 및 이를 이용한 라인 에지 러프니스(line edge roughness: LER)의 개선이 가능한 수용성 코팅막용 조성물이 개시된다. 상기 수용성 코팅막용 조성물은, 수용성 고분자 1 내지 30중량%; 상기 수용성 고분자 100중량부에 대하여, 유기산, 무기산 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 산 화합물 0.1 내지 300중량부; 상기 수용성 고분자 100중량부에 대하여, 유기염기 0.1 내지 50중량부; 및 나머지 용매를 포함하며, 포토레지스트막 및 패턴 상에, 가열 공정에 의해 산을 확산시키고 물 또는 현상액에 녹을 수 있는 수용성 코팅막을 형성하여, 포토레지스트막 및 패턴의 두께를 감소시키기 위한 것이다.
    • 公开了一种用于水溶性涂膜的组合物,其可以调节光致抗蚀剂膜和图案的顶部损耗,并且改善线边缘粗糙度(LER)。 水溶性涂膜用组合物含有:1〜30重量%的水溶性聚合物; 0.1〜300重量份选自有机酸,无机酸及其混合物的酸性化合物相对于100重量份的水溶性聚合物; 0.1〜50重量份有机碱,相对于100重量份的水溶性聚合物; 其余为溶剂。 本发明通过加热工艺扩散酸,并形成可溶于水或显影剂溶液中的水溶性涂膜,以使光致抗蚀剂膜和图案上的顶部损失得以实现。
    • 7. 发明申请
    • 포토레지스트 패턴 코팅용 고분자 및 이를 이용한 반도체 소자의 패턴 형성 방법
    • 用于涂布光电图案的聚合物和使用其形成半导体器件的图案的方法
    • WO2010098617A2
    • 2010-09-02
    • PCT/KR2010/001226
    • 2010-02-26
    • 주식회사 동진쎄미켐이정열이재우김덕배김재현
    • 이정열이재우김덕배김재현
    • G03F7/004
    • G03F7/40
    • 리쏘그래피 공정의 해상도를 증가시킬 수 있는 포토레지스트 패턴 코팅용 고분자 및 이를 이용한 반도체 소자의 패턴 형성 방법이 개시된다. 상기 포토레지스트 패턴 코팅 고분자는 청구항 1의 화학식 1로 표시된다. 상기 화학식 1에서, R * 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기(-CH 3 )이고, R 1 은 탄소수 1 내지 18의 선형 또는 환형 탄화수소기이고, R 2 는 히드록시기(-OH), 카르복실기(-COOH), 또는 탄소수 3 내지 10, 질소수 1 내지 3 및 산소수 1 내지 3의 선형 또는 환형 탄화수소기이며, x 및 y는 상기 화학식의 고분자를 구성하는 전체 반복단위에 대한 각각의 반복단위의 몰%로서, x는 5 내지 100몰%이고, y는 0 내지 95 몰%이다.
    • 公开了一种用于涂覆光致抗蚀剂图案的聚合物,其可以提高光刻工艺的分辨率,以及使用该聚合物形成半导体器件的图案的方法。 用于涂覆光致抗蚀剂图案的聚合物用权利要求1的化学式1表示。在化学式1中,R *独立地为氢原子或甲基(-CH 3),R 1为具有1至18个的直链或环状烃基 碳原子,R2是羟基(-OH),羧基(-COOH)或具有3至10个碳原子,1至3个氮原子和1至3个氧原子的直链或环状烃基,x 和y分别为基于化学式1的聚合物的全部重复单元的摩尔%,其中x为5至100摩尔%,y为0至95摩尔%。