使用加热或暴露于光并通过加热光致抗蚀剂图案表面后形成的光致抗蚀剂图案以形成图案的保护膜含有双重图案化技术在图案形成方法中，交联材料固化 Lt。 该光致抗蚀剂组合物包含3至30重量％的光敏聚合物; 基于100重量份的光敏聚合物，0.5至75重量份的由权利要求1的通式（1）和/或（2）表示的交联固化剂; 基于100重量份的光敏聚合物，0.05至15重量份的光酸产生剂; 和剩下的溶剂。

细在双重曝光图案化工艺，光致抗蚀剂图案的洗涤和使用形成清洁光致抗蚀剂图案和所述保护膜组合物，并且用于通过洗涤后上形成该保护层的能够将光致抗蚀剂图案的半导体器件加热 公开了一种图案形成方法。 光致抗蚀剂图案，并清洁保护膜组合物以形成至少一种交联剂选自由化学式1表示的规格的3种化合物组成的组中; 和一种溶剂。

基于加热而无需添加剂聚合物固化所述自交联反应的苯酚是自引发抗蚀剂下层膜组合物，其包含聚合物和交联的。 酚类交联聚合物选自由式（1）表示的聚合物，由式（2）表示的聚合物和由式（3）表示的聚合物组成的组。

在用于半导体器件的形成，EUV（极紫外线; EUV）光刻工艺用的光sikidoe通波长，长波长光比极紫外辐射是光敏聚合物阻塞，图像包含相同 公开了使用抗蚀剂组合物形成抗蚀剂图案的抗蚀剂组合物和方法。 光敏聚合物由权利要求1的式1表示。