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1. 发明申请

WO2017038944A1 有機薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタの製造方法、有機半導体組成物、有機半導体膜および有機半導体膜の製造方法审中-公开
标题翻译：有机薄膜晶体管，有机薄膜晶体管制造方法，有机半导体组合物，有机半导体薄膜和有机半导体薄膜制造方法
公开(公告)号：WO2017038944A1
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：PCT/JP2016/075700
申请日：2016-09-01
申请人：富士フイルム株式会社
发明人：山本　陽介 , 滝沢　裕雄 , 滋野井　悠太 , 玉國　史子 , 後藤　崇 , 渡邉　哲也
IPC分类号： H01L51/30 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC分类号： H01L51/0043 , C08G61/12 , H01L29/786 , H01L51/0003 , H01L51/0036 , H01L51/0038 , H01L51/0041 , H01L51/05 , H01L51/0529
摘要：本発明の課題は、高いキャリア移動度および低い閾値電圧を示しつつ、耐熱性に優れた有機薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタの製造方法、有機半導体組成物、有機半導体膜および有機半導体膜の製造方法を提供することである。本発明の有機薄膜トランジスタは、基板上に、ゲート電極と、有機半導体化合物を含有する有機半導体層と、ゲート電極と有機半導体層との間に設けられたゲート絶縁層と、有機半導体層に接して設けられ、有機半導体層を介して連結されたソース電極及びドレイン電極とを有する有機薄膜トランジスタであって、有機半導体層が、ブロック共重合体からなるブロック共重合体層に接する、または、ブロック共重合体をさらに含有し、有機半導体化合物が、分子量２０００以上で、かつ、式（１）で表される繰り返し単位を有する。
摘要翻译：本发明解决了提供以下问题：表现出高载流子迁移率和低阈值电压并且耐热性优异的有机薄膜晶体管; 一种有机薄膜晶体管的制造方法; 有机半导体组合物; 有机半导体膜; 和有机半导体膜制造方法。该有机薄膜晶体管在基板上包括：栅电极; 含有有机半导体化合物的有机半导体层; 设置在所述栅极电极和所述有机半导体层之间的栅极绝缘层; 以及源极电极和漏极电极，其与有机半导体层接触并且经由有机半导体层连接。有机半导体层与由嵌段共聚物形成的嵌段共聚物层接触，或者还含有嵌段共聚物。有机半导体化合物的分子量至少为2000，并且包括由式（1）表示的重复单元。

2. 发明申请

WO2014183418A1 有机薄膜晶体管及其制备方法审中-公开
公开(公告)号：WO2014183418A1
公开(公告)日：2014-11-20
申请号：PCT/CN2013/088130
申请日：2013-11-29
申请人：京东方科技集团股份有限公司
发明人：王向华 , 熊贤风 , 刘则 , 邱龙臻
IPC分类号： H01L51/05 , H01L51/40
CPC分类号： H01L51/0533 , H01L51/0005 , H01L51/0529 , H01L51/0545 , H01L51/105
摘要：一种有机薄膜晶体管及其制备方法。该有机薄膜晶体管包括基板，形成在所述基板上的栅电极层（21）和源漏电极层（24）；在源漏电极层（24）的源漏电极之间形成有有机半导体层（25）；以及形成在所述栅电极层（21）和有机半导体层（25）之间且由有机聚合物材料制成的有机绝缘层（23）。

3. 发明申请

WO2009044614A1 有機半導体装置审中-公开
标题翻译：有机半导体器件
公开(公告)号：WO2009044614A1
公开(公告)日：2009-04-09
申请号：PCT/JP2008/066517
申请日：2008-09-12
申请人：ローム株式会社 , 奥良彰
发明人：奥良彰
IPC分类号： H01L29/786 , H01L51/05
CPC分类号： H01L51/0529 , H01L51/0545 , H01L51/105
摘要：　低電圧駆動，高駆動電流の有機薄膜トランジスタを有する集積化に適した有機半導体装置を提供する。　基板（１０）と、基板（１０）上に配置されたゲート電極（１２）と、ゲート電極（１２）上に配置された　第１ゲート絶縁膜（１５）と、第１ゲート絶縁膜（１５）上に配置された第２ゲート絶縁膜（１７）と、第２ゲート絶縁膜（１７）上に配置され,第１金属層（１６,１８）と第２金属層（２０,２２）の積層構造からなるソース電極（１６,２０）およびドレイン電極（１８,２２）と、ソース電極（１６,２０）とドレイン電極（１８,２２）間であってゲート絶縁膜（１７）上に配置された有機半導体層（２４）とを備える有機薄膜トランジスタを備え、第１ゲート絶縁膜（１５）は第２ゲート絶縁膜（１７）よりも高誘電率の絶縁膜で構成され、第２ゲート絶縁膜（１７）は第１ゲート絶縁膜（１５）よりも薄いシリコン酸化膜で構成されて,全体として積層型ゲート絶縁膜構造を有する。
摘要翻译：提供一种适用于通过具有低电压驱动的有机薄膜晶体管和高驱动电流来进行集成的有机半导体器件。有机半导体器件设置有有机薄膜晶体管。薄膜晶体管设置有基板（10）; 布置在所述基板（10）上的栅电极（12）。布置在栅电极（12）上的第一栅极绝缘膜（15）; 布置在所述第一栅极绝缘膜上的第二栅极绝缘膜; 源极电极（16,20）和布置在第二栅极绝缘膜（17）上的漏电极（18,22），并且由第一金属层（16,18）和第二金属层（20,22）的层叠结构构成， ; 以及布置在栅极绝缘膜（17）上的源电极（16,20）和漏电极（18,22）之间的有机半导体层（24）。第一栅极绝缘膜（15）由介电常数高于第二栅极绝缘膜（17）的绝缘膜构成，第二栅极绝缘膜（17）由比第一栅极绝缘膜（17）薄的氧化硅膜构成栅极绝缘膜（15）和层叠型栅极绝缘膜结构。

4. 发明申请

WO2009013291A2 FIELD EFFECT ELEMENTS 审中-公开
标题翻译：场效应元素
公开(公告)号：WO2009013291A2
公开(公告)日：2009-01-29
申请号：PCT/EP2008/059598
申请日：2008-07-22
申请人： BASF SE , HENNIG, Ingolf , DÖTZ, Florian , ECKERLE, Peter , PARASHKOV, Radoslav , KASTLER, Marcel , VAIDYANATHAN, Subramanian
发明人： HENNIG, Ingolf , DÖTZ, Florian , ECKERLE, Peter , PARASHKOV, Radoslav , KASTLER, Marcel , VAIDYANATHAN, Subramanian
IPC分类号： H01L51/30
CPC分类号： H01L51/052 , H01L51/0529
摘要： A field effect element comprising: a source electrode (6) and a drain-electrode (7), a semiconducting layer (2) comprising a semiconducting compound being in contact with the source electrode (6) and the drain electrode (7), - a gate electrode (5), and a dielectric layer (3) comprising one or more compounds selected from hygroscopic organic compounds and/or from nanoparticulate inorganic compounds being arranged between the semiconducting layer (2) and the gate electrode (5), wherein said hygroscopic organic compounds have a water absorption capability of more than 1.2 % by weight, and a hydrophobic insulating layer (4) being arranged between the gate electrode (5) and the dielectric layer (3) preventing diffusion of water into the one or more hygroscopic compounds of the dielectric layer during the time of use of the field effect element, said hydrophobic insulating layer (4) having a water absorption capability of less than 1.2 % by weight, the semiconducting layer (2), the dielectric layer (3) or the hydrophobic insulating layer (4), or a combination thereof, being disposable from a liquid; and a process for producting the same.
摘要翻译：一种场效应元件，包括：源极（6）和漏电极（7）;包含与源电极（6）和漏电极（7）接触的半导体化合物的半导体层（2）栅电极（5）和包含一种或多种选自吸湿有机化合物和/或从纳米颗粒无机化合物组成的化合物的电介质层（3），其布置在半导电层（2）和栅电极（5）之间，其中所述吸湿性有机化合物具有大于1.2重量％的吸水能力，并且在栅电极（5）和电介质层（3）之间布置疏水绝缘层（4），防止水扩散到一个或多个吸湿性在场效应元件使用期间介电层的化合物，所述疏水绝缘层（4）的吸水能力小于1.2％（重量），半导体层（2），介电层 c层（3）或疏水绝缘层（4），或其组合，其是从液体中一次性的; 以及产品的制造过程。

5. 发明申请

WO2008096850A1 有機薄膜トランジスタ用絶縁膜材料及びこれを用いた有機薄膜トランジスタ审中-公开
标题翻译：有机薄膜晶体管绝缘膜材料及使用绝缘薄膜材料的有机薄膜晶体管
公开(公告)号：WO2008096850A1
公开(公告)日：2008-08-14
申请号：PCT/JP2008/052127
申请日：2008-02-08
申请人：日立化成工業株式会社 , 星陽介 , 神代恭 , 山本和徳 , 森下芳伊
发明人：星陽介 , 神代恭 , 山本和徳 , 森下芳伊
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/312 , H01L51/05 , H01L51/30
CPC分类号： H01L51/0529 , H01L51/052 , H01L51/0537 , H01L51/0545
摘要：本発明は、分子内にエポキシ基を２つ以上有する化合物を含有してなる有機薄膜トランジスタ用絶縁膜材料、好ましくは、分子内にエポキシ基を２つ以上有する化合物を含有してなるｎチャネル型又はアンバイポーラ型有機薄膜トランジスタ用絶縁膜材料に関する。
摘要翻译：提供一种用于有机薄膜晶体管的绝缘膜材料，其包含分子中具有两个或更多个环氧基的化合物，优选为n沟道型或非双极型有机薄膜晶体管的绝缘膜材料，其中含有颗粒中具有两个以上环氧基的化合物。

6. 发明申请

WO2007099690A1 有機トランジスタ及びその製造方法审中-公开
标题翻译：有机晶体管及其制造方法
公开(公告)号：WO2007099690A1
公开(公告)日：2007-09-07
申请号：PCT/JP2006/326094
申请日：2006-12-27
申请人：パイオニア株式会社 , 大田悟
发明人：大田悟
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/312 , H01L51/05 , H01L51/30
CPC分类号： H01L51/0529 , H01L21/02123 , H01L21/022 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/312 , H01L21/3125 , H01L51/052 , H01L51/0545
摘要：【課題】ゲート電極からのリーク電流を低減することができる有機トランジスタを提供する。【解決手段】基板１、一対のソース電極４とドレイン電極５、ソース電極４とドレイン電極５間に設けられる有機半導体層６、及び有機半導体層６にゲート絶縁層３を介して設けられるゲート電極２を備える有機トランジスタであって、ゲート絶縁層３は有機絶縁層３ａ及び無機バリア層３ｂを少なくとも含む積層構造であることを特徴とする有機トランジスタ。
摘要翻译：提供一种其中来自栅电极的漏电流减小的有机晶体管。有机晶体管设置有基板（1）; 一对源电极（4）和漏电极（5）; 布置在源电极（4）和漏极电极（5）之间的有机半导体层（6）; 和布置在有机半导体层（6）上的栅电极（2），栅极绝缘层（3）之间。栅绝缘层（3）具有至少包含有机绝缘层（3a）和有机阻挡层（3b）的叠层结构。

7. 发明申请

WO2007075748A2 INTERCALATED SUPERLATTICE COMPOSITIONS AND RELATED METHODS FOR MODULATING DIELECTRIC PROPERTY 审中-公开
标题翻译：介电超声波组合物及相关方法用于调制介电性能
公开(公告)号：WO2007075748A2
公开(公告)日：2007-07-05
申请号：PCT/US2006048529
申请日：2006-12-20
申请人： UNIV NORTHWESTERN , MARKS TOBIN J , FACCHETTI ANTONIO
发明人： MARKS TOBIN J , FACCHETTI ANTONIO
IPC分类号： B05D1/36
CPC分类号： H01L51/0529 , B82Y30/00 , H01L51/052 , H01L51/0533 , H01L51/0545 , H01L51/0579 , Y10T428/31536 , Y10T428/31663
摘要： Compositions, methods of using inorganic moieties for dielectric modulation, and related device structures.
摘要翻译：组合物，使用无机部分进行介电调制的方法以及相关的器件结构。

8. 发明申请

WO2007039539A3 ACTIVE SEMICONDUCTOR DEVICES 审中-公开
标题翻译：主动半导体器件
公开(公告)号：WO2007039539A3
公开(公告)日：2007-06-07
申请号：PCT/EP2006066826
申请日：2006-09-28
申请人： BASF AG , DOETZ FLORIAN , HENNIG INGOLF , KATZ HOWARD E , REICHMANIS ELSA , VAIDYANATHAN SUBRAMANIAN
发明人： DOETZ FLORIAN , HENNIG INGOLF , KATZ HOWARD E , REICHMANIS ELSA , VAIDYANATHAN SUBRAMANIAN
IPC分类号： H01L51/05
CPC分类号： H01L51/052 , H01L51/0529 , Y10T428/31931
摘要： Apparatus including a support body; an organic semiconductor composition body on the support body,- and a first body including a hydrogenated vinylaromatic-diene block copolymer on the organic semiconductor composition body. Apparatus including a support body,- a first body including a hydrogenated vinylaromatic-diene block copolymer on the support body; and an organic semiconductor composition body on the first body. Techniques for making an apparatus.
摘要翻译：装置包括支撑体; 在所述支撑体上的有机半导体组合物体，以及在所述有机半导体组合物主体上具有氢化乙烯基芳族二烯嵌段共聚物的第一体。包括支撑体的装置， - 在支撑体上包括氢化的乙烯基芳族二烯嵌段共聚物的第一体; 和有机半导体组合物体。制造装置的技术。

9. 发明申请

WO2006104665A1 POLYMERIC GATE DIELECTRICS FOR THIN FILM TRANSISTORS 审中-公开
标题翻译：用于薄膜晶体管的聚合物栅极电介质
公开(公告)号：WO2006104665A1
公开(公告)日：2006-10-05
申请号：PCT/US2006/008496
申请日：2006-03-09
申请人： EASTMAN KODAK COMPANY , YANG, Zhihao , FREEMAN, Diane, Carol , JASEK, Amy, Elizabeth , NELSON, Shelby, Forrester
发明人： YANG, Zhihao , FREEMAN, Diane, Carol , JASEK, Amy, Elizabeth , NELSON, Shelby, Forrester
IPC分类号： H01L51/05
CPC分类号： H01L51/052 , H01L51/0052 , H01L51/0529 , H01L51/0545
摘要： A thin film transistor comprises a layer of organic semiconductor material and spaced apart first and second contact means or electrodes in contact with said material. A multilayer dielectric comprises a first dielectric layer having a thickness of 200 nm to 500 nm, in contact with the gate electrode and a second dielectric layer in contact with the organic semiconductor material, and wherein the first dielectric layer comprise a continuous first polymeric material having a relatively higher dielectric constant less than 10 and the second dielectric layer comprises a continuous second non-fluorinated polymeric material having a relatively lower dielectric constant greater than 2.3. Further disclosed is a process for fabricating such a thin film transistor device, preferably by sublimation or solution-phase deposition onto a substrate, wherein the substrate temperature is no more than 100°C.
摘要翻译：薄膜晶体管包括有机半导体材料层和间隔开的与所述材料接触的第一和第二接触装置或电极。多层电介质包括与栅电极接触的厚度为200nm至500nm的第一电介质层和与有机半导体材料接触的第二电介质层，并且其中第一介电层包括具有相对较高的介电常数小于10，第二介电层包括具有大于2.3的较低介电常数的连续的第二非氟化聚合材料。进一步公开的是制造这种薄膜晶体管器件的方法，优选通过升华或溶液相沉积到衬底上，其中衬底温度不超过100℃。

10. 发明申请

WO2006098859A1 SEMICONDUCTORS CONTAINING PERFLUOROETHER ACYL OLIGOTHIOPHENE COMPOUNDS 审中-公开
标题翻译：含有全氟代乙酰胆碱酯化合物的半导体
公开(公告)号：WO2006098859A1
公开(公告)日：2006-09-21
申请号：PCT/US2006/006545
申请日：2006-02-23
申请人： 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY
发明人： GERLACH, Christopher P. , ENDER, David A. , VOGEL, Dennis E.
IPC分类号： C08G61/12 , C07D333/22 , C07D333/28 , H01L51/00
CPC分类号： H01L51/0036 , B82Y30/00 , C07D333/22 , C07D333/28 , H01L51/0068 , H01L51/0529 , H01L51/0545
摘要： Semiconductor devices are described that include a semiconductor layer that comprises a perfluoroether acyl oligothiophene compound, preferably an α,ω-bis-perfluoroether acyl oligothiophene compound. Additionally, methods of making semiconductor devices are described that include depositing a semiconductor layer that contains a perfluoroether acyl oligothiophene compound, preferably an α,ω-bis(2- perfluoroether acyl oligothiophene compound.
摘要翻译：描述了包括半导体层的半导体器件，该半导体层包含全氟醚酰基低聚噻吩化合物，优选α，β-双 - 全氟醚酰基低聚噻吩化合物。此外，描述了制造半导体器件的方法，其包括沉积包含全氟醚酰基低聚噻吩化合物，优选α，β-双（2-全氟醚酰基低聚噻吩化合物）的半导体层。

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