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1. 发明申请

WO2008114799A1 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法审中-公开
标题翻译：等离子体处理装置和等离子体处理方法
公开(公告)号：WO2008114799A1
公开(公告)日：2008-09-25
申请号：PCT/JP2008/055014
申请日：2008-03-18
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 国立大学法人東北大学 , 大見忠弘 , 後藤哲也 , 井ノ口敦智 , 石橋清隆 , 田才忠 , 野沢俊久
发明人：大見忠弘 , 後藤哲也 , 井ノ口敦智 , 石橋清隆 , 田才忠 , 野沢俊久
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： C23C16/45565 , H01J37/3244 , H01J2237/0206
摘要：　天板の機能を有するシャワーヘッドに形成したガス導入路に異常放電が発生することを防止することが可能なプラズマ処理方法が開示される。このプラズマ処理方法は、減圧可能になされた処理容器内へ少なくともプラズマ励起用ガスを含むガスを導入するガス導入路と、ガス導入路に連通されて処理容器内へガスを放出する複数のガス放出口を有するシャワーヘッドとを備えるプラズマ処理装置において行われる、シャワーヘッドを介して処理容器内へ電磁波を導入して被処理体Ｗに対してプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理方法であり、ガス導入路８４内のガスの圧力が４０００Ｐａ（３０Ｔｏｒｒ）以上に設定される。
摘要翻译：公开了一种等离子体处理方法，其能够防止在具有屋顶功能的淋浴头中形成的气体入口通道中发生异常放电。这种等离子体处理方法是在等离子体处理装置中进行的，该等离子体处理装置包括气体导入通道，用于将至少含有等离子体激发气体的气体引入制成排气的处理室，以及具有与气体导入口连通的多个排气口的喷淋头从而将气体排出到处理室中。在等离子体处理方法中，通过淋浴喷头将电磁波引入处理室，从而对工件（W）进行等离子体处理。气体导入通道（84）中的气体设定为4000Pa（30Torr）以上的压力。

2. 发明申请

WO2006092985A1 マイクロ波プラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：微波等离子体处理装置
公开(公告)号：WO2006092985A1
公开(公告)日：2006-09-08
申请号：PCT/JP2006/303048
申请日：2006-02-21
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 田才忠 , 石橋清隆 , 野沢俊久 , 山本伸彦
发明人：田才忠 , 石橋清隆 , 野沢俊久 , 山本伸彦
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/511 , H01L21/205 , H01L21/302
CPC分类号： H01J37/32192
摘要：　本発明は、被処理体が収容されるチャンバーと、前記チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記チャンバー内で前記処理ガスのプラズマを形成するマイクロ波を発生させるマイクロ波発生源と、マイクロ波発生源で発生されるマイクロ波を前記チャンバーに向けて導く導波手段と、前記導波手段によって導かれるマイクロ波を前記チャンバーに向けて放射する複数のマイクロ波放射孔を有する導体からなる平面アンテナと、前記チャンバーの天壁を構成し、前記平面アンテナのマイクロ波放射孔を通過したマイクロ波を透過する、誘電体からなるマイクロ波透過板と、前記平面アンテナの前記マイクロ波透過板に対して反対側に設けられ、前記平面アンテナに到達するマイクロ波の波長を短くする機能を有する、誘電体からなる遅波板と、を備えたマイクロ波プラズマ処理装置である。前記平面アンテナと前記マイクロ波透過板とは、実質的に空気を介さずに密着しており、前記遅波板と前記マイクロ波透過板とは、同じ材質で形成され、前記遅波板、前記平面アンテナ、前記マイクロ波透過板、及び、前記チャンバー内で形成される前記処理ガスのプラズマ、によって形成される等価回路が、共振条件を満たす。
摘要翻译：一种微波等离子体处理装置，包括容纳待处理材料的室，用于将处理气体供应到室中的处理气体供给装置，用于产生在室内形成处理气体等离子体的微波的微波发生源，波导装置，将在微波发生源中产生的微波导向腔室，由具有多个微波辐射孔的导体构成的平面天线，用于将由波导装置引导的微波照射到腔室;构成腔室顶壁的微波透射板传输通过平坦天线的微波辐射孔并由电介质构成的微波，以及设置在平面天线的微波传输板的相对侧的延迟板，具有缩短微波到达平面的波长的功能天线，由电介质组成。扁平天线和微波透射板基本上彼此紧密接触，其间没有空气，延迟板和微波透射板由相同的材料形成，延迟板，平面天线，微波透射板和由室内形成的处理气体等离子体形成的等效电路满足谐振条件。

3. 发明申请

WO2005028703A1 成膜装置および成膜方法审中-公开
标题翻译：薄膜成型装置和成膜方法
公开(公告)号：WO2005028703A1
公开(公告)日：2005-03-31
申请号：PCT/JP2004/013357
申请日：2004-09-14
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 寒川誠二 , 野沢俊久
发明人：寒川誠二 , 野沢俊久
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： H01J37/32192 , C23C16/452 , C23C16/5096 , C23C16/511 , H01J37/32357 , H01L21/3145
摘要：　成膜装置１０は、処理ガスで加圧され、プラズマを発生させるプラズマ発生室１４と、基板を収納し、基板に対して膜を形成するための成膜室２０と、複数の穴を有し、プラズマ発生室１４と成膜室２０とを分離する分離板１７とを含む。分離板１７の穴の径は、プラズマ発生室１４の圧力が成膜室２０の圧力よりも２．０倍以上高くなる寸法である。成膜装置１０は、プラズマ発生室１４と成膜室２０との間に所定のバイアス電圧を印加する手段をさらに含む。
摘要翻译：公开了一种成膜装置（10），其包括用于产生等离子体的等离子体产生室（14），其中压力由处理气体增加，成膜室（20），其中容纳基底并形成膜和用于分离等离子体产生室（14）和成膜室（20）的分离板（17），该板具有多个孔。分离板（17）的孔形成为具有使得等离子体生成室（14）中的压力比成膜室（20）中的压力高2.0倍以上的直径。成膜装置（10）还包括用于在等离子体产生室（14）和成膜室（20）之间施加一定偏压的装置。

4. 发明申请

WO2009028314A1 半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件制造方法
公开(公告)号：WO2009028314A1
公开(公告)日：2009-03-05
申请号：PCT/JP2008/064216
申请日：2008-08-07
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 国立大学法人東北大学 , 上田博一 , 野沢俊久 , 松岡孝明 , 寺本章伸 , 大見忠弘
发明人：上田博一 , 野沢俊久 , 松岡孝明 , 寺本章伸 , 大見忠弘
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/511 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H01L21/02164 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01L21/02274 , H01L21/31055 , H01L21/31116
摘要：　半導体基板上に半導体素子を形成する工程と、マイクロ波をプラズマ源とし、半導体基板の表面近傍において、プラズマの電子温度が１．５ｅＶよりも低く、かつプラズマの電子密度が１×１０１１ｃｍ－３よりも高いマイクロ波プラズマを用いたＣＶＤ処理によって半導体素子上に膜を形成する工程とを含む。
摘要翻译：半导体器件制造方法包括在半导体衬底上形成半导体元件的步骤，以及通过CVD工艺在半导体元件上形成膜的步骤。在CVD工艺中，使用微波作为等离子体源，在半导体衬底的表面附近具有等离子体电子温度为1.5eV以下且等离子体电子密度为10E011cm-3以上的微波等离子体，用来。

5. 发明申请

WO2008096717A1 載置台構造、これを用いた処理装置及びこの装置の使用方法审中-公开
标题翻译：放置床结构，使用结构处理设备，以及使用设备的方法
公开(公告)号：WO2008096717A1
公开(公告)日：2008-08-14
申请号：PCT/JP2008/051792
申请日：2008-02-04
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 川村剛平 , 小林保男 , 野沢俊久 , 石橋清隆
发明人：川村剛平 , 小林保男 , 野沢俊久 , 石橋清隆
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/458 , C23C16/52 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/68742 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/4585 , C23C16/4586 , C23C16/50 , H01J37/3244 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , H01L21/68735 , H01L21/6875
摘要：　開示される載置台構造は、基板に対して所定の処理が行われる真空引き可能に構成された処理容器内で基板を支持する載置台構造であって、基板が載置される載置台本体と、基板を載置台本体に降ろし、載置台から持ち上げるように構成された昇降ピン機構と、載置台本体上に載置された基板の裏面周縁部が、処理容器に供給される処理ガスに晒されるように載置台本体に形成された段部と、を有する。
摘要翻译：公开了一种用于将基材支撑在处理容器中的放置床结构，其中基板经受预定处理并且可以被抽真空地构成。放置床结构包括用于将基板放置在其上的放置床体，提升销机构，其构造成使基板向下放置在放置床体上;以及台阶部，形成在放置床体中，使得周缘部放置在放置床体上的基板的背面可能暴露于供给到处理容器的处理气体。

6. 发明申请

WO2007148690A1 マイクロ波導入装置及びプラズマ処理装置审中-公开
标题翻译： MICROWAVE介绍设备和等离子体加工设备
公开(公告)号：WO2007148690A1
公开(公告)日：2007-12-27
申请号：PCT/JP2007/062324
申请日：2007-06-19
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 田才忠 , 石橋清隆 , 野沢俊久 , 湯浅珠樹
发明人：田才忠 , 石橋清隆 , 野沢俊久 , 湯浅珠樹
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32192 , H01J37/32211
摘要：　マイクロ波導入装置９２は、スロット９６が形成された平面アンテナ部材９４と、平面アンテナ部材９４上に設けられた誘電体からなる遅波部材９８とを有する。遅波部材９８の上面の中央部には、そこから突出する突起の形態の給電部１００が形成されている。給電部１００は同軸導波管１０８の外側導体１０８Ｂ内に嵌合している。給電部１００の中心に設けられた貫通孔を通って同軸導波管１０８の中心導体１０８Ａが平面アンテナ部材９４に接続されている。給電部１００の側壁面は遅波部材９８の上面に対して垂直である。難加工材料からなる給電部１００の加工精度が向上するため、外側導体１０８Ｂと給電部１００との間の隙間の発生が回避され、隙間に起因する異常放電、非対称電界分布、マイクロ波反射率の増大等の不具合の発生を防止することができる。
摘要翻译：微波引入装置（92）具有形成有槽（96）的平面天线部件（94）和配置在平面天线部件（94）上的慢波部件（98）的介电材料。在慢波构件（98）的上表面的中心部分，突出了供电部（100）。馈电部分（100）装配在同轴波导管（108）的外部导体（108B）中。同轴波导管（108）的中心导体（108A）通过布置在供电部分（100）中心的通孔与平面天线部件（94）连接。供电部（100）的侧壁面与慢波部件（98）的上表面垂直。由于提高了由难以处理的材料构成的供电部（100）的加工精度，消除了外部导体（108B）与供电部（100）之间的间隙的产生，并且由于间隙而产生的问题，例如异常放电，不对称电场分布，微波反射率的增加。

7. 发明申请

WO2007094322A1 発光素子、発光素子の製造方法および基板処理装置审中-公开
标题翻译：发光装置，制造发光装置的方法和基板处理装置
公开(公告)号：WO2007094322A1
公开(公告)日：2007-08-23
申请号：PCT/JP2007/052521
申请日：2007-02-13
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 国立大学法人東北大学 , 野沢俊久 , 茂山和基 , 大見忠弘 , 河村忠一 , 吉野公彦
发明人：野沢俊久 , 茂山和基 , 大見忠弘 , 河村忠一 , 吉野公彦
IPC分类号： H05B33/10 , H01L51/50 , H05B33/26
CPC分类号： H01L51/0017 , H01L51/5012 , H01L51/56
摘要：　第１の電極と第２の電極の間に発光層を含む有機層が形成されてなる発光素子を、被処理基板上に形成する、基板処理装置であって、前記被処理基板上に形成された前記第１の電極上に前記有機層を形成する有機層形成装置と、前記有機層上に前記第２の電極を形成する電極形成装置と、前記有機層をエッチングするエッチング装置と、を有することを特徴とする基板処理装置。
摘要翻译：公开了一种用于形成发光器件的衬底处理设备，其中在第一电极和第二电极之间，在待处理的衬底上形成包含发光层的有机层。该基板处理装置的特征在于，包括在形成于被处理基板上的第一电极上形成有机层的有机层形成装置，在有机层上形成第二电极的电极形成装置和蚀刻装置用于蚀刻有机层。

8. 发明申请

WO2007091672A1 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法审中-公开
标题翻译：等离子体处理装置和等离子体处理方法
公开(公告)号：WO2007091672A1
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：PCT/JP2007/052333
申请日：2007-02-09
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 田才忠 , 野沢俊久
发明人：田才忠 , 野沢俊久
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32192 , H01J37/32211
摘要：　本発明は、天井部が開口されて内部が真空引き可能になされた処理容器と、被処理体を載置するために前記処理容器内に設けられた載置台と、前記天井部の開口に気密に装着されてマイクロ波を透過する誘電体よりなる天板と、前記処理容器内へ必要なガスを導入するガス導入手段と、前記天板の中央部の上面に設けられて、所定の伝搬モードのマイクロ波を前記処理容器内へ導入するためにマイクロ波放射用のスロットが形成された平面アンテナ部材と、前記天板の周辺部の上面に設けられて、前記平面アンテナ部材で導入されるマイクロ波とは異なった伝搬モードのマイクロ波を前記処理容器内へ導入するためにマイクロ波放射用のスロットが形成されたスロット付き導波管と、マイクロ波を前記平面アンテナ部材及び前記スロット付き導波管に供給するマイクロ波供給手段と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置である。
摘要翻译：本发明提供一种等离子体处理装置，其特征在于，包括处理容器，其顶部开口以使其内部抽真空，设置在处理容器中的用于放置待处理对象的工作台，顶板安装在天花板开口中的气密由用于传输微波的电介质材料制成，用于将必要的气体引入处理容器的气体引入装置，设置在顶板的中心部分的上表面上并具有形成在其中的微波照射槽的平面天线构件，将预定传播模式的微波引入处理容器，安装在顶板周边部分的上表面上并具有形成在其中的微波照射槽的开槽波导，用于引入与微波不同的传播模式的微波由平面天线构件引入到处理容器中，以及用于将微波馈送到平面天线构件和开槽波导的微波馈送装置。

9. 发明申请

WO2007074563A1 成膜装置および発光素子の製造方法审中-公开
标题翻译：电影成型装置和生产发光元件的工艺
公开(公告)号：WO2007074563A1
公开(公告)日：2007-07-05
申请号：PCT/JP2006/318863
申请日：2006-09-22
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 茂山和基 , 野沢俊久
发明人：茂山和基 , 野沢俊久
IPC分类号： C23C14/34 , H01L51/50 , H05B33/10
CPC分类号： C23C14/3464 , H01L51/0021
摘要：　被処理基板を保持する保持台を内部に備えた処理容器と、互いに対向する２つのターゲットと、プラズマ励起される処理ガスを前記処理容器内に供給するガス供給手段と、を有し、前記２つのターゲットに電圧を印加して前記処理ガスをプラズマ励起することで、前記被処理基板上の有機層上に導電層を成膜するよう構成されていることを特徴とする成膜装置。
摘要翻译：一种成膜装置，其特征在于包括：处理容器，其内部设置有用于保持处理对象基板的保持台，彼此相对的两个靶和用于将待激发的待处理气体供给到处理容器中的气体供给装置使得通过向两个靶施加电压和处理气体的等离子体激发，在叠加在处理对象基板上的有机层上形成导电层。

10. 发明申请

WO2007072867A1 原料供給装置および蒸着装置审中-公开
标题翻译：进料供应单元和蒸气沉积设备
公开(公告)号：WO2007072867A1
公开(公告)日：2007-06-28
申请号：PCT/JP2006/325392
申请日：2006-12-20
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 井上雅司 , 野沢俊久
发明人：井上雅司 , 野沢俊久
IPC分类号： C23C16/448 , C23C14/24 , H05B33/10
CPC分类号： C23C16/4481
摘要：　蒸着装置の処理容器に、原料を蒸発あるいは昇華させて供給する原料供給装置であって、内部に前記原料を保持する原料容器と、前記原料容器の内部にキャリアガスを供給するガス導入口と、前記キャリアガスと共に蒸発あるいは昇華した前記原料を、前記処理容器に供給するために排出するガス排出口と、を有し、前記原料容器の内部に前記キャリアガスの流れを制御するガス流制御部を設けたことを特徴とする原料供給装置。
摘要翻译：一种原料供应单元，用于蒸发或升华原料并将所得蒸气供应到气相沉积设备中的处理容器中，该气相沉积设备装备有用于保持原料的原料容器，用于将原料气体供应到原料内部的气体引入口容器和气体排出口，用于将蒸发或升华的原料与载气一起排出，以将其供应到处理容器，其特征在于，原料容器设置有气体流量控制器，用于控制载气的流动在其内部。

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