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1. 发明申请

WO2008090963A1 カルコゲナイド膜の形成方法及び記録素子の製造方法审中-公开
标题翻译：形成聚氯乙烯薄膜的方法和制造记录元件的方法
公开(公告)号：WO2008090963A1
公开(公告)日：2008-07-31
申请号：PCT/JP2008/051001
申请日：2008-01-24
申请人：株式会社アルバック , 菊地真 , 西岡浩 , 木村勲 , 神保武人 , 鄒紅コウ
发明人：菊地真 , 西岡浩 , 木村勲 , 神保武人 , 鄒紅コウ
IPC分类号： H01L27/105 , C23C14/34 , H01L45/00
CPC分类号： C23C14/345 , C23C14/046 , C23C14/0623 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1625
摘要：　基板上の絶縁層に形成されたコンタクトホール内にカルコゲナイド膜を形成する方法であって、前記カルコゲナイド膜と同一組成のターゲットを準備する段階と、前記ターゲットの直径をＴ（ｍ）、前記ターゲットと前記基板との間の距離をＬ（ｍ）とした場合に、前記距離Ｌと前記ターゲットの直径Ｔとの比Ｌ／Ｔを、０．５以上かつ１．５以下に設定する段階と、前記基板にバイアス電力を印加し、前記ターゲットにスパッタリング電力を印加するスパッタリング工程により、前記コンタクトホール内にカルコゲナイド膜を形成する段階と、を含む、カルコゲナイド膜の形成方法。
摘要翻译：本发明提供一种在形成在基板上的绝缘层中的接触孔内形成硫族化物膜的方法。该方法包括提供具有与硫属化物膜相同成分的靶的步骤，将L / T比设定为0.5以上且1.5以下的工序，T表示靶的直径m，L 表示靶和基板之间的距离，m，以及通过溅射工艺在接触孔内形成硫族化物膜的步骤，其中偏置电力施加到基板以向靶标施加溅射电力。

2. 发明申请

WO2008084639A1 多層膜形成方法及び多層膜形成装置审中-公开
标题翻译：多层膜成膜方法和多层膜成膜装置
公开(公告)号：WO2008084639A1
公开(公告)日：2008-07-17
申请号：PCT/JP2007/074479
申请日：2007-12-20
申请人：株式会社アルバック , 木村勲 , 神保武人 , 菊地真 , 西岡浩 , 鄒紅コウ
发明人：木村勲 , 神保武人 , 菊地真 , 西岡浩 , 鄒紅コウ
IPC分类号： C23C14/04 , C23C14/06 , C23C14/34 , H01L21/31 , H01L41/22
CPC分类号： C23C14/568 , C23C14/025 , C23C14/042 , C23C14/088 , C23C14/352 , C23C28/322 , C23C28/3455 , H01G4/1227 , H01G4/1245 , H01G4/33 , H01G7/06 , H01L21/31691 , H01L41/316
摘要：　エッチング処理を利用することなく、複合酸化物層を含む多層膜を所望の素子形状に形成可能な多層膜形成方法。当該方法は、第１マスク（３０Ａ）を基板（Ｓ）の上方に位置させること、密着層ターゲット（Ｔ１）及び下部電極層ターゲット（Ｔ２）をスパッタし、前記第１マスクを用いて密着層（３６）及び下部電極層（３７）を前記基板上方に成膜すること、セラミック材料によって形成された第２マスク（３０Ｂ）を前記下部電極層の上方に位置させること、酸化物層ターゲット（Ｔ３）をスパッタし、前記下部電極層上に前記第２マスクを用いて複合酸化物層（３８）を積層すること、第３マスク（３０Ｃ）を前記複合酸化物層の上方に位置させること、上部電極層ターゲット（Ｔ４）をスパッタし、前記複合酸化物層上に前記第３マスクを用いて上部電極層（３９）を積層することを含む。
摘要翻译：提供了一种用于形成多层膜的多层膜形成方法，其包括复合氧化物层并且具有期望的元件形状，而不使用蚀刻工艺。该方法包括将第一掩模（30A）定位在衬底（S）上方的步骤; 溅射粘合剂层靶（T1）和下电极层靶（T2）并通过使用第一掩模在基片上形成粘合剂层（36）和下电极层（37）的步骤; 将由陶瓷材料形成的第二掩模（30B）定位在下电极层的上方的步骤; 溅射氧化物层靶（T3）并通过使用第二掩模层叠复合氧化物层（38）到下电极层上的步骤; 在所述复合氧化物层上方定位第三掩模（30C）的步骤; 以及溅射上电极层靶（T4）并通过使用第三掩模层叠复合氧化物层上的上电极层（39）的步骤。

3. 发明申请

WO2008075641A1 多層膜形成方法及び多層膜形成装置审中-公开
标题翻译：形成多层膜的方法和形成多层膜的装置
公开(公告)号：WO2008075641A1
公开(公告)日：2008-06-26
申请号：PCT/JP2007/074217
申请日：2007-12-17
申请人：株式会社アルバック , 木村勲 , 神保武人 , 菊地真 , 西岡浩 , 鄒紅コウ
发明人：木村勲 , 神保武人 , 菊地真 , 西岡浩 , 鄒紅コウ
IPC分类号： C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/14 , C23C14/34 , H01L41/187 , H01L41/22
CPC分类号： H01L41/083 , C23C14/0036 , C23C14/088 , H01L41/1876 , H01L41/316
摘要：　鉛系ペロブスカイト複合酸化物からなる薄膜の誘電特性と圧電特性を向上させた多層薄膜形成方法及び多層薄膜形成装置。多層薄膜形成方法は、下部電極層ターゲット（ＴＧ２）をスパッタして基板（Ｓ）の上方に貴金属からなる下部電極層（３２ｂ）を形成すること、鉛を含む酸化物層ターゲット（ＴＧ３）をスパッタして下部電極層（３２ｂ）の上に鉛系複合酸化物層（３３）を積層することを含む。下部電極層（３２ｂ）の厚さは１０～３０ｎｍに規定され、鉛系複合酸化物層（３３）の厚さは０．２～５．０μｍに規定される。
摘要翻译：公开了一种多层薄膜的形成方法和多层薄膜的形成装置，能够提高由铅系钙钛矿复合氧化物构成的薄膜的介电特性和压电特性。具体公开了一种形成多层薄膜的方法，其包括通过溅射下电极层靶（TG2）形成由基底（S）顶部上的贵金属构成的下电极层（32b），并形成通过溅射含有铅的氧化物层靶（TG3）在下电极层（32b）上的引线基复合氧化物层（33）。下电极层（32b）的厚度调节为10〜30nm，铅系复合氧化物层（33）的厚度调节为0.2〜5.0μm。

4. 发明申请

WO2008016044A1 膜形成方法および膜形成装置审中-公开
标题翻译：成膜方法和成膜装置
公开(公告)号：WO2008016044A1
公开(公告)日：2008-02-07
申请号：PCT/JP2007/064980
申请日：2007-07-31
申请人：株式会社アルバック , 増田健 , 梶沼雅彦 , 西岡浩 , 木村勲 , 菊地真 , 山田貴一 , 鄒紅コウ
发明人：増田健 , 梶沼雅彦 , 西岡浩 , 木村勲 , 菊地真 , 山田貴一 , 鄒紅コウ
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： H01L21/31691 , C04B35/491 , C04B2235/441 , C04B2235/787 , C23C16/02 , C23C16/409 , H01G4/1245 , H01G4/33 , H01L21/02197 , H01L21/02271 , H01L28/55 , H01L28/65
摘要：　（１１１）配向した貴金属を主成分とする下地膜上に、ＰＺＴ（１１１）を主成分とする結晶性膜を積層形成する方法であって、前記下地膜の表面に、面間隔が前記貴金属より前記ＰＺＴ（１１１）に近い酸化膜を形成する工程と；前記酸化膜の表面に、ＭＯＣＶＤ法により前記結晶性膜を形成する工程と；を有する膜形成方法。
摘要翻译：公开了在主要由（111）取向的贵金属构成的基础膜上形成主要由PZT（111）构成的结晶性膜的方法。该成膜方法包括形成在基膜的表面上具有比PZT（111）的面间隔更接近于贵金属的面间距的氧化膜的工序，以及在基膜的表面上形成结晶膜的工序通过MOCVD法形成氧化膜表面。

5. 发明申请

WO2008016047A1 膜形成方法および膜形成装置审中-公开
标题翻译：成膜方法和成膜装置
公开(公告)号：WO2008016047A1
公开(公告)日：2008-02-07
申请号：PCT/JP2007/064984
申请日：2007-07-31
申请人：株式会社アルバック , 増田健 , 梶沼雅彦 , 西岡浩 , 木村勲 , 菊地真 , 山田貴一 , 鄒紅コウ
发明人：増田健 , 梶沼雅彦 , 西岡浩 , 木村勲 , 菊地真 , 山田貴一 , 鄒紅コウ
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： H01L21/31691 , C04B35/491 , C04B2235/441 , C04B2235/787 , H01G4/1245 , H01G4/33 , H01L21/02197 , H01L21/02271 , H01L28/55 , H01L28/65 , H01L41/1876 , H01L41/316
摘要：　（１１１）配向した貴金属を主成分とする下地膜上に、ＰＺＴ（００１）またはＰＺＴ（１００）を主成分とする結晶性膜を積層形成する方法であって、前記下地膜の表面を還元処理する工程と；前記下地膜の表面に、ＭＯＣＶＤ法により前記結晶性膜を形成する工程と；を有する膜形成方法。
摘要翻译：公开了在主要由（111）取向的贵金属构成的基础膜上形成主要由PZT（001）或PZT（100）组成的结晶膜的方法。这种成膜方法包括用于减小基底膜的表面的步骤和通过MOCVD方法在基底膜的表面上形成结晶膜的步骤。

6. 发明申请

WO2007119733A1 抵抗変化素子の製造方法审中-公开
标题翻译：制造可变电阻元件的方法
公开(公告)号：WO2007119733A1
公开(公告)日：2007-10-25
申请号：PCT/JP2007/057947
申请日：2007-04-11
申请人：株式会社アルバック , 菊地真 , 木村勲 , 西岡浩 , 鄒紅コウ
发明人：菊地真 , 木村勲 , 西岡浩 , 鄒紅コウ
IPC分类号： H01L27/105 , H01L45/00
CPC分类号： H01L45/1625 , C23C14/0623 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144
摘要：【課題】容量記憶素子として優れた抵抗変化素子を製造する。【解決手段】成膜中の抵抗層１５を１００°C未満に保つことで、非晶質からなる抵抗層１５が形成される。本発明により成膜された抵抗層１５はｆｃｃの結晶相を含有しないので、結晶化した抵抗層１５を融点以上に加熱してから急冷すると、全て非晶質に戻る。また、本発明により成膜された抵抗層１５は、結晶化した時の低効率分布が均一になる。従って、本発明により製造された抵抗変化素子１０は容量記憶素子としての特性に優れている。
摘要翻译： [问题]制造作为电容器结构的存储元件优异的可变电阻元件。解决问题的手段通过在成膜期间将电阻层（15）保持在低于100℃的温度下，形成非晶状态的电阻层（15）。由于通过本发明形成为膜的电阻层（15）不包括fcc结晶相，如果将结晶状态的电阻层（15）加热至至少其熔点然后迅速冷却，则整个电阻层返回到非晶态。此外，通过本发明形成为膜的电阻层（15）在结晶时具有均匀的电阻率分布。因此，通过本发明制造的可变电阻元件（10）作为电容器结构的存储元件的特性是优异的。

7. 发明申请

WO2009063950A1 カルコゲナイド膜およびその製造方法审中-公开
标题翻译：氯化铝薄膜及其制造方法
公开(公告)号：WO2009063950A1
公开(公告)日：2009-05-22
申请号：PCT/JP2008/070706
申请日：2008-11-13
申请人：株式会社アルバック , 菊地真 , 西岡浩 , 木村勲 , 神保武人 , 鄒弘綱
发明人：菊地真 , 西岡浩 , 木村勲 , 神保武人 , 鄒弘綱
IPC分类号： H01L27/105 , C23C14/06 , H01L45/00
CPC分类号： C23C14/046 , C23C14/0623 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1683
摘要：　本発明のカルコゲナイド膜は、基板上の絶縁層に形成されたコンタクトホール内にスパッタリングにより成膜され、融点を降下させる融点降下材料を含むカルコゲン化合物からなる。
摘要翻译：公开了一种硫属化物膜，其形成在通过溅射形成在基板上的绝缘层中的接触孔中，并且由包含降低熔点的熔点降低材料的硫属化合物组成。

8. 发明申请

WO2009044769A1 カルコゲナイド膜およびその製造方法审中-公开
标题翻译：氯化铝薄膜及其制造方法
公开(公告)号：WO2009044769A1
公开(公告)日：2009-04-09
申请号：PCT/JP2008/067823
申请日：2008-10-01
申请人：株式会社アルバック , 菊地真 , 西岡浩 , 木村勲 , 神保武人 , 鄒弘綱
发明人：菊地真 , 西岡浩 , 木村勲 , 神保武人 , 鄒弘綱
IPC分类号： H01L45/00 , H01L27/105
CPC分类号： H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/141 , H01L45/1625 , H01L45/1683
摘要：　本発明のカルコゲナイド膜は、基板上の絶縁層に形成されたコンタクトホール内にスパッタリングにより成膜されたカルコゲナイド膜であって、前記コンタクトホールの少なくとも底部に下地膜が形成され、この下地膜上かつ前記コンタクトホール内にカルコゲン化合物からなる結晶層を埋め込んでなる。
摘要翻译：公开了一种硫属化物膜，其形成在通过溅射形成在基板上的绝缘层中的接触孔内。至少在接触孔的底面形成基膜，在基膜上形成由硫属化合物构成的结晶层，以填充接触孔。

9. 发明申请

WO2005020311A1 酸化物薄膜製造方法及びその製造装置审中-公开
标题翻译：生产氧化薄膜及其生产设备的方法
公开(公告)号：WO2005020311A1
公开(公告)日：2005-03-03
申请号：PCT/JP2004/012180
申请日：2004-08-25
申请人：株式会社アルバック , 西岡浩 , 梶沼雅彦 , 山田貴一 , 増田健 , 植松正紀 , 鄒紅コウ
发明人：西岡浩 , 梶沼雅彦 , 山田貴一 , 増田健 , 植松正紀 , 鄒紅コウ
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： C23C16/4482 , C23C16/409 , C23C16/452 , H01L21/3165
摘要：　酸化物薄膜の酸素欠損の低下とエピタキシャル成長との促進を図ることにより、優れた特性を有する酸化物薄膜を製造する薄膜製造方法であって、原料ガス、キャリアガス及び酸化ガスを混合して得た混合ガスを、加熱手段により原料の液化、析出、成膜が起こらない温度に維持されたガス活性化手段を通してシャワープレートから反応室内の加熱基板上に供給して反応させ、基板上に酸化物薄膜を製造する。その際、酸化ガスの割合を混合ガス基準で６０％以上とする。また、核形成による初期層を形成する場合、その成膜プロセスにおける酸化ガス流量割合を６０％未満とし、その後の成膜プロセスにおける酸化ガス流量割合を６０％以上として行う。また、酸化物薄膜製造装置において、混合器とシャワープレートとの間に加熱手段を備えてなる。　
摘要翻译：一种制造薄膜的方法，其中通过实现氧缺陷的减少和促进氧化物薄膜中的外延生长而产生具有优异性能的氧化物薄膜。提供了一种方法，包括通过保持在没有原料液化的温度的气体活化装置，通过加热装置沉淀和形成膜的从淋浴器供给由原料气体，载气和氧化气体组成的混合气体在反应室中的加热基板上进行反应，从而在基板上形成氧化物薄膜。在该方法中，氧化气体的比例相对于混合气体为60％以上。当要通过成核形成初始层时，在成膜过程中将氧化气体流量比设定为小于60％并且在随后的成膜过程中设定氧化气体流量比的同时进行形成为60％以上。还提供一种氧化物薄膜制造装置，其包括混合器和喷淋板，并且插入其间，加热装置。

10. 发明申请

WO2006090830A1 プロアントシアニジンオリゴマーの製造方法审中-公开
标题翻译：制备蒽醌类低聚物的方法
公开(公告)号：WO2006090830A1
公开(公告)日：2006-08-31
申请号：PCT/JP2006/303402
申请日：2006-02-24
申请人：国立大学法人長崎大学 , ウサイエン製薬株式会社 , 株式会社アミノアップ化学 , 田中隆 , 野中源一郎 , 河野功 , 藤井創 , 中川喬 , 西岡浩
发明人：田中隆 , 野中源一郎 , 河野功 , 藤井創 , 中川喬 , 西岡浩
IPC分类号： C07D311/62 , A61K8/00 , A61Q19/00 , A61K31/353 , A61K36/00 , A61P17/00 , A61P25/00 , A61P39/06 , A61P43/00
CPC分类号： A61K31/353 , A61K8/498 , A61K36/04 , A61K36/14 , A61K36/15 , A61K36/185 , A61K36/45 , A61K36/485 , A61K36/54 , A61K36/61 , A61K36/73 , A61K36/734 , A61K36/74 , A61K36/77 , A61K36/82 , A61K36/87 , A61K36/88 , A61K36/889 , A61K2800/522 , A61Q19/08 , C07D311/62 , A61K2300/00
摘要：　本発明は、プロアントシアニジンポリマーを含有する植物原料またはその抽出物と、フロログルシノール環またはレゾルシノール環構造を有する物質とを酸性溶液中で加熱して得られる、フロロ／レゾルシノール環構造を有する物質が結合し低分子化したプロアントシアニジンオリゴマーを主成分として含有する組成物、その製造方法、及びその組成物の健康食品及び医薬品等への用途に関する。本発明によれば、植物原料から高収量で得ることが困難であった、生物活性を有し、末端にフロログルシノール環またはレゾルシノール環構造を有する物質が結合した生体に吸収される程度まで低分子化したプロアントシアニジンオリゴマーを効率よく簡単に得ることができる。
摘要翻译：以含有原花色素聚合物或其提取物的植物材料以及含有间苯三酚环或间苯二酚环结构的物质在酸性溶液中加热得到的原花青素低聚物作为主要成分的组合物携带具有氟原子的物质 /间苯二酚环结构，并且已经降解; 其制造方法; 并在保健食品，药物等方面使用组合物。因此，具有生物活性的原花青素低聚物，其携带具有间苯三酚环或间苯二酚环结构的物质，其附着于其末端并已降解至允许体内吸收的水平，这几乎不能从植物材料获得高产率，可以有效且容易地获得。

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