专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2007020744A1 チョクラルスキー法による単結晶製造装置のような無駄時間をもつ時変系制御対象のための制御システム及び方法审中-公开
标题翻译：具有空闲时间的时变系统控制对象的控制系统和方法，如采用CZOCHRALSKI方法的单晶生产装置
公开(公告)号：WO2007020744A1
公开(公告)日：2007-02-22
申请号：PCT/JP2006/311395
申请日：2006-06-07
申请人：コマツ電子金属株式会社 , 板東賢一 , 森本茂夫 , 奥村卓司 , 長田哲 , 嶋田大 , 冨岡純輔 , 白石裕 , 児玉健
发明人：板東賢一 , 森本茂夫 , 奥村卓司 , 長田哲 , 嶋田大 , 冨岡純輔 , 白石裕 , 児玉健
IPC分类号： C30B15/20 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/20 , C30B29/06
摘要： To accurately control a time variant system control object having an idle time such as a Czochralski method single crystal producing device (CZ equipment). The idle time, the time constant and the process gain value of a control object (CZ equipment) (200) are set. The process gain set value has specified time variant characteristics. An output value y and its first-order and second-order time differentiation values are used as the state variable x of the control object (200). A non-linear state predicting unit (206) predicts a state variable value x(t+Ld) at a future point in time after an idle time based on the current output value y, the idle time, the time constant and the process gain set value. A gain-scheduled sliding mode control unit (212) performs a gain-scheduled sliding mode control operation based on the state variable value x(t+Ld) at a predicted future point in time, an output deviation z(t+Ld) at a future point in time, the time constant and a process gain set value at a future point in time to determine the manipulated variable uT of the control object (200).
摘要翻译：为了精确地控制具有空闲时间的时变系统控制对象，例如Czochralski方法单晶产生装置（CZ设备）。设置控制对象（CZ设备）（200）的空闲时间，时间常数和过程增益值。过程增益设置值具有指定的时变特征。使用输出值y及其一阶和二阶时间微分值作为控制对象（200）的状态变量x。非线性状态预测单元（206）基于当前输出值y，空闲时间，时间常数和处理增益来预测空闲时间之后的未来时间点的状态变量值x（t + Ld）设定值。增益调度滑动模式控制单元（212）根据预测的未来时间点的状态变量值x（t + Ld），基于状态变量值x（t + Ld），输出偏差z（t + Ld）未来时间点，时间常数和未来时间点的过程增益设定值，以确定控制对象（200）的操纵变量uT。

2. 发明申请

WO2003029533A1 単結晶半導体の製造装置、製造方法および単結晶インゴット审中-公开
标题翻译：单晶半导体制造设备和方法，单晶晶体
公开(公告)号：WO2003029533A1
公开(公告)日：2003-04-10
申请号：PCT/JP2002/010050
申请日：2002-09-27
申请人：コマツ電子金属株式会社 , 白石裕 , 冨岡純輔 , 奥村卓司 , 花本忠幸 , 小松健浩 , 森本茂夫
发明人：白石裕 , 冨岡純輔 , 奥村卓司 , 花本忠幸 , 小松健浩 , 森本茂夫
IPC分类号： C30B15/20
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/14 , C30B15/20 , Y10T117/1032 , Y10T117/1052 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/1088
摘要： A single crystal semiconductor manufacturing apparatus in which the concentration of oxygen in a single crystal semiconductor is controlled while pulling up a single crystal semiconductor such as single crystal silicon by the CZ method, a single crystal semiconductor manufacturing method, and a single crystal ingot manufactured by the method are disclosed. The natural convection 20 in the melt 5 in a quartz crucible 3 is controlled by regulating the temperatures at a plurality of parts of the melt 5. A single crystal semiconductor 6 can have a desired diameter by regulating the amount of heat produced by heating means 9a on the upper side. Further the ratio between the amount of heat produced by the upper-side heating means 9a and that by the lower-side heating means 9b is adjusted to vary the process condition. In the adjustment, the amount of heat produced by the lower-side heating means 9b is controlled to a relatively large proportion. Without inviting high cost and large size of the manufacturing apparatus, the oxygen concentration distribution in the axial direction of the single crystal semiconductor, the diameter of the single crystal semiconductor, and the minute fluctuation of the oxygen concentration in the axial direction are controlled.
摘要翻译：单晶半导体制造装置，其中通过CZ法提取单晶硅中的单晶硅，单晶半导体制造方法和单晶硅制造单晶硅，单晶硅半导体中的氧浓度被控制，公开了该方法。石英坩埚3中的熔体5中的自然对流20通过调节熔体5的多个部分的温度来控制。单晶半导体6可以通过调节由加热装置9a产生的热量而具有期望的直径在上边。此外，调节由上侧加热装置9a产生的热量与由下侧加热装置9b产生的热量之间的比率以改变处理条件。在调整中，由下侧加热装置9b产生的热量控制在相当大的比例。在不需要制造装置的高成本和大尺寸的情况下，控制单晶半导体的轴向的氧浓度分布，单晶半导体的直径和轴向的氧浓度的微小波动。

3. 发明申请

WO2005095680A1 半導体単結晶製造装置および黒鉛るつぼ审中-公开
标题翻译：半导体单晶制造设备和石墨坩埚
公开(公告)号：WO2005095680A1
公开(公告)日：2005-10-13
申请号：PCT/JP2005/006321
申请日：2005-03-31
申请人：コマツ電子金属株式会社 , 飯田哲広 , 野田暁子 , 冨岡純輔
发明人：飯田哲広 , 野田暁子 , 冨岡純輔
IPC分类号： C30B29/06
CPC分类号： C30B15/14 , C30B29/06 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/1076 , Y10T117/1088
摘要：　半導体集積回路用ウェーハの材料となる高酸素濃度の単結晶から低酸素濃度の単結晶まで、所定の酸素濃度規格範囲で歩留まりよく製造できる半導体単結晶製造装置を提供する。るつぼ３を側周側から加熱するヒータ４ａ、４ｂ、４ｃのそれぞれ隣接するヒータの間の円環状領域の全周に渡って熱遮蔽物２０、２１が設けられている。熱遮蔽物２０、２１により、前記ヒータの各加熱領域を局所化し、るつぼ３およびるつぼ内融液８の温度分布を能動的に制御することで、高酸素濃度の単結晶から低酸素濃度の単結晶まで、所定の酸素濃度規格範囲で歩留まりよく製造することができる。
摘要翻译：提供了一种半导体制造设备，通过该半导体制造设备，可以制造具有高氧浓度至低氧浓度的单晶以在规定的氧浓度标准范围内以优异的产率用作半导体集成电路的晶片材料。在相邻的加热器（4a，4b，4c）之间的环形区域的整个圆周上设置有隔热罩（20,21），其从圆周侧加热坩埚（3）。隔热罩（20,21）定位加热器的每个加热区域，并且主动地控制坩埚（3）和坩埚中的熔体（8）的温度分布。因此，可以以规定的氧浓度标准范围内以优异的产率制造具有高氧浓度至低氧浓度的单晶。

4. 发明申请

WO2003089697A1 単結晶シリコンの製造方法、単結晶シリコンウェーハの製造方法、単結晶シリコン製造用種結晶、単結晶シリコンインゴットおよび単結晶シリコンウェーハ审中-公开
标题翻译：单晶硅生产方法，单晶硅生产方法，用于生产单晶硅，单晶硅和单晶硅晶体的晶体晶体
公开(公告)号：WO2003089697A1
公开(公告)日：2003-10-30
申请号：PCT/JP2003/004868
申请日：2003-04-17
申请人：コマツ電子金属株式会社 , 飯田哲広 , 白石裕 , 末若良太 , 冨岡純輔
发明人：飯田哲広 , 白石裕 , 末若良太 , 冨岡純輔
IPC分类号： C30B29/06
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/36 , Y10S117/902
摘要： A method for eliminating slip dislocation when a single crystal silicon is produced, a seed crystal for eliminating slip dislocation, a single crystal silicon ingot from which slip dislocation is eliminated, and a single crystal silicon wafer are disclosed. A single crystal silicon is produced by dipping a seed crystal in a melt and pulling the seed crystal up along the axis of the seed crystal, using a single crystal (1) such that the crystal orientation (10) is inclined at a predetermined angle theta with respect to the axial direction (9) in such a way that the direction of the edge (8) of the {111} crystal face is inclined with respect to the axial direction (9). When a single crystal silicon is grown while pulling up a seed crystal by the CZ method, a single crystal silicon ingot of a large diameter and a heavy weight can be pulled up by eliminating slip dislocation from the thick crystal.
摘要翻译：公开了一种消除单晶硅时的滑移位错的方法，用于消除滑移位错的晶种，消除滑移位错的单晶硅锭和单晶硅晶片。通过将晶种浸入熔体中并通过使用单晶（1）将晶种沿着晶种的轴向上拉动，使得<110>晶体取向（10）倾斜于晶种相对于轴向方向（9）的预定角度θ使得{111}晶面的边缘（8）的方向相对于轴向方向（9）倾斜。当通过CZ方法提高晶种时生长单晶硅时，可以通过消除厚晶体的滑移位错来提高大直径和重量的单晶硅锭。

5. 发明申请

WO2007040081A1 単結晶半導体製造装置および製造方法审中-公开
标题翻译：单晶半导体制造装置和制造方法
公开(公告)号：WO2007040081A1
公开(公告)日：2007-04-12
申请号：PCT/JP2006/318960
申请日：2006-09-25
申请人：コマツ電子金属株式会社 , 飯田哲広 , 白石裕 , 冨岡純輔
发明人：飯田哲広 , 白石裕 , 冨岡純輔
IPC分类号： C30B15/14 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/14 , C30B35/00 , Y10T117/1052 , Y10T117/1068
摘要：　側面上段ヒータ１０については、電流流路の幅が、ヒータ上部よりもヒータ下部の方が広くなるように構成している。これにより、側面上段ヒータ１０の電流通過断面積は、ヒータ上部よりもヒータ下部の方が広くなり、それに応じて抵抗値は、ヒータ上部よりもヒータ下部の方が小さくなり、ヒータ上部よりもヒータ下部の方が相対的に発熱量が少なくなる。一方、側面下段ヒータ２０については、電流流路の幅が、ヒータ下部よりもヒータ上部の方が広くなるように構成している。これにより、側面下段ヒータ２０の電流通過断面積は、ヒータ下部よりもヒータ上部の方が広くなり、それに応じて抵抗値は、ヒータ下部よりもヒータ上部の方が小さくなり、ヒータ下部よりもヒータ上部の方が相対的に発熱量が少なくなる。
摘要翻译：侧加热器（10）与加热器上部相比具有在加热器下部加宽的电流流路宽度。因此，侧加热器（10）的电流流路横截面积在加热器下部比加热器上部大。因此，与加热器上部相比，加热器下部的电阻值减小，并且加热器下部的发热值比加热器上部相对减小。另一方面，与加热器下部相比，侧下级加热器（20）具有在加热器上部加宽的电流流路宽度。因此，在加热器上部比侧面加热器（20）的电流流路横截面积大于加热器下部。因此，与加热器下部相比，加热器上部的电阻值减小，并且加热器上部的发热值比加热器下部相对减少。

6. 发明申请

WO2005071144A1 シリコン単結晶中の酸素析出挙動予測方法、シリコン単結晶の製造パラメータ決定方法、シリコン単結晶中の酸素析出挙動予測用プログラムを記憶する記憶媒体审中-公开
标题翻译：用于预测硅单晶中氧的降解行为的方法，用于确定硅单晶的生产参数的方法以及用于预测硅单晶中氧的降解行为的储存介质储存程序
公开(公告)号：WO2005071144A1
公开(公告)日：2005-08-04
申请号：PCT/JP2005/001114
申请日：2005-01-27
申请人：コマツ電子金属株式会社 , 中村浩三 , 冨岡純輔 , 赤城哲郎 , 芳野史朗
发明人：中村浩三 , 冨岡純輔 , 赤城哲郎 , 芳野史朗
IPC分类号： C30B29/06
CPC分类号： C30B15/206 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/3225
摘要：　シリコン単結晶中の初期酸素濃度と、シリコン単結晶が結晶成長の際に受ける４００°Cから５５０°Cの間の熱履歴に応じて発生するサーマルドナーの濃度と、を特定することによって、シリコン単結晶を熱処理した場合にその熱処理過程でシリコン単結晶中に発生する酸素析出物の核発生速度を求める。さらにシリコン単結晶に加える熱処理条件を特定することによって、任意の熱処理条件における酸素析出物の密度および酸素析出量を演算によって予測する。
摘要翻译：通过指定硅单晶中的初始氧浓度和根据400℃至550℃的热历史生成的热供体的浓度，晶体生长期间硅单晶经历，氧的核产生速率确定在硅单晶中产生的沉淀，同时对硅单晶进行热处理。此外，通过规定硅单晶的热处理条件，通过计算来预测在给定的热处理条件下的氧沉淀物的浓度和析出的氧的量。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式