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1. 发明申请

WO2006126319A1 高電子移動度トランジスタ、電界効果トランジスタ、エピタキシャル基板、エピタキシャル基板を作製する方法およびIII族窒化物系トランジスタを作製する方法审中-公开
标题翻译：高电子移动性晶体管，场效应晶体管，外延基板，制造外延基板的方法和制造第III族氮化物晶体管的方法
公开(公告)号：WO2006126319A1
公开(公告)日：2006-11-30
申请号：PCT/JP2006/304043
申请日：2006-03-03
申请人：住友電気工業株式会社 , 橋本信 , 木山誠 , 櫻田隆 , 田辺達也 , 三浦広平 , 宮崎富仁
发明人：橋本信 , 木山誠 , 櫻田隆 , 田辺達也 , 三浦広平 , 宮崎富仁
IPC分类号： H01L21/338 , H01L21/205 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/66462
摘要：　高純度なチャネル層および高抵抗のバッファ層を有する高電子移動度トランジスタを提供する。　高電子移動度トランジスタ１１は、窒化ガリウムからなる支持基体１３と、第１の窒化ガリウム系半導体からなるバッファ層１５と、第２の窒化ガリウム系半導体からなるチャネル層１７と、第３の窒化ガリウム系半導体からなる半導体層１９と、当該トランジスタ１１のための電極構造（ゲート電極２１、ソース電極２３およびドレイン電極２５）とを備える。第３の窒化ガリウム系半導体のバンドギャップは第２の窒化ガリウム系半導体のバンドギャップより大きい。第１の窒化ガリウム系半導体の炭素濃度ＮＣ１は４×１０１７ｃｍ -３以上である。第２の窒化ガリウム系半導体の炭素濃度ＮＣ２は４×１０１６ｃｍ -３未満である。
摘要翻译：公开了具有高纯度沟道层和高电阻缓冲层的高电子迁移率晶体管。具体公开了一种高电子迁移率晶体管（11），包括由氮化镓构成的支撑基底（13），由第一氮化镓半导体构成的缓冲层（15），由第二氮化镓构成的沟道层（17）氮化镓半导体，由第三氮化镓半导体构成的半导体层（19）和用于晶体管（11）的电极结构（栅电极（21），源电极（23）和漏电极（25）），。第三氮化镓半导体的带隙大于第二氮化镓半导体的带隙。第一氮化镓半导体中的碳浓度N c1 <3，不小于4×10 17 cm -3，并且碳浓度N < 第二氮化镓半导体中的SUB> c2 <3>小于4×10 16 cm -3。

2. 发明申请

WO2006098167A1 III族窒化物半導体素子およびエピタキシャル基板审中-公开
标题翻译： III族氮化物半导体器件和外延衬底
公开(公告)号：WO2006098167A1
公开(公告)日：2006-09-21
申请号：PCT/JP2006/304095
申请日：2006-03-03
申请人：住友電気工業株式会社 , 田辺達也 , 木山誠 , 三浦広平 , 櫻田隆
发明人：田辺達也 , 木山誠 , 三浦広平 , 櫻田隆
IPC分类号： H01L21/338 , H01L21/205 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC分类号： H01L29/66462 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02587 , H01L29/7787
摘要：　ショットキ電極からのリーク電流が低減されるIII族窒化物半導体素子を提供する。　高電子移動度トランジスタ１では、支持基体３は、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＮからなる。ＡｌＹＧａ１-ＹＮエピタキシャル層５は、０．２５ｎｍ以下の表面ラフネス（Ｒｍｓ）を有しており、この表面ラフネスは１μｍ角のエリアによって規定される。ＧａＮエピタキシャル層７は、ＡｌＹＧａ１-ＹＮ支持基体３とＡｌＹＧａ１-ＹＮエピタキシャル層５との間に設けられる。ショットキ電極９は、ＡｌＹＧａ１-ＹＮエピタキシャル層５上に設けられる。第１のオーミック電極１１は、ＡｌＹＧａ１-ＹＮエピタキシャル層５上に設けられる。第２のオーミック電極１３は、ＡｌＹＧａ１-ＹＮエピタキシャル層５上に設けられる。第１および第２のオーミック電極１１、１３の一方はソース電極であり、また他方はドレイン電極である。ショットキ電極９は、高電子移動度トランジスタ１のゲート電極である。
摘要翻译：公开了一种III族氮化物半导体器件，其中来自肖特基电极的漏电流减小。在高电子迁移率晶体管（1）中，支撑衬底（3）由AlN，AlGaN和GaN构成。 Al钇Y 1 -Y N外延层（5）的表面粗糙度（Rms）不大于0.25nm，该表面粗糙度由1 μm正方形面积。在Al钇Y 1 -Y N支撑衬底（3）和Al钇Ga衬底（3）之间形成GaN外延层（7） SUB-1-N N外延层（5）。在Al Y 1 Ga 1-Y N外延层（5）上形成肖特基电极（9）。在Al Y 1 Ga 1-Y N外延层（5）上形成第一欧姆电极（11），在第二欧姆电极（13）上形成第二欧姆电极 Al钇1-Y N外延层（5）。第一和第二欧姆电极（11,13）中的一个是源电极，另一个是漏电极。肖特基电极（9）是高电子迁移率晶体管（1）的栅电极。

3. 发明申请

WO2006100897A1 III族窒化物半導体素子およびエピタキシャル基板审中-公开
标题翻译：第III族氮化物半导体器件和外延衬底
公开(公告)号：WO2006100897A1
公开(公告)日：2006-09-28
申请号：PCT/JP2006/304262
申请日：2006-03-06
申请人：住友電気工業株式会社 , 田辺達也 , 三浦広平 , 木山誠 , 櫻田隆
发明人：田辺達也 , 三浦広平 , 木山誠 , 櫻田隆
IPC分类号： H01L21/338 , H01L21/205 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L29/2003
摘要：　ショットキ電極からのリーク電流が低減されるIII族窒化物半導体素子を提供する。　高電子移動度トランジスタ１１では、支持基体１３は、具体的には、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＮからなる。ＡｌＹＧａ１-ＹＮエピタキシャル層１５は、１５０ｓｅｃ以下である（０００２）面ＸＲＤの半値全幅を有する。ＧａＮエピタキシャル層１７は、窒化ガリウム支持基体とＡｌＹＧａ１-ＹＮエピタキシャル層（０＜Ｙ≦１）との間に設けられる。ショットキ電極１９は、ＡｌＹＧａ１-ＹＮエピタキシャル層１５上に設けられる。ショットキ電極１９は、高電子移動度トランジスタ１１のゲート電極である。ソース電極２１は、窒化ガリウムエピタキシャル層１５上に設けられる。ドレイン電極２３は、窒化ガリウムエピタキシャル層１５上に設けられる。
摘要翻译：公开了一种III族氮化物半导体器件，其中来自肖特基电极的漏电流减小。在高电子迁移率晶体管（11）中，支撑衬底（13）特别地由AlN，AlGaN和GaN构成。 Al（Y）Y 1 -Y N N外延层（15）的（0002）面XRD的半峰全宽不超过150秒。在氮化镓支撑衬底和Al钇Ga 1-Y N外延层（0

4. 发明申请

WO2006093174A1 縦型窒化ガリウム半導体装置およびエピタキシャル基板审中-公开
标题翻译：立式氮化镓半导体器件和外延衬底
公开(公告)号：WO2006093174A1
公开(公告)日：2006-09-08
申请号：PCT/JP2006/303828
申请日：2006-03-01
申请人：住友電気工業株式会社 , 橋本信 , 木山誠 , 田辺達也 , 三浦広平 , 櫻田隆
发明人：橋本信 , 木山誠 , 田辺達也 , 三浦広平 , 櫻田隆
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/47 , H01L29/78 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L29/0878 , H01L29/2003 , H01L29/8611 , H01L29/872
摘要：　所望の低キャリア濃度を有するｎ - 型窒化ガリウム膜をｎ型窒化ガリウム基板上に実現できる構造を有する縦型窒化ガリウム半導体装置のためのエピタキシャル基板を提供する。　窒化ガリウムエピタキシャル膜６５は、窒化ガリウム基板６３上に設けられている。層状領域６７が、窒化ガリウム基板６３および窒化ガリウムエピタキシャル膜６５内に設けられている。窒化ガリウム基板４３および窒化ガリウムエピタキシャル膜６５の界面は層状領域６７内に位置している。層状領域６７では、窒化ガリウム基板６３から窒化ガリウムエピタキシャル膜６５へ向かう軸に沿ったドナー不純物が１×１０１８ｃｍ -３以上のピーク値である。ドナー不純物は、シリコンおよびゲルマニウムの少なくともいずれかである。
摘要翻译：本发明提供了一种用于垂直氮化镓半导体器件的外延衬底，其具有能够实现在n型氮化镓衬底上具有期望的低载流子浓度的n + 氮化镓外延膜（65）设置在氮化镓衬底（63）上。在氮化镓衬底（63）和氮化镓外延膜（65）内设置一个层区（67）。氮化镓衬底（63）和氮化镓外延膜（65）的界面位于层区（67）内。在层区域（67）中，沿着从氮化镓基板（63）到氮化镓外延膜（65）的轴的施主杂质的峰值为1×10 18 厘米^{-3 。施主杂质是硅和锗中的至少任一种。}

5. 发明申请

WO2009057601A1 III族窒化物電子デバイス及びIII族窒化物半導体エピタキシャル基板审中-公开
标题翻译： III硝基电子器件和III型氮化物半导体外延衬底
公开(公告)号：WO2009057601A1
公开(公告)日：2009-05-07
申请号：PCT/JP2008/069564
申请日：2008-10-28
申请人：住友電気工業株式会社 , 橋本信 , 田辺達也
发明人：橋本信 , 田辺達也
IPC分类号： H01L21/338 , H01L21/28 , H01L29/47 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/205 , H01L21/02378 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/207 , H01L29/7787 , H01L29/872
摘要： III窒化物系ヘテロ接合トランジスタ１１ａでは、第２のＡｌＹ１ＩｎＹ２Ｇａ１－Ｙ１－Ｙ２Ｎ層１５は、第１のＡｌＸ１ＩｎＸ２Ｇａ１－Ｘ１－Ｘ２Ｎ層１３ａとヘテロ接合２１を成す。第１の電極１７は、第１のＡｌＸ１ＩｎＸ２Ｇａ１－Ｘ１－Ｘ２Ｎ層１３ａにショットキ接合を成す。第１のＡｌＸ１ＩｎＸ２Ｇａ１－Ｘ１－Ｘ２Ｎ層１３ａ及び第２のＡｌＹ１ＩｎＹ２Ｇａ１－Ｙ１－Ｙ２Ｎ層１５は、基板２３上に設けられている。電極１７ａ、１８ａ、１９ａは、それぞれ、ソース電極、ゲート電極及びドレイン電極を含む。第１のＡｌＸ１ＩｎＸ２Ｇａ１－Ｘ１－Ｘ２Ｎ層１３ａの炭素濃度ＮＣ１３は１×１０１７ｃｍ－３未満である。第２のＡｌＹ１ＩｎＹ２Ｇａ１－Ｙ１－Ｙ２Ｎ層１５の転位密度Ｄが１×１０８ｃｍ－２である。ヘテロ接合２１により、二次元電子ガス層２５が生成される。これによって、低損失な窒化ガリウム系電子デバイスを提供する。
摘要翻译：在III族氮化物异质结晶体管（11a）中，第二AlY1InY2Ga1-Y1-Y2N层（15）与第一Al X1 In X2 Ga 1-X1-X2 N层（13a）形成异质结（21）。第一电极（17）与第一AlX1InX2Ga1-X1-X2N层（13a）形成肖特基结。第一AlX1InX2Ga1-X1-X2N层（13a）和第二AlY1InY2Ga1-Y1-Y2N层（15）布置在基板（23）上。电极（17a，18a，19a）分别包括源电极，栅电极和漏电极。第一AlX1InX2Ga1-X1-X2N层（13a）的碳浓度（NC13）小于1×1017cm-3。第二AlY1InY2Ga1-Y1-Y2N层（15）的位错密度（D）为1×108cm-2。通过异质结（21）形成二维电子气层（25）。因此，提供了低损耗氮化镓电子器件。

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