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1. 发明申请

WO2005038899A1 高抵抗シリコンウェーハの製造方法、並びにエピタキシャルウェーハおよびＳＯＩウェーハの製造方法审中-公开
标题翻译：生产高电阻硅波的工艺及其生产外延波形和SOI波形的工艺
公开(公告)号：WO2005038899A1
公开(公告)日：2005-04-28
申请号：PCT/JP2004/011050
申请日：2004-08-02
申请人：三菱住友シリコン株式会社 , 栗田一成 , 定光信介 , 高尾浩之 , 宝来正隆
发明人：栗田一成 , 定光信介 , 高尾浩之 , 宝来正隆
IPC分类号： H01L21/322
CPC分类号： H01L21/324 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/322 , H01L21/76243
摘要：　本発明の高抵抗シリコンウェーハの製造方法によれば、ＣＺ法により得られた、高抵抗で炭素を含有するシリコンウェーハを用いて、昇温操作（ランピング）による第１熱処理と、高温熱処理および中温熱処理とからなる第２熱処理とを組み合わせることにより、効率的に酸素ドナーの生成を抑制でき、デバイス製造の工程における熱処理後においても、高抵抗が維持でき、抵抗率の変動を抑制した高抵抗シリコンウェーハを得ることができる。さらに、この高抵抗シリコンウェーハを用いれば、優れたエピタキシャルウェーハおよびＳＯＩウェーハを製造できるので、高周波通信デバイスまたはアナログ、デジタル混載デバイス等、広い分野で適用することができる。
摘要翻译：一种制造高电阻硅晶片的方法，其中通过使用含有碳的高电阻硅晶片并且通过升温操作（斜面）组合第一热处理和由高温组成的第二热处理来有效地抑制氧供体的产生热处理和中间温度热处理，并且即使在器件制造工艺中的热处理之后也能够保持高电阻，从而产生抑制了电阻率变化的高电阻硅晶片。由于可以使用高电阻硅晶片制造优异的外延晶片和SOI晶片，所以高电阻硅晶片可应用于包括高频通信装置，模拟/数字混合装置等的广泛领域。

2. 发明申请

WO2009075257A1 シリコン基板とその製造方法审中-公开
标题翻译：硅基板及其制造方法
公开(公告)号：WO2009075257A1
公开(公告)日：2009-06-18
申请号：PCT/JP2008/072311
申请日：2008-12-09
申请人：株式会社SUMCO , 表秀一 , 栗田一成
发明人：表秀一 , 栗田一成
IPC分类号： C30B29/06 , C23C16/24 , C30B15/04 , H01L21/322 , H01L27/148
CPC分类号： H01L21/3225 , H01L27/14643 , H01L27/14837 , H01L31/035281
摘要：この固体撮像素子用のシリコン基板では、ゲッタリング能力の確実性とその向上を図るために、Ｂがドープされたｐ型シリコン基板上に該ｐ型シリコン基板よりも低濃度のＢを有するシリコンエピタキシャル層を成膜した固体撮像素子用シリコン基板であって、前記ｐ型シリコン基板のＢ濃度が抵抗率１～３０ｍΩｃｍに相当する濃度、Ｃ濃度が０．１×１０１６～１５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、酸素濃度が６．０×１０１７～１８．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３とされた。
摘要翻译：提供了一种用于固态成像元件的硅衬底。在硅衬底中，在B掺杂的p型硅衬底上形成含有低于p型硅衬底中的浓度的B的外延层，以确保和改善吸杂性能。 p型硅衬底的B浓度等于电阻率为1-30mOcm，C浓度为0.1OE016至150E016atoms / cm3，氧浓度为6.0OE017至18.0OE017atoms / cm3。

3. 发明申请

WO2004035879A1 シリコン単結晶インゴットの点欠陥分布を測定する方法审中-公开
标题翻译：测量单晶晶体点缺陷分布的方法
公开(公告)号：WO2004035879A1
公开(公告)日：2004-04-29
申请号：PCT/JP2003/013320
申请日：2003-10-17
申请人：三菱住友シリコン株式会社 , 栗田一成 , 古川純
发明人：栗田一成 , 古川純
IPC分类号： C30B29/06
CPC分类号： C30B33/00 , C04B24/003 , C04B28/146 , C04B2111/00836 , C30B15/00 , C30B29/06 , Y10T117/1008 , C04B22/147 , C04B24/04 , C04B2103/69
摘要：単結晶インゴットを軸方向にインゴット中心軸を含むように切断して、領域［Ｖ］、領域［Ｐv］、領域［Ｐi］及び領域［Ｉ］を含む測定用サンプルとし、中心軸に対して対称となるように２分割して第１及び第２サンプルを作製する。第１遷移金属を第１サンプルの表面に金属汚染し、第１遷移金属と異なる第２遷移金属を第２サンプルの表面に金属汚染する。金属汚染された第１及び第２サンプルを熱処理して第１及び第２遷移金属をサンプル内部に拡散させる。第１及び第２サンプル全体における再結合ライフタイムをそれぞれ測定し、第１サンプルの鉛直方向の測定値を第２サンプルの鉛直方向の測定値に重ね合わせる。重ね合わせた結果から、領域［Ｐi］と領域［Ｉ］の境界及び領域［Ｖ］と領域［Ｐv］の境界をそれぞれ規定する。
摘要翻译：首先，将单晶锭沿轴向切片以容纳锭的中心轴，得到含有区域[V]，区域[Pv]，区域[Pi]和区域[I]的测定样品。将该样品减半，以实现跨越中心轴的对称性，从而获得第一样品和第二样品。在第一样品的表面上进行用第一过渡金属的金属染色，并且在第二样品的表面上进行与第一过渡金属不同的第二过渡金属的金属染色。对金属染色的第一和第二样品进行热处理，以将第一和第二过渡金属扩散到样品内部。测量第一和第二样品全部的各自的复合寿命，并将第一样品的垂直测量叠加在第二样品的垂直测量上。基于叠加结果，区域[Pi]和区域[I]之间的边界以及区域[V]和区域[Pv]之间的边界被单独定义。

4. 发明申请

WO2009075288A1 シリコン基板とその製造方法审中-公开
标题翻译：硅基板及其制造方法
公开(公告)号：WO2009075288A1
公开(公告)日：2009-06-18
申请号：PCT/JP2008/072400
申请日：2008-12-10
申请人：株式会社SUMCO , 栗田一成 , 表秀一
发明人：栗田一成 , 表秀一
IPC分类号： H01L21/322 , C30B29/06 , H01L27/148
CPC分类号： H01L21/3225 , C30B15/00 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L27/14698
摘要：　ゲッタリング能力の確実性とその向上を図るために、ＣＺ法によりＢ濃度が抵抗率８ｍΩｃｍ～１０ｍΩｃｍに相当する濃度、Ｃ濃度が０．５×１０１６～１０×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、酸素濃度が１×１０１８～１０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３を有するシリコン単結晶を引き上げる工程と、　引き上げたシリコン単結晶からスライスしたシリコン基板に６００～８００°Cで０．２５～３時間の熱処理をおこなう析出を促進する熱処理工程とを有する。
摘要翻译：提供了一种制造硅衬底的方法，其方法是通过CZ法拉伸B浓度相当于电阻率为8mOcm至10mOcm，C浓度为0.5OE016至100E016atoms / cm3的硅单晶，以及氧浓度为10E018至100E018atoms / cm3，以确保吸气并提高吸气性能。该方法还具有通过在从600-800℃下对从拉硅单晶切片的硅衬底进行0.25-3小时的热处理来促进析出的热处理步骤。

5. 发明申请

WO2008029918A1 固体撮像素子用半導体基板および固体撮像素子ならびにそれらの製造方法审中-公开
标题翻译：用于固态成像装置的半导体基板，固态成像装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2008029918A1
公开(公告)日：2008-03-13
申请号：PCT/JP2007/067518
申请日：2007-09-07
申请人：株式会社SUMCO , 栗田一成
发明人：栗田一成
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/322 , H01L31/10
CPC分类号： H01L31/186 , C30B15/04 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/3221 , H01L27/14603 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：　炭素イオン注入によるゲッタリング法と比較して、製造コストが低く、しかもデバイス工程におけるパーティクルの発生などの問題点を解消した、固体撮像素子用の半導体基板を提供する。　シリコン基板中に、濃度が１×10 16 ～１×10 17 atoms／cm 3 の固溶炭素および濃度が1.4×10 18 ～1.6×10 18 atoms／cm 3 の固溶酸素を含有させる。
摘要翻译：本发明提供了一种用于固态成像装置的半导体衬底，与使用碳离子注入的吸气方法相比，可以实现更低的生产成本，并且可以消除器件工艺中所涉及的问题，例如颗粒的出现。具有浓度为1×10 16至1×10 17原子/ cm 3的固溶体碳和具有在硅衬底中含有1.4×10 18至1.6×10 18原子/ cm 3的浓度。

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