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1. 发明申请

WO2009099217A1 太陽電池素子の製造方法および太陽電池素子审中-公开
标题翻译：生产太阳能电池元件和太阳能电池元件的工艺
公开(公告)号：WO2009099217A1
公开(公告)日：2009-08-13
申请号：PCT/JP2009/052109
申请日：2009-02-06
申请人：京セラ株式会社 , 新楽浩一郎 , 西村剛太 , 伊藤憲和 , 稲葉真一郎
发明人：新楽浩一郎 , 西村剛太 , 伊藤憲和 , 稲葉真一郎
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/03921 , C23C16/4488 , C23C16/50 , H01L21/2257 , H01L31/03762 , H01L31/076 , H01L31/077 , H01L31/202 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要：　素子特性が従来よりも向上したスーパーストレート型のａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜太陽電池を提供する。透明基板上に形成された透明導電膜の上にリンを付着させる工程と、透明導電膜の上にプラズマＣＶＤ法にてａ－Ｓｉ：Ｈからなるｐ型層、ｉ型層、およびｎ型層を順次に形成する工程とによって、太陽電池素子を形成する。リンの付着は、例えばリン含有ガスをプラズマ化することで行う。あるいは、プラズマＣＶＤ法によるｐ型層の形成開始時に、プラズマ励起電圧が印加されるものの透明基板が載置されないマージン領域に設けられたリン供給源を水素プラズマにてエッチングさせることで行う。好ましくは、ｉ型層におけるホウ素拡散範囲内におけるホウ素とリンの濃度差の算術平均値ΔＣａｖが、１．１×１０ 17 （ｃｍ -3 ）≦ΔＣａｖ≦１．６×１０ 17 （ｃｍ -3 ）以下となるように、リンの付着を制御する。
摘要翻译：公开了一种与常规太阳能电池元件相比具有改进的元件特性的超轻型a-Si：H薄膜太阳能电池元件。太阳能电池元件通过包括在设置在透明基板上的透明导电膜上沉积磷的步骤的方法制造，以及连续形成p型层，i型层和n型层的步骤 a-Si：H通过等离子体CVD在透明导电膜上。磷例如通过含磷气体的等离子体化来沉积。或者，可以通过等离子体CVD开始形成p型层来沉积磷，但是在施加等离子体激发电压的情况下，设置在不提供透明基板的边缘区域中的磷供给源，氢等离子体。优选地，控制磷的沉积，使得i型层中的硼扩散范围内的硼和磷之间的浓度差的算术平均值（ΔCav）为1.1×10 17（cm -3）=π Cav = 1.6×1017（cm-3）以下。

2. 发明申请

WO2006093089A1 多結晶シリコン基板、多結晶シリコンインゴット及びそれらの製造方法、光電変換素子、並びに光電変換モジュール审中-公开
标题翻译：多晶硅基质，多晶硅硅酸盐，其制造方法，光电转换器和光电转换模块
公开(公告)号：WO2006093089A1
公开(公告)日：2006-09-08
申请号：PCT/JP2006/303607
申请日：2006-02-27
申请人：京セラ株式会社 , 新楽浩一郎 , 後藤繁
发明人：新楽浩一郎 , 後藤繁
IPC分类号： H01L31/028 , C01B33/037
CPC分类号： H01L31/182 , C01B33/02 , C30B11/00 , C30B29/06 , H01L31/03682 , H01L31/04 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要：　多結晶シリコン基板中の不純物濃度に関して、ＳＩＭＳで分析したボロン濃度を［Ｂ］、ＦＴＩＲで分析した置換位置炭素濃度を［Ｃｓ］としたとき、基板端部１ｃｍ幅領域を除いた領域で、　［Ｂ］≧　１Ｅ１６[atoms/cm 3 ]　かつ　［Ｃｓ］≦　２Ｅ１７[atoms/cm 3 ] を満たす多結晶シリコン基板。Ｖｏｃ向上幅が従来よりも大きくなり、なおかつＪｓｃが大きく向上する。これによって、高効率な多結晶シリコン太陽電池が得られる。
摘要翻译：公开了其中含有的杂质浓度满足以下关系的多晶硅衬底：[B] = 1E16 [原子/ cm 3]，[Cs] = 2E17 [原子/ cm 3 当[B]是通过SIMS测定的硼浓度和[Cs]是由FTIR测定的替代碳浓度时，在基板的1cm宽边缘部分之外的区域中。该多晶硅衬底的Voc改进比常规的更大，而在Jsc中得到极大改善。这样的多晶硅基板能够获得高效率的多晶硅太阳能电池。

3. 发明申请

WO2005093855A1 太陽電池モジュール及びこれを用いた太陽光発電装置审中-公开
标题翻译：太阳能电池模块和光伏发电机使用这个
公开(公告)号：WO2005093855A1
公开(公告)日：2005-10-06
申请号：PCT/JP2005/006548
申请日：2005-03-29
申请人：京セラ株式会社 , 藤井修一 , 猪股洋介 , 坂元智成 , 新楽浩一郎 , 府川祐子 , 森田裕司 , 西浩二 , 屋敷達也 , 山下満雄 , 福井健次
发明人：藤井修一 , 猪股洋介 , 坂元智成 , 新楽浩一郎 , 府川祐子 , 森田裕司 , 西浩二 , 屋敷達也 , 山下満雄 , 福井健次
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： H01L31/0201 , H01L31/02013 , H01L31/022433 , H01L31/048 , H01L31/049 , H01L31/0504 , H01L31/0508 , Y02E10/50
摘要：本発明の太陽電池素子の受光面には、表面電極５が配設され、この表面電極５は、太陽電池素子で生じた光生成電流を外部へ取出すための３本のバスバー電極５ａと、これらのバスバー電極５ａに接続される集電用のフィンガー電極５ｂとを含んでなり、前記バスバー電極５ａはその幅が０．５ｍｍ以上２ｍｍ以下であり、かつ、前記フィンガー電極５ｂはその幅が０．０５ｍｍ以上０．１ｍｍ以下である。バスバー電極５ａの本数を増やすことにより、フィンガー電極５ｂの長さを短くすることによって、実質の抵抗値を下げ、高効率の太陽電池モジュールが得られる。
摘要翻译：表面电极（5）安装在太阳能电池元件的受光面上，表面电极（5）包括三条汇流条电极（5a），用于将在太阳能电池元件产生的光产生的电流回收到外部并收集连接到这些汇流条电极（5a）的指状电极（5b）和汇流条电极（5a）的宽度为0.5mm至2mm，并且指状电极（5b）的宽度为0.05mm至0.1mm。通过增加母线电极（5a）的数量，从而减小手指电极（5b）的长度，可以获得具有显着降低的电阻的高效太阳能电池模块。

4. 发明申请

WO2006126371A1 多結晶シリコン基板、多結晶シリコンインゴット、光電変換素子、及び光電変換モジュール审中-公开
标题翻译：多晶硅基质，多晶硅，光电转换元件和光电转换模块
公开(公告)号：WO2006126371A1
公开(公告)日：2006-11-30
申请号：PCT/JP2006/309043
申请日：2006-04-28
申请人：京セラ株式会社 , 新楽浩一郎
发明人：新楽浩一郎
IPC分类号： C01B33/02 , B22D25/04 , B22D27/04 , H01L31/04
CPC分类号： B22D27/04 , H01L31/03682 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要：　基板表面で少数キャリアライフタイムτが極小値を示す点を含む約３mmφの領域内において、所定の薬液処理をして顕在化するＳＧの平均直径が３００μｍ以上である多結晶シリコン基板を実現する。多結晶シリコン基板表面で少数キャリアライフタイムτが小さな値を示す低τ領域では、亜結晶粒（Ｓｕｂｇｒａｉｎ；ＳＧ）のサイズ（ＳＧ径）が小さいほどτも小さくなり、高品質基板となって、光電変換効率が高くなる。
摘要翻译：多晶硅衬底，其中在包括少数载流子寿命（t）在衬底表面上具有最小值的点的约3mm直径（f）的区域内，通过给定的化学溶液处理表现的亚晶格（SG）具有平均值直径为300μm以上。在多晶硅衬底表面具有少量载流子寿命（t）值的低T区域，晶粒子晶粒（SG）的尺寸（SG直径）越小，t值越小。因此，将导致高质量的基板，从而实现增强的光电转换效率。

5. 发明申请

WO2006104107A1 多結晶シリコン基板及びその製造方法、多結晶シリコンインゴット、光電変換素子、並びに光電変換モジュール审中-公开
标题翻译：多晶硅基板，其制造方法，多晶硅基板，光电转换器和光电转换模块
公开(公告)号：WO2006104107A1
公开(公告)日：2006-10-05
申请号：PCT/JP2006/306178
申请日：2006-03-27
申请人：京セラ株式会社 , 新楽浩一郎 , 後藤繁
发明人：新楽浩一郎 , 後藤繁
IPC分类号： H01L31/028 , C01B33/037
CPC分类号： C01B33/02 , C01B33/021 , C30B11/00 , C30B29/06 , H01L31/028 , H01L31/03682 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：　多結晶シリコン基板中の不純物濃度に関して、フーリエ変換赤外分光法で計測した格子間酸素濃度を［Ｏｉ］[atoms/cm 3 ]、二次イオン質量分析法で計測した全炭素濃度を［Ｃ］[atoms/cm 3 ]としたとき、　［Ｏｉ］≧２Ｅ１７[atoms/cm 3 ]　（条件１ａ）及び　［Ｃ］≦１Ｅ１７[atoms/cm 3 ]　（条件２）を満たす領域を含む多結晶シリコン基板。基板薄型化に対応した高い強度を持ち、かつ基板の品質がよく、光電変換効率が高い。低コスト、省資源かつ高効率な多結晶シリコン太陽電池を製造することができる。
摘要翻译：公开了具有其中包含的杂质浓度满足以下关系的区域的多晶硅衬底：[Oi] = 2E17 [原子/ cm 3]（在条件1a下），[C] = 1E17 [原子/ cm 3]（在条件2下）当O 1是通过傅里叶变换红外光谱确定的间隙氧浓度时，[C]是通过二次离子质谱法测定的总碳浓度。这种多晶硅衬底具有足够的薄的衬底的高强度，同时具有良好的质量和高的光电转换效率。这种多晶硅基板能够以低成本生产资源节约型，高效率的多晶硅太阳能电池。

6. 发明申请

WO2007010622A1 多結晶シリコン基板及びその製造方法、並びに光電変換素子及び光電変換モジュール审中-公开
标题翻译：多晶硅基板，其制造方法，光电转换元件和光电转换模块
公开(公告)号：WO2007010622A1
公开(公告)日：2007-01-25
申请号：PCT/JP2005/013506
申请日：2005-07-22
申请人：京セラ株式会社 , 吉田豊 , 新楽浩一郎 , 福井健次 , 白澤勝彦
发明人：吉田豊 , 新楽浩一郎 , 福井健次 , 白澤勝彦
IPC分类号： C01B33/02 , H01L31/04
CPC分类号： H01L31/182 , H01L31/077 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要：　光電変換素子用の多結晶シリコン基板であって、５７Ｆｅを用いたメスバウア法で、１０００°Cで分析したときに得られるスペクトルを波形分離して高速度側から順に現れた４つの成分をI、II、III、IVとしたとき、前記成分のピーク強度（高さ）が、III ＞ II、及び、III ＞ Iを満たす領域を基板中に有する多結晶シリコン基板。この多結晶シリコン基板を用いて得られる光電変換素子は、高い素子特性を有することが可能となる。
摘要翻译：光电转换元件用多晶硅基板通过MessBauer法使用57Fe进行1000℃的分析。通过对获得的光谱进行波形分离从高速侧获得的四个成分定义为I，II，III和IV，多晶硅基板具有其中各组分的峰值强度（高度）满足III> II 通过使用该多晶硅基板而获得的光电转换元件可以具有高的元件特性。

7. 发明申请

WO2006101200A1 光電変換素子とその製造方法、及びこれを用いた光電変換モジュール审中-公开
标题翻译：光电转换元件及其制造方法和使用其的光电转换模块
公开(公告)号：WO2006101200A1
公开(公告)日：2006-09-28
申请号：PCT/JP2006/305987
申请日：2006-03-24
申请人：京セラ株式会社 , 新楽浩一郎 , 坂元智成 , 松島徳彦
发明人：新楽浩一郎 , 坂元智成 , 松島徳彦
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/068 , H01L31/022425 , Y02E10/547
摘要：　ｐ型の結晶Ｓｉ半導体５と、結晶Ｓｉ半導体５と接合してｐｎ接合部を形成するためのｎ型半導体４と、ｎ型半導体４上に設けられた電極１と、ｐｎ接合部を挟んで結晶Ｓｉ半導体５側及びｎ型半導体４側に跨って形成される空乏領域１０と、を備えた光電変換素子。空乏領域１０のうち結晶Ｓｉ半導体５側の領域５ｂを、電極１の側から見たときにこの電極１の下にある第一空乏領域５ｂ１とそれ以外の第二空乏領域５ｂ２に区分すれば、少なくとも第一空乏領域５ｂ１中の酸素濃度は、１Ｅ１８[atoms/cm 3 ]以下となっている。電極１の焼成工程を経た太陽電池において、高特性・高歩留まりが得られる。
摘要翻译：一种光电转换元件，包括p型晶体Si半导体（5），n型半导体（4），用于通过将晶体Si半导体（5）接合而形成pn结部分，设置在n型半导体上的电极（1）型半导体（4）和形成在结晶Si半导体（5）和n型半导体（4）中的耗尽区（10）。在耗尽区域（10）中，当从电极（1）侧观察时，结晶Si半导体（5）中的区域（5b）被分为电极（1）下方的第一耗尽区域（5b1），第二耗尽区域区域（5b2），而不是第一耗尽区域。至少在第一耗尽区（5b1）中的氧浓度低于1E18 [原子/ cm 3]。具有电极（1）经受烧制的太阳能电池具有高特性和高产率。

8. 发明申请

WO2009096539A1 太陽電池素子および太陽電池素子の製造方法审中-公开
标题翻译：太阳能电池元件和太阳能电池元件制造方法
公开(公告)号：WO2009096539A1
公开(公告)日：2009-08-06
申请号：PCT/JP2009/051608
申请日：2009-01-30
申请人：京セラ株式会社 , 新楽浩一郎 , 岩目地和明 , 古茂田学
发明人：新楽浩一郎 , 岩目地和明 , 古茂田学
IPC分类号： H01L31/06 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：　簡易に作製可能で高効率の太陽電池素子及びその製造方法を提供する。一導電型を有する半導体基板の裏面側に絶縁層を形成する。絶縁層の一部を除去することにより半導体基板を露出させて複数の第一貫通孔を形成する。絶縁層の上と、複数の第一貫通孔において露出している半導体基板上とに、一導電型の第一の層を形成して、第一接合領域を形成する。第一の層と絶縁層との一部を除去することにより半導体基板を露出させて複数の第二貫通孔を形成する。第一の層の上と、複数の第二貫通孔において露出している半導体基板上とに、逆導電型の第二の層を形成して、第二接合領域を形成する。第一の層上に、複数の第一接合領域同士を接続する第一導電部を形成する。第二の層上に、複数の第二接合領域同士を接続する第二導電部を形成する。複数の第一貫通孔および複数の第二貫通孔は、レーザー光照射により形成する。
摘要翻译：可以提供一种易于制造的高效太阳能电池元件和太阳能电池元件的制造方法。在具有单向（第一方向）导电性的半导体衬底的后表面上形成绝缘层。绝缘层被部分去除以暴露半导体衬底并形成多个第一通孔。在绝缘层和暴露在第一通孔中的半导体衬底上形成第一方向电导率的第一层，从而形成第一接合区域。第一层和绝缘层被部分地去除以形成多个第二通孔。在第一层和第二通孔中露出的半导体衬底上形成第二层反向（第二方向）导电层，从而形成第二接合区。第一导电部分形成在第一层上以将第一连接区域彼此连接。第二导电部分形成在第二层上以将第二连接区域彼此连接。通过施加激光束来形成第一通孔和第二通孔。

9. 发明申请

WO2008050889A1 太陽電池素子の製造方法および太陽電池素子审中-公开
标题翻译：太阳能电池元件制造方法和太阳能电池元件
公开(公告)号：WO2008050889A1
公开(公告)日：2008-05-02
申请号：PCT/JP2007/071062
申请日：2007-10-29
申请人：京セラ株式会社 , 新楽浩一郎 , 古茂田学
发明人：新楽浩一郎 , 古茂田学
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/022441 , H01L31/0682 , H01L31/0747 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：　太陽電池素子を従来よりも簡略的に作製することが可能な太陽電池素子の製造方法を提供する。ｐ型の導電型を呈する半導体基板の一主面側に、ｎ型の導電型を呈するシリコン薄膜層を形成し、さらにシリコン薄膜層の上に導電層を形成したうえで、正極部においてのみ導電層を加熱溶融させることによって、負極部における半導体基板とｎ型シリコン薄膜層とのｐｎ接合を維持しつつ、正極部において、半導体基板上へのｐ + 領域の形成と、コンタクト部の形成による導電層とｐ + 領域との導通接続とが同時に実現される。これにより、エッチング除去とｐ型の導電型を呈するシリコン薄膜層の再成長という煩雑な処理を行うことなく太陽電池素子を作製することができる。
摘要翻译：提供一种太阳能电池元件制造方法，与常规方法相比，可以更简单地制造太阳能电池元件。在p型导电性半导体衬底的一个主表面上，形成n型导电性硅薄膜层，在硅薄膜层上进一步形成导电层之后，导热层仅以正极电极部分。在保持负极部分的半导体衬底和n型硅薄膜层之间的pn结的同时，在半导体衬底上形成ap + +区域，并且在导电层和p < 在正电极部分同时进行形成接触部的SUP + + SUP区域。因此，可以制造太阳能电池元件，而不会产生蚀刻去除和再生p型导电性硅薄膜的麻烦的过程。

10. 发明申请

WO2007007478A1 多結晶シリコン基板、多結晶シリコンインゴット、及び製造方法审中-公开
标题翻译：多晶硅基质，多晶硅，生产工艺
公开(公告)号：WO2007007478A1
公开(公告)日：2007-01-18
申请号：PCT/JP2006/310792
申请日：2006-05-30
申请人：京セラ株式会社 , 新楽浩一郎
发明人：新楽浩一郎
IPC分类号： H01L31/028 , C01B33/037
CPC分类号： C01B33/037 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要：　多結晶シリコン基板中の不純物濃度に関して、ＥＳＲ（電子スピン共鳴）法で、基板のへき開面を温度約１０Ｋで測定したときのｇ値＝2.005～2.006におけるスピン密度をNspin（ただし、スピン密度単位は[spins/cm 3 ]）としたとき、　Nspin　≦ ３．５Ｅ１４　（条件１）を満たす領域が基板中に存在する。この条件を満たす多結晶シリコン基板は、電子スピン密度がしきい値よりも少なく、再結合準位の密度が小さい。したがって、基板の品質がよく、光電変換効率が高い基板となる。
摘要翻译：关于多晶硅衬底的杂质浓度，满足以下要求的区域存在于衬底中：Nspin = 3.5E14（条件1），其中Nspin表示在g值= 2.005至2.006处的自旋密度，其在约 10K通过ESR（电子自旋共振）在衬底的切割面，自旋/ cm 3。在满足该条件的多晶硅基板中，电子自旋密度低于阈值，复合水平的密度小。因此，基板质量好，光电转换效率高。

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