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热词
    • 3. 发明申请
    • 情報記録媒体
    • 信息记录媒体
    • WO2010095467A1
    • 2010-08-26
    • PCT/JP2010/001148
    • 2010-02-22
    • パナソニック株式会社西原孝史児島理恵槌野晶夫山田昇
    • 西原孝史児島理恵槌野晶夫山田昇
    • G11B7/254G11B7/24G11B7/243G11B7/257
    • G11B7/24038G11B7/2578G11B7/259G11B7/266G11B2007/24312G11B2007/24314G11B2007/24316G11B2007/25715Y10T428/21
    •  本発明の情報記録媒体(9)は、光(1)の照射によって情報を記録または再生し得る情報記録媒体であって、光(1)の入射側から、第2界面層(103)、記録層(104)及び第1界面層(105)をこの順に備えている。第1界面層(105)及び第2界面層(103)は、記録層(104)に接して配置されている。第2界面層(103)は、M1(但し、M1は、Nb、Y、Dy、Ti、Si及びAlから選ばれる少なくともいずれか一つの元素)とCrと酸素(O)とを含む。第1界面層(105)は、M2(但し、M2は、Nb、Y、Dy、Ti、Si、Al、Zr及びHfから選ばれる少なくともいずれか一つの元素)とCrと酸素(O)とを含む。第1界面層(105)及び第2界面層(103)は、酸化物(Cr 2 O 3 )に換算した場合に50モル%以下となるような範囲でCrを含んでいる。
    • 公开了一种信息记录介质(9),其通过照射光(1)记录和再现信息,并且从光(1)的入射侧开始依次配备有第二界面层(103) ,记录层(104)和第一界面层(105)。 第一界面层(105)和第二界面层(103)被布置成与记录层(104)接触。 第二界面层(103)包括:(M1)(其中(M1)为选自Nb,Y,Dy,Ti,Si和Al中的至少一种元素); 铬; 和氧(O)。 第一界面层(105)包括:(M2)(其中(M2)为选自Nb,Y,Dy,Ti,Si,Al,Zr和Hf中的至少一种元素); 铬; 和氧(O)。 当转变为氧化物(Cr 2 O 3)时,第一界面层(105)和第二界面层(103)的Cr含量为50mol%以下的范围。
    • 4. 发明申请
    • 光学的情報記録媒体及びその記録再生方式
    • 光信息记录介质和记录/再现方法
    • WO2010070901A1
    • 2010-06-24
    • PCT/JP2009/006936
    • 2009-12-16
    • パナソニック株式会社草田英夫児島理恵西原孝史槌野晶夫山田昇
    • 草田英夫児島理恵西原孝史槌野晶夫山田昇
    • G11B7/24B41M5/26G11B7/243G11B7/254G11B7/257G11B7/258
    • G11B7/2433G11B7/0037G11B7/0062G11B7/24038G11B7/2578G11B2007/24312G11B2007/24314G11B2007/24316G11B2007/25706G11B2007/2571G11B2007/25715
    •  本発明の光学的情報記録媒体(100)は、レーザビーム(040)の照射によって情報を記録再生し得る情報層(011)を含む。情報層(011)は、レーザビーム入射側と反対側から、反射層(002)と、第一の誘電体層(003)と、レーザビーム(040)の照射によって相変化を起こし得る記録層(005)と、第二の誘電体層(007)とをこの順に備える。記録層(005)は、Ge、Sb及びTeを含む。記録層(005)に含まれるGe、Sb及びTeを原子数比でGe x Sb y Te z と表した時、x、y及びzが0.39≦x<0.48、0.02≦y<0.11、0.40≦z<0.56、x+y+z=1を満たす。記録層(005)の厚さは10nm以上15nm以下である。レーザビーム(040)の情報層(011)への入射光量に対する情報層(011)からの反射光量の比率をR(%)とし、記録層(005)が結晶状態の時のRをRc(%)、記録層(005)が非晶質状態の時のRをRa(%)とした場合、Rc及びRaが6.0≦Rc/Ra≦12.0、且つ、1.0≦Rc≦3.0を満たす。
    • 光学信息记录介质(100)包括信息层(011),通过激光束照射可以记录/再现信息(040)。 信息层(011)包括反射层(002),第一电介质层(003),其相位可以通过用激光束(040)照射而改变的记录层(005)和第二电介质层 (007),其从与激光束(040)所撞击的一侧相反的一侧依次形成。 记录层(005)包含Ge,Sb和Te。 如果记录层(005)中包含的Ge,Sb和Te的原子比由GexSbyTez表示,x,y和z满足0.39 = x <0.48,0.02 = y <0.11,0.40 = z <0.56, X + Y + Z = 1。 记录层(005)的厚度为10nm〜15nm。 如果R(%)是从信息层(011)反射的光的强度与激发光束(040)的强度相对于信息层(011)的比例,则Rc(%)为R,当记录层 005)处于结晶状态,当记录层(005)处于非晶状态时,Ra(%)为R,Rc和Ra满足6.0 = Rc / Ra = 12.0,1.0 = Rc = 3.0。