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1. 发明申请

WO2007123212A1 Ｔｉ膜の成膜方法审中-公开
标题翻译：沉积Ti膜的方法
公开(公告)号：WO2007123212A1
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：PCT/JP2007/058661
申请日：2007-04-20
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 飯高由季 , 若林哲 , 成嶋健索 , 岡部真也
发明人：飯高由季 , 若林哲 , 成嶋健索 , 岡部真也
IPC分类号： C23C16/14 , C23C16/455 , C23C16/509 , C23C16/56 , H01L21/285
CPC分类号： C23C16/5093 , C23C16/14 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76856
摘要：　一対の平行平板電極として機能するシャワーヘッド（１０）および電極（８）を有するチャンバ（１）内に、間口径が０．１３μｍ以下および／またはアスペクト比が１０以上のホールを有するウエハＷを配置する。処理ガスとしてＴｉＣｌ４ガスおよびＨ２ガスおよびＡｒガスを導入しつつシャワーヘッド（１０）に高周波電源（３４）から高周波電力を供給してこれらの間にプラズマを形成する。そのプラズマにより処理ガスの反応を促進してウエハにＴｉ膜を成膜する。この際に、Ａｒガス流量を１６００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）未満またはＡｒガス分圧を８１６．５４Ｐａ未満に制御して前記プラズマが形成された際の前記ホールの底部に到達するイオン量を低減しつつＴｉ膜を成膜する。
摘要翻译：在具有淋浴喷头（10）的室（1）和作为一对平行板电极的电极（8）之间，设置有前径为0.13μm以下的孔的晶片（W）和/或纵横比为10以上。在引入TiCl 4气体，H 2气体和Ar气体作为处理气体的同时，高频电力从高频电源（34）供应到淋浴头（10），并且在它们之间形成等离子体。通过等离子体加速处理气体的反应，在晶片上沉积Ti膜。在形成等离子体时，同时减少到达孔底部的离子量，同时将Ar气体的流量控制在1600mL / min以下（sccm），或者控制Ar气体的分压控制在816.54Pa以下。

2. 发明申请

WO2008047838A1 Ｔｉ系膜の成膜方法および記憶媒体审中-公开
标题翻译： Ti膜形成方法和储存介质
公开(公告)号：WO2008047838A1
公开(公告)日：2008-04-24
申请号：PCT/JP2007/070266
申请日：2007-10-17
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 成嶋健索 , 若林哲 , 高山貴光
发明人：成嶋健索 , 若林哲 , 高山貴光
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC分类号： C23C16/4404 , C23C16/14 , C23C16/4405 , C23C16/45565 , C23C16/56 , H01L21/28556
摘要：　サセプタにウエハＷが存在しない状態でチャンバ内にフッ素を含有するクリーニングガスを導入してチャンバ内をクリーニングする工程（工程１）と、サセプタにウエハＷが存在しない状態でサセプタを加熱するとともにシャワーヘッドからＴｉを含む処理ガスをチャンバ内に吐出させて、少なくともシャワーヘッドの表面にプリコート膜を形成する工程（工程２）と、その後、サセプタ２を加熱した状態でその上にウエハＷを載置し、チャンバ１内に処理ガスを供給することによりウエハＷに対してＴｉ系膜を成膜する工程（工程３）とを含み、プリコート膜形成工程は、サセプタの温度を成膜工程の際の温度よりも低くして行われる。
摘要翻译： Ti膜形成方法包括：在晶片（W）不在感受体上的状态下，通过将含有氟的清洗气体引入室内的方法，在室内进行清洗的工序（工序（1））; 在晶片（W）不在基座上的状态下加热基座的步骤（步骤2），将含有Ti的处理气体从喷头喷射到室中，并至少在表面上形成预涂膜的淋浴头; 以及在基座被加热的状态下将晶片（W）放置在基座（2）上的步骤（步骤（3）），将处理气体供应到腔室（1）中并在晶片上形成Ti膜 W）。在低于成膜步骤的温度下进行预涂膜形成步骤。

3. 发明申请

WO2007123211A1 Ｔｉ膜の成膜方法审中-公开
标题翻译：沉积Ti膜的方法
公开(公告)号：WO2007123211A1
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：PCT/JP2007/058660
申请日：2007-04-20
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 飯高由季 , 若林哲 , 成嶋健索 , 岡部真也
发明人：飯高由季 , 若林哲 , 成嶋健索 , 岡部真也
IPC分类号： C23C16/509 , C23C16/08 , C23C16/56 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC分类号： C23C16/14 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/5093 , C23C16/56 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76856
摘要：　一対の平行平板電極として機能するシャワーヘッド（１０）および電極（８）を有するチャンバ（１）内に、間口径が０．１３μｍ以下および／またはアスペクト比が１０以上のホールを有するウエハＷを配置する。ＴｉＣｌ４ガスおよびＨ２ガスを含む処理ガスを導入しつつシャワーヘッド（１０）に高周波電源（３４）から高周波電力を供給してこれらの間にプラズマを形成する。そのプラズマにより処理ガスの反応を促進してウエハにＴｉ膜を成膜する。この際に、プラズマの電位が９００Ｖ以下になるように、高周波電源（３４）からの高周波電力のパワーおよび／またはＴｉＣｌ４ガスの流量または分圧を制御し、その条件でＴｉ膜を成膜する。
摘要翻译：在具有淋浴喷头（10）的室（1）和作为一对平行板电极的电极（8）之间，设置有前径为0.13μm以下的孔的晶片（W）和/或纵横比为10以上。在引入含有TiCl 4气体和H 2气体的处理气体的同时，高频电力从高频电源（34）供应到淋浴喷头（10）并且在它们之间形成等离子体。通过加速等离子体处理气体的反应，在晶片上沉积Ti膜。控制来自高频电源（34）的高频功率和/或TiCl 4气体的流量或分压使得等离子体的电位为900V以下，并且Ti膜在这种条件下存放。

4. 发明申请

WO2008053625A1 成膜方法および基板処理装置审中-公开
标题翻译：薄膜沉积方法及处理基板的设备
公开(公告)号：WO2008053625A1
公开(公告)日：2008-05-08
申请号：PCT/JP2007/065433
申请日：2007-08-07
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 成嶋健索 , 天野文貴 , 若林哲
发明人：成嶋健索 , 天野文貴 , 若林哲
IPC分类号： H01L21/285 , C23C16/14 , C23C16/34 , H01L21/28
CPC分类号： C23C16/34 , C23C16/14 , C23C16/45512 , C23C16/4554 , C23C16/45542 , H01L21/28518 , H01L21/28562 , H01L21/67207 , H01L21/76814 , H01L21/76843
摘要：　低温下であっても，良質なＴｉ膜を含むバリア層を効率よく形成できるようにし，そのＴｉ膜と下地との界面領域に自己整合的にＴｉＳｉｘ膜を形成できるようにする。　ＴｉＳｉｘ膜（５０７）を形成する工程では，チタン化合物ガスを処理室に導入してチタン化合物ガスをＳｉ基板（５０２）のＳｉ表面上に吸着させる第１の工程と，チタン化合物ガスの処理室への導入を停止して，処理室内に残留しているチタン化合物ガスを除去する第２の工程と，水素ガスを処理室に導入しつつ処理室内にプラズマを生成して，Ｓｉ表面に吸着させたチタン化合物ガスを還元するとともにＳｉ表面のシリコンと反応させＴｉＳｉｘ膜（５０７）を形成する第３の工程と，を処理室にアルゴンガスを導入せずに複数回繰り返す。
摘要翻译：为了使得即使在低温下也能够有效地形成包括高质量的钛膜的阻挡层，并且能够使TiSi薄膜在钛膜和基底之间的界面处自形地形成。在形成TiSi薄膜（507）的步骤中，以下步骤重复两次或更多次，而不将氩气引入处理室：第一步，其中将钛化合物气体引入所述处理室将所述钛化合物气体吸附到硅基板（502）的硅表面上; 第二步骤是停止将钛化合物气体引入处理室，并且除去残留在处理室中的钛化合物气体; 以及第三步骤，其中在处理室中产生等离子体，同时将氢气引入处理室，从而减少吸附在硅表面上的钛化合物气体，并与硅表面中的硅反应形成TiSi _{薄膜（507）。}

5. 发明申请

WO2008016023A1 ガス供給装置及び基板処理装置审中-公开
标题翻译：气体供应装置和板处理装置
公开(公告)号：WO2008016023A1
公开(公告)日：2008-02-07
申请号：PCT/JP2007/064932
申请日：2007-07-31
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 成嶋健索 , 多田國弘 , 若林哲 , 斎藤哲也
发明人：成嶋健索 , 多田國弘 , 若林哲 , 斎藤哲也
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/45574
摘要：　ガスシャワーヘッドなどと呼ばれているガス供給装置において、基板の中心部から外周部に向かうガス流について周方向の間の流速分布を従来に比べて揃えることで、例えば十文字状のパーティクルの密集領域の発生を抑え、しかもプロセス条件の自由度を広げられるようにすること。　ガス供給装置のシャワープレートに穿設されるガス供給孔の配列パターンを、多数の同心円上に配列するようにし、かつ同心円上のガス供給孔と内側に隣り合う同心円及び外側に隣り合う同心円の各真近のガス供給孔とが同心円の半径上に並ばないように設定する。
摘要翻译：在称为气体喷淋头等的气体供给装置中，通过使气流的流速分布更均匀，抑制了诸如十字形颗粒的致密区域的出现，并且加工条件的自由度增加从圆盘方向的中心到外周部分比以前。形成在气体供给装置的喷淋板中的气体供给孔的布置图案被设定为使得这些孔布置在大量同心圆上，并且同心圆上的气体供应孔和最靠近气体供应的气体供应孔孔和同心圆分别向内和向外邻近该同心圆，并不排列在同心圆的径向方向上。

6. 发明申请

WO2007046204A1 基板処理装置，基板処理方法，プログラム，プログラムを記録した記録媒体审中-公开
标题翻译：基板处理装置，记录程序的基板处理方法，程序和记录介质
公开(公告)号：WO2007046204A1
公开(公告)日：2007-04-26
申请号：PCT/JP2006/318333
申请日：2006-09-15
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 多田國弘 , 成嶋健索 , 若林哲 , 山内晋
发明人：多田國弘 , 成嶋健索 , 若林哲 , 山内晋
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/768 , C23C16/14 , H01L21/3065 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67184 , C23C16/54 , H01L21/02063 , H01L21/28518 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/67207 , H01L21/67745 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76855 , H01L21/76864
摘要：　下地との界面がより平坦（フラット）で均一なＴｉシリサイド膜を形成し，これにより一層低抵抗なコンタクト構造を形成する。　基板処理装置１００は，処理室１０４Ａ～１０４Ｄに共通に連結される第１共通搬送室１０２と，処理室１０４Ｅ，１０４Ｆに共通に連結される第２共通搬送室１２０とを備える。各処理室１０４Ｅ，１０４Ｆ，１０４Ａ，１０４Ｃ，１０４Ｂはそれぞれ，Ｓｉウエハ上の自然酸化膜を含む異物とガス成分とを化学反応させて生成物を生成するＣＯＲ処理室，Ｓｉウエハ上に生成された生成物を熱処理により除去するＰＨＴ処理室，ＳｉウエハのＳｉ表面上にＴｉ膜を成膜するＴｉ膜成膜処理室，Ｔｉ膜と下地との間で珪化反応を起させてＴｉシリサイド膜を形成するシリサイド形成処理室，Ｔｉシリサイド膜上にＴｉＮ膜を成膜するＴｉＮ膜成膜処理室として構成した。
摘要翻译：旨在形成与其底层具有越来越平坦且均匀的界面的Ti硅化物膜，从而建立越来越低的电阻的接触结构。基板处理装置（100）包括通常连接到处理室（104A-104D）的第一公共输送室（102）和共同连接到处理室（104E-104F）的第二共用输送室。处理室（104E），（104F），（104A），（104C）和（104B）分别构造为COR处理室，其中在Si晶片上包含自然氧化膜的异物与气体成分由此生成反应产物，通过热处理除去在Si晶片上产生的反应产物的PHT处理室，在Si晶片的Si表面上形成Ti膜的Ti膜形成处理室，硅化物形成处理室，其中在Ti膜和基底之间引起硅化反应，从而产生Ti硅化物膜和在Ti硅化物膜上形成TiN膜的TiN膜形成处理室。

7. 发明申请

WO2009001896A1 成膜方法および処理システム审中-公开
标题翻译：电镀方法和处理系统
公开(公告)号：WO2009001896A1
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：PCT/JP2008/061645
申请日：2008-06-26
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 池田太郎 , 若林哲 , 成嶋健索 , 波多野達夫 , 水澤寧 , 横山敦 , 佐久間隆
发明人：池田太郎 , 若林哲 , 成嶋健索 , 波多野達夫 , 水澤寧 , 横山敦 , 佐久間隆
IPC分类号： H01L21/28 , C23C16/14 , H01L21/285 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC分类号： H01L23/53238 , C23C14/18 , C23C16/045 , C23C16/06 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76873 , H01L2221/1089 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/00
摘要：　凹部（６）を有する絶縁層（４）が表面に形成された被処理体（Ｗ）に対して薄膜を形成する成膜方法が開示される。凹部内の表面を含む被処理体の表面にＴｉ含有バリヤ層（１２）を形成するバリヤ層形成工程と、バリヤ層上にＲｕを含有シード層（１６）をＣＶＤにより形成するシード層形成工程と、シード層上にＣｕ含有補助シード層（１６４）をスパッタリングにより形成する補助シード層形成工程とを順次実行する。これにより、被処理体全面にわたって、線幅またはホール径が小さな凹部あるいは高アスペクト比の凹部に対して十分な埋め込みを行うことが可能となる。
摘要翻译：公开了一种在其表面上形成有凹部（6）的绝缘层（4）的处理对象（W）上形成薄膜的成膜方法。在成膜方法中，依次执行阻挡层形成工序，在包含凹部的表面的处理对象物的表面上形成含Ti势垒层（12），种子层形成工序形成含Ru的阻挡层种子层（16），并且通过溅射在种子层上形成含Cu辅助种子层（164）的辅助晶种层形成步骤。因此，在处理对象的整个表面上，可以在具有小线宽度或孔直径的凹部或具有高纵横比的凹部中的任一个上形成足够的填充。

8. 发明申请

WO2008136260A1 Ｔｉ膜の成膜方法审中-公开
标题翻译： TI-FILM形成方法
公开(公告)号：WO2008136260A1
公开(公告)日：2008-11-13
申请号：PCT/JP2008/057315
申请日：2008-04-15
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 成嶋健索 , 若林哲 , 善光哲
发明人：成嶋健索 , 若林哲 , 善光哲
IPC分类号： C23C16/52 , C23C16/08 , C23C16/509 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC分类号： C23C16/14 , C23C16/505 , H01L21/28518 , H01L21/28556 , H01L21/76843
摘要：　Ｔｉ膜の成膜方法は、載置台にＳｉ部分を有する被処理基板を配置することと、被処理基板を加熱することと、チャンバ内を所定の圧力にすることと、チャンバ内にＴｉＣｌ４ガスおよび還元ガスを含む処理ガスを導入することと、高周波電界形成手段により高周波電界を形成することにより処理ガスをプラズマ化することと、被処理基板の表面で上記ＴｉＣｌ４ガスおよび還元ガスによる反応を生じさせることと、を含み、その反応により、被処理基板のＳｉ部分にＴｉ膜を成膜する際に、被処理基板のＳｉ部分でのＴｉＳｉの生成反応が抑制されるように、チャンバ内圧力および印加する高周波電力のパワーを制御する。
摘要翻译： Ti膜形成方法包括：将待处理的基板和Si部分放置在台面上的步骤; 加热被处理基板的步骤; 将室内的压力设定为规定值的步骤; 引入含有TiCl 4气体和还原气体的处理气体的步骤; 通过高频形成装置形成高频场的步骤，以获得处于等离子体状态的处理气体; 以及通过Ticl 4 N 3气体和待处理的基板表面上的还原气体进行反应的步骤。当反应用于在被处理基板的Si部分上形成Ti膜时，控制室中的压力和施加的高频功率，以便抑制在Si部分的Ti部分的TiSi的产生待处理的基材。

9. 发明申请

WO2007125837A1 Ｔｉ膜の成膜方法审中-公开
标题翻译：沉积Ti膜的方法
公开(公告)号：WO2007125837A1
公开(公告)日：2007-11-08
申请号：PCT/JP2007/058663
申请日：2007-04-20
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 飯高由季 , 若林哲 , 成嶋健索 , 岡部真也
发明人：飯高由季 , 若林哲 , 成嶋健索 , 岡部真也
IPC分类号： C23C16/14 , C23C16/509 , C23C16/56 , H01L21/285
CPC分类号： C23C16/045 , C23C16/14 , C23C16/45565 , C23C16/5096 , H01L21/28556 , H01L21/76843
摘要：　一対の平行平板電極として機能するシャワーヘッド（１０）および電極（８）を有するチャンバ（１）内に、間口径が０．１３μｍ以下および／またはアスペクト比が１０以上のホールを有するウエハＷを配置する。処理ガスとしてＴｉＣｌ４ガスおよびＨ２ガスおよびＡｒガスよりも原子量が大きい希ガスを導入して前記プラズマが形成された際の前記ホールの底部に到達するイオン量を低減しつつＴｉ膜を成膜する。
摘要翻译：在具有喷淋头（10）的室（1）和作为一对平行板电极的电极（8）之间，设置有前径为0.13μm以下的孔的晶片（W）和/或纵横比为10以上。当通过引入TiCl 4气体H 2气体和具有H 2气体的稀有气体而在形成等离子体时减少到达孔底部的离子的量，同时沉积Ti膜，原子量大于作为处理气体的Ar气体的原子量。

10. 发明申请

WO2007105432A1 Ｔｉ系膜の成膜方法および記憶媒体审中-公开
标题翻译：形成Ti基膜和储存介质的方法
公开(公告)号：WO2007105432A1
公开(公告)日：2007-09-20
申请号：PCT/JP2007/053152
申请日：2007-02-21
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 成嶋健索 , 若林哲 , 多田國弘
发明人：成嶋健索 , 若林哲 , 多田國弘
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/14
CPC分类号： C23C16/14 , C23C8/36 , C23C16/4405 , C23C16/56
摘要：　ウエハＷを収容するチャンバ３１内において、少なくとも表面がＮｉ含有材料からなるシャワーヘッド４０からＴｉＣｌ４ガスを含む処理ガスを吐出させてチャンバ３１内に配置されたウエハＷの表面にＴｉ膜を成膜するにあたり、シャワーヘッド４０の温度を３００°C以上４５０°C未満の温度にし、ＴｉＣｌ４ガス流量を１～１２ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）にするか、またはＴｉＣｌ４ガス分圧を０．１～２．５Ｐａにして所定枚数のウエハＷに対してＴｉ膜を成膜し、その後、シャワーヘッド４０の温度を２００～３００°Cにしてチャンバ３１内にＣｌＦ３ガスを導入してチャンバ３１内をクリーニングする。
摘要翻译：在用于存储晶片（W）的室（31）中，通过排出包括TiCl 4的一种处理气体，在布置在室（31）中的晶片（W）的表面上形成Ti膜来自淋浴头（40）的气体，其至少表面由含Ni材料组成。通过将喷头（40）的温度设定在300℃以上且低于450℃，将Ti膜形成在规定数量的晶片（W）上，并且将TiCl 4气体流量为1-12mL / min（sccm）或TiCl 4分压为0.1-2.5Pa。然后，通过将喷淋头（40）的温度设定在200-300℃，将清洗气体（31）的内部，将ClF 3气体引入室（31）。

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