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1. 发明申请

WO2010067856A1 成膜方法および成膜装置、ならびに記憶媒体审中-公开
标题翻译：成膜方法，成膜装置和储存介质
公开(公告)号：WO2010067856A1
公开(公告)日：2010-06-17
申请号：PCT/JP2009/070724
申请日：2009-12-11
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 成嶋健索
发明人：成嶋　健索
IPC分类号： C23C16/08 , H01L21/285
CPC分类号： H01L21/28556 , C23C14/14 , C23C16/04 , C23C16/045 , C23C16/4488 , C23C16/4557 , C23C16/5096 , H01L21/28518 , H01L21/76843 , H01L21/76865
摘要：　成膜方法は、チャンバ内に被処理基板を配置する工程と、供給経路を通って塩素含有ガスを含む処理ガスをチャンバ内へ供給する工程と、処理ガスの供給経路にＴｉ含有部を配置し、処理ガスをチャンバに供給する際に、処理ガス中の塩素含有ガスをＴｉ含有部に接触させて塩素含有ガスとＴｉ含有部のＴｉとを反応させる工程と、チャンバ内の被処理基板を加熱しつつ、塩素含有ガスとＴｉとの反応により生じたＴｉ前駆体ガスを被処理基板上に供給し、熱反応により被処理基板の表面にＴｉを堆積する工程とを有する。
摘要翻译：公开了一种成膜方法，其包括：其中待处理的基板布置在室内的步骤; 其中含有含氯气体的处理气体通过供给通道供给到所述室中; 其中处理气体的供给通道设置有含Ti部分，当处理气体供应到室中时，处理气体中的含氯气体与含Ti部分接触，含钛气体与含Ti气体中的Ti反应; 以及将通过含氯气体和Ti之间的反应产生的Ti前体气体供给到待处理基板上，同时在室内加热待处理的基板，使得Ti沉积在底物被热反应处理。

2. 发明申请

WO2008053625A1 成膜方法および基板処理装置审中-公开
标题翻译：薄膜沉积方法及处理基板的设备
公开(公告)号：WO2008053625A1
公开(公告)日：2008-05-08
申请号：PCT/JP2007/065433
申请日：2007-08-07
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 成嶋健索 , 天野文貴 , 若林哲
发明人：成嶋健索 , 天野文貴 , 若林哲
IPC分类号： H01L21/285 , C23C16/14 , C23C16/34 , H01L21/28
CPC分类号： C23C16/34 , C23C16/14 , C23C16/45512 , C23C16/4554 , C23C16/45542 , H01L21/28518 , H01L21/28562 , H01L21/67207 , H01L21/76814 , H01L21/76843
摘要：　低温下であっても，良質なＴｉ膜を含むバリア層を効率よく形成できるようにし，そのＴｉ膜と下地との界面領域に自己整合的にＴｉＳｉｘ膜を形成できるようにする。　ＴｉＳｉｘ膜（５０７）を形成する工程では，チタン化合物ガスを処理室に導入してチタン化合物ガスをＳｉ基板（５０２）のＳｉ表面上に吸着させる第１の工程と，チタン化合物ガスの処理室への導入を停止して，処理室内に残留しているチタン化合物ガスを除去する第２の工程と，水素ガスを処理室に導入しつつ処理室内にプラズマを生成して，Ｓｉ表面に吸着させたチタン化合物ガスを還元するとともにＳｉ表面のシリコンと反応させＴｉＳｉｘ膜（５０７）を形成する第３の工程と，を処理室にアルゴンガスを導入せずに複数回繰り返す。
摘要翻译：为了使得即使在低温下也能够有效地形成包括高质量的钛膜的阻挡层，并且能够使TiSi薄膜在钛膜和基底之间的界面处自形地形成。在形成TiSi薄膜（507）的步骤中，以下步骤重复两次或更多次，而不将氩气引入处理室：第一步，其中将钛化合物气体引入所述处理室将所述钛化合物气体吸附到硅基板（502）的硅表面上; 第二步骤是停止将钛化合物气体引入处理室，并且除去残留在处理室中的钛化合物气体; 以及第三步骤，其中在处理室中产生等离子体，同时将氢气引入处理室，从而减少吸附在硅表面上的钛化合物气体，并与硅表面中的硅反应形成TiSi _{薄膜（507）。}

3. 发明申请

WO2008016023A1 ガス供給装置及び基板処理装置审中-公开
标题翻译：气体供应装置和板处理装置
公开(公告)号：WO2008016023A1
公开(公告)日：2008-02-07
申请号：PCT/JP2007/064932
申请日：2007-07-31
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 成嶋健索 , 多田國弘 , 若林哲 , 斎藤哲也
发明人：成嶋健索 , 多田國弘 , 若林哲 , 斎藤哲也
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/45574
摘要：　ガスシャワーヘッドなどと呼ばれているガス供給装置において、基板の中心部から外周部に向かうガス流について周方向の間の流速分布を従来に比べて揃えることで、例えば十文字状のパーティクルの密集領域の発生を抑え、しかもプロセス条件の自由度を広げられるようにすること。　ガス供給装置のシャワープレートに穿設されるガス供給孔の配列パターンを、多数の同心円上に配列するようにし、かつ同心円上のガス供給孔と内側に隣り合う同心円及び外側に隣り合う同心円の各真近のガス供給孔とが同心円の半径上に並ばないように設定する。
摘要翻译：在称为气体喷淋头等的气体供给装置中，通过使气流的流速分布更均匀，抑制了诸如十字形颗粒的致密区域的出现，并且加工条件的自由度增加从圆盘方向的中心到外周部分比以前。形成在气体供给装置的喷淋板中的气体供给孔的布置图案被设定为使得这些孔布置在大量同心圆上，并且同心圆上的气体供应孔和最靠近气体供应的气体供应孔孔和同心圆分别向内和向外邻近该同心圆，并不排列在同心圆的径向方向上。

4. 发明申请

WO2007046204A1 基板処理装置，基板処理方法，プログラム，プログラムを記録した記録媒体审中-公开
标题翻译：基板处理装置，记录程序的基板处理方法，程序和记录介质
公开(公告)号：WO2007046204A1
公开(公告)日：2007-04-26
申请号：PCT/JP2006/318333
申请日：2006-09-15
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 多田國弘 , 成嶋健索 , 若林哲 , 山内晋
发明人：多田國弘 , 成嶋健索 , 若林哲 , 山内晋
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/768 , C23C16/14 , H01L21/3065 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67184 , C23C16/54 , H01L21/02063 , H01L21/28518 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/67207 , H01L21/67745 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76855 , H01L21/76864
摘要：　下地との界面がより平坦（フラット）で均一なＴｉシリサイド膜を形成し，これにより一層低抵抗なコンタクト構造を形成する。　基板処理装置１００は，処理室１０４Ａ～１０４Ｄに共通に連結される第１共通搬送室１０２と，処理室１０４Ｅ，１０４Ｆに共通に連結される第２共通搬送室１２０とを備える。各処理室１０４Ｅ，１０４Ｆ，１０４Ａ，１０４Ｃ，１０４Ｂはそれぞれ，Ｓｉウエハ上の自然酸化膜を含む異物とガス成分とを化学反応させて生成物を生成するＣＯＲ処理室，Ｓｉウエハ上に生成された生成物を熱処理により除去するＰＨＴ処理室，ＳｉウエハのＳｉ表面上にＴｉ膜を成膜するＴｉ膜成膜処理室，Ｔｉ膜と下地との間で珪化反応を起させてＴｉシリサイド膜を形成するシリサイド形成処理室，Ｔｉシリサイド膜上にＴｉＮ膜を成膜するＴｉＮ膜成膜処理室として構成した。
摘要翻译：旨在形成与其底层具有越来越平坦且均匀的界面的Ti硅化物膜，从而建立越来越低的电阻的接触结构。基板处理装置（100）包括通常连接到处理室（104A-104D）的第一公共输送室（102）和共同连接到处理室（104E-104F）的第二共用输送室。处理室（104E），（104F），（104A），（104C）和（104B）分别构造为COR处理室，其中在Si晶片上包含自然氧化膜的异物与气体成分由此生成反应产物，通过热处理除去在Si晶片上产生的反应产物的PHT处理室，在Si晶片的Si表面上形成Ti膜的Ti膜形成处理室，硅化物形成处理室，其中在Ti膜和基底之间引起硅化反应，从而产生Ti硅化物膜和在Ti硅化物膜上形成TiN膜的TiN膜形成处理室。

5. 发明申请

WO2008047838A1 Ｔｉ系膜の成膜方法および記憶媒体审中-公开
标题翻译： Ti膜形成方法和储存介质
公开(公告)号：WO2008047838A1
公开(公告)日：2008-04-24
申请号：PCT/JP2007/070266
申请日：2007-10-17
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 成嶋健索 , 若林哲 , 高山貴光
发明人：成嶋健索 , 若林哲 , 高山貴光
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC分类号： C23C16/4404 , C23C16/14 , C23C16/4405 , C23C16/45565 , C23C16/56 , H01L21/28556
摘要：　サセプタにウエハＷが存在しない状態でチャンバ内にフッ素を含有するクリーニングガスを導入してチャンバ内をクリーニングする工程（工程１）と、サセプタにウエハＷが存在しない状態でサセプタを加熱するとともにシャワーヘッドからＴｉを含む処理ガスをチャンバ内に吐出させて、少なくともシャワーヘッドの表面にプリコート膜を形成する工程（工程２）と、その後、サセプタ２を加熱した状態でその上にウエハＷを載置し、チャンバ１内に処理ガスを供給することによりウエハＷに対してＴｉ系膜を成膜する工程（工程３）とを含み、プリコート膜形成工程は、サセプタの温度を成膜工程の際の温度よりも低くして行われる。
摘要翻译： Ti膜形成方法包括：在晶片（W）不在感受体上的状态下，通过将含有氟的清洗气体引入室内的方法，在室内进行清洗的工序（工序（1））; 在晶片（W）不在基座上的状态下加热基座的步骤（步骤2），将含有Ti的处理气体从喷头喷射到室中，并至少在表面上形成预涂膜的淋浴头; 以及在基座被加热的状态下将晶片（W）放置在基座（2）上的步骤（步骤（3）），将处理气体供应到腔室（1）中并在晶片上形成Ti膜 W）。在低于成膜步骤的温度下进行预涂膜形成步骤。

6. 发明申请

WO2007123211A1 Ｔｉ膜の成膜方法审中-公开
标题翻译：沉积Ti膜的方法
公开(公告)号：WO2007123211A1
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：PCT/JP2007/058660
申请日：2007-04-20
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 飯高由季 , 若林哲 , 成嶋健索 , 岡部真也
发明人：飯高由季 , 若林哲 , 成嶋健索 , 岡部真也
IPC分类号： C23C16/509 , C23C16/08 , C23C16/56 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC分类号： C23C16/14 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/5093 , C23C16/56 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76856
摘要：　一対の平行平板電極として機能するシャワーヘッド（１０）および電極（８）を有するチャンバ（１）内に、間口径が０．１３μｍ以下および／またはアスペクト比が１０以上のホールを有するウエハＷを配置する。ＴｉＣｌ４ガスおよびＨ２ガスを含む処理ガスを導入しつつシャワーヘッド（１０）に高周波電源（３４）から高周波電力を供給してこれらの間にプラズマを形成する。そのプラズマにより処理ガスの反応を促進してウエハにＴｉ膜を成膜する。この際に、プラズマの電位が９００Ｖ以下になるように、高周波電源（３４）からの高周波電力のパワーおよび／またはＴｉＣｌ４ガスの流量または分圧を制御し、その条件でＴｉ膜を成膜する。
摘要翻译：在具有淋浴喷头（10）的室（1）和作为一对平行板电极的电极（8）之间，设置有前径为0.13μm以下的孔的晶片（W）和/或纵横比为10以上。在引入含有TiCl 4气体和H 2气体的处理气体的同时，高频电力从高频电源（34）供应到淋浴喷头（10）并且在它们之间形成等离子体。通过加速等离子体处理气体的反应，在晶片上沉积Ti膜。控制来自高频电源（34）的高频功率和/或TiCl 4气体的流量或分压使得等离子体的电位为900V以下，并且Ti膜在这种条件下存放。

7. 发明申请

WO2007123212A1 Ｔｉ膜の成膜方法审中-公开
标题翻译：沉积Ti膜的方法
公开(公告)号：WO2007123212A1
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：PCT/JP2007/058661
申请日：2007-04-20
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 飯高由季 , 若林哲 , 成嶋健索 , 岡部真也
发明人：飯高由季 , 若林哲 , 成嶋健索 , 岡部真也
IPC分类号： C23C16/14 , C23C16/455 , C23C16/509 , C23C16/56 , H01L21/285
CPC分类号： C23C16/5093 , C23C16/14 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76856
摘要：　一対の平行平板電極として機能するシャワーヘッド（１０）および電極（８）を有するチャンバ（１）内に、間口径が０．１３μｍ以下および／またはアスペクト比が１０以上のホールを有するウエハＷを配置する。処理ガスとしてＴｉＣｌ４ガスおよびＨ２ガスおよびＡｒガスを導入しつつシャワーヘッド（１０）に高周波電源（３４）から高周波電力を供給してこれらの間にプラズマを形成する。そのプラズマにより処理ガスの反応を促進してウエハにＴｉ膜を成膜する。この際に、Ａｒガス流量を１６００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）未満またはＡｒガス分圧を８１６．５４Ｐａ未満に制御して前記プラズマが形成された際の前記ホールの底部に到達するイオン量を低減しつつＴｉ膜を成膜する。
摘要翻译：在具有淋浴喷头（10）的室（1）和作为一对平行板电极的电极（8）之间，设置有前径为0.13μm以下的孔的晶片（W）和/或纵横比为10以上。在引入TiCl 4气体，H 2气体和Ar气体作为处理气体的同时，高频电力从高频电源（34）供应到淋浴头（10），并且在它们之间形成等离子体。通过等离子体加速处理气体的反应，在晶片上沉积Ti膜。在形成等离子体时，同时减少到达孔底部的离子量，同时将Ar气体的流量控制在1600mL / min以下（sccm），或者控制Ar气体的分压控制在816.54Pa以下。

8. 发明申请

WO2010110263A1 金属窒化膜の成膜方法および記憶媒体审中-公开
标题翻译：形成金属氮化物膜的方法和储存介质
公开(公告)号：WO2010110263A1
公开(公告)日：2010-09-30
申请号：PCT/JP2010/054981
申请日：2010-03-23
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 成嶋健索 , 柿本明修 , 堀田隼史
发明人：成嶋　健索 , 柿本　明修 , 堀田　隼史
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/455 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC分类号： H01L21/76843 , C23C16/045 , C23C16/34 , C23C16/45534 , H01L21/28562 , H01L27/10852 , H01L28/75
摘要：　チャンバ内に被処理基板であるウエハを搬入し、チャンバ内を真空に保持した状態とし、ウエハを加熱しつつ、チャンバ内にＴｉＣｌ４ガスとＭＭＨガスとを交互的に供給してウエハ上にＴｉＮ膜を成膜する。
摘要翻译：将作为待处理基板的晶片安装在室内，同时保持室内的真空状态，并且在加热晶片的同时交替地将TiCl 4气体和MMH气体供给到室中，从而在晶片上形成TiN膜。

9. 发明申请

WO2009116588A1 表面処理方法、シャワーヘッド部、処理容器及びこれらを用いた処理装置审中-公开
标题翻译：表面处理方法，淋浴，处理容器和处理装置
公开(公告)号：WO2009116588A1
公开(公告)日：2009-09-24
申请号：PCT/JP2009/055331
申请日：2009-03-18
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 掛川崇 , 成嶋健索
发明人：掛川崇 , 成嶋健索
IPC分类号： B24C1/00 , B24C11/00 , C23C16/44
CPC分类号： B24C1/00 , B24C1/003 , B24C1/06 , B24C11/00 , C23C16/0254
摘要：　本発明方法は、シャワーヘッドおよび処理容器等の金属母材の表面に、非昇華性材料よりなるブラスト材（例えばアルミナ）を用いてブラスト処理を行う第１のブラスト工程と、前記第１のブラスト工程が行われた前記金属母材の表面に、昇華性材料よりなるブラスト材（例えばドライアイス）を用いてブラスト処理を行う第２のブラスト工程と、を備える。第１のブラスト工程により金属母材の表面を適度に粗面化することにより成膜処理中に生じた付着膜の剥離を生じ難くして、付着膜に由来するパーティクルの発生を防止するとともに、第２のブラスト工程により金属母材の表面に付着している非昇華性ブラスト材の残渣をほぼ確実に除去し、金属母材から脱落する非昇華性ブラスト材の残渣に由来するパーティクルの発生を防止する。
摘要翻译：本发明的方法包括：第一喷砂步骤，其中用于淋浴头和处理容器等的金属基材的表面使用由非升华材料（例如氧化铝）制成的喷砂材料进行喷砂处理，以及第二喷砂步骤，其中在上述第一步骤中喷砂处理的上述金属基材的表面使用由升华材料（例如干冰）制成的喷砂材料进行喷砂处理。金属基材的表面通过第一喷砂步骤适当地粗糙化，使得通过成膜处理制成的粘合薄膜不易剥离，从而防止由附着的薄膜衍生的颗粒的产生，以及任何残留在金属基材表面附着的非升华喷砂材料几乎可以通过第二次喷砂工序去除，从而防止来自不升华的喷砂材料的颗粒从金属基材中脱落。

10. 发明申请

WO2008096599A1 成膜方法，基板処理装置，および半導体装置审中-公开
标题翻译：薄膜成型方法，基板加工设备和半导体器件
公开(公告)号：WO2008096599A1
公开(公告)日：2008-08-14
申请号：PCT/JP2008/050863
申请日：2008-01-23
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 若林哲 , 成嶋健索
发明人：若林哲 , 成嶋健索
IPC分类号： H01L21/285 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/52
CPC分类号： H01L21/76843 , C23C16/34 , H01L21/28562 , H01L21/76877
摘要：　本発明による成膜方法は，層間絶縁膜（５２０）上およびコンタクトホール（５３０）の底部のシリコン含有表面（５１２）上にチタン膜を形成するチタン膜形成工程と，このチタン膜をすべて窒化し，単一の窒化チタン膜（５５０）を形成する窒化工程と，窒化チタン膜上にタングステン膜（５６０）を形成するタングステン膜形成工程とを有する。これによれば，チタン層の変質によるタングステン膜の剥離を防止しつつ，従来よりもバリア層を薄くして，生産性を向上させることができる。
摘要翻译：公开了一种成膜方法，其包括钛膜形成步骤，其中在接触孔（530）的底部上的层间绝缘膜（520）和含硅表面（512）上形成钛膜，氮化步骤其中通过对整个钛膜进行氮化而形成单个氮化钛膜（550），其中在氮化钛膜上形成钨膜（560）的钨膜形成步骤。因此，通过形成比以往更薄的阻挡膜，同时防止由于钛层的劣化而导致的钨膜的分离，可以提高生产率。

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