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1. 发明申请

WO2007123212A1 Ｔｉ膜の成膜方法审中-公开
标题翻译：沉积Ti膜的方法
公开(公告)号：WO2007123212A1
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：PCT/JP2007/058661
申请日：2007-04-20
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 飯高由季 , 若林哲 , 成嶋健索 , 岡部真也
发明人：飯高由季 , 若林哲 , 成嶋健索 , 岡部真也
IPC分类号： C23C16/14 , C23C16/455 , C23C16/509 , C23C16/56 , H01L21/285
CPC分类号： C23C16/5093 , C23C16/14 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76856
摘要：　一対の平行平板電極として機能するシャワーヘッド（１０）および電極（８）を有するチャンバ（１）内に、間口径が０．１３μｍ以下および／またはアスペクト比が１０以上のホールを有するウエハＷを配置する。処理ガスとしてＴｉＣｌ４ガスおよびＨ２ガスおよびＡｒガスを導入しつつシャワーヘッド（１０）に高周波電源（３４）から高周波電力を供給してこれらの間にプラズマを形成する。そのプラズマにより処理ガスの反応を促進してウエハにＴｉ膜を成膜する。この際に、Ａｒガス流量を１６００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）未満またはＡｒガス分圧を８１６．５４Ｐａ未満に制御して前記プラズマが形成された際の前記ホールの底部に到達するイオン量を低減しつつＴｉ膜を成膜する。
摘要翻译：在具有淋浴喷头（10）的室（1）和作为一对平行板电极的电极（8）之间，设置有前径为0.13μm以下的孔的晶片（W）和/或纵横比为10以上。在引入TiCl 4气体，H 2气体和Ar气体作为处理气体的同时，高频电力从高频电源（34）供应到淋浴头（10），并且在它们之间形成等离子体。通过等离子体加速处理气体的反应，在晶片上沉积Ti膜。在形成等离子体时，同时减少到达孔底部的离子量，同时将Ar气体的流量控制在1600mL / min以下（sccm），或者控制Ar气体的分压控制在816.54Pa以下。

2. 发明申请

WO2007123211A1 Ｔｉ膜の成膜方法审中-公开
标题翻译：沉积Ti膜的方法
公开(公告)号：WO2007123211A1
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：PCT/JP2007/058660
申请日：2007-04-20
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 飯高由季 , 若林哲 , 成嶋健索 , 岡部真也
发明人：飯高由季 , 若林哲 , 成嶋健索 , 岡部真也
IPC分类号： C23C16/509 , C23C16/08 , C23C16/56 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC分类号： C23C16/14 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/5093 , C23C16/56 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76856
摘要：　一対の平行平板電極として機能するシャワーヘッド（１０）および電極（８）を有するチャンバ（１）内に、間口径が０．１３μｍ以下および／またはアスペクト比が１０以上のホールを有するウエハＷを配置する。ＴｉＣｌ４ガスおよびＨ２ガスを含む処理ガスを導入しつつシャワーヘッド（１０）に高周波電源（３４）から高周波電力を供給してこれらの間にプラズマを形成する。そのプラズマにより処理ガスの反応を促進してウエハにＴｉ膜を成膜する。この際に、プラズマの電位が９００Ｖ以下になるように、高周波電源（３４）からの高周波電力のパワーおよび／またはＴｉＣｌ４ガスの流量または分圧を制御し、その条件でＴｉ膜を成膜する。
摘要翻译：在具有淋浴喷头（10）的室（1）和作为一对平行板电极的电极（8）之间，设置有前径为0.13μm以下的孔的晶片（W）和/或纵横比为10以上。在引入含有TiCl 4气体和H 2气体的处理气体的同时，高频电力从高频电源（34）供应到淋浴喷头（10）并且在它们之间形成等离子体。通过加速等离子体处理气体的反应，在晶片上沉积Ti膜。控制来自高频电源（34）的高频功率和/或TiCl 4气体的流量或分压使得等离子体的电位为900V以下，并且Ti膜在这种条件下存放。

3. 发明申请

WO2007125837A1 Ｔｉ膜の成膜方法审中-公开
标题翻译：沉积Ti膜的方法
公开(公告)号：WO2007125837A1
公开(公告)日：2007-11-08
申请号：PCT/JP2007/058663
申请日：2007-04-20
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 飯高由季 , 若林哲 , 成嶋健索 , 岡部真也
发明人：飯高由季 , 若林哲 , 成嶋健索 , 岡部真也
IPC分类号： C23C16/14 , C23C16/509 , C23C16/56 , H01L21/285
CPC分类号： C23C16/045 , C23C16/14 , C23C16/45565 , C23C16/5096 , H01L21/28556 , H01L21/76843
摘要：　一対の平行平板電極として機能するシャワーヘッド（１０）および電極（８）を有するチャンバ（１）内に、間口径が０．１３μｍ以下および／またはアスペクト比が１０以上のホールを有するウエハＷを配置する。処理ガスとしてＴｉＣｌ４ガスおよびＨ２ガスおよびＡｒガスよりも原子量が大きい希ガスを導入して前記プラズマが形成された際の前記ホールの底部に到達するイオン量を低減しつつＴｉ膜を成膜する。
摘要翻译：在具有喷淋头（10）的室（1）和作为一对平行板电极的电极（8）之间，设置有前径为0.13μm以下的孔的晶片（W）和/或纵横比为10以上。当通过引入TiCl 4气体H 2气体和具有H 2气体的稀有气体而在形成等离子体时减少到达孔底部的离子的量，同时沉积Ti膜，原子量大于作为处理气体的Ar气体的原子量。

4. 发明申请

WO2007125836A1 Ｔｉ膜の成膜方法审中-公开
标题翻译：沉积Ti膜的方法
公开(公告)号：WO2007125836A1
公开(公告)日：2007-11-08
申请号：PCT/JP2007/058662
申请日：2007-04-20
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 飯高由季 , 若林哲 , 成嶋健索 , 岡部真也
发明人：飯高由季 , 若林哲 , 成嶋健索 , 岡部真也
IPC分类号： C23C16/14 , C23C16/509 , C23C16/56 , H01L21/285
CPC分类号： C23C16/14 , C23C16/045 , C23C16/45565 , C23C16/5096 , H01L21/28556 , H01L21/76843
摘要：　一対の平行平板電極として機能するシャワーヘッド（１０）および電極（８）を有するチャンバ（１）内に、間口径が０．１３μｍ以下および／またはアスペクト比が１０以上のホールを有するウエハＷを配置する。ＴｉＣｌ４ガスおよびＨ２ガスを含む処理ガスを導入しつつシャワーヘッド（１０）に高周波電源（３４）から高周波電力を供給してこれらの間にプラズマを形成する。そのプラズマにより処理ガスの反応を促進してウエハにＴｉ膜を成膜する。この際に、高周波電力のパワー（Ｗ）／ＴｉＣｌ４ガスの流量（ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ））の値を６７以下にする。
摘要翻译：在具有喷淋头（10）的室（1）和作为一对平行板电极的电极（8）之间，设置有前径为0.13μm以下的孔的晶片（W）和/或纵横比为10以上。在引入含有TiCl 4气体和H 2气体的处理气体的同时，高频电力从高频电源（34）供应到淋浴喷头（10）并且在它们之间形成等离子体。通过加速等离子体处理气体的反应，在晶片上沉积Ti膜。在这方面，TiCl 4气体的高频功率（W）/流量（mL / min（sccm））的值设定为67以下。

5. 发明申请

WO2009119627A1 金属系膜の成膜方法および記憶媒体审中-公开
标题翻译：沉积金属膜和记忆介质的方法
公开(公告)号：WO2009119627A1
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：PCT/JP2009/055885
申请日：2009-03-25
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 岡部真也
发明人：岡部真也
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC分类号： C23C16/4404 , C23C16/4405 , C23C16/50
摘要：　金属系膜を成膜するにあたり、チャンバ内に、プリコート膜を成膜する工程と、プリコート後のチャンバ内に被処理基板を搬入してステージ上に載置し、被処理基板を加熱しつつ、処理ガスを供給して処理ガスのプラズマを生成し、プラズマＣＶＤにより被処理基板に金属系膜を成膜する処理を複数枚の被処理基板について行う工程と、複数枚の被処理基板に対する成膜処理が終了した段階で、チャンバ内にクリーニングガスを導入してドライクリーニングを行う工程とを繰り返し行い、被処理基板に金属系膜を成膜する処理を複数枚の被処理基板について行う工程は、その途中で１回または２回以上、ステージ上へ導電性膜を形成する。
摘要翻译：为了沉积金属膜，重复进行以下步骤：在室内形成预涂膜的步骤; 将待处理的两个或更多个基板在其上沉积金属膜的步骤，将每个基板引入预涂室中，将基板放置在载物台上，在加热基板的同时供给处理气体以产生等离子体处理气体，并通过等离子体CVD在基板上沉积金属膜; 以及在基板上的膜沉积完成之后，将清洁气体引入到室中以进行干洗的步骤。在其中要处理的两个或更多个待处理衬底在其上沉积金属膜的步骤中，在该步骤的过程中在该阶段上形成导电膜一次或多次。

6. 发明申请

WO2007069599A1 成膜装置のプリコート方法审中-公开
标题翻译：预处理薄膜成型装置的方法
公开(公告)号：WO2007069599A1
公开(公告)日：2007-06-21
申请号：PCT/JP2006/324749
申请日：2006-12-12
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 清水隆也 , 岡部真也 , 多田國弘
发明人：清水隆也 , 岡部真也 , 多田國弘
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/285
CPC分类号： H01L21/28556 , C23C16/4404 , H01L21/76841 , H01L21/76856 , H01L2221/1078
摘要：　本発明は、プラズマＣＶＤ成膜装置の被処理体を収容する真空処理容器内にプリコートを施す方法に関する。この方法は、被処理体を収容していない処理容器内へ処理ガスを供給して、以下の式で表される範囲内の厚さＸを有するプリコート膜（８２）を形成することを特徴とする：　　　Ｃ≦Ｘ≦Ａ－Ｂ　Ａは、処理ガスを用いたプラズマＣＶＤによって処理容器内のシャワーヘッド表面（３４）に付着する膜（８２，８４）の剥離しない最大限の膜厚である最大膜厚；　Ｂは、クリーニング周期間の成膜処理によって複数の被処理体の表面に堆積される膜の厚さを積算した積算総膜厚；　Ｃは、プリコート膜（８２）の輻射率が実質的に飽和するような当該プリコート膜の膜厚である輻射飽和膜厚。
摘要翻译：本发明提供了一种在真空处理容器内部预涂涂层的方法，用于在等离子体CVD成膜设备中接收待处理物体。该方法的特征在于，将处理气体供给到未被接受的待处理物体的处理容器中，以形成厚度X落在由下式表示的厚度范围内的预涂膜（82）：C = X = A-B其中A表示通过使用处理气体的等离子体CVD沉积在处理容器内的淋浴喷头的表面（34）上的膜（82,84）的不可分离最大厚度的最大膜厚度; B表示通过在清洁期间通过成膜处理累积沉积在多个物体的表面上的膜的厚度而获得的累积总膜厚度; C表示辐射饱和膜厚度，其是预涂膜的厚度，其导致预涂膜（82）的辐射率的实质饱和。

7. 发明申请

WO2004067799A1 半導体処理用の載置台装置、成膜装置、及び成膜方法审中-公开
标题翻译：用于半导体处理的薄膜形成装置的薄膜形成方法
公开(公告)号：WO2004067799A1
公开(公告)日：2004-08-12
申请号：PCT/JP2003/016961
申请日：2003-12-26
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 若林哲 , 岡部真也 , 村上誠志 , 森嶋雅人 , 多田國弘
发明人：若林哲 , 岡部真也 , 村上誠志 , 森嶋雅人 , 多田國弘
IPC分类号： C23C16/44
CPC分类号： H01L21/67109 , C23C16/4581 , C23C16/46 , H01L21/28556
摘要：半導体処理用の成膜処理容器（４）内に載置台装置が配設される。載置台装置は、被処理基板（Ｗ）を載置する上面及び上面から立ち下がる側面とを有する載置台（１６）と、載置台（１６）内に配設され且つその上面を介して基板（Ｗ）を加熱するヒータ（１８）とを含む。載置台（１６）の上面及び側面をＣＶＤプリコート層（２８）が被覆する。プリコート層（２８）は、ヒータ（１８）の加熱に由来する載置台（１６）の上面及び側面からの幅射熱量を実質的に飽和させる厚さ以上の厚さを有する。
摘要翻译：在用于半导体处理的成膜容器（4）中设置感受器装置。所述基座装置包括：基座（16），其具有顶面，待处理的晶片（W）被放置在所述上表面上;从所述顶面向下延伸的侧面和设置在所述基座中的加热器，以通过顶表面来加热晶片（W）。基座（16）的顶表面和侧表面涂覆有CVD预涂层（28）。预涂层（28）的厚度足够大以使来自加热器（18）的热量基本饱和并从基座（16）的顶表面和侧表面辐射。

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