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1. 发明申请

WO2009096539A1 太陽電池素子および太陽電池素子の製造方法审中-公开
标题翻译：太阳能电池元件和太阳能电池元件制造方法
公开(公告)号：WO2009096539A1
公开(公告)日：2009-08-06
申请号：PCT/JP2009/051608
申请日：2009-01-30
申请人：京セラ株式会社 , 新楽浩一郎 , 岩目地和明 , 古茂田学
发明人：新楽浩一郎 , 岩目地和明 , 古茂田学
IPC分类号： H01L31/06 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：　簡易に作製可能で高効率の太陽電池素子及びその製造方法を提供する。一導電型を有する半導体基板の裏面側に絶縁層を形成する。絶縁層の一部を除去することにより半導体基板を露出させて複数の第一貫通孔を形成する。絶縁層の上と、複数の第一貫通孔において露出している半導体基板上とに、一導電型の第一の層を形成して、第一接合領域を形成する。第一の層と絶縁層との一部を除去することにより半導体基板を露出させて複数の第二貫通孔を形成する。第一の層の上と、複数の第二貫通孔において露出している半導体基板上とに、逆導電型の第二の層を形成して、第二接合領域を形成する。第一の層上に、複数の第一接合領域同士を接続する第一導電部を形成する。第二の層上に、複数の第二接合領域同士を接続する第二導電部を形成する。複数の第一貫通孔および複数の第二貫通孔は、レーザー光照射により形成する。
摘要翻译：可以提供一种易于制造的高效太阳能电池元件和太阳能电池元件的制造方法。在具有单向（第一方向）导电性的半导体衬底的后表面上形成绝缘层。绝缘层被部分去除以暴露半导体衬底并形成多个第一通孔。在绝缘层和暴露在第一通孔中的半导体衬底上形成第一方向电导率的第一层，从而形成第一接合区域。第一层和绝缘层被部分地去除以形成多个第二通孔。在第一层和第二通孔中露出的半导体衬底上形成第二层反向（第二方向）导电层，从而形成第二接合区。第一导电部分形成在第一层上以将第一连接区域彼此连接。第二导电部分形成在第二层上以将第二连接区域彼此连接。通过施加激光束来形成第一通孔和第二通孔。

2. 发明申请

WO2008050889A1 太陽電池素子の製造方法および太陽電池素子审中-公开
标题翻译：太阳能电池元件制造方法和太阳能电池元件
公开(公告)号：WO2008050889A1
公开(公告)日：2008-05-02
申请号：PCT/JP2007/071062
申请日：2007-10-29
申请人：京セラ株式会社 , 新楽浩一郎 , 古茂田学
发明人：新楽浩一郎 , 古茂田学
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/022441 , H01L31/0682 , H01L31/0747 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：　太陽電池素子を従来よりも簡略的に作製することが可能な太陽電池素子の製造方法を提供する。ｐ型の導電型を呈する半導体基板の一主面側に、ｎ型の導電型を呈するシリコン薄膜層を形成し、さらにシリコン薄膜層の上に導電層を形成したうえで、正極部においてのみ導電層を加熱溶融させることによって、負極部における半導体基板とｎ型シリコン薄膜層とのｐｎ接合を維持しつつ、正極部において、半導体基板上へのｐ + 領域の形成と、コンタクト部の形成による導電層とｐ + 領域との導通接続とが同時に実現される。これにより、エッチング除去とｐ型の導電型を呈するシリコン薄膜層の再成長という煩雑な処理を行うことなく太陽電池素子を作製することができる。
摘要翻译：提供一种太阳能电池元件制造方法，与常规方法相比，可以更简单地制造太阳能电池元件。在p型导电性半导体衬底的一个主表面上，形成n型导电性硅薄膜层，在硅薄膜层上进一步形成导电层之后，导热层仅以正极电极部分。在保持负极部分的半导体衬底和n型硅薄膜层之间的pn结的同时，在半导体衬底上形成ap + +区域，并且在导电层和p < 在正电极部分同时进行形成接触部的SUP + + SUP区域。因此，可以制造太阳能电池元件，而不会产生蚀刻去除和再生p型导电性硅薄膜的麻烦的过程。

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