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1. 发明申请

WO2006104072A1 熱処理装置及び基板の製造方法审中-公开
标题翻译：热处理装置和基板制造方法
公开(公告)号：WO2006104072A1
公开(公告)日：2006-10-05
申请号：PCT/JP2006/306086
申请日：2006-03-27
申请人：株式会社日立国際電気 , 諸橋明 , 中嶋定夫 , 中村巌 , 山▲崎▼ 恵信 , 笹島亮太
发明人：諸橋明 , 中嶋定夫 , 中村巌 , 山▲崎▼ 恵信 , 笹島亮太
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01L21/67017 , H01L21/67109
摘要：高精度なプロセス処理および高い安全性を実現することができる熱処理装置及び基板の製造方法を提供する。熱処理装置１０は、基板を処理する反応管４２と、反応管４２を支持するマニホールド４４と、反応管４２の周囲に設けられ反応管４２内を加熱するヒータ４６とを有し、反応管４２とマニホールド４４は、連続した平面同士が接触することにより当接しており、反応管４２とマニホールド４４との当接部を外部から覆うようにカバー部材７２が設けられ、カバー部材７２には、カバー部材７２と反応管４２とマニホールド４４との間に形成される空間部７４に連通するガス供給ポート７６及び排気ポート７８の少なくとも一方が設けられている。
摘要翻译：提供了能够实现高精度处理和高安全性的热处理装置和基板制造方法。热处理装置（10）包括用于处理基板的反应饼（42），用于支撑反应管（42）的歧管（44）和布置在反应管（42）周围的加热器（46），以便加热反应管（42）的内部。反应管（42）通过连续平面的接触与歧管（44）邻接。反作用管（42）和歧管（44）之间的邻接部分被覆盖件（72）覆盖。盖构件（72）具有与盖构件（72），反应管（42）之间形成的空间（74）连通的气体供给口（76）和排气口（78）中的至少一个，歧管（44）。

2. 发明申请

WO2007018142A1 基板処理装置、基板の製造方法及び半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：基板加工装置，加工基板的方法和制造半导体装置的方法
公开(公告)号：WO2007018142A1
公开(公告)日：2007-02-15
申请号：PCT/JP2006/315482
申请日：2006-08-04
申请人：株式会社日立国際電気 , 山▲崎▼ 恵信 , 中村巌 , 笹島亮太
发明人：山▲崎▼ 恵信 , 中村巌 , 笹島亮太
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/22 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/324 , H01L21/67109
摘要： Disclosed is a substrate processing apparatus wherein the temperature in a reaction tube can be controlled accurately. Specifically disclosed is a substrate processing apparatus comprising a reaction tube (42) in which a substrate is processed, a heater (46) for heating the substrate in the reaction tube (42), a cooling air channel (72) for flowing a cooling air (70) along the outer side of the reaction tube (42), and a thermocouple (82) for detecting the temperature around the reaction tube (42). The thermocouple (82) is covered with a protective tube (86) and arranged within the cooling air channel (72) in which the cooling air (70) is circulated, and a cover member (88) is provided on the outside of protective tube (86) for blocking the flow of the cooling air (70) toward the protective tube (86).
摘要翻译：公开了一种基板处理装置，其中可以精确地控制反应管中的温度。具体公开了一种基板处理装置，包括：反应管（42），其中处理基板;加热器（46），用于加热反应管（42）中的基板;冷却空气通道（72），用于使冷却空气（70），以及用于检测反应管（42）周围的温度的热电偶（82）。热电偶（82）被保护管（86）覆盖，并布置在冷却空气（70）循环的冷却空气通道（72）内，并且在保护管的外侧设置盖构件（88）（86），用于阻止冷却空气（70）朝向保护管（86）的流动。

3. 发明申请

WO2005069361A1 熱処理装置审中-公开
标题翻译：热处理装置
公开(公告)号：WO2005069361A1
公开(公告)日：2005-07-28
申请号：PCT/JP2005/000651
申请日：2005-01-20
申请人：株式会社日立国際電気 , 中村直人 , 中村巌 , 島田智晴 , 諸橋明 , 山▲崎▼ 恵信 , 中嶋定夫
发明人：中村直人 , 中村巌 , 島田智晴 , 諸橋明 , 山▲崎▼ 恵信 , 中嶋定夫
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67303 , H01L21/324 , H01L21/67309
摘要：支持具に支持される基板間のピッチを縮小し、処理枚数を増大させることができる熱処理装置を提供する。熱処理装置１０は、基板７２を処理する反応炉４０と、反応炉４０内で複数枚の基板７２を複数段に支持する支持具３０とを有する。この支持具３０は、基板７２と接触する複数の支持板５８と、この複数の支持板５８を支持する支持片６６とを有し、支持板５８と支持片６６が厚さ方向の少なくとも一部において重なるように構成される。
摘要翻译：一种热处理装置，其中由支撑体支撑的基板之间的间隔减小，使得可以增加待处理的基板的数量。热处理装置（10）具有用于处理基板（72）的反应炉（40）和用于在反应炉（40）中多级支撑基板（72）的支撑件（30）。支撑件（30）具有与用于支撑支撑板（58）的基板（72）和支撑构件（66）接触的支撑板（58）。支撑板（58）和支撑构件（66）在厚度方向的至少一部分上彼此叠置。

4. 发明申请

WO2005031843A1 熱処理装置及び基板の製造方法审中-公开
标题翻译：热处理装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2005031843A1
公开(公告)日：2005-04-07
申请号：PCT/JP2004/014071
申请日：2004-09-27
申请人：株式会社日立国際電気 , 中村巌 , 中村直人 , 中嶋定夫 , 笹島亮太
发明人：中村巌 , 中村直人 , 中嶋定夫 , 笹島亮太
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/02164 , H01L21/31662 , H01L21/324
摘要：　本発明は、熱処理中に発生する基板の傷及びスリップ発生を少なくし、高品質な半導体装置や基板を製造することができる熱処理装置及び基板の製造方法を提供することを目的とする。基板７２を支持する支持具３０は、例えば炭化珪素（ＳｉＣ）からなり、この支持具３０の少なくとも基板７２と接触する部分にはシリコン酸化膜７４が形成されている。シリコン酸化膜７４は、ＯＨ基が含まれ、シリコン酸化膜７４の粘性率を低くしてある。このシリコン酸化膜７４はＯＨ基を含まない雰囲気においてアニール処理が施され、ＯＨ基含有量が少ない薄い膜１０２が形成されるようにしてもよい。
摘要翻译：提供一种能够减少在热处理中可能发生的基板划痕和滑动并能够制造高品质的半导体器件和基板以及制造基板的方法的热处理装置。支撑衬底（72）的支撑工具（30）由碳化硅（SiC）制成。在支撑工具（30）至少与基板（72）接触的部分上形成氧化硅膜（74）。氧化硅膜（74）含有OH基，其粘度降低。在氧化硅膜（74）上，OH基团含量低的薄膜（102）可以通过在无OH基的气氛中退火而形成。

5. 发明申请

WO2006106859A1 半導体装置の製造方法、基板の製造方法および基板処理装置审中-公开
标题翻译：半导体器件制造方法，基板制造方法和基板处理装置
公开(公告)号：WO2006106859A1
公开(公告)日：2006-10-12
申请号：PCT/JP2006/306722
申请日：2006-03-30
申请人：株式会社日立国際電気 , 中村直人 , 中村巌 , 笹島亮太
发明人：中村直人 , 中村巌 , 笹島亮太
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/316
CPC分类号： H01L21/02238 , H01L21/31662 , H01L21/67109
摘要：　反応炉２００内に互いに反応する複数のガスと不活性ガスとを供給することにより、大気圧下で基板２０に対して酸化を行う工程と、反応炉より酸化後の基板２００を搬出する工程とを有し、酸化工程では、大気圧の変動に応じて不活性ガスの流量を変化させて酸化性ガスの分圧を一定に保つようにし、その不活性ガスの流量は、予め計算した複数のガス同士の反応により生成されるガスおよび反応により消費されずに残るガスの流量をもとに計算する。
摘要翻译：提供了一种向反应炉（200）提供多个彼此反应的气体和惰性气体并在大气压下氧化基板（20）的步骤的步骤，以及将基板（20））从反应炉氧化后。在氧化步骤中，通过根据大气压力变化改变惰性气体的流量，使氧化气体的分压保持恒定，并且基于先前计算的流动量计算惰性气体的流量由气体和气体的反应产生的气体保持不被反应消耗。

6. 发明申请

WO2006035879A1 熱処理装置及び基板の製造方法审中-公开
标题翻译：热处理装置及制造基板的方法
公开(公告)号：WO2006035879A1
公开(公告)日：2006-04-06
申请号：PCT/JP2005/017967
申请日：2005-09-29
申请人：株式会社日立国際電気 , 笹島亮太 , 中村巌
发明人：笹島亮太 , 中村巌
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/22 , H01L21/31 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/68735 , H01L21/67109 , H01L21/68771
摘要：　板状部材からなる支持部に基板を支持する際に発生する滑りを少なくすることができる熱処理装置及び基板の製造方法を提供する。支持具３０は、基板５４と接触する支持部５８と、この支持部５８を支持する本体部５７とを有する。支持部５８は、基板５４の周縁部分とは接触しないように基板５４を支持する板状部材からなり、支持部５８の基板載置面には、基板５４と接触することなく外部に連通する非接触部７０が設けられている。この非接触部の外部と連通する部分の開口総面積を基板載置面の総面積の２５％以上９４％以下である。
摘要翻译：一种热处理装置及其制造方法，当基板被支撑在包括板状部件的支撑部上时，能够减少基板的滑动的基板。该装置包括支撑装置（30），其具有与基板（54）接触的支撑部分（58）和支撑支撑部分（58）的本体部分（57）。每个支撑部件（58）包括支撑基板（54）以不与基板（54）的周缘部分接触的板状部件，以及与基板（54）的外周边缘部分接触的非接触部分在支撑部分（58）的基板放置表面中形成不与基板（54）接触的外部。与外部连通的非接触部分的部分的整个开口面积是基板放置表面的总面积的25至94％。

7. 发明申请

WO2006013808A1 熱処理装置及び基板の製造方法审中-公开
标题翻译：热处理装置及其生产方法
公开(公告)号：WO2006013808A1
公开(公告)日：2006-02-09
申请号：PCT/JP2005/014016
申请日：2005-08-01
申请人：株式会社日立国際電気 , 笹島亮太 , 中村巌 , 諸橋明 , 山本隆治
发明人：笹島亮太 , 中村巌 , 諸橋明 , 山本隆治
IPC分类号： H01L21/22 , H01L21/31 , H01L21/324 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/67109 , C30B35/00 , H01L21/31662 , H01L21/324 , H01L21/67309 , H01L21/68735 , H01L21/68771
摘要：支持片と支持部材との擦れにより発生するパーティクルの落下を防止することができる熱処理装置および基板の製造方法を提供する。熱処理装置１０は、基板を処理する反応炉４０と反応炉４０内で基板５４を支持する支持具３０とを有する。この支持具３０は、基板５４と接触する支持部５７と、該支持部５７を支持する支持片６７とを有する。支持部５７の裏面には凸部または凹部が設けられ、支持部５４の裏面は、支持片６７の縁とは接触することなく、支持片６７の縁よりも内側で支持片６７上面と接触するように構成されている。
摘要翻译：一种热处理设备和制造能够防止由支撑件和支撑构件之间的摩擦产生的颗粒掉落的基板的方法。热处理装置（10）具有用于处理基板（54）的反应炉（40）和用于将反应炉（40）中的基板（54）支撑的支撑体（30）。支撑件（30）具有与基板（54）接触的支撑部分（57）和用于支撑基板（54）的支撑件（67）。在支撑部分（57）的后侧设置有突起或凹部，并且支撑部分（57）的后侧被构造成使得其与支撑件（67）的上侧接触位于比支撑构件（67）的边缘更靠内侧的位置，而不与支撑件（67）的边缘接触。

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