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1. 发明申请

WO2015019348A3 PHOTOCATALYSTS BASED ON BISMUTH OXYHALIDE, PROCESS FOR THEIR PREPARATION AND USES THEREOF 审中-公开
标题翻译：基于二氧化锡的光催化剂，其制备方法及其用途
公开(公告)号：WO2015019348A3
公开(公告)日：2015-04-23
申请号：PCT/IL2014050702
申请日：2014-08-04
申请人： YISSUM RES DEV CO
发明人： SASSON YOEL , GNAYEM HANI
IPC分类号： B01J37/08 , B01J35/00 , B01J37/02 , B01J37/10 , C01G29/00 , C02F1/32
CPC分类号： C02F1/725 , B01J27/06 , B01J27/08 , B01J35/0013 , B01J35/002 , B01J35/0033 , B01J35/004 , B01J35/1014 , B01J37/0221 , B01J37/031 , B01J37/10 , B01J37/16 , C01G29/00 , C01G29/006 , C01P2002/50 , C01P2002/54 , C01P2002/72 , C01P2002/85 , C01P2004/03 , C01P2004/30 , C01P2004/32 , C01P2004/61 , C01P2006/12 , C02F2101/30 , C02F2101/308 , C02F2101/345 , C02F2101/36 , C02F2305/10
摘要： The invention provides a process for the preparation of bismuth oxyhalide, comprising a precipitation of bismuth oxyhalide in an acidic aqueous medium in the presence of a reducing agent. Also provided are bismuth oxyhalide compounds doped with elemental bismuth Bi(0). The use of Bi(0) doped bismuth oxyhalide as photocatalysts in water purification is also described.
摘要翻译：本发明提供了制备卤氧化铋的方法，其包括在还原剂存在下在酸性水性介质中沉淀氧化铋。还提供掺杂有元素铋Bi（0）的氧化铋化合物。还描述了在水净化中使用Bi（0）掺杂的卤氧化铋作为光催化剂。

2. 发明申请

WO2015019348A2 PHOTOCATALYSTS BASED ON BISMUTH OXYHALIDE, PROCESS FOR THEIR PREPARATION AND USES THEREOF 审中-公开
标题翻译：基于二硫化铋的光催化剂及其制备方法和用途
公开(公告)号：WO2015019348A2
公开(公告)日：2015-02-12
申请号：PCT/IL2014/050702
申请日：2014-08-04
申请人： YISSUM RESEARCH DEVELOPMENT COMPANY OF THE HEBREW UNIVERSITY OF JERUSALEM LTD.
发明人： SASSON, Yoel , GNAYEM, Hani
IPC分类号： B01J37/08
CPC分类号： C02F1/725 , B01J27/06 , B01J27/08 , B01J35/0013 , B01J35/002 , B01J35/0033 , B01J35/004 , B01J35/1014 , B01J37/0221 , B01J37/031 , B01J37/10 , B01J37/16 , C01G29/00 , C01G29/006 , C01P2002/50 , C01P2002/54 , C01P2002/72 , C01P2002/85 , C01P2004/03 , C01P2004/30 , C01P2004/32 , C01P2004/61 , C01P2006/12 , C02F2101/30 , C02F2101/308 , C02F2101/345 , C02F2101/36 , C02F2305/10
摘要： The invention provides a process for the preparation of bismuth oxyhalide, comprising a precipitation of bismuth oxyhalide in an acidic aqueous medium in the presence of a reducing agent. Also provided are bismuth oxyhalide compounds doped with elemental bismuth Bi (0) . The use of Bi (0) doped bismuth oxyhalide as photocatalysts in water purification is also described.
摘要翻译：本发明提供了制备卤氧化铋的方法，其包括在还原剂存在下在酸性含水介质中沉淀卤氧化铋。还提供了用元素铋Bi（0）掺杂的卤氧化铋化合物。还描述了使用Bi（0）掺杂的卤氧化铋作为光催化剂在水净化中的用途。

3. 发明申请

WO2014049172A3 MIXED BISMUTH AND COPPER OXIDES AND SULPHIDES FOR PHOTOVOLTAIC USE 审中-公开
标题翻译：用于光伏使用的混合双酚和铜氧化物和硫化物
公开(公告)号：WO2014049172A3
公开(公告)日：2014-10-02
申请号：PCT/EP2013070350
申请日：2013-09-30
申请人： RHODIA OPERATIONS , CENTRE NAT RECH SCIENT
发明人： LE MERCIER THIERRY , BARBOUX PHILIPPE , LE BAHERS TANGUI
IPC分类号： H01L31/032 , C01B19/00 , C01G29/00 , H01L31/072
CPC分类号： H01L31/032 , C01B19/002 , C01B19/007 , C01G29/00 , C01G29/006 , C01P2002/52 , C01P2006/40 , H01G9/2027 , H01L21/02472 , H01L21/02565 , H01L21/02568 , H01L21/0259 , H01L21/02614 , H01L21/02628 , H01L21/02631 , H01L31/0272 , H01L31/072 , Y02E10/542
摘要： The present invention relates to the use of a material comprising at least one compound of formula (1): BiCu1-zOaSbSecTed (1), where 0 ≤ z ≤ 0.2; 0 ≤ a ≤ 2; 0 ≤ b ≤ 2; 0 ≤ c ≤ 2; 0 ≤ d ≤ 2; and a + b + c + d = 2, as a p‑type semiconductor, for providing a photocurrent. The invention also relates to the photovoltaic devices (20) using these semiconductors (21).
摘要翻译：本发明涉及包含至少一种式（1）化合物的物质的用途：BiCu1-zOaSbSecTed（1），其中0≤z≤0.2; 0≤a≤2; 0≤b≤2; 0≤c≤2; 0≤d≤2; 和a + b + c + d = 2，作为p型半导体，用于提供光电流。本发明还涉及使用这些半导体（21）的光伏器件（20）。

4. 发明申请

WO2011030639A1 Ｂｉ２２２３酸化物超電導体及びその製造方法审中-公开
标题翻译： BI2223氧化物超导体及其制造方法
公开(公告)号：WO2011030639A1
公开(公告)日：2011-03-17
申请号：PCT/JP2010/063242
申请日：2010-08-05
申请人：住友電気工業株式会社 , 畳谷和晃 , 綾井直樹 , 下山淳一
发明人：畳谷　和晃 , 綾井　直樹 , 下山　淳一
IPC分类号： C01G1/00 , C01G29/00
CPC分类号： C01G29/006 , C01P2002/52 , C01P2002/72 , C01P2006/40 , C01P2006/42
摘要：Ｂｉ、Ｐｂ、Ｓｒ、Ｌｎ、Ｃａ、Ｃｕ、ＯからなるＢｉ２２２３酸化物超電導体であって、Ｌｎは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選ばれた１種以上であり、ＳｒとＬｎとの組成比が以下の組成比である、低温磁場中で高臨界電流密度を有すると共に、７７Ｋの自己磁場中においても、高臨界電流密度を維持することができるＢｉ２２２３酸化物超電導体を提供する。　Ｓｒ：Ｌｎ＝（１－ｘ）：ｘ　（但し、０．００２≦ｘ≦０．０１５）　また、前記Ｂｉ２２２３酸化物超電導体を構成する元素を含む材料を溶液中でイオン化する工程と、高温雰囲気に溶液を噴射して溶媒除去と熱分解反応を行うことにより、酸化物超電導体を構成する原子を含む粉末を製造する工程とを備える、Ｂｉ２２２３酸化物超電導体の製造方法を提供する。
摘要翻译：公开了由Bi，Pb，Sr，Ln，Ca，Cu和O组成的Bi2223氧化物超导体，其中Ln由选自La，Ce，Pr，Nd，Pm，Sm，Eu，Gd中的一种或多种元素组成， Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb和Lu，Sr和Ln的组成比如下所述。 Bi2223氧化物超导体在低温磁场中具有高临界电流密度，并且即使在自磁场中也能保持77K的高临界电流密度。 Sr：Ln =（1-x）：x（0.002 = x = 0.015）还公开了一种Bi2223氧化物超导体的制造方法，其包括将包含构成Bi2223氧化物超导体的元素的材料电解在溶液中的步骤，以及通过除去溶剂并通过将溶液喷射到高温气氛中进行热分解反应来制造含有构成氧化物超导体的原子的粉末的步骤。

5. 发明申请

WO2009044736A1 セリウム含有複合酸化物およびその製造方法、ＰＭ燃焼用触媒、並びに、ディーゼルパティキュレートフィルタ审中-公开
标题翻译：含铈复合氧化物，其生产方法，PM燃烧催化剂和柴油颗粒过滤器
公开(公告)号：WO2009044736A1
公开(公告)日：2009-04-09
申请号：PCT/JP2008/067748
申请日：2008-09-30
申请人： DOWAエレクトロニクス株式会社 , 綿島彰久 , 湯崎浩一
发明人：綿島彰久 , 湯崎浩一
IPC分类号： C01G29/00 , B01D53/94 , B01J23/18 , B01J37/03
CPC分类号： C01G29/006 , B01D53/944 , B01D2255/1021 , B01D2255/1023 , B01D2255/1025 , B01D2255/206 , B01D2255/40 , B01D2255/908 , B01D2258/012 , B01J23/002 , B01J23/18 , B01J23/6447 , B01J35/002 , B01J37/0201 , B01J37/031 , B01J2523/00 , C01G29/00 , C01P2002/52 , C01P2002/88 , B01J2523/3712 , B01J2523/3718 , B01J2523/54
摘要：　ＢｉとＰｒとを含み、３００°Cにおける酸素吸収放出能が５００μｍｏｌ／ｇ以上あるセリウム含有複合酸化物と、当該セリウム含有複合酸化物を使用するＰＭ燃焼用触媒、当該ＰＭ燃焼用触媒をフィルタ母材へ担持したディーゼルパティキュレートフィルタを提供する。
摘要翻译：旨在提供含有Bi和Pr并且在300℃下的氧吸收/解吸能力为500μmol/ g以上的含铈复合氧化物; 使用该含铈复合氧化物的PM燃烧催化剂; 和柴油微粒过滤器，其中PM燃烧催化剂装载在过滤器基体上。

6. 发明申请

WO2009011149A1 酸化物超電導体原料粉末の製造方法审中-公开
标题翻译：氧化物超导体原料粉生产工艺
公开(公告)号：WO2009011149A1
公开(公告)日：2009-01-22
申请号：PCT/JP2008/054572
申请日：2008-03-13
申请人：住友電気工業株式会社 , 綾井直樹
发明人：綾井直樹
IPC分类号： C01G1/00 , C01G29/00 , H01B13/00
CPC分类号： C04B35/62655 , C01G1/02 , C01G29/006 , C01P2006/40 , C04B35/4525 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/443 , H01L39/2477
摘要：　酸化物超電導体を構成する元素を含む溶液から溶媒を除去して固体粉末を生成する工程と、固体粉末を高温炉内に飛散させて、酸化物超電導体を構成する元素の酸化物を生成する工程を備えることにより、酸化物超電導体を構成する元素を均一に存在させることができ、かつ量産可能な、酸化物超電導体原料粉末の製造方法を提供する。
摘要翻译：一种氧化物超导体的原料粉末的制造方法，其特征在于，包括：对含有构成氧化物超导体的元素的溶液进行处理以除去溶剂并生成固体粉末的步骤; 以及其中固体粉末在高温烘箱中散射以产生用于构成氧化物超导体的元件的氧化物的步骤。该方法使得用于构成氧化物超导体的元件能够均匀地存在并且可以批量生产。

7. 发明申请

WO2008050877A1 半導体磁器組成物とその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体陶瓷组合物及其制造方法
公开(公告)号：WO2008050877A1
公开(公告)日：2008-05-02
申请号：PCT/JP2007/070960
申请日：2007-10-26
申请人：日立金属株式会社 , 島田武司 , 田路和也
发明人：島田武司 , 田路和也
IPC分类号： C04B35/46 , H01C7/02
CPC分类号： H01C7/025 , C01G23/003 , C01G23/006 , C01G29/006 , C01P2002/54 , C01P2002/72 , C01P2006/40 , C04B35/4682 , C04B35/62675 , C04B35/62685 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3227 , C04B2235/3236 , C04B2235/3251 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/608 , C04B2235/656 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , H01C7/045 , H01C17/06533 , H01G4/1227 , H01G7/06 , H01L21/31691 , H01L28/20
摘要：　Pbを含有せず、キュリー温度を正の方向へシフトすることができるとともに、室温比抵抗の上昇を最小限に抑制しながら高いジャンプ特性を得ることができる半導体磁器組成物の提供。　(BaR)TiO 3 仮焼粉又はBa(TiM)O 3 仮焼粉（R及びMは半導体化元素）からなるBT仮焼粉と、(BiNa)TiO 3 仮焼粉からなるBNT仮焼粉との混合仮焼粉を焼結してなる、BaTiO 3 のBaの一部をBi-Naで置換した半導体磁器組成物であって、前記BT仮焼粉又はBNT仮焼粉或いはそれらの混合仮焼粉に、BaCO 3 及び／又はTiO 2 を添加してなる半導体磁器組成物とする。
摘要翻译：公开了一种不含Pb的半导体陶瓷组合物，其中居里温度向正方向移动，并且在将室温电阻率的增加抑制到最小的同时获得高跳跃特性。具体公开的是通过烧结由（BaR）TiO 3 3煅烧粉末或Ba（TiM）O 3 3 / SUB组成的BT煅烧粉末的煅烧粉末混合物而获得的半导体陶瓷组合物 >煅烧粉末（其中R和M是半导体元素）和由（BiNa）TiO 3 3煅烧粉末组成的BNT煅烧粉末，其中BaTiO 3中的Ba的一部分为被Bi-Na取代。半导体陶瓷组合物通过将BTCO 3和/或TiO 2添加到BT煅烧粉末，BNT煅烧粉末或它们的混合物中而获得。

8. 发明申请

WO2008050642A1 排ガス浄化触媒用複合酸化物およびフィルター审中-公开
标题翻译：用作排气净化催化剂和过滤器的复合氧化物
公开(公告)号：WO2008050642A1
公开(公告)日：2008-05-02
申请号：PCT/JP2007/070212
申请日：2007-10-10
申请人： DOWAエレクトロニクス株式会社 , 金城優樹 , 永富晶
发明人：金城優樹 , 永富晶
IPC分类号： C01F17/00 , B01D53/94 , B01J23/31 , B01J23/64 , C01G29/00 , C01G55/00 , F01N3/02 , F01N3/10
CPC分类号： F01N3/035 , B01D53/944 , B01D2255/102 , B01D2255/2065 , B01D2255/908 , B01J23/002 , B01J23/10 , B01J23/18 , B01J23/63 , B01J23/6447 , B01J35/002 , B01J35/1014 , B01J37/03 , B01J2523/00 , B01J2523/3712 , B01J2523/48 , B01J2523/54 , B01J2523/842 , C01F17/0018 , C01G29/006 , C01P2002/52 , C01P2002/54 , C01P2002/72 , C01P2002/88 , C01P2006/12 , F01N3/0231 , F01N2330/06 , F01N2370/00 , F01N2510/065 , B01J2523/3718 , B01J2523/3756
摘要： Ce、Bi、Rおよび酸素で構成され、Ce、Bi、Rのモル比をCe:Bi:R=(1-x-y):x:yとするとき、0
摘要翻译：公开了一种用于由Ce，Bi，R和氧组成的废气净化催化剂的复合氧化物，其中应满足以下关系：0

9. 发明申请

WO2007007561A1 常誘電体薄膜形成用組成物、常誘電体薄膜および誘電体メモリ审中-公开
标题翻译：用于形成参比薄膜，参比薄膜和电介质存储器的组合物
公开(公告)号：WO2007007561A1
公开(公告)日：2007-01-18
申请号：PCT/JP2006/313029
申请日：2006-06-29
申请人：東京応化工業株式会社 , 竹内義行
发明人：竹内義行
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L21/316 , H01L27/108
CPC分类号： H01L21/31691 , C01G1/02 , C01G23/002 , C01G25/006 , C01G29/006 , C01P2006/40
摘要：　常誘電性で、リーク電流が低く、かつ誘電率が高い常誘電体薄膜を得ることのできる常誘電体薄膜形成用組成物を提供する。　Ｂａ，Ｓｒ，Ｂｉ，Ｓｃ，Ｖ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎからなる群から選ばれる少なくとも２種類の金属元素（Ａ）およびＴｉ元素（Ｂ）の各金属アルコキシド類の混合物（１）を加水分解するか、または、前記少なくとも２種類の金属元素（Ａ）およびＴｉ元素（Ｂ）の少なくとも３種類の金属元素のうちの少なくとも２種類の金属元素の複合金属アルコキシド類と、前記少なくとも３種類の金属元素のうち前記複合アルコキシド類を構成する金属元素以外の金属元素の金属アルコキシド類との混合物（２）を加水分解することにより、有機金属化合物を含有する常誘電体薄膜形成用組成物を得る。この組成物を用いて塗膜を形成し、この塗膜を焼成することにより常誘電体薄膜を形成する。
摘要翻译：用于形成顺电薄膜的组合物，其可以提供表现出顺从性并且具有低漏电流和高介电常数的顺电薄膜。用于形成含有有机金属化合物的顺电薄膜的组合物是通过水解分别含有选自Ba，Sr，Bi，Sc等中的至少两种金属元素（A）的金属醇盐的混合物（1） V，Y，Zr，Nb，Hf，Ta，Si，Ge和Sn和Ti元素（B）或由复合金属醇盐组成的混合物（2）的水解，所述复合金属醇盐包含至少两种金属元素，由上述至少两种金属元素（A）和Ti元素（B）组成的三种金属元素和在上述至少三种金属元素中含有构成上述复合金属醇盐的金属元素以外的金属元素的金属醇盐。通过将组合物形成涂膜并焙烧涂膜来制造顺电薄膜。

10. 发明申请

WO2005009905A1 MAGNETOELECTRIC LAYERED-PEROVSKITE MATERIALS AND ELECTRONIC DEVICES COMPRISING THE PEROVSKITES MATERIALS 审中-公开
标题翻译：磁电层压材料和包含PEROVSKITES材料的电子器件
公开(公告)号：WO2005009905A1
公开(公告)日：2005-02-03
申请号：PCT/KR2004/001898
申请日：2004-07-28
申请人： Research Institute of Industrial Science & Technology , POSTECH FOUNDATION , CHON, Uong , JANG, Hyun-Myung , PARK, Il-Woo
发明人： CHON, Uong , JANG, Hyun-Myung , PARK, Il-Woo
IPC分类号： C01G23/04
CPC分类号： C04B35/475 , C01G29/006 , C01P2002/34 , C01P2002/77 , C01P2006/42 , C04B2235/3224 , C04B2235/768 , H01G4/1218 , H01L41/16
摘要： Disclosed herein are the layered perovskites materials having magnetoelectric effects originated from large magnetic moment and ferroelectricity over room temperature. The layered perovskites material is represented by Formula 1 or 2 below: Bi4-xRxTi3O12 (1) Bi4-xRxTi3-yTyO 12 (2) wherein R is a lanthanide series element selected from the group consisting of Nd, Gd, Pr, Pm, Sm, Eu, Er, Tm, Tb, Yb, Dy, Ho, Er, Ce, and mixtures thereof; T is a transition element selected from the group consisting of Co, Ni, Fe, Mn, W, V, Nb, Mo, Ta, Zr and mixtures thereof; x is a number of from 0.1 to 4; and y is a number of from 0.001 to 3. Further disclosed are electronic devices comprising the perovskites materials. Since the perovskites materials have a magnetoelectric effects originated from large magnetic moment and ferroelectricity over room temperature, they can be utilized as various types of parts in electronic devices, including spintronic devices, information storage devices, magnetic-electric sensors, magnetic sensors, electric sensors, optoelectronic devices, microwave electronic devices, transducers, etc.
摘要翻译：本文公开了具有源自大磁矩和铁电性的室温下的磁电效应的层状钙钛矿材料。层状钙钛矿材料由下式1或2表示：Bi4-xRxTi3O12（1）Bi4-xRxTi3-yTyO12（2）其中R是钕系元素系列元素，选自Nd，Gd，Pr，Pm，Sm ，Eu，Er，Tm，Tb，Yb，Dy，Ho，Er，Ce及其混合物; T是选自Co，Ni，Fe，Mn，W，V，Nb，Mo，Ta，Zr及其混合物的过渡元素; x为0.1〜4的数; y是0.001〜3的数。进一步公开了包含钙钛矿材料的电子器件。由于钙钛矿材料具有从大的磁矩和铁电在室温下产生的磁电效应，因此它们可以用作电子设备中的各种类型的部件，包括自旋电子器件，信息存储器件，磁电传感器，磁传感器，电传感器，光电器件，微波电子器件，换能器等

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