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1. 发明申请

WO2009060902A1 セラミックス基板、セラミックス基板の製造方法及びパワーモジュール用基板の製造方法审中-公开
标题翻译：陶瓷基板，陶瓷基板的制造方法以及电源模块用基板的制造方法
公开(公告)号：WO2009060902A1
公开(公告)日：2009-05-14
申请号：PCT/JP2008/070219
申请日：2008-11-06
申请人：三菱マテリアル株式会社 , 殿村宏史 , 北原丈嗣 , 石塚博弥 , 黒光祥郎 , 長友義幸
发明人：殿村宏史 , 北原丈嗣 , 石塚博弥 , 黒光祥郎 , 長友義幸
IPC分类号： H05K1/03 , H01L23/15 , H05K1/02 , H05K3/00
CPC分类号： B23K1/20 , C04B35/584 , C04B37/026 , C04B2235/72 , C04B2235/721 , C04B2235/723 , C04B2235/96 , C04B2237/121 , C04B2237/128 , C04B2237/368 , C04B2237/402 , C04B2237/52 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/86 , H01L21/4807 , H01L21/481 , H01L23/15 , H01L23/3735 , H01L23/4006 , H01L23/473 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H05K1/0306 , H05K3/0029 , H05K3/0052 , H05K3/38 , H05K3/381 , H05K2201/0355 , H05K2201/09036 , H05K2201/0909 , H05K2203/095 , Y10T29/49155 , H01L2924/00
摘要：　珪素を含有するセラミックス基板であって、同基板の表面における酸化シリコン及びシリコンの複合酸化物の濃度が、２．７Ａｔｏｍ％以下である。
摘要翻译：公开了含有硅的陶瓷基板，其中，所述基板表面的氧化硅和硅复合氧化物的浓度为2.7原子％以下。

2. 发明申请

WO2009066692A1 パワーモジュール用基板の製造方法、パワーモジュール用基板、及びパワーモジュール审中-公开
标题翻译：电源模块用基板，电源模块用基板和电源模块的制造方法
公开(公告)号：WO2009066692A1
公开(公告)日：2009-05-28
申请号：PCT/JP2008/071018
申请日：2008-11-19
申请人：三菱マテリアル株式会社 , 北原丈嗣 , 長友義幸 , 長瀬敏之 , 黒光祥郎
发明人：北原丈嗣 , 長友義幸 , 長瀬敏之 , 黒光祥郎
IPC分类号： H01L23/12 , B23K1/00 , B23K1/19 , H01L23/36 , H05K3/38
CPC分类号： H05K3/38 , B23K1/0016 , B23K1/19 , B23K2201/40 , B23K2203/10 , B23K2203/18 , B23K2203/52 , H01L21/4803 , H01L23/15 , H01L23/3735 , H01L2224/32225 , H05K1/0306 , H05K1/09 , H05K3/0061 , H05K2203/128 , Y10T428/12007 , Y10T428/12736 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926
摘要：　このパワーモジュール用基板を製造する方法は、セラミックス基板（１１）と純アルミニウムからなる金属板（２２，２３）とを準備し、前記セラミックス基板（１１）と前記金属板（２２，２３）とを、ろう材（２４，２５）を介して積層し、加熱によってろう材（２４，２５）を溶融させて前記セラミックス基板（１１）及び前記金属板（２２，２３）の界面に溶融アルミニウム層（２６，２７）を形成する溶融工程と、冷却によって溶融アルミニウム層（２６，２７）を凝固させ、前記溶融アルミニウム層（２６，２７）を凝固させる際に前記金属板（２２，２３）の結晶方位に揃えて結晶成長させる凝固工程と、を有する。
摘要翻译：本发明提供了一种用于制造功率模块用基板的方法，其特征在于，包括熔融步骤，提供陶瓷基板（11）和纯铝的金属板（22,23），堆叠陶瓷基板（11）和金属板（22,23）通过钎焊材料（24,25）彼此顶起，并且加热钎料（24,25）以在陶瓷基板（11）的界面处形成熔融铝层（26,27））和所述金属板（22,23）以及固化步骤，用于冷却所述组件以固化所述熔融铝层（26,27），使得在使所述熔融铝层（26,27）固化时，所述晶体生长在金属板（22,23）的晶体取向。

3. 发明申请

WO2007032486A1 絶縁回路基板および冷却シンク部付き絶縁回路基板审中-公开
标题翻译：绝缘电路板和绝缘电路板提供冷却水槽部分
公开(公告)号：WO2007032486A1
公开(公告)日：2007-03-22
申请号：PCT/JP2006/318395
申请日：2006-09-15
申请人：三菱マテリアル株式会社 , トヨタ自動車株式会社 , 黒光祥郎 , 鳥海誠 , 長友義幸 , 石塚博弥 , 馬場陽一郎 , 渡邊智之 , 安井卓也
发明人：黒光祥郎 , 鳥海誠 , 長友義幸 , 石塚博弥 , 馬場陽一郎 , 渡邊智之 , 安井卓也
IPC分类号： H01L23/40 , H01L23/473 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号： H01L23/3735 , H01L23/473 , H01L2224/29111 , H01L2224/32225 , H05K1/0271 , H05K1/0306 , H05K1/09 , H05K3/0061 , H05K3/341 , H05K3/3463 , H05K2201/0352 , H05K2201/09736
摘要：　絶縁回路基板は、絶縁板と、絶縁板の第１の面に接合された回路板と、絶縁板の第２の面に接合された金属板とを備える。前記回路板は、純度が９９．９８％以上のＡｌ合金若しくは純Ａｌにより形成され、前記金属板は、純度が９８．００％以上９９．９０％以下のＡｌ合金により形成されている。前記回路板の厚さ（ａ）は例えば０．２ｍｍ以上０．８ｍｍ以下、前記金属板の厚さ（ｂ）は例えば０．６ｍｍ以上１．５ｍｍ以下、ａ／ｂ≦１である。冷却シンク部付き絶縁回路基板は、前記絶縁回路基板と、前記金属板に第２はんだ層を介して接合された冷却シンク部とを備える。前記第２はんだ層は、Ｓｎを主成分とするはんだにより形成されて、そのヤング率は例えば３５ＧＰａ以上、０．２％耐力は例えば３０ＭＰａ以上、引張強度は例えば４０ＭＰａ以上である。前記冷却シンク部は、例えば純Ａｌ若しくはＡｌ合金により形成される。
摘要翻译：绝缘电路板设置有绝缘板，接合到绝缘板的第一平面的电路板和接合到绝缘板的第二平面的金属板。电路板由纯度为99.98％的Al合金或纯Al形成，金属板由纯度为98.00％但不高于99.90％的Al合金形成。电路板的厚度（a）例如为0.2mm以上且0.8mm以下，金属板的厚度（b）例如为0.6mm以上且1.5mm以下，并且满足a / b = 1的不等式。设置有冷却槽部的绝缘电路基板具有绝缘电路基板，以及通过第二焊料层与金属板接合的冷却槽部。第二焊料层由以Sn为主要成分的焊料形成，杨氏模量例如为35GPa以上，0.2％抗强度例如为30MPa以上，拉伸强度为例如40MPa以上。冷却槽部由例如纯Al或Al合金形成。

4. 发明申请

WO2003046249A1 ＭｇＯ蒸着材およびその製造方法审中-公开
标题翻译： MgO蒸气沉积材料及其制备方法
公开(公告)号：WO2003046249A1
公开(公告)日：2003-06-05
申请号：PCT/JP2002/012541
申请日：2002-11-29
申请人：三菱マテリアル株式会社 , 桜井英章 , 豊口銀二郎 , 黒光祥郎
发明人：桜井英章 , 豊口銀二郎 , 黒光祥郎
IPC分类号： C23C14/24
CPC分类号： C04B35/6261 , C04B35/053 , C04B35/62625 , C04B35/6263 , C04B35/62655 , C04B35/62695 , C04B2235/5427 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/661 , C04B2235/72 , C04B2235/721 , C04B2235/722 , C04B2235/724 , C04B2235/726 , C04B2235/727 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/85 , C04B2235/87 , C04B2235/95 , C04B2235/96 , C23C14/081 , C30B29/16
摘要： A MgO vapor deposition material, wherein it is a polycrystalline material having a MgO purity of 99.0 % or higher, a relative density of 90.0 % or more, a sulfur content of 0.01 to 50 ppm, a chlorine content of 0.01 to 50 ppm, a nitrogen content of 0.01 to 200 ppm, a phosphorus content of 0.01 to 30 ppm. The vapor deposition material allows the achievement of the vapor deposition almost free from the occurrence of splash phenomenon by the electron beam deposition method and also the preparation of a MgO film having improved film characteristics.
摘要翻译：一种MgO蒸镀材料，其特征在于，其为MgO纯度为99.0％以上，相对密度为90.0％以上，硫含量为0.01〜50ppm，氯含量为0.01〜50ppm的多晶材料，a 氮含量为0.01〜200ppm，磷含量为0.01〜30ppm。气相沉积材料允许通过电子束沉积方法实现几乎不发生飞溅现象的气相沉积，以及制备具有改进的膜特性的MgO膜。

5. 发明申请

WO2004110956A1 無鉛系ガラス組成物及びそれを用いたＰＤＰバリアリブ审中-公开
标题翻译：无铅玻璃组合物和使用该玻璃组合物的PDP BARRIER RIB
公开(公告)号：WO2004110956A1
公开(公告)日：2004-12-23
申请号：PCT/JP2004/008131
申请日：2004-06-10
申请人：三菱マテリアル株式会社 , 黒光祥郎 , 植杉隆二 , 菅村邦夫 , 豊田誠司 , 藤野茂 , 武部博倫
发明人：黒光祥郎 , 植杉隆二 , 菅村邦夫 , 豊田誠司 , 藤野茂 , 武部博倫
IPC分类号： C04B35/622
CPC分类号： C03C3/16 , C03C8/08 , C03C17/04 , H01J2211/36
摘要：　無鉛で作業温度を５５０°Cより低下でき熱膨張率が所望の値となる耐水性の高いガラスと、可視光反射率、機械的強度、熱膨張係数が所望の値となるバリアリブおよびＰＤＰと、Ｐｂフリーのガラス粉末と均一に混合することの可能なセラミック粉末を提供すること。　ガラス成分として、３５モル％以上かつ４５モル％以下のＰ２Ｏ５と、４５モル％以上かつ５５モル％以下のＺｎＯと、５モル％以上かつ１５モル％以下のＣａＯ，ＳｒＯおよびＢａＯからなる群より選ばれた１種又は２種以上のアルカリ土類金属の酸化物と、を含む。鉛を含まないバリアリブ１４であって、その気孔率が５％以下である。表面帯電状態がプラスとなるようにする。
摘要翻译：一种无铅玻璃组合物，其包含作为玻璃成分的35〜45摩尔％的P 2 O 5，45〜55摩尔％的ZnO和5〜15摩尔％的一种或多种碱金属氧化物，其选自CaO ，SrO和BaO; 由玻璃组合物制备的无铅玻璃粉末; 可与无铅玻璃粉末均匀混合的陶瓷粉末; 由上述玻璃粉末和陶瓷粉末制成的无铅隔壁（14），其均具有带正电荷的颗粒表面，并且具有5％或更小的孔隙率; 和使用隔壁的PDP。上述玻璃组合物可以生产无铅玻璃，可以在低于550℃的温度下加工，具有所需的热膨胀系数，并且具有高耐水性。障壁和PDP表现出对于可见光，机械强度和热膨胀系数的反射系数的期望值。

6. 发明申请

WO2008050868A1 パワーモジュール用基板およびパワーモジュール用基板の製造方法並びにパワーモジュール审中-公开
标题翻译：功率模块基板，制造功率模块基板的方法和功率模块
公开(公告)号：WO2008050868A1
公开(公告)日：2008-05-02
申请号：PCT/JP2007/070939
申请日：2007-10-26
申请人：三菱マテリアル株式会社 , トヨタ自動車株式会社 , 北原丈嗣 , 石塚博弥 , 黒光祥郎 , 渡邊智之
发明人：北原丈嗣 , 石塚博弥 , 黒光祥郎 , 渡邊智之
IPC分类号： H01L23/373 , H01L23/12 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号： H01L23/3735 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/072 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2224/83424 , H05K1/0306 , H05K1/09 , H05K3/0061 , H05K3/202 , H05K3/38 , H05K2201/0355 , H05K2201/068 , H05K2203/0405 , H01L2924/014
摘要：　接合信頼性を向上させたパワーモジュールが提供される。このパワーモジュール１０は、セラミックス板１１においてその表面に回路層１２がろう付けされるとともに、その裏面に金属層１３がろう付けされ、回路層１２に半導体チップ１６がはんだ接合されるパワーモジュール用基板１４であって、金属層１３は、全体の平均純度が９８．０ｗｔ％以上９９．９ｗｔ％以下のＡｌ合金により形成されるとともに、セラミックス板１１とのろう付け面１３ａ側に含まれるＦｅの濃度が０．１ｗｔ％未満とされ、かつこのろう付け面１３ａと反対の表面１３ｂ側に含まれるＦｅの濃度が０．１ｗｔ％以上とされている。
摘要翻译：公开了具有改进的接头可靠性的功率模块。具体公开的是一种功率模块（10），包括功率模块衬底（14），其中电路层（12）钎焊在陶瓷衬底（11）的前表面上，金属层（13）钎焊在后表面的陶瓷基板（11）和半导体芯片（16）焊接到电路层（12）。金属层（13）由平均纯度不低于98.0重量％但不超过99.9重量％的Al合金构成。在该金属层（13）中，将与陶瓷基板（11）钎焊的表面（13a）侧的Fe浓度设定为小于0.1重量％，表面（13b）侧的Fe浓度与钎焊表面（13a）相对设置为不小于0.1重量％。

7. 发明申请

WO2003071572A1 バリアリブを形成するためのペースト审中-公开
标题翻译：用于形成BARRIER RIB
公开(公告)号：WO2003071572A1
公开(公告)日：2003-08-28
申请号：PCT/JP2003/001723
申请日：2003-02-18
申请人：三菱マテリアル株式会社 , 黒光祥郎 , 植杉隆二 , 神田義雄
发明人：黒光祥郎 , 植杉隆二 , 神田義雄
IPC分类号： H01J9/02
CPC分类号： H01J9/242 , H01J2211/36
摘要： A paste for forming a barrier rib, which is capable of forming a rib through plastic deformation and comprises 80 to 95 wt % of a glass powder or a glass-ceramic mixed powder, 0.05 to 3 wt % of a resin and 7 to 15 wt % of a solvent, wherein the glass powder or the glass-ceramic mixed powder has an average particle diameter D50 of 0.3 to 2.5 mum; a method for forming a rib which comprises applying the above paste on a substrate to form a paste film, allowing a blade having a specific comb shape to penetrate into the paste film, and moving the blade in a given direction relative to the paste film, to form a rib through the plastic deformation of the paste film. The method allows the formation of a barrier rib, with a reduced number of steps, minimum wastage of raw materials, ease and simplicity, and good precision.
摘要翻译：用于形成障壁的糊料，其能够通过塑性变形形成肋，并且包含80至95重量％的玻璃粉末或玻璃 - 陶瓷混合粉末，0.05至3重量％的树脂和7至15重量％％的溶剂，其中玻璃粉末或玻璃 - 陶瓷混合粉末的平均粒径D50为0.3-2.5μm; 一种用于形成肋的方法，包括将上述糊剂施加在基底上以形成糊剂膜，允许具有特定梳形的刀片渗透到糊状物膜中，并使刀片相对于糊状物沿给定方向移动，通过糊胶的塑性变形形成肋。该方法允许形成障壁，步骤减少，原料浪费最小化，简单易行，精度高。

8. 发明申请

WO2009116439A1 ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びその製造方法、並びに、ヒートシンク付パワーモジュール、パワーモジュール用基板审中-公开
标题翻译：具有散热功率模块的基板及其制造方法，具有散热功能的模块和电源模块的基板
公开(公告)号：WO2009116439A1
公开(公告)日：2009-09-24
申请号：PCT/JP2009/054654
申请日：2009-03-11
申请人：三菱マテリアル株式会社 , 林浩正 , 北原丈嗣 , 殿村宏史 , 石塚博弥 , 黒光祥郎
发明人：林浩正 , 北原丈嗣 , 殿村宏史 , 石塚博弥 , 黒光祥郎
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/36
CPC分类号： H01L23/3735 , H01L2224/32225 , Y10T29/49126 , Y10T29/49227
摘要：　このヒートシンク付パワーモジュール用基板は、第１面（１２ａ）及び第２面（１２ｂ）を有する絶縁基板（１２）と、前記第１面（１２ａ）に形成された回路層（１３）と、前記第２面（１２ｂ）に形成された金属層（１４）とを有するパワーモジュール用基板（１１）と、前記金属層（１４）に直接接合され、前記パワーモジュール用基板（１１）を冷却するヒートシンク（１７）と、を有し、前記回路層（１３）の厚さをＡとし、前記金属層（１４）の厚さをＢとした場合に、比率Ｂ／Ａが、１．５≦Ｂ／Ａ≦２０の範囲内に設定されている。
摘要翻译：公开了一种用于具有散热器的功率模块的衬底，其包括用于功率模块的衬底（11），所述衬底包括具有第一侧（12a）和第二侧（12b）的绝缘衬底（12），电路层（13））和形成在第二侧（12b）上的金属层（14）之间形成的散热片（17），以及用于冷却功率模块用基板（11）的散热片（17），其直接与金属层（14）。当电路层（13）的厚度由A表示，金属层（14）的厚度由B表示时，比率B / A设定在1.5 = B / A = 20的范围内。

9. 发明申请

WO2007142261A1 パワー素子搭載用基板、その製造方法、パワー素子搭載用ユニット、その製造方法、およびパワーモジュール审中-公开
标题翻译：功率元件安装基板，功率元件安装基板，功率元件安装单元的制造方法，功率元件安装单元的制造方法以及功率模块
公开(公告)号：WO2007142261A1
公开(公告)日：2007-12-13
申请号：PCT/JP2007/061446
申请日：2007-06-06
申请人：三菱マテリアル株式会社 , 黒光祥郎 , 石塚博弥 , 宮田博志 , 北原丈嗣 , 殿村宏史
发明人：黒光祥郎 , 石塚博弥 , 宮田博志 , 北原丈嗣 , 殿村宏史
IPC分类号： H01L23/13 , H01L23/36 , H01L23/40
CPC分类号： H01L23/3736 , H01L23/3735 , H01L23/473 , H01L24/32 , H01L2224/32225 , H05K1/09 , H05K3/38 , H05K2201/0269 , Y10T29/49124
摘要：　セラミックス板の表面に回路層がろう付けされてなり、この回路層の表面にパワー素子がはんだ接合されるパワー素子搭載用基板であって、前記回路層は、全体の平均純度が９８．０ｗｔ％以上９９．９ｗｔ％以下のＡｌ合金により形成されるとともに、前記セラミックス板とのろう付け面側に含まれるＦｅの濃度が０．１ｗｔ％未満とされ、かつこのろう付け面と反対の表面側に含まれるＦｅの濃度が０．１ｗｔ％以上とされていることを特徴とするパワー素子搭載用基板。
摘要翻译：在功率元件安装基板中，电路层钎焊在陶瓷板的表面上，功率元件用焊料接合在电路层的表面上。电路层由整个层平均纯度为98.0重量％以上且99.9重量％以下的Al合金构成，钎焊到陶瓷板的一侧的Fe浓度小于0.1重量％并且与钎焊表面相对的表面上所含的Fe的浓度为0.1重量％以上。

10. 发明申请

WO2003097895A1 蒸着材、ＭｇＯ蒸着材およびその製造方法、成膜方法审中-公开
标题翻译：受真空蒸发的材料，受真空蒸发影响的MgO材料，其制造方法和形成膜的方法
公开(公告)号：WO2003097895A1
公开(公告)日：2003-11-27
申请号：PCT/JP2003/006224
申请日：2003-05-19
申请人：三菱マテリアル株式会社 , 桜井英章 , 豊口銀二郎 , 黒光祥郎
发明人：桜井英章 , 豊口銀二郎 , 黒光祥郎
IPC分类号： C23C14/24
CPC分类号： C23C14/081
摘要：電子ビーム蒸着法における成膜時に、成膜速度を向上させ、成膜速度の制御性を向上させることのできる蒸着材である。蒸着材の材質は好ましくはMgOである。蒸着材の表面粗さRaは1.0μm～10μmの範囲に設定することが望ましい。蒸着材表面の凹凸を考慮した実表面積は、200mm 2 ～1200mm 2 の範囲に設定することが望ましい。さらに、蒸着材の外形体積は、30mm 3 ～1500mm 3 の範囲に設定することが望ましい。このような蒸着材は、平均粒径50μm以上の原料粉末を混合および/または造粒して造粒粉とし、この造粒粉をプレス成形して成形体とすることにより製造することができる。
摘要翻译：进行真空蒸镀的材料能够提高成膜速度，提高成膜时的成膜速度的控制性。进行真空蒸发的材料优选由MgO构成。进行真空蒸镀的材料的表面粗糙度（Ra）优选设定为1.0〜10μm的范围。优选将进行了真空蒸镀的材料的表面不均匀性的有效表面积设定为200〜1200mm 2的范围。进行真空蒸镀的材料的轮廓体积优选设定为30〜1500mm 3的范围。进行真空蒸镀的材料可以通过将50μm以上的平均粒径的粉末原料混合和/或造粒成粒状粉末，并将造粒粉末压制成型成型而制造。

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