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1. 发明申请

WO2009104643A1 光硬化膜形成組成物及び光硬化膜形成方法审中-公开
标题翻译：可成膜成膜组合物及形成光电膜的方法
公开(公告)号：WO2009104643A1
公开(公告)日：2009-08-27
申请号：PCT/JP2009/052798
申请日：2009-02-18
申请人：日産化学工業株式会社 , 竹井敏 , 堀口有亮 , 大橋智也
发明人：竹井敏 , 堀口有亮 , 大橋智也
IPC分类号： C09D4/00 , C08F20/26 , C09D7/12 , G03F7/11 , H01L21/027 , H01L21/312
CPC分类号： H01L21/02118 , C09D4/00 , G03F7/027 , G03F7/038 , G03F7/094 , H01L21/02282 , H01L21/02348 , H01L21/312
摘要：【課題】　凹凸を有する面を平坦化するプロセスにおいて使用される平坦化膜を光照射によって形成するための膜形成組成物に関する。【解決手段】　凹凸を有する面を平坦化するプロセスにおいて使用される平坦化膜を光照射によって形成するための組成物であって、光重合性物質及び光重合開始剤を含む膜形成組成物。前記光重合性物質がカチオン重合可能な反応性基を少なくとも一つ有する化合物あり、前記光重合開始剤が光カチオン重合開始剤である。また、前記光重合性物質がラジカル重合可能な反応性基を少なくとも一つ有する化合物であり、前記光重合開始剤が光ラジカル重合開始剤である。
摘要翻译：公开了用于通过光照射形成水平膜的成膜组合物，该水平膜用于使不平坦表面平整的过程。通过光照射形成用于使不平坦表面平整化的工序中的水平膜的成膜组合物，含有光聚合性材料的组合物和光聚合引发剂。所述光聚合材料是具有至少一个能够进行阳离子聚合的反应性基团的化合物，所述光聚合引发剂是光阳离子聚合引发剂。或者，所述可光聚合材料是具有至少一个可进行自由基聚合的反应性基团的化合物，并且所述光聚合引发剂是光自由基聚合引发剂。

2. 发明申请

WO2008047638A1 光架橋硬化によるレジスト下層膜を用いる半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：使用光阻胶片保护膜的半导体器件生产工艺
公开(公告)号：WO2008047638A1
公开(公告)日：2008-04-24
申请号：PCT/JP2007/069740
申请日：2007-10-10
申请人：日産化学工業株式会社 , 堀口有亮 , 竹井敏 , 新城徹也
发明人：堀口有亮 , 竹井敏 , 新城徹也
IPC分类号： G03F7/11 , C08F220/10 , C08F220/26 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/09 , G03F7/091 , Y10S430/114 , Y10S430/128
摘要：半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいて用いられるレジスト下層膜形成組成物を提供する。半導体基板上にポリマーと架橋剤と光酸発生剤とを含むレジスト下層膜形成組成物を塗布し塗膜を形成する工程、前記塗膜に光照射することにより下層膜を形成する工程、前記下層膜上にフォトレジスト用組成物を塗布し加熱することによってフォトレジストを形成する工程を含む半導体装置の製造方法。上記ポリマーが、ポリマーを構成する主鎖又は主鎖に結合した側鎖にベンゼン環、ヘテロ環を有するポリマーである。ポリマー中のベンゼン環の含有率が３０～７０質量％である。ポリマーが、ラクトン構造を含有するポリマーである。
摘要翻译：用于抗蚀剂成膜的组合物，其用于制造半导体器件的光刻工艺。还提供了一种半导体器件的制造方法，其包括：将包含聚合物，交联剂和光酸发生剂的抗光蚀剂成膜用组合物施加到半导体基板上以形成涂膜的步骤 ; 涂布膜用光照射以形成下层膜的步骤; 以及其中将用于光致抗蚀剂形成的组合物施加到下层膜并加热以形成光致抗蚀剂的步骤。聚合物是在构成聚合物的主链中或在与主链结合的侧链中具有苯环和杂环的聚合物。该聚合物可以具有30-70质量％的苯环含量。聚合物可以含有内酯结构。

3. 发明申请

WO2008026468A1 液状添加剤を含むレジスト下層膜形成組成物审中-公开
标题翻译：含有液体添加剂的耐下层膜成膜组合物
公开(公告)号：WO2008026468A1
公开(公告)日：2008-03-06
申请号：PCT/JP2007/066122
申请日：2007-08-20
申请人：日産化学工業株式会社 , 堀口有亮 , 新城徹也 , 竹井敏
发明人：堀口有亮 , 新城徹也 , 竹井敏
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/31144 , G03F7/091 , H01L21/0271
摘要：【課題】半導体装置製造のリソグラフィープロセスに使用される、リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物を提供する。【解決手段】樹脂（Ａ）、液状添加剤（Ｂ）及び溶剤（Ｃ）を含む半導体装置製造のリソグラフィープロセスに用いられるレジスト下層膜形成組成物。該液状添加剤（Ｂ）が、脂肪族ポリエーテル化合物である。該液状添加剤（Ｂ）が、ポリエーテルポリオール、ポリグリシジルエーテル又はそれらの組み合わせである。レジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し焼成してレジスト下層膜を形成する工程、その下層膜上にフォトレジスト層を形成する工程、レジスト下層膜とフォトレジスト層で被覆された半導体基板を露光する工程、露光後に現像する工程を含む半導体装置の製造方法。
摘要翻译： [问题]提供用于半导体器件生产的光刻工艺中的用于光刻的抗蚀剂下层膜成膜组合物。解决问题的手段提供了含有树脂（A），液体添加剂（B）和溶剂（C）的半导体器件制造的光刻工艺中使用的抗蚀剂下层膜形成用组合物。液体添加剂（B）可以是脂肪族聚醚化合物。液体添加剂（B）可以是聚醚多元醇，聚缩水甘油醚或其组合。此外，提供了一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：用抗蚀剂下层膜形成组合物涂覆半导体衬底并将其烧制成抗蚀剂下层膜; 在下层膜上形成光致抗蚀剂层; 暴露由抗蚀剂下层膜和光致抗蚀剂层覆盖的半导体衬底; 并进行曝光后开发。

4. 发明申请

WO2007066597A1 光架橋硬化のレジスト下層膜を形成するためのケイ素含有レジスト下層膜形成組成物审中-公开
标题翻译：基于膜层形成组合物的含硅耐腐蚀性用于形成根据层膜的光致交联固化电阻
公开(公告)号：WO2007066597A1
公开(公告)日：2007-06-14
申请号：PCT/JP2006/324086
申请日：2006-12-01
申请人：日産化学工業株式会社 , 竹井敏 , 堀口有亮 , 橋本圭祐 , 中島誠
发明人：竹井敏 , 堀口有亮 , 橋本圭祐 , 中島誠
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/02126 , G03F7/0752 , G03F7/11 , H01L21/02282 , H01L21/0273 , H01L21/312
摘要：【課題】半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいてフォトレジストの下層で使用され、エッチングガス種によりフォトレジストに比べて大きなドライエッチング速度を有し、フォトレジストとのインターミキシングを起こさず、アスペクト比が大きいホールを有する半導体基板の表面を平坦化できる下層膜、及び該下層膜を形成するための下層膜形成組成物を提供すること。【解決手段】半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいてフォトレジストの下層に使用される下層膜を光照射によって形成するための組成物であって、ケイ素原子を５ないし４５質量％含有する重合性化合物（Ａ）、光重合開始剤（Ｂ）及び溶媒（Ｃ）を含む下層膜形成組成物。
摘要翻译：为了提供在制造半导体器件的光刻工艺中用作光致抗蚀剂下面的层的下层膜比根据蚀刻气体的类型的光致抗蚀剂具有更高的干蚀刻速率，不是导致与光致抗蚀剂混合，并且可以用具有大纵横比的孔使半导体衬底的表面变平，并提供用于形成下层膜的下层成膜组合物。解决问题的手段用于在制造半导体器件的光刻工艺中通过光照射形成下层膜用作光致抗蚀剂中的下层的组合物，所述组合物包含可聚合化合物（A ）含有5〜45质量％的硅原子，光聚合引发剂（B）和溶剂（C）。

5. 发明申请

WO2004074938A1 アクリル系ポリマーを含有するリソグラフィー用ギャップフィル材形成組成物审中-公开
标题翻译：含丙烯酸聚合物的填料填料组合物
公开(公告)号：WO2004074938A1
公开(公告)日：2004-09-02
申请号：PCT/JP2004/001981
申请日：2004-02-20
申请人：日産化学工業株式会社 , 竹井敏 , 石井和久 , 岸岡高広 , 境田康志
发明人：竹井敏 , 石井和久 , 岸岡高広 , 境田康志
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： G03F7/094 , G03F7/038 , Y10S430/109 , Y10S430/128
摘要：デュアルダマシンプロセスに使用され、平坦化性、充填性に優れたギャップフィル材を形成する為のリソグラフィー用ギャップフィル材形成組成物を提供する。　具体的には、高さ／直径で示されるアスペクト比が１以上のホールを有する半導体基板にフォトレジストを被覆し、リソグラフィープロセスを利用して半導体基板上に画像を転写する方法による半導体装置の製造において使用されるポリマー、架橋剤及び溶剤を含有することを特徴とするギャップフィル材形成組成物である。
摘要翻译：公开了用于形成具有优异的平坦化性能和填充性能的间隙填料的双镶嵌工艺中用于光刻的间隙填料形成组合物。具体来说，间隙填料形成组合物的特征在于含有聚合物，交联剂和溶剂，并且用于半导体器件制造中，其中具有纵横比（高度/直径）不小于 1被光致抗蚀剂覆盖，并且通过利用光刻工艺将图像转印到半导体衬底上。

6. 发明申请

WO2008047715A1 ４層系積層体による半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：使用四层层压板制造半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2008047715A1
公开(公告)日：2008-04-24
申请号：PCT/JP2007/069973
申请日：2007-10-12
申请人：日産化学工業株式会社 , 竹井敏 , 中島誠 , 境田康志 , 今村光 , 橋本圭祐 , 岸岡高広
发明人：竹井敏 , 中島誠 , 境田康志 , 今村光 , 橋本圭祐 , 岸岡高広
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/027 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/0332 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/11 , H01L21/0274 , H01L21/31138 , H01L21/31144
摘要：半導体装置のリソグラフィー工程においてフォトレジストの下層に使用される積層体と、それを用いた半導体装置の製造方法を提供する。半導体基板上に有機下層膜（Ａ層）、ケイ素含有ハードマスク（Ｂ層）、有機反射防止膜（Ｃ層）、及びフォトレジスト膜（Ｄ層）の順で各層を積層する工程を含む半導体装置の製造方法。フォトレジスト膜（Ｄ層）にレジストパターンを形成し、レジストパターンにより有機反射防止膜（Ｃ層）をエッチングし、パターン化された有機反射防止膜（Ｃ層）によりケイ素含有ハードマスク（Ｂ層）をエッチングし、パターン化されたケイ素含有ハードマスク（Ｂ層）により有機下層膜（Ａ層）をエッチングし、パターン化された有機下層膜（Ａ層）により半導体基板を加工する工程を含む。
摘要翻译：公开了在半导体器件制造的光刻工艺中用作光致抗蚀剂的基础层的层压体。还公开了通过使用这种层压体制造半导体器件的方法。具体公开了一种半导体器件的制造方法，其包括形成有机基础膜（A层），含硅硬掩模（B层），有机抗反射膜（C层）和光刻胶膜（层D）。该方法还包括其中将光致抗蚀剂膜（层D）形成为抗蚀剂图案的步骤; 通过使用抗蚀剂图案来蚀刻有机抗反射膜（层C）通过使用图案化的有机抗反射膜（层C）来蚀刻含硅硬掩模（B层）; 通过使用图案化的含硅硬掩模（B层）蚀刻有机基础膜（层A）; 并且通过使用图案化的有机基础膜（层A）来处理半导体衬底。

7. 发明申请

WO2006049046A1 シクロデキストリン化合物を含有するリソグラフィー用下層膜形成組成物审中-公开
标题翻译：用于包含环糊精化合物的LITHOGRAPHY的下层膜成膜组合物
公开(公告)号：WO2006049046A1
公开(公告)日：2006-05-11
申请号：PCT/JP2005/019613
申请日：2005-10-25
申请人：日産化学工業株式会社 , 竹井敏 , 新城徹也 , 橋本圭祐
发明人：竹井敏 , 新城徹也 , 橋本圭祐
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , H01L21/0276 , H01L21/31144 , H01L21/312 , H01L21/76808 , Y10S430/111 , Y10S430/115
摘要： Disclosed is a lower layer film-forming composition for lithography for forming a lower layer film which is used in a lithography process in semiconductor device production, has a higher dry etching rate than photoresists, does not cause intermixing with photoresists, and has excellent properties for filling holes in a semiconductor substrate. Such a lower layer film-forming composition for lithography contains a cyclodextrin compound wherein 10-90% of the total hydroxy groups in cyclodextrin are composed of ether groups or ester groups, a crosslinkable compound, a crosslinking catalyst and a solvent.
摘要翻译：公开了用于形成下半导体膜的下层成膜组合物，其用于半导体器件制造中的光刻工艺中，具有比光致抗蚀剂更高的干蚀刻速率，不会与光致抗蚀剂混合，并且具有优异的性能在半导体衬底中填充孔。这种用于光刻的低层成膜组合物含有环糊精化合物，其中环糊精中的全部羟基中的10-90％由醚基或酯基组成，可交联化合物，交联催化剂和溶剂。

8. 发明申请

WO2003034152A1 リソグラフィー用反射防止膜形成組成物审中-公开
标题翻译：用于形成图像的抗反射膜的组合物
公开(公告)号：WO2003034152A1
公开(公告)日：2003-04-24
申请号：PCT/JP2002/010372
申请日：2002-10-04
申请人：日産化学工業株式会社 , 竹井敏 , 安見由章 , 水沢賢一
发明人：竹井敏 , 安見由章 , 水沢賢一
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： C08L63/00 , C08G59/1455 , C08G59/18 , C08G59/3254 , C08G2650/56 , C08L33/00 , C08L71/00 , C09D161/06 , G03F7/091 , H01L21/0276 , Y10T428/31511 , Y10T428/31855 , C08L2666/02 , C08L2666/04
摘要： A composition for forming an antireflection film used in lithography process of semiconductor device manufacture, comprising a polymer A having a weight-average molecular weight of 5000 or less and a polymer B having a weight-average molecular weight of 2000 or less. The composition is used to produce an antireflection film for lithography, excellent in step coverage of a step on an irregular surface substrate having a hole or a trench, high in antireflection effect, causing no intermixing with a resist layer, enabling formation of an excellent resist pattern, and having a dry-etching rate higher than that of the resist.
摘要翻译：一种用于形成半导体器件制造的光刻工艺中使用的防反射膜的组合物，其包含重均分子量为5000以下的聚合物A和重均分子量为2000以下的聚合物B. 该组合物用于制造光刻用抗反射膜，在具有孔或沟槽的不规则表面基板上的台阶覆盖性优异，抗反射效果高，不与抗蚀剂层混合，能够形成优异的抗蚀剂图案，并且具有比抗蚀剂高的干蚀刻速率。

9. 发明申请

WO2006126406A1 ポリシラン化合物を含むリソグラフィー用下層膜形成組成物审中-公开
标题翻译：含有多晶硅复合材料的下层薄膜成型用于成像
公开(公告)号：WO2006126406A1
公开(公告)日：2006-11-30
申请号：PCT/JP2006/309576
申请日：2006-05-12
申请人：日産化学工業株式会社 , 竹井敏 , 橋本圭祐 , 中島誠
发明人：竹井敏 , 橋本圭祐 , 中島誠
IPC分类号： G03F7/11 , C08L83/16 , C09D5/00 , C09D183/16 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0752 , C09D183/16 , G03F7/11 , Y10S430/128
摘要：【課題】半導体装置製造のリソグラフィー工程において使用される下層膜であって、ハードマスクとして使用でき、フォトレジストとのインターミキシングを起こさないリソグラフィー用下層膜及び該下層膜を形成するための組成物を提供すること。【解決手段】ポリシラン化合物、架橋性化合物、架橋触媒及び溶剤を含む、半導体装置の製造のリソグラフィー工程において使用されるリソグラフィー用下層膜形成組成物。ポリシラン化合物が、シリコンとシリコンの結合を主鎖に有するポリシラン化合物であるリソグラフィー用下層膜形成組成物。
摘要翻译：为了提供一种用于制造半导体器件中的光刻步骤中的下层膜，该下层膜可用作硬掩模并且不会与光致抗蚀剂混合，并且提供用于较低的成膜。解决问题的手段本发明的半导体装置的制造中的光刻工序中使用的下层成膜组合物，该组合物含有聚硅烷化合物，交联性化合物，交联催化剂和溶剂。聚硅烷化合物是其主链中具有硅 - 硅键的聚硅烷化合物。

10. 发明申请

WO2006115044A1 光架橋硬化のレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成組成物审中-公开
标题翻译：用于形成光致交联固化电阻膜的电阻膜形成组合物
公开(公告)号：WO2006115044A1
公开(公告)日：2006-11-02
申请号：PCT/JP2006/307665
申请日：2006-04-11
申请人：日産化学工業株式会社 , 日高基彦 , 竹井敏 , 新城徹也
发明人：竹井敏 , 新城徹也
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091 , G03F7/11 , G03F7/161 , H01L21/0271
摘要： This invention provides an underlayer film, which is used as a layer underlying a photoresist in a lithographic process in semiconductor device production, has a higher dry etching process than the photoresist, does not cause intermixing with the photoresist, and can flatten the surface of a semiconductor substrate having holes with a high aspect ratio. There is also provided a composition for resist underlayer film formation for forming the underlayer film. The composition is adapted for the formation of an underlayer film for use as a layer underlying a photoresist by photoirradiation and contains a polymerizable material and a photopolymerization initiator.
摘要翻译：本发明提供了一种下半导体膜，其在半导体器件制造中在光刻工艺中用作光致抗蚀剂层的下层膜具有比光致抗蚀剂更高的干蚀刻工艺，不会引起与光致抗蚀剂的混合，并且可以使半导体衬底具有高纵横比的孔。还提供了一种用于形成下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。该组合物适于通过光照射形成用作光致抗蚀剂下面的层的下层膜，并且含有可聚合材料和光聚合引发剂。

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