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1. 发明申请

WO2008059701A9 不揮発性記憶素子、不揮発性記憶装置、不揮発性半導体装置、および不揮発性記憶素子の製造方法审中-公开
公开(公告)号：WO2008059701A9
公开(公告)日：2008-05-22
申请号：PCT/JP2007/070751
申请日：2007-10-24
申请人：パナソニック株式会社 , 藤井覚 , 高木剛 , 村岡俊作 , 小佐野浩一 , 島川一彦
发明人：藤井覚 , 高木剛 , 村岡俊作 , 小佐野浩一 , 島川一彦
IPC分类号： H01L27/10 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
摘要：本発明の不揮発性記憶素子は、第1電極(103)と、第２電極(105)と、第1電極(103)と第２電極(104)との間に介在させ、両電極(103),(105)間に与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層(104)とを備え、この抵抗変化層(104)は少なくともタンタル酸化物を含み、当該タンタル酸化物をＴａＯｘと表した場合に、０＜ｘ＜２．５を満足するように抵抗変化層(104)が構成されている。

2. 发明申请

WO2008059701A1 不揮発性記憶素子、不揮発性記憶装置、不揮発性半導体装置、および不揮発性記憶素子の製造方法审中-公开
标题翻译：非易失性存储器元件，非易失性存储器件，非易失性半导体器件以及制造非易失性存储器元件的方法
公开(公告)号：WO2008059701A1
公开(公告)日：2008-05-22
申请号：PCT/JP2007/070751
申请日：2007-10-24
申请人：松下電器産業株式会社 , 藤井覚 , 高木剛 , 村岡俊作 , 小佐野浩一 , 島川一彦
发明人：藤井覚 , 高木剛 , 村岡俊作 , 小佐野浩一 , 島川一彦
IPC分类号： H01L27/10 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2418 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
摘要：本発明の不揮発性記憶素子は、第1電極(103)と、第２電極(105)と、第1電極(103)と第２電極(104)との間に介在させ、両電極(103),(105)間に与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層(104)とを備え、この抵抗変化層(104)は少なくともタンタル酸化物を含み、当該タンタル酸化物をＴａＯｘと表した場合に、０＜ｘ＜２．５を満足するように抵抗変化層(104)が構成されている。
摘要翻译：本发明提供了一种非易失性存储元件，包括设置在第一和第二电极（103,105）之间的第一电极（103），第二电极（105）和电阻变化层（104），用于经历可逆变化基于施加在第一和第二电极（103,105）上的电信号的电阻值。电阻变化层（104）至少包括其中0

3. 发明申请

WO2008059946A1 抵抗変化型記憶装置审中-公开
标题翻译：电阻变化型存储器
公开(公告)号：WO2008059946A1
公开(公告)日：2008-05-22
申请号：PCT/JP2007/072254
申请日：2007-11-16
申请人：松下電器産業株式会社 , 加藤佳一 , 島川一彦 , 魏志強
发明人：加藤佳一 , 島川一彦 , 魏志強
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C13/003 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/76 , G11C2213/79
摘要：本発明の抵抗変化型記憶装置（１００）は、同一極性の電気パルスで複数の抵抗状態の間を遷移する抵抗変化型素子（２２）を利用した抵抗変化型記憶装置（１００）であって、抵抗変化型素子（２２）が高抵抗状態へと変化した後は電気パルス印加装置（５０）により第１の電気パルスが出力されていてもノード電位が第２の電圧レベル以上にならず、低抵抗状態へと変化した後は電気パルス印加装置（５０）により第２の電気パルスが出力されていてもノード電位が第１の電圧レベル以上にならない抵抗値となるように、直列抵抗設定器（１０）が直列電流経路の抵抗値を設定可能に構成され、並列抵抗設定器（３０）が並列電流経路の抵抗値を設定可能に構成されている。
摘要翻译：电阻变化型存储器（100）使用电阻变化型元件（22），其在多个电阻状态之间以相同极性的电脉冲进行转换。电阻变化型存储器包括可以设置串联电流路径的电阻值的串联电阻设定装置（10）和可以如下设定并联电流路径的电阻值的并联电阻设定装置（30）。也就是说，在电阻变化型元件（22）变为高电阻状态之后，即使电脉冲施加装置（50）输出第一电脉冲并且在电阻变化之后，节点电位也不超过第二电压电平即使电脉冲施加装置（50）输出第二电脉冲，节点电位也变为低电阻状态，节点电位也不超过第一第二电压电平。

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