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1. 发明申请

WO2013012106A1 금속 표면 결함 검출을 위한 카메라, 카메라를 포함하는 금속 표면 결함 검출 장치, 및 금속 표면 결함 검출 방법 审中-公开
标题翻译：用于检测金属表面缺陷的相机，用于检测包括相机的金属表面缺陷的装置，以及用于检测金属表面缺陷的方法
公开(公告)号：WO2013012106A1
公开(公告)日：2013-01-24
申请号：PCT/KR2011/005282
申请日：2011-07-19
申请人： 동국대학교 경주캠퍼스 산학협력단 , 주식회사 네드텍 , 장유진 , 이주섭
发明人： 장유진 , 이주섭
IPC分类号： G01N21/88
CPC分类号： G01N21/8806 , G01N21/21 , G01N2021/8845 , G01N2021/8918
摘要： 금속 표면 결함 검출을 위한 카메라는, 편광분리기, 제1 전하결합소자, 및 제2 전하결합소자를 포함한다. 편광분리기는 서로 직교하는 선편광된 조명들을 금속물체의 표면에 동시에 조사할 때 금속물체의 표면에서 반사된 빛을 수직편파 및 수평편파로 분리한다. 제1 전하결합소자(CCD)는 수직편파의 영상을 획득한다. 제2 전하결합소자는 수평편파의 영상을 획득한다.
摘要翻译：用于检测金属表面缺陷的照相机包括：偏光分离器; 第一电荷耦合器件; 和第二电荷耦合器件。当偏振光分离器同时在金属物体的表面上发射相互交叉的线偏振光时，从金属物体的表面反射的光被分离为垂直偏振光和水平偏振光。第一电荷耦合器件（CCD）获取垂直偏振图像。第二电荷耦合器件获取水平偏振图像。

2. 发明申请

WO2010151041A2 수용성 코팅막용 조성물 审中-公开
标题翻译：用于水溶性涂膜的组合物
公开(公告)号：WO2010151041A2
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：PCT/KR2010/004069
申请日：2010-06-23
申请人： 주식회사 동진쎄미켐 , 이정열 , 장유진 , 이재우 , 김재현
发明人： 이정열 , 장유진 , 이재우 , 김재현
IPC分类号： G03F7/26
CPC分类号： G03F7/40
摘要： 포토레지스트막 및 패턴의 두께 감소(top-loss) 조절 및 이를 이용한 라인 에지 러프니스(line edge roughness: LER)의 개선이 가능한 수용성 코팅막용 조성물이 개시된다. 상기 수용성 코팅막용 조성물은, 수용성 고분자 1 내지 30중량%; 상기 수용성 고분자 100중량부에 대하여, 유기산, 무기산 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 산 화합물 0.1 내지 300중량부; 상기 수용성 고분자 100중량부에 대하여, 유기염기 0.1 내지 50중량부; 및 나머지 용매를 포함하며, 포토레지스트막 및 패턴 상에, 가열 공정에 의해 산을 확산시키고 물 또는 현상액에 녹을 수 있는 수용성 코팅막을 형성하여, 포토레지스트막 및 패턴의 두께를 감소시키기 위한 것이다.
摘要翻译：公开了一种用于水溶性涂膜的组合物，其可以调节光致抗蚀剂膜和图案的顶部损耗，并且改善线边缘粗糙度（LER）。水溶性涂膜用组合物含有：1〜30重量％的水溶性聚合物; 0.1〜300重量份选自有机酸，无机酸及其混合物的酸性化合物相对于100重量份的水溶性聚合物; 0.1〜50重量份有机碱，相对于100重量份的水溶性聚合物; 其余为溶剂。本发明通过加热工艺扩散酸，并形成可溶于水或显影剂溶液中的水溶性涂膜，以使光致抗蚀剂膜和图案上的顶部损失得以实现。

3. 发明申请

WO2013008972A1 고온 금속 표면 3차원 형상 추출 시스템 및 방법 审中-公开
标题翻译：用于提取热金属表面的3D形状的系统和方法
公开(公告)号：WO2013008972A1
公开(公告)日：2013-01-17
申请号：PCT/KR2011/005219
申请日：2011-07-15
申请人： 동국대학교 경주캠퍼스 산학협력단 , 장유진
发明人： 장유진
IPC分类号： H04N13/02 , H04N5/262 , G06T15/00 , H04N13/00
CPC分类号： H04N13/282 , G01B11/2509 , G01B11/2531 , G06T7/521 , G06T7/586 , G06T2207/10024 , G06T2207/10152 , G06T2207/30136
摘要： 본 발명은 고온 금속 표면 3차원 형상 추출 시스템 및 방법으로서, 고온의 대상 물체가 발산하는 광의 파장 대역과 다른 파장 대역으로서, 서로 다른 파장 대역을 갖는 2개의 광과, 상기 2개의 광과 동일한 파장 대역을 갖는 2개의 광에서, 서로 동일한 파장 대역을 갖는 광들을 서로 다른 방향으로 편광시켜 서로 간섭없는 4개의 광으로 발산하는 광원부; 상기 광원부로부터 편광된 4개의 광을 동시에 상기 대상 물체에 조사하여 상기 대상 물체에 대한 2차원 영상을 획득하기 위한 영상획득부; 및 상기 영상획득부가 획득한 2차원 영상을 포토메트릭 스테레오(Photometric Stereo) 기법을 이용하여 합성하고 상기 대상 물체의 표면에 대한 3차원 형상을 추출하는 영상처리부를 포함하는 것을 특징으로 하는 고온 금속 표면 3차원 형상 추출 시스템과 이를 이용하여 고온 금속 표면에 대한 3차원 형상을 추출하는 방법이며, 이와 같은 본 발명에 의하면 접근이 불가능한 고온의 철강 제품의 표면 결함의 3차원 형상 정보를 제공할 수 있으므로 이를 바탕으로 결함이 발생된 제품 또는 결함 부위에 대하여 미리 적절한 조치를 취할 수 있어 제품의 품질관리 및 제품 생산의 비용절감에 크게 기여할 수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于提取热金属表面的3D形状的系统和方法，更具体地，涉及一种用于提取热金属表面的3D形状的系统，包括：光源单元，发射四个光类型，即，具有与热目标物体发射的波带宽不同的不同波带宽度的两种类型的光，以及分别具有与上述两种类型的光相同的波带宽的另外两种类型的光，使得具有相同带宽的光的类型在不同方向上被极化，以便不彼此干扰; 图像获取单元，将从光源偏振的四种类型的光同时发射到目标物体上，以获得目标物体的2D图像; 以及使用光度立体声技术的图像处理单元，以组合由图像获取单元获取的2D图像，并提取目标对象的表面的3D形状。本发明还涉及使用该系统提取热金属表面的3D形状的方法。根据本发明，可以提供关于不能接触的热钢产品的表面缺陷的3D形状信息，并且基于所述信息，可以针对具有缺陷或缺陷部分的产品提前采取适当的措施，因此大大有助于产品质量控制和降低产品生产成本。

4. 发明申请

WO2010140870A3 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2010140870A3
公开(公告)日：2010-12-09
申请号：PCT/KR2010/003615
申请日：2010-06-04
申请人： 주식회사 동진쎄미켐 , 이준경 , 장유진 , 한동우 , 김정식 , 이정열 , 이재우 , 김덕배 , 김재현
发明人： 이준경 , 장유진 , 한동우 , 김정식 , 이정열 , 이재우 , 김덕배 , 김재현
IPC分类号： H01L21/027
摘要： 노광 마스크 없이 단순 노광에 의하여 2차 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있는 이중 노광 패터닝 공정을 이용한, 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법이 개시된다. 상기 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법은, 피식각층이 형성된 반도체 기판 상에 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1 포토레지스트 패턴을 110 내지 220℃로 가열(하드닝 베이크)하여 층간 거울막을 형성하는 단계; 상기 결과물 상에 제2 포토레지스트막을 형성하는 단계; 및 상기 제2 포토레지스트막에 노광 마스크 없이 제2 포토레지스트막의 문턱에너지(Threshold Energy; E th )보다 낮은 값의 에너지를 갖는 광(저에너지 광)으로 노광 및 현상 공정을 수행하여, 상기 제1 포토레지스트 패턴 사이에 층간 거울막의 난반사에 의한 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.

5. 发明申请

WO2013042973A2 Ｉ-선 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 미세패턴 형성 방법 审中-公开
标题翻译： I-LINE光电组合物和使用其形成精细图案的方法
公开(公告)号：WO2013042973A2
公开(公告)日：2013-03-28
申请号：PCT/KR2012/007576
申请日：2012-09-21
申请人： 주식회사 동진쎄미켐 , 이정열 , 장유진 , 이재우 , 김재현
发明人： 이정열 , 장유진 , 이재우 , 김재현
IPC分类号： G03F7/26 , G03F7/16
CPC分类号： G03F7/0388 , G03F7/022 , G03F7/0226 , G03F7/0233 , G03F7/405
摘要： 고온(200 내지 250℃)에서의 열적 안정성이 우수하고, 산확산막을 이용한 패턴의 미세화가 가능한 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있는 I-선(line) 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 미세패턴 형성 방법이 개시된다. 상기 I-선(line) 포토레지스트 조성물은 본 명세서의 화학식 1로 표시되는 반복단위 1 내지 99몰%, 및 본 명세서의 화학식 2로 표시되는 반복단위, 본 명세서의 화학식 3으로 표시되는 반복단위 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 반복단위를 1 내지 99몰% 포함하는 고분자; 2개 이상의 디아조나프토퀴논(DNQ)기를 포함하는 감광성 화합물; 및 유기용매를 포함한다.
摘要翻译：公开了一种在高温（200-250℃）下具有热稳定性并且能够通过使用酸扩散阻挡层形成精细图案的I线光致抗蚀剂组合物，以及使用I线光致抗蚀剂形成精细图案的方法组成。 I系光致抗蚀剂组合物包含：1〜99摩尔％的由本说明书的化学式1表示的重复单元和含有1〜99摩尔％重复单元的聚合物，其选自：由本说明书的化学式2表示的重复单元，由本说明书的化学式3表示的重复单元和上述重复单元的混合物; 含有至少两个重氮萘醌（DNQ）基团的光敏化合物; 和有机溶剂。

6. 发明申请

WO2011014011A2 가교성 경화 물질을 포함하는 포토레지스트 조성물 审中-公开
标题翻译：一种包含可交联固化材料的光刻胶组合物
公开(公告)号：WO2011014011A2
公开(公告)日：2011-02-03
申请号：PCT/KR2010/004969
申请日：2010-07-28
申请人： 주식회사 동진쎄미켐 , 장유진 , 이준경 , 한동우 , 김정식 , 이정열 , 이재우 , 김덕배 , 김재현
发明人： 장유진 , 이준경 , 한동우 , 김정식 , 이정열 , 이재우 , 김덕배 , 김재현
IPC分类号： G03F7/032 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0035 , G03F7/0382 , G03F7/405
摘要： 이중 패터닝 기술을 이용한 패턴 형성 방법에서, 포토레지스트 패턴 형성 후, 가열 또는 노광 및 가열에 의해 포토레지스트 패턴 표면에 패턴 보호막을 형성할 수 있는, 가교성 경화 물질을 포함하는 포토레지스트 조성물이 개시된다. 상기 포토레지스트 조성물은, 감광성 고분자 3 내지 30중량%; 상기 감광성 고분자 100중량부에 대하여, 청구항 1의 화학식 1 및/또는 화학식 2로 표시되는 가교 경화제 0.5 내지 75중량부; 상기 감광성 고분자 100중량부에 대하여, 광산발생제 0.05 내지 15중량부; 및 나머지 용매를 포함한다.
摘要翻译：
使用加热或暴露于光并通过加热光致抗蚀剂图案表面后形成的光致抗蚀剂图案以形成图案的保护膜含有双重图案化技术在图案形成方法中，交联材料固化 Lt。该光致抗蚀剂组合物包含3至30重量％的光敏聚合物; 基于100重量份的光敏聚合物，0.5至75重量份的由权利要求1的通式（1）和/或（2）表示的交联固化剂; 基于100重量份的光敏聚合物，0.05至15重量份的光酸产生剂; 和剩下的溶剂。

7. 发明申请

WO2012176944A1 신뢰성 있는 금속 표면 3차원 형상 추출 기법 및 시스템 审中-公开
标题翻译：金属表面可靠3D形状提取的方法和系统
公开(公告)号：WO2012176944A1
公开(公告)日：2012-12-27
申请号：PCT/KR2011/004559
申请日：2011-06-22
申请人： 동국대학교 경주캠퍼스 산학협력단 , 장유진
发明人： 장유진
IPC分类号： H04N13/02 , G02B27/26 , G06T15/00
CPC分类号： H04N13/239 , G01B11/245 , G01B11/2509 , H04N13/254
摘要： 본 발명은 간섭이 없는 편광된 조명들을 금속 물체에 동시에 조사하여 금속 물체의 3차원 형상 추출에 부정확성을 주는 영상을 제외하고 직접적인 반사광이 없는 영상들을 포토메트릭 스테레오(Photometric Stereo) 기법에 적용하여 금속 물체 표면의 3차원 형상을 신뢰성 있게 추출할 수 있는 금속 표면 3차원 형상 추출 기법 및 시스템에 관한 것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种金属表面的3D形状提取的方法和系统，该方法和系统能够通过应用不具有直接反射光的图像来可靠地提取金属物体表面的3D形状，除了提取图像之外通过将无干扰的偏振光同时照射到金属物体上而使金属物体的3D形状不准确地成为光度立体声方法。

8. 发明申请

WO2011052954A2 포토레지스트 패턴 세정 및 보호막 형성용 조성물 审中-公开
标题翻译：用于光刻胶图案清洁和保护膜形成的组合物
公开(公告)号：WO2011052954A2
公开(公告)日：2011-05-05
申请号：PCT/KR2010/007355
申请日：2010-10-26
申请人： 주식회사 동진쎄미켐 , 이준경 , 장유진 , 이재우 , 김덕배 , 김재현
发明人： 이준경 , 장유진 , 이재우 , 김덕배 , 김재현
IPC分类号： G03F7/26
CPC分类号： G03F7/405
摘要： 이중 노광 패터닝 공정에서, 포토레지스트 패턴 세정 및 세정 후 가열에 의해 포토레지스트 패턴 위에 보호막을 형성시킬 수 있는 포토레지스트 패턴 세정 및 보호막 형성용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법이 개시된다. 상기 포토레지스트 패턴 세정 및 보호막 형성용 조성물은 본 명세서의 화학식 1 내지 화학식 3으로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 가교제; 및 용매를 포함한다.
摘要翻译：
细在双重曝光图案化工艺，光致抗蚀剂图案的洗涤和使用形成清洁光致抗蚀剂图案和所述保护膜组合物，并且用于通过洗涤后上形成该保护层的能够将光致抗蚀剂图案的半导体器件加热公开了一种图案形成方法。光致抗蚀剂图案，并清洁保护膜组合物以形成至少一种交联剂选自由化学式1表示的规格的3种化合物组成的组中; 和一种溶剂。

9. 发明申请

WO2010053298A3 유방성 크로모닉 액정 조성물, 유방성 크로모닉 액정 코팅막의 제조방법 및 그로 인해 제조된 유방성 크로모닉 액정 코팅막 审中-公开
公开(公告)号：WO2010053298A3
公开(公告)日：2010-05-14
申请号：PCT/KR2009/006474
申请日：2009-11-05
申请人： 한국생산기술연구원 , 전북대학교산학협력단 , 신승한 , 장유진 , 이명훈 , 정광운 , 배윤주
发明人： 신승한 , 장유진 , 이명훈 , 정광운 , 배윤주
IPC分类号： C09K19/34 , G02F1/13363
摘要： 본 발명은, 유방성 크로모닉 액정 조성물, 유방성 크로모닉 액정 코팅막의 제조방법 및 그로 인해 제조된 유방성 크로모닉 액정 코팅막에 관한 것으로서, 본 발명에 의한 유방성 크로모닉 액정 조성물은, 서로 반대되는 산-염기 특성을 가진 각각의 크로모닉 액정 화합물과 모노머를 포함한다. 본 발명에 의하면, 상기 유방성 크로모닉 액정 조성물을 이용하여, 이로부터 형성된 광학 필름 등의 기계적 강도, 절연 특성 및 굴절률 등의 전기·광학적 특성을 향상시킬 수 있다.

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