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1. 发明申请

WO2003019645A1 成膜方法および成膜装置审中-公开
标题翻译：用于形成膜的方法和装置
公开(公告)号：WO2003019645A1
公开(公告)日：2003-03-06
申请号：PCT/JP2002/008819
申请日：2002-08-30
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 三好秀典 , 杉浦正仁 , 柏木勇作 , 香川恵永 , 太田与洋
发明人：三好秀典 , 杉浦正仁 , 柏木勇作 , 香川恵永 , 太田与洋
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： H01L21/02126 , C23C16/30 , C23C16/401 , C23C16/452 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/3122 , H01L21/3145 , H01L21/3148 , H01L21/31633 , H01L21/31695 , H01L21/3185
摘要： A method for forming a film which comprises a step of introducing a gas to be treated comprising a compound having a cyclic structure in the molecule thereof into a chamber 12, and a step of exciting a gas for excitation, such as argon, by means of an activator 34 and then introducing the excited gas for excitation into the chamber 12, to indirectly excite the gas to be treated. The excited gas to be treated is deposited on a substrate 19 to be treated and forms a porous film having a cyclic structure in an increased content and thus exhibiting a reduced permitivity.
摘要翻译：一种形成膜的方法，包括将包含其分子中具有环状结构的化合物的待处理气体引入到室12中的步骤，以及通过以下步骤将诸如氩的激发气体借助于激活器34，然后将用于激发的激发气体引入室12中，以间接地激发待处理的气体。被处理的被激发的气体沉积在待处理的基板19上，并形成具有增加的含量的环状结构的多孔膜，从而显示出较低的介电常数。

2. 发明申请

WO2007080944A1 多孔質膜の成膜方法およびコンピュータ可読記録媒体审中-公开
标题翻译：形成多孔膜和计算机可读记录介质的方法
公开(公告)号：WO2007080944A1
公开(公告)日：2007-07-19
申请号：PCT/JP2007/050284
申请日：2007-01-12
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 大島康弘 , 井出真司 , 柏木勇作 , 宮谷光太郎
发明人：大島康弘 , 井出真司 , 柏木勇作 , 宮谷光太郎
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： H01L21/31695 , C23C16/401 , C23C16/56 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0234 , H01L21/31633
摘要：　有機シリコン化合物原料を使ったプラズマＣＶＤ法により形成されたＳｉＯＣＨ膜の表面を酸素プラズマ処理して表面緻密化層を形成し、さらに水素プラズマ処理により、表面緻密化層の下のＳｉＯＣＨ膜から、ＣＨｘ基やＯＨ基を、前記表面緻密化層を介して、制御されたレートで放出させ、安定に多孔質低誘電率膜を形成する。
摘要翻译：对使用有机硅化合物的原料的等离子体CVD技术制造的SiOCH膜的表面进行氧等离子体处理，从而形成表面致密化层，进一步进行氢等离子体处理，由此以CHx基和OH基的控制速率发光来自SiOCH膜的表面致密化层位于表面致密层下面。因此，稳定地形成具有低介电常数的多孔膜。

3. 发明申请

WO2007066658A1 誘電体膜の成膜方法审中-公开
标题翻译：形成电介质膜的方法
公开(公告)号：WO2007066658A1
公开(公告)日：2007-06-14
申请号：PCT/JP2006/324263
申请日：2006-12-05
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 井出真司 , 大島康弘 , 柏木勇作
发明人：井出真司 , 大島康弘 , 柏木勇作
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC分类号： H01L23/5329 , C23C16/401 , C23C16/56 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02304 , H01L21/0234 , H01L21/31633 , H01L21/7682 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/76834 , H01L23/53223 , H01L23/53295 , H01L2221/1047 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
摘要：　本発明は、有機シリコン化合物を原料にして、プラズマＣＶＤ法によってＳｉＯＣＨ膜要素を堆積する堆積工程と、堆積された前記ＳｉＯＣＨ膜要素を水素プラズマ処理する水素プラズマ処理工程と、を含む単位成膜処理工程を備えており、前記単位成膜処理工程が、複数回繰り返されることによって、基板上にＳｉＯＣＨ膜が形成されることを特徴とするＳｉＯＣＨ膜の成膜方法である。
摘要翻译：公开了一种形成SiOCH膜的方法，其特征在于，通过重复多次重复多次制备包括沉积步骤的单元成膜工艺在基板上形成SiOCH膜，其中通过等离子体沉积SiOCH膜元件使用有机硅化合物作为原料的CVD法和氢等离子体处理步骤，其中沉积的SiOCH膜元件用氢等离子体处理。

4. 发明申请

WO2005029565A1 低誘電率絶縁膜の製造审中-公开
标题翻译：生产具有低介电常数的绝缘膜
公开(公告)号：WO2005029565A1
公开(公告)日：2005-03-31
申请号：PCT/JP2004/013644
申请日：2004-09-17
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 佐々木勝 , 星野聡彦 , 井出真司 , 柏木勇作
发明人：佐々木勝 , 星野聡彦 , 井出真司 , 柏木勇作
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01L21/31695 , C23C16/401 , H01J37/32192 , H01J37/32935 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0234 , H01L21/3003 , H01L21/31058 , H01L21/3121 , H01L21/31633
摘要：　本発明は化学蒸着法により形成されたＳｉ，ＯおよびＣＨを含む絶縁膜の誘電率を低下させる方法に関する。プラズマ処理装置の反応容器内に水素原子を含むプロセスガスが供給される。反応容器内にマイクロ波を導入して反応容器内に均一な電磁波を供給し、これにより反応容器内に水素ラジカルを含むプラズマが発生する。絶縁膜に照射されたプラズマに含まれる水素ラジカルにより、絶縁膜の構造が変化し、誘電率が低下する。マイクロ波は、ラジアルスロットアンテナを介して反応容器内に供給される。
摘要翻译：公开了一种降低由化学气相沉积法形成并含有Si，O和CH的绝缘膜的介电常数的方法。将含有氢原子的工艺气体供给到等离子体处理装置的反应室中。将微波引入到反应室中以在其中提供均匀的电磁波，从而在反应室中产生含氢自由基的等离子体。由于照射绝缘膜的等离子体中所含的氢原子，绝缘膜的结构发生变化，绝缘膜的介电常数降低。微波经由径向缝隙天线供入反应室。

5. 发明申请

WO2009008376A1 半導体装置の製造方法、半導体装置、半導体製造装置、および、記憶媒体审中-公开
标题翻译：用于生产半导体器件的工艺，半导体器件，半导体生产设备和存储介质
公开(公告)号：WO2009008376A1
公开(公告)日：2009-01-15
申请号：PCT/JP2008/062203
申请日：2008-07-04
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 加藤良裕 , 柏木勇作 , 松本貴士
发明人：加藤良裕 , 柏木勇作 , 松本貴士
IPC分类号： H01L21/312 , C23C16/42 , H01L21/31 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC分类号： H01L23/5329 , C23C16/401 , C23C16/56 , H01L21/02126 , H01L21/02167 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0234 , H01L21/02348 , H01L21/3105 , H01L21/31633 , H01L21/76802 , H01L21/76822 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
摘要：　半導体装置の製造方法は、フェニル基およびシリコンを含むとともに不可避的不純物以外の窒素を含まない有機シランガスを活性化してプラズマを得ると共に、基板の温度を２００°C以下に設定した状態で、前記プラズマに前記基板を曝してフェニル基とシリコンとを含む薄膜を前記基板上に成膜する工程（ａ）と、その後、前記基板に対してエネルギーを加え、前記薄膜から水分を脱離させて低誘電率膜を得る工程（ｂ）と、を含む。この半導体装置の製造方法よれば、有機物を含むシリコン酸化物系の低誘電率膜に対してエッチング処理やアッシング処理などのプラズマ処理を行った時に、有機物が脱離することによって受けるダメージの少ない低誘電率膜を得ることができる。
摘要翻译：本发明提供一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括使除了不可避免的杂质以外的含有苯基和硅并且不含氮的有机硅烷气体活化以产生等离子体的工序（a）将基板设置在200℃以下，将基板暴露于等离子体，以在基板上形成含有苯基和硅的薄膜，以及向基板施加能量以从其中除去水的步骤（b）薄膜形成低介电常数薄膜。该制造方法可以提供含有机材料的氧化硅型低电容率膜，当进行蚀刻处理，灰化处理或其他等离子体处理时，不会引起由有机物质的消除引起的任何显着的损坏。

6. 发明申请

WO2005045916A1 基板処理方法审中-公开
标题翻译：处理基板的方法
公开(公告)号：WO2005045916A1
公开(公告)日：2005-05-19
申请号：PCT/JP2004/016541
申请日：2004-11-08
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 柏木勇作 , 大島康弘 , 香川恵永 , 鄭基市
发明人：柏木勇作 , 大島康弘 , 香川恵永 , 鄭基市
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： H01L21/0234 , C23C16/401 , C23C16/56 , H01L21/02126 , H01L21/3121
摘要：　本発明は、有機シランガスを用いたプラズマＣＶＤ法により成膜される絶縁膜の低誘電率化と、機械的な強度の維持を可能とすることを目的としている。　そのため、本発明では、被処理基板に有機シランガスを含む第１の処理ガスを供給してプラズマを励起することで、当該被処理基板上に絶縁膜を成膜する成膜工程と、前記成膜工程の後、前記被処理基板にＨ 2 ガスを含む第２の処理ガスを供給してプラズマ励起することで、当該絶縁膜の処理を行う後処理工程と、を有する基板処理方法であって、前記後処理工程のプラズマ励起は、マイクロ波プラズマアンテナにより行われることを特徴とする基板処理方法を用いている。
摘要翻译：公开了一种处理衬底的方法，其使得能够通过使用有机硅烷气体的等离子体CVD方法形成的绝缘膜具有低介电常数并保持机械强度。一种处理衬底的方法，包括一种成膜步骤，其中通过将含有有机硅烷气体的第一工艺气体供应到衬底上并在其上激发等离子体，在待加工的衬底上形成绝缘膜，以及后处理步骤其中通过将含有H 2气体的第二处理气体供应到衬底上并激发等离子体来处理绝缘膜的成膜步骤的特征在于后处理步骤中的等离子体激发通过微波等离子天线

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