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1. 发明申请

WO2009031681A1 スイッチング素子及びその製造方法审中-公开
标题翻译：切换装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2009031681A1
公开(公告)日：2009-03-12
申请号：PCT/JP2008/066174
申请日：2008-09-08
申请人：日本電気株式会社 , 東口達 , 沼田秀昭 , 遠藤浩幸
发明人：東口達 , 沼田秀昭 , 遠藤浩幸
IPC分类号： H01L29/786 , C01B31/02 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/06
CPC分类号： H01L51/105 , B82Y10/00 , G02B1/041 , H01L51/0003 , H01L51/0048 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , C08L101/12
摘要：　低温で製造可能なカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）分散膜を活性層に用いたスイッチング素子において、ＣＮＴとソース・ドレイン電極表面との十分な電気的コンタクト及び熱伝導性が得られないという問題があった。本発明のスイッチング素子においてはソース及びドレイン電極上に、カーボンナノチューブと金属材料の混合層、前記金属材料からなる金属層の順で積層された構造を有することによりＣＮＴ分散膜と電極表面とが電気的、機械的、熱的に強固に接触することができる。それにより低温、簡便、安価なプロセスで良好かつ安定したトランジスタ特性を示すスイッチング素子が得られる。
摘要翻译：使用可在低温下生产的碳纳米管（CNT）分散膜作为活性层的开关器件具有这样的问题，即在CNT和源/漏电极表面之间不能获得足够的电接触和热传导。本发明的开关装置通过具有碳纳米管和金属材料的混合层和金属材料的金属层的结构，在CNT分散膜和电极表面之间具有电，机械和热的良好的接触依次形成在源电极和漏电极上。因此，可以通过简单且低成本的工艺在低温下获得显示良好且稳定的晶体管特性的开关器件。

2. 发明申请

WO2009031525A1 カーボンナノチューブ構造物及び薄膜トランジスタ审中-公开
标题翻译：碳纳米管结构和薄膜晶体管
公开(公告)号：WO2009031525A1
公开(公告)日：2009-03-12
申请号：PCT/JP2008/065745
申请日：2008-09-02
申请人：日本電気株式会社 , 遠藤浩幸 , 東口達 , 沼田秀昭
发明人：遠藤浩幸 , 東口達 , 沼田秀昭
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/28 , H01L29/06
CPC分类号： H01L51/105 , B82Y10/00 , H01L51/0036 , H01L51/0048 , H01L51/0545 , H01L51/0579 , H01L51/0583 , H05K3/249 , H05K2201/026 , H05K2201/0329 , Y10T428/254
摘要：　カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を用いた電子素子を作製する場合、特に先に形成された電極上にカーボンナノチューブ薄膜を形成する場合、先に形成された電極の上にＣＮＴを製膜しそのまま電子素子として利用している。この場合、カーボンナノチューブと電極が充分に接触しないと接触抵抗が大きくなり充分な素子特性が得られないという課題がある。先に形成された電極上にカーボンナノチューブ薄膜を形成する際、カーボンナノチューブの製膜前、若しくは製膜後に導電性有機高分子薄膜を形成し、接触抵抗を小さくする。
摘要翻译：在使用碳纳米管（CNT）的电子元件的制造中，特别是在预先形成的电极上形成碳纳米管薄膜时，在预先形成的电极上形成CNT的膜，将所得到的产物用作电子元件没有任何进一步的处理。在这种情况下，如果碳纳米管不充分地与电极接触，则接触电阻变大，因此不能获得令人满意的元件特性的问题。因此，在预先形成的电极上形成碳纳米管薄膜时，可以通过在形成碳纳米管膜之前或之后形成导电有机聚合物薄膜来降低接触电阻。

3. 发明申请

WO2009090966A1 薄膜トランジスタ及びその製造方法审中-公开
标题翻译：薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：WO2009090966A1
公开(公告)日：2009-07-23
申请号：PCT/JP2009/050399
申请日：2009-01-14
申请人：日本電気株式会社 , 遠藤浩幸 , 東口達
发明人：遠藤浩幸 , 東口達
IPC分类号： H01L29/786 , H01L51/05
CPC分类号： H01L51/0566 , B82Y10/00 , H01L51/0003 , H01L51/0048 , H01L51/0545
摘要：　形状制御が困難な塗布法を適用することが可能で、チャネル長、チャネル幅の制御が容易である薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。　一対のソース電極・ドレイン電極１２，１３とそれらに交わる一対の絶縁性薄膜１７とで囲まれた部位をチャネルとし、チャネルを形成する半導体薄膜１５が、有機材料又はカーボンナノチューブ若しくはカーボンナノチューブを含有する混合物で形成された。
摘要翻译：公开了一种薄膜晶体管，其允许施加具有难以形状控制的施加方法并且可以容易地控制沟道长度和沟道宽度。还公开了制造这种薄膜晶体管的方法。由一对源极/漏极（12,13）和一对绝缘薄膜（17）围绕的部分用作沟道。形成通道的半导体薄膜（15）由有机材料或碳纳米管或含有碳纳米管的混合材料形成。

4. 发明申请

WO2008108136A1 スイッチング素子及びその製造方法审中-公开
标题翻译：切换装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2008108136A1
公开(公告)日：2008-09-12
申请号：PCT/JP2008/052067
申请日：2008-02-07
申请人：日本電気株式会社 , 東口達 , 石田真彦 , 遠藤浩幸
发明人：東口達 , 石田真彦 , 遠藤浩幸
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/06 , H01L51/05 , H01L51/30
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , H01L29/0669 , H01L29/0673 , H01L51/004 , H01L51/0048 , H01L51/052 , H01L51/0529 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0558 , H01L51/0566 , Y10S977/708 , Y10S977/742
摘要：　本発明のスイッチング素子は、ゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に接して形成された活性層とを具備する。前記活性層は、カーボンナノチューブを含み、前記ゲート絶縁膜は、側鎖に芳香族環を有する非共役高分子を含んでいる。
摘要翻译：公开了一种开关器件，包括栅极绝缘膜和与栅极绝缘膜接触形成的有源层。活性层含有碳纳米管，栅极绝缘膜含有侧链中具有芳香环的非共轭聚合物。

5. 发明申请

WO2009096525A1 薄膜トランジスタ审中-公开
标题翻译：薄膜晶体管
公开(公告)号：WO2009096525A1
公开(公告)日：2009-08-06
申请号：PCT/JP2009/051586
申请日：2009-01-30
申请人：日本電気株式会社 , 遠藤浩幸 , 東口達 , 沼田秀昭
发明人：遠藤浩幸 , 東口達 , 沼田秀昭
IPC分类号： H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC分类号： H01L29/42384 , H01L51/0545 , H01L51/102
摘要：　製膜プロセスが簡便な塗布プロセスで製造した薄膜トランジスタにおいて、ＴＦＴ特性のばらつきが小さな薄膜トランジスタを提供する。　基板上にゲート電極が形成され、ゲート電極上に絶縁性薄膜が配置される薄膜トランジスタであって、ゲート電極がチャネル長より細い線幅で形成され、かつ、断面が半円、半楕円、凸状構造を有する直線もしくは曲線から形成され、前記ゲート電極は、ソース電極からドレイン電極に向かって互いに重なることなく複数本設置されている。
摘要翻译：提供一种薄膜晶体管，其通过其中成膜工艺简单并且TFT特性差异小的涂布工艺制造。在薄膜晶体管中，在基板上形成栅电极，在栅电极上形成绝缘薄膜。栅电极形成为具有小于沟道长度的线宽，并且横截面具有形成半圆形，半椭圆形或突出结构的线形或曲线。多个栅电极从源电极朝向漏电极配置，而不会彼此重叠。

6. 发明申请

WO2008155930A1 スイッチング素子审中-公开
标题翻译：开关元件
公开(公告)号：WO2008155930A1
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：PCT/JP2008/052687
申请日：2008-02-19
申请人：日本電気株式会社 , 東口達 , 遠藤浩幸
发明人：東口達 , 遠藤浩幸
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/06 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC分类号： H01L51/052 , B82Y10/00 , H01L51/0048 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , Y10S977/708 , Y10S977/742
摘要：　低温で製造可能なカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）分散膜を活性層に用いたスイッチング素子において、ＣＮＴとゲート絶縁膜表面との相互作用が不十分であるために、チャネル領域に固定されるＣＮＴの量が不足し、十分な均一性が得られないという問題があった。本実施形態のスイッチング素子においてはゲート絶縁膜を主鎖に芳香族基と炭素数２以上の置換又は無置換アルキレン基、又はアルキレンオキシ基を繰り返し単位として含む非共役高分子材料で形成することにより、ゲート絶縁膜の柔軟性を保ちつつＣＮＴとゲート絶縁膜表面との相互作用が増強され、チャネル領域に固定されるＣＮＴの量を増加させることができる。それにより低温、簡便、安価なプロセスで良好かつ安定したトランジスタ特性を示すスイッチング素子が得られる。
摘要翻译：本发明提供了一种在有源层中使用碳纳米管（CNT）分散膜并且可在低温下产生的开关元件，其可以解决常规开关元件的问题，由于CNT与栅极表面之间的相互作用不令人满意绝缘膜，固定在通道区域中的CNT的量不令人满意，导致不均匀的均匀性。在本发明的开关元件中，栅绝缘膜由其主链上具有芳基和取代或未取代的具有2个以上碳原子的亚烷基或亚烷基氧基作为重复单元的非共轭聚合物材料形成。上述结构可以增强CNT与栅极绝缘膜的表面之间的相互作用，同时保持栅极绝缘膜的柔性，并且可以增加固定在沟道区中的CNT的量，由此具有良好且稳定的晶体管特性的开关元件可以是由低温，简单，廉价的工艺生产。

7. 发明申请

WO2007094164A1 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法审中-公开
标题翻译：有机薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：WO2007094164A1
公开(公告)日：2007-08-23
申请号：PCT/JP2007/051444
申请日：2007-01-30
申请人：日本電気株式会社 , 東口達 , 遠藤浩幸
发明人：東口達 , 遠藤浩幸
IPC分类号： H01L29/80 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30
CPC分类号： H01L51/055 , B82Y10/00 , H01L51/0048
摘要：　低温で製造可能なＳＩＴ型有機薄膜トランジスタ素子は有機半導体を用いた高速駆動可能な有機トランジスタとして期待されているが、ｏｆｆ電流を低減し十分かつ安定なｏｎ／ｏｆｆ比を得るために必要な微小チャネル構造を形成するのが困難であるという問題点があった。　本発明のＳＩＴ型有機薄膜トランジスタにおいてはゲート電極がワイヤー状の導電性材料が多数配置されてなる導電性層として形成され、ワイヤー間の空隙中のいずれの点においても最近接のワイヤーまでの距離が１００ｎｍ以下である、あるいはゲート電極間の半導体部（Ｂ）の長方形断面が短辺２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、長辺２μｍ以上の大きさを有する。これにより低温でかつ簡便、低コストに高速駆動性、高ｏｎ／ｏｆｆ比、高制御性を同時に有する有機薄膜トランジスタを得ることができる。
摘要翻译：可以在低温下制造的SIT型有机薄膜晶体管元件预期是使用有机半导体的能够进行高速驱动的有机晶体管。然而，存在难以形成减少OFF电流所需的微通道结构并获得足够稳定的ON / OFF比的问题。本发明提供了一种SIT型有机薄膜晶体管，其中栅电极形成为导电层，其中大量的线状导电材料以这样的方式布置，使得距离最近导线的距离在任何点之间的间隔或者栅电极之间的半导体部分（B）之间具有由20nm至200nm范围内的短边形成的矩形横截面和不小于2μm的较长边。这提供了可以在低温，低成本，高速驱动能力，高ON / OFF比和高可控性方面容易地制造的有机薄膜晶体管。

8. 发明申请

WO2008029674A1 有機発光トランジスタ及び表示装置审中-公开
标题翻译：有机发光晶体管和显示器
公开(公告)号：WO2008029674A1
公开(公告)日：2008-03-13
申请号：PCT/JP2007/066646
申请日：2007-08-28
申请人：パイオニア株式会社 , 大日本印刷株式会社 , 日本電気株式会社 , 中村健二 , 秦拓也 , 吉澤淳志 , 小幡勝也 , 遠藤浩幸
发明人：中村健二 , 秦拓也 , 吉澤淳志 , 小幡勝也 , 遠藤浩幸
IPC分类号： H01L51/50 , H05B33/10 , H05B33/22
CPC分类号： H01L51/0545 , H01L51/0073 , H01L51/0081 , H01L51/0554 , H01L51/057 , H01L51/5088 , H01L51/52 , H01L51/5203 , H01L51/5296 , H05B33/22
摘要：　有機発光トランジスタは、ソース電極層に対向するドレイン電極層と、ソース電極層及びドレイン電極層の間に形成された有機発光層と、有機発光層及びソース電極層の間に形成された半導体層と、ソース電極層におけるドレイン電極層と対向している面の反対側にゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極層と、を有する有機発光トランジスタであって、有機発光層及びソース電極層の間に形成されかつ開口を有する電荷規制層と、電荷規制層及びソース電極層の間に形成されかつソース電極層から前記開口へ電荷を中継する中継領域と、を有する。
摘要翻译：公开了一种有机发光晶体管，其包括面对源电极层的漏电极层，形成在源电极层和漏电极层之间的有机发光层，形成在有机发光层和源极电极层和通过栅极绝缘膜布置在与源极电极层相对的一侧的源电极层侧的栅电极层。有机发光晶体管还包括形成在有机发光层和源电极层之间并具有开口的电荷控制层，以及形成在电荷控制层和源电极层之间的中继区，用于将电荷从源电极层到开口。

9. 发明申请

WO2007086520A1 有機発光トランジスタ素子及びその製造方法审中-公开
标题翻译：有机发光晶体管元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2007086520A1
公开(公告)日：2007-08-02
申请号：PCT/JP2007/051300
申请日：2007-01-26
申请人：大日本印刷株式会社 , パイオニア株式会社 , 日本電気株式会社 , 小幡勝也 , 半田晋一 , 秦拓也 , 中村健二 , 吉澤淳志 , 遠藤浩幸
发明人：小幡勝也 , 半田晋一 , 秦拓也 , 中村健二 , 吉澤淳志 , 遠藤浩幸
IPC分类号： H01L51/50 , G09F9/30 , H01L27/32
CPC分类号： H01L51/52 , H01L27/3244 , H01L51/0037 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/0508 , H01L51/0541 , H01L51/5203 , H01L51/5296
摘要：　本発明は、基板と、前記基板の上面側に設けられた第１電極層と、前記第１電極層の上面側に局所的に平面視で所定の大きさで設けられた、絶縁層と補助電極層と電荷注入抑制層とを当該順に有する積層構造体と、少なくとも前記積層構造体が設けられていない前記第１電極層の上面側に設けられた有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層の上面側に設けられた第２電極層と、を備えたことを特徴とする有機発光トランジスタ素子である。
摘要翻译：有机发光晶体管元件的特征在于，元件设置有基板; 布置在所述基板的上侧的第一电极层; 层叠结构，其在第一电极层的上侧的平面图中以规定尺寸局部排列，并且依次具有绝缘层，辅助电极层和电荷注入抑制层; 布置在第一电极层的上侧的有机EL层，因此至少不布置层叠结构; 以及布置在有机EL层的上侧的第二电极层。

10. 发明申请

WO2007086561A1 有機発光トランジスタ素子及びその製造方法审中-公开
标题翻译：有机发光晶体管器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2007086561A1
公开(公告)日：2007-08-02
申请号：PCT/JP2007/051391
申请日：2007-01-29
申请人：大日本印刷株式会社 , パイオニア株式会社 , 日本電気株式会社 , 小幡勝也 , 半田晋一 , 秦拓也 , 中村健二 , 吉澤淳志 , 遠藤浩幸
发明人：小幡勝也 , 半田晋一 , 秦拓也 , 中村健二 , 吉澤淳志 , 遠藤浩幸
IPC分类号： H05B33/10 , G09F9/30 , H01L27/32 , H01L51/50 , H05B33/22 , H05B33/26
CPC分类号： H01L51/5296 , H01L51/057 , H01L51/5096
摘要：　本発明は、基板と、前記基板の上面側に設けられた第１電極層と、前記第１電極層の上面側に局所的に所定の大きさで設けられた、絶縁層と補助電極層と電荷注入抑制層とを当該順に有する積層構造体と、少なくとも前記積層構造体が設けられていない前記第１電極層の上面側に設けられた有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層の上面側に設けられた第２電極層と、を備え、前記電荷注入抑制層は、前記補助電極よりも平面視で大きな形状で設けられていることを特徴とする有機発光トランジスタ素子である。
摘要翻译：公开了一种有机发光晶体管器件，其包括基板，形成在基板的上侧的第一电极层，在第一电极层的上侧局部地以预定尺寸形成并且依次具有绝缘层的多层结构，辅助电极层和电荷注入抑制层，形成在第一电极层的至少没有形成多层结构的上侧的有机EL层和形成在上侧的第二电极层的有机EL层。该有机发光晶体管器件的特征在于，当在平面图中观察时，电荷注入抑制层形成为大于辅助电极。

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