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1. 发明申请

WO2012064097A2 극자외선 리소그라피용 포토레지스트 탑코트 조성물과 이를 이용하는 패턴 형성 방법 审中-公开
标题翻译：用于极紫外光刻的光致抗蚀剂面漆组合物和使用该组合物的图案形成方法
公开(公告)号：WO2012064097A2
公开(公告)日：2012-05-18
申请号：PCT/KR2011/008498
申请日：2011-11-09
申请人：㈜동진쎄미켐 , 이재우 , 오승근 , 이정열 , 김정식 , 김재현
发明人： 이재우 , 오승근 , 이정열 , 김정식 , 김재현
IPC分类号： G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0271 , G03F7/091 , G03F7/11
摘要： 극자외선 리소그라피용 마스크에 쓰이는 포토레지스트 탑코트과 그 제조를 위한 조성물을 개시한다. 이 포토레지스트 탑코트 형성용 조성물은 ㄱ) 100 중량부의 수용성 바인더 수지, ㄴ) 0.01 내지 30 중량부의 극자외선 대역외 자외선 차단제와 ㄷ) 1,000 내지 10,000 중량부의 양성자성 용매를 포함한다. 이러한 포토레지스트 탑코트를 사용하면 극자외선 리소그라피의 대역외 영역 자외선에 의한 회로 패턴의 불량을 크게 줄이고, 거친 선폭도 개선할 수 있다.
摘要翻译：公开了用于极紫外光刻的掩模中使用的光致抗蚀剂顶涂层及其组合物。（a）100重量份的水溶性粘合剂树脂，（b）0.01至30重量份的极紫外带外部紫外线屏蔽剂，和（c）1,000至10,000重量份的质子溶剂。使用这种光致抗蚀剂面涂层可以极大地减少由于紫外线光刻的带外区域中的紫外线导致的电路图案的缺陷，并且还改善了粗线宽度。

2. 发明申请

WO2012081863A2 감광성 고분자, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 레지스트 패턴 형성방법 审中-公开
标题翻译：感光聚合物，含有其的光致抗蚀剂组合物，以及使用其形成抗蚀剂图案的方法
公开(公告)号：WO2012081863A2
公开(公告)日：2012-06-21
申请号：PCT/KR2011/009503
申请日：2011-12-09
申请人： 주식회사 동진쎄미켐 , 오승근 , 이재우 , 김정식 , 이정열 , 김재현
发明人： 오승근 , 이재우 , 김정식 , 이정열 , 김재현
IPC分类号： G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0045 , C08F220/38 , C08F2220/283 , G03F7/0046 , G03F7/0397
摘要： 반도체 소자 형성을 위한 포토리쏘그래피 공정에서, 극자외선(Extreme ultraviolet; EUV) 파장의 광은 통과시키되, 극자외선 보다 장파장의 광은 차단시키는 감광성 고분자, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 레지스트 패턴 형성방법이 개시된다. 상기 감광성 고분자는 청구항 1의 화학식 1로 표시된다.
摘要翻译：
在用于半导体器件的形成，EUV（极紫外线; EUV）光刻工艺用的光sikidoe通波长，长波长光比极紫外辐射是光敏聚合物阻塞，图像包含相同公开了使用抗蚀剂组合物形成抗蚀剂图案的抗蚀剂组合物和方法。光敏聚合物由权利要求1的式1表示。

3. 发明申请

WO2012081865A2 포토리소그래피용 세정액 조성물 审中-公开
标题翻译：清洗液组合物用于光刻技术
公开(公告)号：WO2012081865A2
公开(公告)日：2012-06-21
申请号：PCT/KR2011/009526
申请日：2011-12-12
申请人： 주식회사 동진쎄미켐 , 오승근 , 이재우 , 이정열 , 김정식 , 김재현
发明人： 오승근 , 이재우 , 이정열 , 김정식 , 김재현
IPC分类号： C11D3/37 , G03F7/42
CPC分类号： C11D3/43 , C11D3/378 , G03F7/425 , G03F7/426
摘要： 포토레지스트 패턴 형성 시 발생하는 레지스트 스컴(scum) 및 패턴 쓰러짐을 방지하고, 선폭 거칠기(line width roughness: LWR)의 수치 증대를 억제(개선)할 수 있는 세정액 조성물이 개시된다. 상기 세정액 조성물은 청구항 1의 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 수용성 고분자; 계면활성제; 및 용매를 포함한다.
摘要翻译：公开了一种用于防止在形成光致抗蚀剂图案时可能发生的抗污垢浮渣形成和图案塌陷以及用于防止（改善）线宽粗糙度（LWR）增加的清洗液组合物。清洗液组合物包括：水溶性聚合物，包括由权利要求1的化学式1表示的重复单元; 表面活性剂; 和溶剂。

4. 发明申请

WO2010140870A3 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2010140870A3
公开(公告)日：2010-12-09
申请号：PCT/KR2010/003615
申请日：2010-06-04
申请人： 주식회사 동진쎄미켐 , 이준경 , 장유진 , 한동우 , 김정식 , 이정열 , 이재우 , 김덕배 , 김재현
发明人： 이준경 , 장유진 , 한동우 , 김정식 , 이정열 , 이재우 , 김덕배 , 김재현
IPC分类号： H01L21/027
摘要： 노광 마스크 없이 단순 노광에 의하여 2차 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있는 이중 노광 패터닝 공정을 이용한, 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법이 개시된다. 상기 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법은, 피식각층이 형성된 반도체 기판 상에 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1 포토레지스트 패턴을 110 내지 220℃로 가열(하드닝 베이크)하여 층간 거울막을 형성하는 단계; 상기 결과물 상에 제2 포토레지스트막을 형성하는 단계; 및 상기 제2 포토레지스트막에 노광 마스크 없이 제2 포토레지스트막의 문턱에너지(Threshold Energy; E th )보다 낮은 값의 에너지를 갖는 광(저에너지 광)으로 노광 및 현상 공정을 수행하여, 상기 제1 포토레지스트 패턴 사이에 층간 거울막의 난반사에 의한 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.

5. 发明申请

WO2011014011A2 가교성 경화 물질을 포함하는 포토레지스트 조성물 审中-公开
标题翻译：一种包含可交联固化材料的光刻胶组合物
公开(公告)号：WO2011014011A2
公开(公告)日：2011-02-03
申请号：PCT/KR2010/004969
申请日：2010-07-28
申请人： 주식회사 동진쎄미켐 , 장유진 , 이준경 , 한동우 , 김정식 , 이정열 , 이재우 , 김덕배 , 김재현
发明人： 장유진 , 이준경 , 한동우 , 김정식 , 이정열 , 이재우 , 김덕배 , 김재현
IPC分类号： G03F7/032 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0035 , G03F7/0382 , G03F7/405
摘要： 이중 패터닝 기술을 이용한 패턴 형성 방법에서, 포토레지스트 패턴 형성 후, 가열 또는 노광 및 가열에 의해 포토레지스트 패턴 표면에 패턴 보호막을 형성할 수 있는, 가교성 경화 물질을 포함하는 포토레지스트 조성물이 개시된다. 상기 포토레지스트 조성물은, 감광성 고분자 3 내지 30중량%; 상기 감광성 고분자 100중량부에 대하여, 청구항 1의 화학식 1 및/또는 화학식 2로 표시되는 가교 경화제 0.5 내지 75중량부; 상기 감광성 고분자 100중량부에 대하여, 광산발생제 0.05 내지 15중량부; 및 나머지 용매를 포함한다.
摘要翻译：
使用加热或暴露于光并通过加热光致抗蚀剂图案表面后形成的光致抗蚀剂图案以形成图案的保护膜含有双重图案化技术在图案形成方法中，交联材料固化 Lt。该光致抗蚀剂组合物包含3至30重量％的光敏聚合物; 基于100重量份的光敏聚合物，0.5至75重量份的由权利要求1的通式（1）和/或（2）表示的交联固化剂; 基于100重量份的光敏聚合物，0.05至15重量份的光酸产生剂; 和剩下的溶剂。

6. 发明申请

WO2013036027A2 페놀계 자가가교 고분자 및 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 审中-公开
标题翻译：酚基自交联聚合物和含有其的抗蚀剂下层组合物
公开(公告)号：WO2013036027A2
公开(公告)日：2013-03-14
申请号：PCT/KR2012/007102
申请日：2012-09-05
申请人： 주식회사 동진쎄미켐 , 김정식 , 김재현 , 이재우
发明人： 김정식 , 김재현 , 이재우
IPC分类号： C08G61/00
CPC分类号： H01L21/0271 , C08G8/08 , C08G8/12 , C08G8/28 , C08G61/02 , C08G65/4006 , C08G65/48 , C08G65/485 , C08G73/0655 , C08G2261/135 , C08G2261/3424 , C08G2261/76 , C09D161/14 , C09D179/04 , G03F7/094
摘要： 고분자 경화를 위한 첨가제 없이도 가열 시 자가가교 반응이 일어나는 페놀계 자가가교 고분자 및 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물이 개시된다. 상기 페놀계 자가가교 고분자는 본 명세서의 화학식 1로 표시되는 고분자, 화학식 2로 표시되는 고분자 및 화학식 3으로 표시되는 고분자로 이루어진 군으로부터 선택된다.
摘要翻译：
基于加热而无需添加剂聚合物固化所述自交联反应的苯酚是自引发抗蚀剂下层膜组合物，其包含聚合物和交联的。酚类交联聚合物选自由式（1）表示的聚合物，由式（2）表示的聚合物和由式（3）表示的聚合物组成的组。

7. 发明申请

WO2012134226A2 포토리소그래피용 세정액 조성물 审中-公开
标题翻译：用于光刻机的清洁溶液组合物
公开(公告)号：WO2012134226A2
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：PCT/KR2012/002392
申请日：2012-03-30
申请人： 주식회사 동진쎄미켐 , 오승근 , 이재우 , 김재현
发明人： 오승근 , 이재우 , 김재현
IPC分类号： G03F7/42 , C11D3/34 , G03F7/40
CPC分类号： C11D7/265 , C11D3/3765 , C11D3/3773 , C11D3/3776 , C11D7/3245 , C11D7/5004 , G03F7/168
摘要： 본 발명은 포토레지스트 패턴 형성 시 발생하는 패턴 쓰러짐 및 선폭 거칠기(LWR)의 수치 증대를 방지하고, 패턴 표면을 경화시켜 식각 저항성을 높일 수 있는 포토리소그래피용 세정액 조성물을 개시한다. 상기 세정액 조성물은 화학식 1로 표시되는 산성 단분자 화합물 또는 화학식 3으로 표시되는 반복단위를 포함하는 수용성 고분자; 및 용매를 포함한다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于光刻的清洁溶液组合物，其防止图案塌陷和在形成光致抗蚀剂图案期间可能发生的线宽粗糙度（LWR）的数值增加，并且使图案表面变硬耐蚀刻性。清洗液组合物包括：包含化学式1表示的单分子酸化合物或化学式3表示的重复单元的水溶性聚合物; 和溶剂。

8. 发明申请

WO2013042973A2 Ｉ-선 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 미세패턴 형성 방법 审中-公开
标题翻译： I-LINE光电组合物和使用其形成精细图案的方法
公开(公告)号：WO2013042973A2
公开(公告)日：2013-03-28
申请号：PCT/KR2012/007576
申请日：2012-09-21
申请人： 주식회사 동진쎄미켐 , 이정열 , 장유진 , 이재우 , 김재현
发明人： 이정열 , 장유진 , 이재우 , 김재현
IPC分类号： G03F7/26 , G03F7/16
CPC分类号： G03F7/0388 , G03F7/022 , G03F7/0226 , G03F7/0233 , G03F7/405
摘要： 고온(200 내지 250℃)에서의 열적 안정성이 우수하고, 산확산막을 이용한 패턴의 미세화가 가능한 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있는 I-선(line) 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 미세패턴 형성 방법이 개시된다. 상기 I-선(line) 포토레지스트 조성물은 본 명세서의 화학식 1로 표시되는 반복단위 1 내지 99몰%, 및 본 명세서의 화학식 2로 표시되는 반복단위, 본 명세서의 화학식 3으로 표시되는 반복단위 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 반복단위를 1 내지 99몰% 포함하는 고분자; 2개 이상의 디아조나프토퀴논(DNQ)기를 포함하는 감광성 화합물; 및 유기용매를 포함한다.
摘要翻译：公开了一种在高温（200-250℃）下具有热稳定性并且能够通过使用酸扩散阻挡层形成精细图案的I线光致抗蚀剂组合物，以及使用I线光致抗蚀剂形成精细图案的方法组成。 I系光致抗蚀剂组合物包含：1〜99摩尔％的由本说明书的化学式1表示的重复单元和含有1〜99摩尔％重复单元的聚合物，其选自：由本说明书的化学式2表示的重复单元，由本说明书的化学式3表示的重复单元和上述重复单元的混合物; 含有至少两个重氮萘醌（DNQ）基团的光敏化合物; 和有机溶剂。

9. 发明申请

WO2011014020A2 자가정렬 이중 패턴 형성용 포토레지스트 조성물 审中-公开
标题翻译：用于形成自对准双模式的光电组合物
公开(公告)号：WO2011014020A2
公开(公告)日：2011-02-03
申请号：PCT/KR2010/004987
申请日：2010-07-29
申请人： 주식회사 동진쎄미켐 , 이정열 , 김한상 , 이재우 , 김재현
发明人： 이정열 , 김한상 , 이재우 , 김재현
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/0035 , G03F7/0046 , G03F7/40
摘要： 비노광부의 포토레지스트막 및 패턴에 두께 감소를 유발할 수 있는, 자가정렬 이중 패턴 형성용 포토레지스트 조성물이 개시된다. 상기 포토레지스트 조성물은, 청구항 1의 화학식 1로 표시되는 고분자 0.5 내지 15중량%; 및 나머지 용매를 포함하며, 경계층 제거를 위한 현상 공정 시, 현상액에 의해 비노광부의 포토레지스트막 및 패턴에 두께 감소를 유발하는 것이다.
摘要翻译：公开了用于形成自对准双重图案的光致抗蚀剂组合物，其可以在未曝光区域中带来图案和光致抗蚀剂膜的厚度减小。光致抗蚀剂组合物包含：0.5至15重量％的由权利要求1的化学式1代表的聚合物; 并且平衡溶剂，并且在未曝光区域中的图案和光致抗蚀剂膜的厚度的减小是通过在进行的显影处理期间通过显影液进行的，以去除边界层。

10. 发明申请

WO2010151041A2 수용성 코팅막용 조성물 审中-公开
标题翻译：用于水溶性涂膜的组合物
公开(公告)号：WO2010151041A2
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：PCT/KR2010/004069
申请日：2010-06-23
申请人： 주식회사 동진쎄미켐 , 이정열 , 장유진 , 이재우 , 김재현
发明人： 이정열 , 장유진 , 이재우 , 김재현
IPC分类号： G03F7/26
CPC分类号： G03F7/40
摘要： 포토레지스트막 및 패턴의 두께 감소(top-loss) 조절 및 이를 이용한 라인 에지 러프니스(line edge roughness: LER)의 개선이 가능한 수용성 코팅막용 조성물이 개시된다. 상기 수용성 코팅막용 조성물은, 수용성 고분자 1 내지 30중량%; 상기 수용성 고분자 100중량부에 대하여, 유기산, 무기산 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 산 화합물 0.1 내지 300중량부; 상기 수용성 고분자 100중량부에 대하여, 유기염기 0.1 내지 50중량부; 및 나머지 용매를 포함하며, 포토레지스트막 및 패턴 상에, 가열 공정에 의해 산을 확산시키고 물 또는 현상액에 녹을 수 있는 수용성 코팅막을 형성하여, 포토레지스트막 및 패턴의 두께를 감소시키기 위한 것이다.
摘要翻译：公开了一种用于水溶性涂膜的组合物，其可以调节光致抗蚀剂膜和图案的顶部损耗，并且改善线边缘粗糙度（LER）。水溶性涂膜用组合物含有：1〜30重量％的水溶性聚合物; 0.1〜300重量份选自有机酸，无机酸及其混合物的酸性化合物相对于100重量份的水溶性聚合物; 0.1〜50重量份有机碱，相对于100重量份的水溶性聚合物; 其余为溶剂。本发明通过加热工艺扩散酸，并形成可溶于水或显影剂溶液中的水溶性涂膜，以使光致抗蚀剂膜和图案上的顶部损失得以实现。

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